JPS62102406A - 垂直磁気ヘツド - Google Patents
垂直磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS62102406A JPS62102406A JP24316785A JP24316785A JPS62102406A JP S62102406 A JPS62102406 A JP S62102406A JP 24316785 A JP24316785 A JP 24316785A JP 24316785 A JP24316785 A JP 24316785A JP S62102406 A JPS62102406 A JP S62102406A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- film
- based amorphous
- magnetic head
- magnetic pole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/1278—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高密度磁気メモリー装置としてのフロッピー
ディスクやウィンチェスタ−ディスク装置及び磁気テー
プ装置等への利用に適した垂直磁気ヘッドに関するもの
である。
ディスクやウィンチェスタ−ディスク装置及び磁気テー
プ装置等への利用に適した垂直磁気ヘッドに関するもの
である。
従来の技術
従来の一例を第３図に基づいて説明する。図示のものは
単磁極型であるが、非磁性薄板１を備えたフェライトま
たは非磁性体よりなる部材２に巻線用溝３を形成して磁
極担持体４を形成し、これらの二個の磁極担持体４の間
に電極５を形成し、巻線用溝３に巻線６を巻回して垂直
磁気ヘッドが形成されている。
単磁極型であるが、非磁性薄板１を備えたフェライトま
たは非磁性体よりなる部材２に巻線用溝３を形成して磁
極担持体４を形成し、これらの二個の磁極担持体４の間
に電極５を形成し、巻線用溝３に巻線６を巻回して垂直
磁気ヘッドが形成されている。
そして、電極５としては種々の材料が使用されているが
、高透磁率性を示す高透磁率磁性体としてＣｏ系アモル
ファス単層膜が用いられている。
、高透磁率性を示す高透磁率磁性体としてＣｏ系アモル
ファス単層膜が用いられている。
この電極５の構成は、リングヘッド型垂直磁気ヘッドに
おいても同様である。
おいても同様である。
発明が解決しようとする問題点
電極５は高透磁率磁性体としてのＣｏ系アモルファスが
用いられているが、その構成は単層膜であるため、狭ト
ラツク化した時に周波数特性が劣化し、それに伴って記
録感度と再生感度とが低下し、高密度化するに当って大
きな問題点になっている。
用いられているが、その構成は単層膜であるため、狭ト
ラツク化した時に周波数特性が劣化し、それに伴って記
録感度と再生感度とが低下し、高密度化するに当って大
きな問題点になっている。
問題点を解決するための手段
電極構造をＳｉＯ、等の非磁性層を中間層としてこの非
磁性層にＣｏ系アモルファス積層膜を積層する。
磁性層にＣｏ系アモルファス積層膜を積層する。
作用
主磁極膜が非磁性層の中間層と積層された複数層のＣｏ
系アモルファス積層膜により形成されているので、磁気
特性が改仰され、狭トラック框直磁気ヘッドにおいても
記録感度・再生感度を１（好にすることができ、より高
密度化が可能になる。
系アモルファス積層膜により形成されているので、磁気
特性が改仰され、狭トラック框直磁気ヘッドにおいても
記録感度・再生感度を１（好にすることができ、より高
密度化が可能になる。
実施例
本発明の第一の実施例を第１図に基づいて説明する。ま
ず、フェライトまたは非磁性体によるブロック７と非磁
性薄板８とをガラス接着により一体化して磁極担持体９
を形成する。この磁極担持体９は二個作成され、それぞ
れの面１０は鏡面ラッピングにより仕上げられている。
ず、フェライトまたは非磁性体によるブロック７と非磁
性薄板８とをガラス接着により一体化して磁極担持体９
を形成する。この磁極担持体９は二個作成され、それぞ
れの面１０は鏡面ラッピングにより仕上げられている。
そして、前記ブロック７には巻線１１が巻回される巻線
用溝１２が形成されている。
用溝１２が形成されている。
このように形成されたー・方の磁極担持体９の前記面１
０にスパッタリング等によりＣｏ系アモルファス合金よ
りなるＣｏ系アモルファス積層膜１３、ＳｊＯ，による
非磁性層１４ （厚さ数１０Ａ）、ＣＯ系アモルファス
合金よりなるＣｏ系アモルファス積層膜１３が順次積層
されて形成されて合計膜厚が０．１〜０．３μｍの主磁
極膜１５が形成されている。この主磁極膜１５はその幅
が数十〜数百μｍ程度に仕上げられて磁極１６が形成さ
れている。そして、他方の磁極担持体９を接合して一体
化し、巻線１１が巻回されて完成する。
０にスパッタリング等によりＣｏ系アモルファス合金よ
りなるＣｏ系アモルファス積層膜１３、ＳｊＯ，による
非磁性層１４ （厚さ数１０Ａ）、ＣＯ系アモルファス
合金よりなるＣｏ系アモルファス積層膜１３が順次積層
されて形成されて合計膜厚が０．１〜０．３μｍの主磁
極膜１５が形成されている。この主磁極膜１５はその幅
が数十〜数百μｍ程度に仕上げられて磁極１６が形成さ
れている。そして、他方の磁極担持体９を接合して一体
化し、巻線１１が巻回されて完成する。
このようにして主磁極膜１５が形成される結果、Ｃｏ系
アモルファス積層膜１３の膜厚は極めて薄くなり、その
磁区構造から見て磁気特性が改善され、記録感度や再生
感度が良好になり、高密度化が達成できる。
アモルファス積層膜１３の膜厚は極めて薄くなり、その
磁区構造から見て磁気特性が改善され、記録感度や再生
感度が良好になり、高密度化が達成できる。
次に、第２図に示すものは、本発明の第二の実施例であ
り、前記の第一・の実施例と同一部分は同一符号を用い
、説明も省略する。本実施例はリングヘッド型に係るも
のであり、リング状に形成された磁極担持体としてのフ
エライトリコア１７にコイル１８が巻回されているとと
もに、その対向面にギヤツブ部非磁性層１９を介在させ
てＣｏ系アモルファス合金よりなるＣｏ系アモルファス
積層膜１３．５ｉ０２による非磁性層１４ （厚さ数１
０人）、Ｃｏ系アモルファス合金よりなるＣｏ系アモル
ファス積層膜１３が順次積層されて合計膜厚が０．１〜
０．３μｍの主磁極膜１５が二層に形成されている。
り、前記の第一・の実施例と同一部分は同一符号を用い
、説明も省略する。本実施例はリングヘッド型に係るも
のであり、リング状に形成された磁極担持体としてのフ
エライトリコア１７にコイル１８が巻回されているとと
もに、その対向面にギヤツブ部非磁性層１９を介在させ
てＣｏ系アモルファス合金よりなるＣｏ系アモルファス
積層膜１３．５ｉ０２による非磁性層１４ （厚さ数１
０人）、Ｃｏ系アモルファス合金よりなるＣｏ系アモル
ファス積層膜１３が順次積層されて合計膜厚が０．１〜
０．３μｍの主磁極膜１５が二層に形成されている。
したがって、前記実施例と同様に磁気特性が改善され、
記録感度や＋Ｉ７生感度が良好になり、高密度化が可能
になる。
記録感度や＋Ｉ７生感度が良好になり、高密度化が可能
になる。
発明の効果
本発明は、１−述のようにＳｉＯ□等の非磁性層を中間
層としてこの非磁性層にＣＯ系アモルファス積層膜を積
層して主磁極膜を形成したことにより、従来の単層膜の
ヘッドと較べて、特に、狭トラツク化した時に周波数特
性が向上し、記録感度と再生感度とが良好になり、高密
度化を図ることができるものである。
層としてこの非磁性層にＣＯ系アモルファス積層膜を積
層して主磁極膜を形成したことにより、従来の単層膜の
ヘッドと較べて、特に、狭トラツク化した時に周波数特
性が向上し、記録感度と再生感度とが良好になり、高密
度化を図ることができるものである。
第１図は本発明の第一の実施例を示す縦断側面図、第２
図は本発明の第二の実施例を示す縦断側面図、第３図は
従来の一例を示す縦断側面図である。 ８・・・非磁性薄板、１３・・・Ｃｏ系アモルファス積
層膜、１４・・・非磁性層（中間層）、１５・・・主磁
極膜 出 願 人 東京電気株式会社 ３」 し 篤Ｚヌ Ｊパ
図は本発明の第二の実施例を示す縦断側面図、第３図は
従来の一例を示す縦断側面図である。 ８・・・非磁性薄板、１３・・・Ｃｏ系アモルファス積
層膜、１４・・・非磁性層（中間層）、１５・・・主磁
極膜 出 願 人 東京電気株式会社 ３」 し 篤Ｚヌ Ｊパ
Claims (1)
- 記録媒体に接触する非磁性薄板を備えた磁極担持体に、
ＳｉＯ＿２等の非磁性層を中間層としてこの非磁性層に
Ｃｏ系アモルファス積層膜を積層して主磁極膜を形成し
たことを特徴とする垂直磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24316785A JPS62102406A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 垂直磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24316785A JPS62102406A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 垂直磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62102406A true JPS62102406A (ja) | 1987-05-12 |
Family
ID=17099805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24316785A Pending JPS62102406A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 垂直磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62102406A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5075066A (en) * | 1988-12-16 | 1991-12-24 | Yoshida Kogyo K.K. | Method of making ornaments |
| US5148343A (en) * | 1989-03-10 | 1992-09-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetic head with contact gap |
-
1985
- 1985-10-30 JP JP24316785A patent/JPS62102406A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5075066A (en) * | 1988-12-16 | 1991-12-24 | Yoshida Kogyo K.K. | Method of making ornaments |
| US5148343A (en) * | 1989-03-10 | 1992-09-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetic head with contact gap |
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