JPS62103151A - シャトル方式シリアルラインプリンタ - Google Patents
シャトル方式シリアルラインプリンタInfo
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- JPS62103151A JPS62103151A JP24309785A JP24309785A JPS62103151A JP S62103151 A JPS62103151 A JP S62103151A JP 24309785 A JP24309785 A JP 24309785A JP 24309785 A JP24309785 A JP 24309785A JP S62103151 A JPS62103151 A JP S62103151A
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- magnetic linear
- magnetic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、印字駆動のタイミングをつくる手段として磁
気リニアスケールと磁気抵抗効果素子を用いるツヤトル
方式7リアルラインプリンタに関し、特に印字期間の始
端において正確で安定したタイミングを得るようにしt
こものである。
気リニアスケールと磁気抵抗効果素子を用いるツヤトル
方式7リアルラインプリンタに関し、特に印字期間の始
端において正確で安定したタイミングを得るようにしt
こものである。
(従来の技術)
シャトル方式シリアルラインプリンタでは、第8図に示
すように、紙送り方向Bと略直角なA。
すように、紙送り方向Bと略直角なA。
A’力方向一定ピノチで多数のプリント素子(第8図で
はドツトインパクト式印字)\/マ)Dlをアレイ状に
取り付けたヘッドバンク1を備え、このヘッドバンク1
を駆動モータ(図示せず)により偏心円板2を介してA
、A’力方向往復直線運動させる間に各プリント素子D
iを複数の所定ドツト位置に印字駆動する。図中、3a
および3bはヘッドバンクlをA、A′方向に案内する
ためのレールである。ヘッドバンク1の運動は、第9図
に示すように略正弦波状になり、印字期間(C1,Cビ
)の初めと終わり付近では比較的迎く、中間点では最も
速い。ヘッドバンク1の瞬間的位置は位置検出装置によ
り一定の距離間隔で検知され、第10図に示すように、
各プリント素子が次に印字すべきドツト位置Qiから所
定距離だけ前の位置にあるときのタイミングを示す位置
検出パルスPiが位置検出装置からの位置検出信号に基
づいて生成される。プリント素子駆動装置は、この位置
検出パルスPiに応答して励磁され各プリント素子をド
ツト位置Qiに選択的に(すなわちキャラクタ内には印
字しないドツト位置もあるので選択的に)印打する。
はドツトインパクト式印字)\/マ)Dlをアレイ状に
取り付けたヘッドバンク1を備え、このヘッドバンク1
を駆動モータ(図示せず)により偏心円板2を介してA
、A’力方向往復直線運動させる間に各プリント素子D
iを複数の所定ドツト位置に印字駆動する。図中、3a
および3bはヘッドバンクlをA、A′方向に案内する
ためのレールである。ヘッドバンク1の運動は、第9図
に示すように略正弦波状になり、印字期間(C1,Cビ
)の初めと終わり付近では比較的迎く、中間点では最も
速い。ヘッドバンク1の瞬間的位置は位置検出装置によ
り一定の距離間隔で検知され、第10図に示すように、
各プリント素子が次に印字すべきドツト位置Qiから所
定距離だけ前の位置にあるときのタイミングを示す位置
検出パルスPiが位置検出装置からの位置検出信号に基
づいて生成される。プリント素子駆動装置は、この位置
検出パルスPiに応答して励磁され各プリント素子をド
ツト位置Qiに選択的に(すなわちキャラクタ内には印
字しないドツト位置もあるので選択的に)印打する。
従来、そのような位置検出装置としてロークリエノコー
ダが知られているが、最近では磁気リニアスケールと磁
気抵抗効果素子(MR素子)とを組み合わせたものがこ
の種のプリンタに使用されてきている。
ダが知られているが、最近では磁気リニアスケールと磁
気抵抗効果素子(MR素子)とを組み合わせたものがこ
の種のプリンタに使用されてきている。
第11図に磁気リニアスケールとMR素子とからなる位
置検出装置を示す。磁気リニアスケール10は、紙送り
方向Bと略直角なA、A’力方向なわちヘッドバンク1
の往復直線運動方向にN極およびS極を一定ピノチH(
例えば423μm)で交互に配列してなる。MR素子取
付体20は、磁気リニアスケール10と対向してA、A
′力方向配置されるMR素子Fl−F4を支持する。こ
れらのMR素子Fl−F4はSi基板またはガラス基板
上に蒸着膜またはスパッタ膜として形成されてよ<、0
.5Hの間隔で配置され、第14図に示すようにブリッ
ジ接続される。磁気リニアスケール10に対してMR素
子取付体20がA、A’力方向移動すると、第14図の
センサ回路の出力端子21a、21bから正弦波状のセ
ンサ出力信号が得られる。すなわち、各MR素子Fiに
はその膜と平行な磁界が印加され、この磁界の向きはM
R素子Fjが磁気リニアスケール10に対して1ピツチ
H移動すると1回転する。この磁界の向きの変化に対し
てMR素子の抵抗値は正弦波状に変化し、その周期速度
は2倍になって現れる。したがって第14図のセンサ回
路ではMR素子Fl。
置検出装置を示す。磁気リニアスケール10は、紙送り
方向Bと略直角なA、A’力方向なわちヘッドバンク1
の往復直線運動方向にN極およびS極を一定ピノチH(
例えば423μm)で交互に配列してなる。MR素子取
付体20は、磁気リニアスケール10と対向してA、A
′力方向配置されるMR素子Fl−F4を支持する。こ
れらのMR素子Fl−F4はSi基板またはガラス基板
上に蒸着膜またはスパッタ膜として形成されてよ<、0
.5Hの間隔で配置され、第14図に示すようにブリッ
ジ接続される。磁気リニアスケール10に対してMR素
子取付体20がA、A’力方向移動すると、第14図の
センサ回路の出力端子21a、21bから正弦波状のセ
ンサ出力信号が得られる。すなわち、各MR素子Fiに
はその膜と平行な磁界が印加され、この磁界の向きはM
R素子Fjが磁気リニアスケール10に対して1ピツチ
H移動すると1回転する。この磁界の向きの変化に対し
てMR素子の抵抗値は正弦波状に変化し、その周期速度
は2倍になって現れる。したがって第14図のセンサ回
路ではMR素子Fl。
F3の抵抗値が同相で正弦波状に変化し、これらと18
0 位相を異にしてMR素子F 2.F 4の抵抗値か
同相で正弦状波に変化し、これにより出力端子21a、
21bからは第15図(a)に示すように増倍された正
弦状波のセンサ出力信号Soが取り出される。
0 位相を異にしてMR素子F 2.F 4の抵抗値か
同相で正弦状波に変化し、これにより出力端子21a、
21bからは第15図(a)に示すように増倍された正
弦状波のセンサ出力信号Soが取り出される。
磁気リニアスケール10は、例えば第16図に示すよう
にヘッドバンク1の下側部分に〜体向に取り付けられ、
MR素子取付体20は第11図に示すような配置関係で
磁気リニアスケール10と対向して/ヤーンベース11
に固定される。したがって、ヘノドパ/り1がA、A’
力方向直線運動するとき磁気リニアスケール10も一緒
に運動し、MR素子取付体20の各MR素子は磁気リニ
アスケール10に対してその長さ方向すなわちA。
にヘッドバンク1の下側部分に〜体向に取り付けられ、
MR素子取付体20は第11図に示すような配置関係で
磁気リニアスケール10と対向して/ヤーンベース11
に固定される。したがって、ヘノドパ/り1がA、A’
力方向直線運動するとき磁気リニアスケール10も一緒
に運動し、MR素子取付体20の各MR素子は磁気リニ
アスケール10に対してその長さ方向すなわちA。
A“方向に相対的な直線運動を行い、前述したようにセ
ンサ回路の出力端子21a、21bから正弦波状のセン
サ出力信号Soが位置検出信号として得られ、このセン
サ出力信号SOが矩形波状に波形整形され次いで微分さ
れることにより第15図(b)に示すような位置検出パ
ルスPiから成される装 量検出パルスPiはMR素子Fl−F4か磁気リニアス
ケール10の着磁部10aと対向するときに発生し、そ
の期間は印字期間CI、Cビとなる。また第12図およ
び第13図に示すようにMR素子Fl−F4が非着@1
10bと対向するときは位置検出パルスPiは発生せず
、その期間は印字体止期間または運動方向切替期間c
o、c o’となる。そして、ヘッドバンクlかA、A
’力方向往復直線運動するとき、磁気リニアスケール1
0とMR素子Fl−F4との相対的な位置関係は、第1
2図の状態(印字体止期間CO)から第11図の状態(
印字期間CI)を経て第13図の状態(印字体止期間C
O′)に至り、それから折り返して第11図の状態(印
字期間Cビ)を経て第12図の吠@(印字体止期間CO
)に戻るというようなサイクルを繰り返す。
ンサ回路の出力端子21a、21bから正弦波状のセン
サ出力信号Soが位置検出信号として得られ、このセン
サ出力信号SOが矩形波状に波形整形され次いで微分さ
れることにより第15図(b)に示すような位置検出パ
ルスPiから成される装 量検出パルスPiはMR素子Fl−F4か磁気リニアス
ケール10の着磁部10aと対向するときに発生し、そ
の期間は印字期間CI、Cビとなる。また第12図およ
び第13図に示すようにMR素子Fl−F4が非着@1
10bと対向するときは位置検出パルスPiは発生せず
、その期間は印字体止期間または運動方向切替期間c
o、c o’となる。そして、ヘッドバンクlかA、A
’力方向往復直線運動するとき、磁気リニアスケール1
0とMR素子Fl−F4との相対的な位置関係は、第1
2図の状態(印字体止期間CO)から第11図の状態(
印字期間CI)を経て第13図の状態(印字体止期間C
O′)に至り、それから折り返して第11図の状態(印
字期間Cビ)を経て第12図の吠@(印字体止期間CO
)に戻るというようなサイクルを繰り返す。
(発明が解決しようとする問題点)
しかし、MR素子F1〜F4が着磁部10aの両端部を
通るとき、すなわち印字期間CI(Cl’)と印字体止
期間CO(CO’)との境界において、センサ出力信号
SOの波形が第17図(a)、(b)に示すように乱れ
、これにより印字期間CI(C1“)の開始および終了
のタイミングに誤差が生じた。第17図において、ta
は所定(本来)の印字期間C1の開始の時点であるが、
不所望な位置検出パルスPOによって実際には誤った時
点t a+から印字が開始される。
通るとき、すなわち印字期間CI(Cl’)と印字体止
期間CO(CO’)との境界において、センサ出力信号
SOの波形が第17図(a)、(b)に示すように乱れ
、これにより印字期間CI(C1“)の開始および終了
のタイミングに誤差が生じた。第17図において、ta
は所定(本来)の印字期間C1の開始の時点であるが、
不所望な位置検出パルスPOによって実際には誤った時
点t a+から印字が開始される。
上記のようなセンサ出力信号SOの波形の乱れは、磁気
リニアスケールの製造段階において着磁用磁気ヘッドの
ヒステリシス特性により着磁部10aの端部から非着磁
部10bにかけて形成される不所望な磁区による磁界を
、MR素子Fl〜F4が感知することによって生ずる。
リニアスケールの製造段階において着磁用磁気ヘッドの
ヒステリシス特性により着磁部10aの端部から非着磁
部10bにかけて形成される不所望な磁区による磁界を
、MR素子Fl〜F4が感知することによって生ずる。
本発明は、従来技術の上記問題点に鑑みてなされたもの
で、改善された磁気リニアスケールを用いて正確で安定
した印字始動のタイミングを得るようにしたシャトル方
式シリアルラインプリンタを提供することを目的とする
。
で、改善された磁気リニアスケールを用いて正確で安定
した印字始動のタイミングを得るようにしたシャトル方
式シリアルラインプリンタを提供することを目的とする
。
(問題点を解決するための手段)
上記目的を達成する本発明の構成は、紙送り方向と略直
角な所定方向に複数のプリント素子をアレイ状に取り付
けてなるヘッドバンクを所定方向に往復直線運動させる
間に各プリント素子を複数の所定ドツト位置に印字駆動
し、該所定方向にN極、S極を一定ピノチで交互に配列
してなる青磁部を有する磁気リニアスケールおよびそれ
と対向する磁気抵抗効果素子の一方をヘッドバンクと一
体的に運動させるとともに他方を固定配置し、磁気抵抗
効果素子のセンサ出力信号に基づいてプリント素子を印
字駆動するためのタイミングを得るようにしたシャトル
方式シリアルラインプリンタにおいて、磁気リニアスケ
ールの着磁部の両端にその磁界が磁気抵抗効果素子によ
って実質的に感知されないような極小のピッチでN極、
S極を配列してなる補助着磁部を設けることを特徴とす
る。
角な所定方向に複数のプリント素子をアレイ状に取り付
けてなるヘッドバンクを所定方向に往復直線運動させる
間に各プリント素子を複数の所定ドツト位置に印字駆動
し、該所定方向にN極、S極を一定ピノチで交互に配列
してなる青磁部を有する磁気リニアスケールおよびそれ
と対向する磁気抵抗効果素子の一方をヘッドバンクと一
体的に運動させるとともに他方を固定配置し、磁気抵抗
効果素子のセンサ出力信号に基づいてプリント素子を印
字駆動するためのタイミングを得るようにしたシャトル
方式シリアルラインプリンタにおいて、磁気リニアスケ
ールの着磁部の両端にその磁界が磁気抵抗効果素子によ
って実質的に感知されないような極小のピッチでN極、
S極を配列してなる補助着磁部を設けることを特徴とす
る。
(作用)
ヘッドバンクが所定方向に往復直線運動するとき、磁気
抵抗効果素子は磁気リニアスケールに対して相対的に往
復直線運動する。
抵抗効果素子は磁気リニアスケールに対して相対的に往
復直線運動する。
磁気抵抗効果素子が磁気リニアスケールの着磁部を通る
ときには、一定ピッチで配列されたN極。
ときには、一定ピッチで配列されたN極。
S極の周期的な磁界に応答して周期的な波形のセンサ出
力信号が発生する。
力信号が発生する。
また、磁気抵抗効果素子が磁気リニアスケールの着磁さ
れてない部分、すなわち非着磁部を通るときには、感知
されるほどの磁界がないのでセンサ出力信号は発生しな
い。
れてない部分、すなわち非着磁部を通るときには、感知
されるほどの磁界がないのでセンサ出力信号は発生しな
い。
そして、磁気抵抗効果素子が磁気リニアスケールの着磁
部の両端を通るときには補助着磁部と対向するが、ここ
ではN極、S極が極めて小さなピッチで配列しておりそ
の磁界が磁気リニアスケールによって検出されず、しか
も着磁部の形成時に磁気へノドの磁気ヒステリ7ス特性
に基づく不所望な磁区を打ち消しているので、センサ出
力信号を発生せしめるはとの磁界が存在しない。
部の両端を通るときには補助着磁部と対向するが、ここ
ではN極、S極が極めて小さなピッチで配列しておりそ
の磁界が磁気リニアスケールによって検出されず、しか
も着磁部の形成時に磁気へノドの磁気ヒステリ7ス特性
に基づく不所望な磁区を打ち消しているので、センサ出
力信号を発生せしめるはとの磁界が存在しない。
したがって、磁気抵抗効果素子が磁気リニアスケールの
非着磁部から補助着磁部を通り抜けて着磁部に対向する
ようになったときに、瞬時に正規の(乱れない)波形の
センサ出力信号か発生し、これにより所定のタイミング
で印字が開始される。
非着磁部から補助着磁部を通り抜けて着磁部に対向する
ようになったときに、瞬時に正規の(乱れない)波形の
センサ出力信号か発生し、これにより所定のタイミング
で印字が開始される。
また、磁気抵抗効果素子が着磁部を通るときに正規な波
形で連続的に発生していたセンサ出力信号は、磁気抵抗
効果素子が補助着磁部と対向するようになったときから
瞬時に波形が乱れることなく絶える。
形で連続的に発生していたセンサ出力信号は、磁気抵抗
効果素子が補助着磁部と対向するようになったときから
瞬時に波形が乱れることなく絶える。
(実施例)
第1図ないし第7図を参照して本発明の詳細な説明する
。なお、第8図の構成は本実施例でも使用される。
。なお、第8図の構成は本実施例でも使用される。
第1図は、本実施例による磁気リニアスケール100を
示す。
示す。
磁気リニアスケール100の位置検出信号を得るための
着磁部100aは、N極、S極を普通の例えば423μ
mのピッチPaで交互に配列してなる構成である。
着磁部100aは、N極、S極を普通の例えば423μ
mのピッチPaで交互に配列してなる構成である。
青磁部100aの両端、すなわち非青磁部100bと隣
接する部分には、本実施例による補助磁極100a”が
設けられている。この補助磁極100a”はN極、S極
を磁気抵抗効果素子(MR素子)が実質的に検出しない
ような、例えば2〜3μmの極小ピッチPa’で交互に
配列してなる構成である。これら補助磁極100aの長
さまたは延長範囲りは約1ピツチPa (423μm
)に選ばれている 第2図は、本実施例によるMR素子取付体200を示す
。
接する部分には、本実施例による補助磁極100a”が
設けられている。この補助磁極100a”はN極、S極
を磁気抵抗効果素子(MR素子)が実質的に検出しない
ような、例えば2〜3μmの極小ピッチPa’で交互に
配列してなる構成である。これら補助磁極100aの長
さまたは延長範囲りは約1ピツチPa (423μm
)に選ばれている 第2図は、本実施例によるMR素子取付体200を示す
。
このMR素子取付体200には、第1のMR素子Fl−
F4および第2のMR素子G1−G4がそれぞれ0.5
HのピッチでA、A’力方向配列され、第3図(a)、
(b)に示すようにブリッジ接続された第1および第2
のセンサ回路202.204を形成する。
F4および第2のMR素子G1−G4がそれぞれ0.5
HのピッチでA、A’力方向配列され、第3図(a)、
(b)に示すようにブリッジ接続された第1および第2
のセンサ回路202.204を形成する。
磁気リニアスケール100はヘッドバンクl(図示せず
)の下側部分に一体的に取り付けられ、MR素子取付体
200はシャーシベース(図示せず)に固定されてよい
。したがって、ヘッドバンク1がA、A’力方向直線運
動するとき磁気リニアスケール100も一緒に運動し、
MR素子取付体200の各MR素子は磁気リニアスケー
ル100に対してその長さ方向すなわちA、A’力方向
相対的な直線運動を行い、第1のセンサ回路202の出
力端子210.212から第4図に示すような周期的波
形(正確には正弦波状)の第1のセンサ出力信号Saが
得られる。
)の下側部分に一体的に取り付けられ、MR素子取付体
200はシャーシベース(図示せず)に固定されてよい
。したがって、ヘッドバンク1がA、A’力方向直線運
動するとき磁気リニアスケール100も一緒に運動し、
MR素子取付体200の各MR素子は磁気リニアスケー
ル100に対してその長さ方向すなわちA、A’力方向
相対的な直線運動を行い、第1のセンサ回路202の出
力端子210.212から第4図に示すような周期的波
形(正確には正弦波状)の第1のセンサ出力信号Saが
得られる。
本実施例によれば、MR素子取付体200が磁気リニア
スケール100の補助着磁部100a’を通り過ぎると
き、すなわち第4図の期間Taにおいて、センサ出力信
号Saの波形が特に乱れる(脈動する)ことがない。こ
れは、補助磁極100a’が着磁部100aの端部にお
ける乱れた磁区を打ち消すとともに、補助磁極100a
’自体のピッチが極めて小さいためにその磁界がMR素
子によって検出されないからである。
スケール100の補助着磁部100a’を通り過ぎると
き、すなわち第4図の期間Taにおいて、センサ出力信
号Saの波形が特に乱れる(脈動する)ことがない。こ
れは、補助磁極100a’が着磁部100aの端部にお
ける乱れた磁区を打ち消すとともに、補助磁極100a
’自体のピッチが極めて小さいためにその磁界がMR素
子によって検出されないからである。
なお、第2のセンサ回路204の出力端子214.21
6からも第4図のセンサ出力信号Saと同様な波形の第
2のセンサ出力信号sbが得られるが、ただし位相が9
0°異なる。すなわち、ヘッドバンク1がA方向に移動
するときには、第5図(a)に示すように第1のセンサ
出力信号Saに対して第2のセンサ出力信号sbの位相
は90゜遅れる。しかし、ヘッドバンク1がA′力方向
移動するときには、第5図(b)に示すように第1のセ
ンサ出力信号Saに対して第2のセンサ出力信号sbの
位相は90°進む。
6からも第4図のセンサ出力信号Saと同様な波形の第
2のセンサ出力信号sbが得られるが、ただし位相が9
0°異なる。すなわち、ヘッドバンク1がA方向に移動
するときには、第5図(a)に示すように第1のセンサ
出力信号Saに対して第2のセンサ出力信号sbの位相
は90゜遅れる。しかし、ヘッドバンク1がA′力方向
移動するときには、第5図(b)に示すように第1のセ
ンサ出力信号Saに対して第2のセンサ出力信号sbの
位相は90°進む。
第6図は、上記第1および第2のセンサ出力信号Sa、
Sbを入力して位置検出パルスPiを生成する信号処理
回路を示す。この信号処理回路は同一の構成の第1およ
び第2の信号処理部300A、300Bとオアゲート3
40とからなる。
Sbを入力して位置検出パルスPiを生成する信号処理
回路を示す。この信号処理回路は同一の構成の第1およ
び第2の信号処理部300A、300Bとオアゲート3
40とからなる。
第1の(言号処理部300Aにおいて、入力端子302
a、 304 aは、第1のセンサ出力回路202
の出力端子210.212(第3図(a))にそれぞれ
接続され、第1のセンサ出力信号Saを受は取る。入力
された第1のセンサ出力信号Sa (第7図(a))
は、抵抗306a、308aおよび帰還抵抗310aに
より差動増幅回路として動作する演算増幅W312aで
増幅されたのち、抵抗314aを介して演算増幅131
8aの反転入力端子に供給される。演算増幅器316a
の非反転入力端子には電源電圧+Vccが抵抗318a
、320aにより分圧されることによって得られる比較
基準電圧VREが抵抗322aを介して与えられる。
a、 304 aは、第1のセンサ出力回路202
の出力端子210.212(第3図(a))にそれぞれ
接続され、第1のセンサ出力信号Saを受は取る。入力
された第1のセンサ出力信号Sa (第7図(a))
は、抵抗306a、308aおよび帰還抵抗310aに
より差動増幅回路として動作する演算増幅W312aで
増幅されたのち、抵抗314aを介して演算増幅131
8aの反転入力端子に供給される。演算増幅器316a
の非反転入力端子には電源電圧+Vccが抵抗318a
、320aにより分圧されることによって得られる比較
基準電圧VREが抵抗322aを介して与えられる。
この比較基準電圧VREのレベルは、反転入力端子に供
給される第1のセンサ出力信号Saのゼロクロス点付近
に対応するように選ばれる。また、演算増幅器316a
の反転入力端子と出力端子間には帰還抵抗324aが接
続されるとともに、出力端子はプルアップ抵抗326a
を介して電源電圧+Vccに接続される。これにより、
演算増幅器31eaはコンパレータまたは波形整形回路
として動作し、その出力端子には第7図(b)に示すよ
うな矩形波信号Eaが得られる。この矩形波信号Eaは
°、Ex−OR(エクスクル−シブオア)ゲ−)328
aの一方の入力端子に供給されるとともに、インバータ
バッファ330a、CR遅延回路(332a、334a
)およびインバータバッファ336aを通ることによっ
て第7図(c)に示すように所定時間Tdだけ遅延され
、その遅延された矩形波信号Ea’がEx−ORゲート
328aの他方の入力端子に供給される。したがって、
Ex−ORゲート330aの出力端子には第7図(d)
に示すような排他的論理和信号Kaが得られ、この信号
KaがORゲート340を通ったのち位置検出パルスP
iとしてプリント素子駆動装置(図示せず)に供給され
るう なお、第2の信号処理部300Bは第2のセンサ出力信
号sbに対して上述した第1の信号処理部300Aと同
様な信号処理を施すことにより、上記信号Kaとは位相
が90°異なる信号Kb (第7図(e))を生成し
、この信号KbはORゲート340で信号Kaと混合さ
れ位置検出パルスP1としてプリント素子駆動回路に供
給される。
給される第1のセンサ出力信号Saのゼロクロス点付近
に対応するように選ばれる。また、演算増幅器316a
の反転入力端子と出力端子間には帰還抵抗324aが接
続されるとともに、出力端子はプルアップ抵抗326a
を介して電源電圧+Vccに接続される。これにより、
演算増幅器31eaはコンパレータまたは波形整形回路
として動作し、その出力端子には第7図(b)に示すよ
うな矩形波信号Eaが得られる。この矩形波信号Eaは
°、Ex−OR(エクスクル−シブオア)ゲ−)328
aの一方の入力端子に供給されるとともに、インバータ
バッファ330a、CR遅延回路(332a、334a
)およびインバータバッファ336aを通ることによっ
て第7図(c)に示すように所定時間Tdだけ遅延され
、その遅延された矩形波信号Ea’がEx−ORゲート
328aの他方の入力端子に供給される。したがって、
Ex−ORゲート330aの出力端子には第7図(d)
に示すような排他的論理和信号Kaが得られ、この信号
KaがORゲート340を通ったのち位置検出パルスP
iとしてプリント素子駆動装置(図示せず)に供給され
るう なお、第2の信号処理部300Bは第2のセンサ出力信
号sbに対して上述した第1の信号処理部300Aと同
様な信号処理を施すことにより、上記信号Kaとは位相
が90°異なる信号Kb (第7図(e))を生成し
、この信号KbはORゲート340で信号Kaと混合さ
れ位置検出パルスP1としてプリント素子駆動回路に供
給される。
上述したように、本実施例では、磁気リニアスケール1
00の補助磁極100a’の作用により印字期間CI、
CI’の開始時、終了時においてセンサ出力信号S a
、S bの波形が乱れないので、位置検出パルスP1の
発生開始および終了が所定のタイミングで行われ、した
がって印字始動ないし終了が正確なタイミングで行われ
る。また、位相か互いに90’ 異なる第1および第2
のセンサ出力信号Sa、Sbをつくり、それから倍精度
の位置検出パルスPIを得るので、倍密度の印字が行え
る。
00の補助磁極100a’の作用により印字期間CI、
CI’の開始時、終了時においてセンサ出力信号S a
、S bの波形が乱れないので、位置検出パルスP1の
発生開始および終了が所定のタイミングで行われ、した
がって印字始動ないし終了が正確なタイミングで行われ
る。また、位相か互いに90’ 異なる第1および第2
のセンサ出力信号Sa、Sbをつくり、それから倍精度
の位置検出パルスPIを得るので、倍密度の印字が行え
る。
(発明の効果)
以上のように、本発明では、磁気リニアスケールの着磁
部の両端にその磁界が磁気抵抗効果素子によって実質的
に感知されないような極小のピッチでN極、S極を配列
してなる補助着磁部を設けることにより、印字期間の始
端においてセンサ出力信号が瞬時に正規な波形で現れる
ので、正確なタイミングで印字が開始される。
部の両端にその磁界が磁気抵抗効果素子によって実質的
に感知されないような極小のピッチでN極、S極を配列
してなる補助着磁部を設けることにより、印字期間の始
端においてセンサ出力信号が瞬時に正規な波形で現れる
ので、正確なタイミングで印字が開始される。
第1図は、本発明の一実施例による磁気リニアスケール
100の構成を示す斜視図、 第2図は、上記実施例における磁気抵抗効果素子Fl
−F4 、G1−G4の配置構成を示す斜視図、 第3図は、上記実施例における第1および第2のセンサ
回路202.204の接続構成を示す回路図、 第4図は、上記実施例において第1のセンサ回路202
の出力端子より得られる第1のセンサ出力信号Saの信
号波形図、 第5図は、第1のセンサ出力信号Saと第2のセンサ出
力信号sbとの位相関係を示す信号波形図、 第6図は、第1および第2のセンサ出力信号S a、S
bを入力して位置検出パルスPiを生成する信号処理
回路、 第7図は、上記信号処理回路の動作を説明するための各
部の信号を示すタイミング図、第8図は、ンヤトル方式
ンリアルラインプリンタのヘッドバンクを示す略斜視図
、 第9図は、上記へ、ドバンクの運動特性を示す図、 第10図は、上記シリアルラインプリンタにおいて所定
ドツト位置(Qi )と位置検出パルス(Pi)とのタ
イミング関係を示す図、 第11図、第12図および第13図は、磁気リニアスケ
ールと磁気抵抗効果素子(MR素子)間の相対的位置関
係を示す図、 第14図は、磁気抵抗効果素子からなるセンサ回路の回
路図、 第15図は、上記センサ回路より発生されるセンサ出力
信号の波形図、 第16図は、上記シリアルラインプリンタにおいて磁気
リニアスケールとMR素子取付体との取付位置関係を示
す斜視図、および 第17図は、従来の7リアルラインプリンタにおける問
題点を示す信号波形図である。 1・・・・ヘッドバンク、DI−Dn・・・・プリント
素子100・・・・磁気リニアスケール、100a・・
・・着磁部100a’・・・・補助着磁部、100b・
・・・非着磁部、Fl −F4 、G1−G4・・・・
磁気抵抗効果素子(MR素子)、200・・・・MR素
子取付体、202,204・・・・センサ回路、300
A、300B・・・・信号処理部、340・・・・オア
ゲート。 第1図 第5図 第7図 5n (F) ’主上土111 第8図 第9図 第10図 第11図 第1脳 第17図
100の構成を示す斜視図、 第2図は、上記実施例における磁気抵抗効果素子Fl
−F4 、G1−G4の配置構成を示す斜視図、 第3図は、上記実施例における第1および第2のセンサ
回路202.204の接続構成を示す回路図、 第4図は、上記実施例において第1のセンサ回路202
の出力端子より得られる第1のセンサ出力信号Saの信
号波形図、 第5図は、第1のセンサ出力信号Saと第2のセンサ出
力信号sbとの位相関係を示す信号波形図、 第6図は、第1および第2のセンサ出力信号S a、S
bを入力して位置検出パルスPiを生成する信号処理
回路、 第7図は、上記信号処理回路の動作を説明するための各
部の信号を示すタイミング図、第8図は、ンヤトル方式
ンリアルラインプリンタのヘッドバンクを示す略斜視図
、 第9図は、上記へ、ドバンクの運動特性を示す図、 第10図は、上記シリアルラインプリンタにおいて所定
ドツト位置(Qi )と位置検出パルス(Pi)とのタ
イミング関係を示す図、 第11図、第12図および第13図は、磁気リニアスケ
ールと磁気抵抗効果素子(MR素子)間の相対的位置関
係を示す図、 第14図は、磁気抵抗効果素子からなるセンサ回路の回
路図、 第15図は、上記センサ回路より発生されるセンサ出力
信号の波形図、 第16図は、上記シリアルラインプリンタにおいて磁気
リニアスケールとMR素子取付体との取付位置関係を示
す斜視図、および 第17図は、従来の7リアルラインプリンタにおける問
題点を示す信号波形図である。 1・・・・ヘッドバンク、DI−Dn・・・・プリント
素子100・・・・磁気リニアスケール、100a・・
・・着磁部100a’・・・・補助着磁部、100b・
・・・非着磁部、Fl −F4 、G1−G4・・・・
磁気抵抗効果素子(MR素子)、200・・・・MR素
子取付体、202,204・・・・センサ回路、300
A、300B・・・・信号処理部、340・・・・オア
ゲート。 第1図 第5図 第7図 5n (F) ’主上土111 第8図 第9図 第10図 第11図 第1脳 第17図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 紙送り方向と略直角な所定方向に複数のプリント素子を
アレイ状に取り付けてなるヘッドバンクを前記所定方向
に往復直線運動させる間に各プリント素子を複数の所定
ドット位置に印字駆動し、前記所定方向にN極、S極を
一定ピッチで交互に配列してなる着磁部を有する磁気リ
ニアスケールおよびそれと対向する磁気抵抗効果素子の
一方を前記ヘッドバンクと一体的に運動させるとともに
他方を固定配置し、前記磁気抵抗効果素子のセンサ出力
信号に基づいてプリント素子を印字駆動するためのタイ
ミングを得るようにしたシャトル方式シリアルラインプ
リンタにおいて、 前記磁気リニアスケールの着磁部の両端にその磁界が磁
気抵抗効果素子によって実質的に検出されないような極
小のピッチでN極、S極を配列してなる補助着磁部を設
けることを特徴とするシャトル方式シリアルラインプリ
ンタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24309785A JPS62103151A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | シャトル方式シリアルラインプリンタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24309785A JPS62103151A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | シャトル方式シリアルラインプリンタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62103151A true JPS62103151A (ja) | 1987-05-13 |
| JPH0360316B2 JPH0360316B2 (ja) | 1991-09-13 |
Family
ID=17098743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24309785A Granted JPS62103151A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | シャトル方式シリアルラインプリンタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62103151A (ja) |
-
1985
- 1985-10-30 JP JP24309785A patent/JPS62103151A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0360316B2 (ja) | 1991-09-13 |
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