JPS62102A - 方向性結合器 - Google Patents

方向性結合器

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JPS62102A
JPS62102A JP60139533A JP13953385A JPS62102A JP S62102 A JPS62102 A JP S62102A JP 60139533 A JP60139533 A JP 60139533A JP 13953385 A JP13953385 A JP 13953385A JP S62102 A JPS62102 A JP S62102A
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strip
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Hideo Sugawara
菅原 秀夫
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 4分の1波長と同程度の長さの分布結合形の一対のスト
リップ導体を、短冊形誘電体基板を介して結合すること
により、結合度が高く、且つ低コストの方向性結合器を
提供する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マイクロストリップ線路を用いた分布結合形
の方向性結合器の改良に関する。
4分の1波長と同程度の長さストリップ導体を所望に組
合わせたマイクロ波帯乃至ミリ波帯の方向性結合器は、
導波管よりなる方向性結合器に比べて、著しく小形であ
るという利点があるので広く使用されている。
そして、マイクロストリップ線路を用いた方向性結合器
には、直接結合形と分布結合形とがあるが、前者の直接
結合形は占有面積が大きく、且つ比帯域が小さいという
短所があるので、これらの短所が除去された後者の分布
結合形がより多く使用されている。
このような方向性結合器は、結合度が高いことと、低コ
ストのことが要望されている。
〔従来の技術〕
第4図は従来の分布結合形の方向性結合器の1例の斜視
図である。
第十図は小形で゛、広帯域の方向性結合器である分布結
合形の1例で、結合度が約−3dBと高いインクディジ
ティト形の分布形結合器であって、例えばアルミナ基板
のようなセラミック基板5の下面の全面に、下部導体N
6を形成しである。
セラミック基板5の上面には、長さがほぼ4分の1波長
の3条のストリップ導体?、9.8が、この順に並列し
、極めて近接して(例えば間隔が1乃至2μm)設けら
れている。
ストリップ導体7の一方の端末には、第1のポート、1
を接続して設け、第1のポート1に対角線上に位置する
ストリップ導体8の端末には、第4のポート4を接続し
て設けである。
またストリップ導体7とストリップ導体8の中間に設け
たストリップ導体9の第1のポート1に対向する端末に
は、第4のポート4に平行して第2のポート2を接続し
て設け、ストリップ導体9の他方の端末には、第4のポ
ート4に対向する端末には、第1のポート1に平行して
第3のポート3を接続して設けである。
このような回路は、セラミック基板5の全面にニクロム
膜、その上層に金膜を蒸着等して形成、フォトリソグラ
フィ手段により形成したものである。
゛そして、第1のポート1の近傍、及び第4のポート4
の近傍の2個所で、ストリップ導体9を跨ぐ金リボンの
ようなブリッジ線10をワイヤボンデング等して、スト
リップ導体7とストリップ導体8とを接続している。
上述のように結合されているので、例えば、第1のポー
トlよりの入力信号は、第2のポート2、及び第4のポ
ート4から出力され、第3のポート3からは、殆ど出射
しないという方向性を有する。
なお、第4のポート4からの入力信号を投入した場合に
は、第1のポート1と第3のポート3より出力されるこ
とは勿論である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら上記従来例の方向性結合器は、結合度を大
きくするためには、比誘電率の高いセラミック基板を用
い、且つ、ストリップ導体を極めて近接して設けること
が必要である。
このために、高価なセラミック基板を使用し、ストリッ
プ導体を加工工程が複雑な薄膜で形成することになり、
高コストであるという問題点がある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記従来の問題点を解決するため本発明は、誘電体基板
15上に形成され、一方の端末に第1のポート1が、他
方の端末に第3のポート3が形成された第1のストリッ
プ導体16と、第1のストリップ導体16に近接して平
行に形成され、一方の端末に第2のポート2が、他方の
端末に第4のポート4が形成された第2のストリップ導
体17と、短冊形の一方の側面に第1の導体層18が、
他方の側面に第2の導体層19が設けられ、第1の導体
層18が第1のストリップ導体16に、第2の導体層1
9が第2のストリップ導体17にそれぞれ接続するよう
に、誘電体基板15に搭載された短冊形誘電体基板20
とよりなる構造にしたものである。
〔作用〕
上記本発明の手段によれば、第1のストリップ導体16
と第2のストリップ導体17とは、それぞれ短冊形誘電
体基板20の両側面に形成された第1の導体層18.第
2の導体層19に接続されているので、ストリップ導体
間隔を比較的大きくしても、第1のストリップ導体16
と第2のストリップ導体17とは高い結合度で結合され
る。
したがって、加工工程が複雑な薄膜で第1.第2のスト
リップ導体を形成する必要がなく、安価な他の手段、例
えば銅箔をエツチングして形成することができる。また
、誘電体基板15の比誘電率が低くても結合度に影響を
与えないので、低コストの加工の容易な誘電体基板を使
用することができる。
〔実施例〕
以下図示実施例により、本発明を具体的に説明する。な
お、企図を通じて同一符号は同一対象物を示す。
第1図は本発明の1実施例の斜視図であり、第2図は他
の実施例の斜視図、第3図は他の実施例に比誘電率が小
さく加工が容易で、安価な誘電体基板15の下面の全面
には、銅箔等で下部導体層6を設けである、 そして、誘電体基板15の上面には、長さがほぼλg/
4(λgは短冊形誘電体基板の誘電率によって定まる実
効波長)の第1のストリップ導体16が形成されている
。また、第1のストリップ導体16に近接(例えは間隔
が0.5m)L平行に、長さが等しい第2のストリップ
導体17が、形成されている。
第1のストリップ導体16の一方の端末には、第1のポ
ートlが直角に接続形成され、他方の端末には、第1の
ポート1に平行して第3のポート3がコの字形に接続形
成されている。
また、第1のポート1が設けられた端末に対向する第2
のストリップ導体17の端末には、第2のポート2が直
角に接続形成され、他方の端末には、第2のポート2に
平行してコの字形に、第4のポート4が接続形成されて
いる。
上述の回路パターンは、誘電体基板15の表面に形成さ
れた銅箔層をエツチングすることにより容易に形成する
ことができる。
20は所望の比誘電率を有し、所望の幅で、長さがλg
/4の細長い短冊形の誘電体基板である。
短冊形誘電体基板20の長手方向の一方の側面の全面に
は、第1の導体層18が設けられ、第1の導体層18に
対向した他方の側面には第2の導体層19が設けられて
いる。
短冊形誘電体基板20は、第1の導体層18.第2の導
体1!i19が誘電体基板15に垂直で、第1のストリ
ップ導体16と第2のストリップ導体17に平行して、
跨るように誘電体基板15上に載せられ、第1の導体層
18が第1のストリップ導体16に、第2の導体層19
が第2のストリップ導体17にそれぞれ半田付は等され
て接続され、搭載されている。
上述のように、短冊形誘電体基板20の両側面に対向し
て形成された第1の導体Ji18.第2の導体層19に
、第1のストリップ導体16と第2のストリップ導体1
7がそれぞれ接続されているので、第1のストリップ導
体16と第2のストリップ導体17とを所望に高い結合
度(例えば−3dB)で結合することができる。
したがって、例えば、第1のポート1よりの入力信号は
、第3のポート3、及び第2のポート2から出力され、
第4のポート4からは、殆ど出射しないという方向性を
有する。
なお、第1.第2のストリップ導体の間隔は比較的大き
く、且つ余裕度があるので、安価な手段でエツチングし
て形成する゛ことができる。また、誘電体基板15の比
誘電率が低くても結合度に影響を与えないので、加工の
容易な誘電体基板を使用することができて低コストであ
る。
第2図及び第3図のものは、第1のポート1よりの入力
信号を、第2のポート2、及び第4のポート4から出力
する方向性結合器である。
第2図において、誘電体基板15に平行して形成され第
1のストリップ導体16と第2のストリップ導体17は
、はぼ中央部で切断されて、第1のストリップ導体16
は第1のポート1側のストリップ導体16Aと、第3の
ポート3側のストリップ導体16Bに分離されている。
また、第2のストリップ導体17は第2のポート2側の
ストリップ導体17Aと、第4のポート4例のストリッ
プ導体17Bに分離されている。
そして、ストリップ導体16Bとストリップ導体17A
とは、切断部を斜めに横断する接続導体パターン31で
接続されている。
短冊形誘電体基板20の両面に形成された第1の導体層
18と第2の導体層19は、ともにほぼ中央部で切断さ
れ、第1の導体層18は第1のポート1側の導体Jif
18Aと第3のポート3側の導体層18Bに分離され、
第2の導体層19は、第2のポート2側の導体層19A
と第4のポート4側の導体層19Bに分離されている。
そして導体層18Aと導体層19Bとは、誘電体基板1
5に密着する側と反対側の上面の中央部を、斜めに横断
する接続導体パターン32によって接続されている。
したがって、例えば第1のポートlよ゛りの入力信号は
、第2のポート2、及び第4のポート4から出力され、
第3のポート3からは、殆ど出射しないという方向性を
有する。
第3図においては、短冊形誘電体基板20の一方の側面
に形成された第1の導体層18は、はぼ中央部が、側面
視で鍵形に切断されて導体層18Aと導体層18Bに分
離されている。
また、他方の面に形成された第2の導体層19は、側面
視が第1の導体層18とは逆形の鍵形に切断されて、導
体層19Aと導体層19Bとに分離されている。
そして、導体層18Aと導体層19Bとは短冊形誘電体
基板20を貫通するスルーホール導体42で連結接続さ
れ、導体層18Bと導体Jli19Aとは、スルーホー
ル導体41で連結接続されている。
このような短冊形誘電体基板20が搭載されるストリッ
プ導体は、第2図に示したように中央部が切断されてス
トリップ導体16A 、 16B及びストリップ導体1
7A 、 17Bが形成されたもので、第2図のものと
異なる点は、接続導体層31でストリップ導体16Bと
ストリップ導体17Aとが接続されていないことである
このような構造の方向性結合器もまた1、第2図のもの
と同様な方向性の機能を備えている。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、誘電体基板上(設けた並
設して設けた第1のストリップ導体と第2のストリップ
導体とを他の短冊形誘電体基板を介して結合したもので
、広帯域で、高結合の特性を有するばかりでなく、素材
の誘電体基板が安価で、加工が容易であり、且つストリ
ップ導体の加工が容易で低コストである等、実用上で優
れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の1実施例の斜視図、 第2図は他の実施例の斜視図、 第3図は他の実施例の短冊形誘電体基板の舒視図、 第4図は従来の方向性結合器の斜視図である。 図において、 ■は第1のポート、  2は第2のポート、3は第3の
ポート、  4は第4のポート、5はセラミック基板、
  6は下部導体層、15は誘電体基板、 16は第1のストリップ導体、 17は第2のストリップ導体、 1日は第1の導体層、 19は第2の導体層、 18A、 18B、 19^、19Bは導体層、20は
短冊形誘電体基板、 31.32は接続導体パターン、 41.42はスルーホール導体を示す。 第3閾 第4@

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)誘電体基板上に形成され、一方の端末に第1のポ
    ート(1)が、他方の端末に第3のポート(3)が形成
    された第1のストリップ導体(16)と、該第1のスト
    リップ導体(16)に近接して平行に形成され、一方の
    端末に第2のポート(2)が、他方の端末に第4のポー
    ト(4)が形成された第2のストリップ導体(17)と
    、短冊形の一方の側面に第1の導体層(18)が、他方
    の側面に第2の導体層(19)が設けられ、該第1の導
    体層(18)が該第1のストリップ導体(16)に、該
    第2の導体層(19)が該第2のストリップ導体(17
    )にそれぞれ接続するよう、該誘電体基板(15)に搭
    載された短冊形誘電体基板(20)とよりなることを特
    徴とする方向性結合器。
  2. (2)前記第1、第2のストリップ導体、及び前記第1
    、第2の導体層が、それぞれほぼ中央部で切断され、該
    第1のポート側の第1のストリップ導体が直接、或いは
    切断された導体層を介して該第4のポート側のストリッ
    プ導体に、該第3のポート側の第1のストリップ導体が
    直接、或いは切断された導体層を介して該第2のポート
    側のストリップ導体に、それぞれ接続されてなることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の方向性結合器
JP60139533A 1985-06-26 1985-06-26 方向性結合器 Granted JPS62102A (ja)

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JPS62102A true JPS62102A (ja) 1987-01-06
JPH0225281B2 JPH0225281B2 (ja) 1990-06-01

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