JPS62104055A - 混成集積回路装置 - Google Patents

混成集積回路装置

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JPS62104055A
JPS62104055A JP60243470A JP24347085A JPS62104055A JP S62104055 A JPS62104055 A JP S62104055A JP 60243470 A JP60243470 A JP 60243470A JP 24347085 A JP24347085 A JP 24347085A JP S62104055 A JPS62104055 A JP S62104055A
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Japan
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resin
semiconductor element
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integrated circuit
gel
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Yasuichi Ikeda
池田 保一
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Mitsubishi Electric Corp
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、高信頼度を要求される混成集積回路装置に
関し、特にその封止構造に関するものである。
〔従来の技術〕
従来の混成集積回路装置の構成例を第3図と第4図に示
す。
第3図において、1はセラミック基板、2は半導体素子
、3は金属細線、7はコンデンサ、8はコイル、9は半
田、10は半導体コーティング樹脂である。この従来例
では、組立られた半導体素子の保護は一般にシリコーン
ゴム系もしくはエポキシ系の樹脂10で素子を被覆する
ことにより行なわれる。
また第4図において、1〜3,7〜9は第3図と同じで
あり、4はキャンプ、6は接着剤である。
この従来例では、半導体素子2を覆うようキャップ4を
接着剤6により基板1に固定して封止し、半導体素子2
を外部より保護している。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の混成集積回路装置は以上のように構成されている
が、第3図の場合は樹脂10の熱膨張係数と半導体素子
や金属細線の熱膨張係数との差が大きいため、半導体素
子のクランクや、金属細線の断線を引き起こす等の問題
があった。また、第4図の場合は、キャップ内部の気密
性の維持が困難であるため歩留が低下したり、また接着
剤から発生ずるガスが半導体素子へ悪影響を及ぼす等の
問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、半導体素子を外部からの影響より、十分に保
護し、製造上の生産性を向上できる混成集積回路装置を
提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明にかかる混成集積回路装置は、金属細線が接続
された基板上の半導体素子をゲル状の樹脂により被覆し
、さらに上記半導体素子を覆うようにセラミックもしく
はプラスチック樹脂製のキャップを接着剤により基板に
固着して封止したものである。
〔作用〕
この発明においては、ゲル状の樹脂が半導体素子の表面
保護をするが、該樹脂はゲル状であるため、該素子と樹
脂との熱膨張係数の差による半導体素子ならびに金属細
線への悪影響はほとんど生じない、また外部からの力に
対する機械的な保護についても、これはキャップを使用
していることにより達成され、接着剤が硬化する際に発
生するガスが半導体素子に及ぼす影響もゲル状樹脂によ
り防止できる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図は本発明の一実施例による混成集積回路装置の構
成を示し、図において、1は混成集積回路装置のベース
となるセラミック基板で、その表面に構成される導体部
、抵抗部等は省略しである。
2は半導体素子、3は該素子2と上記基板1の表面の導
体部とを電気的に接続する金属細線、5はゲル状の樹脂
、4はセラミックもしくはプラスチツタ樹脂からなるキ
ャップ、6は接着剤、7は千    ′フプコンデンサ
、8はコイル、9はコンデンサ7とコイル8を基板1の
上の導体部に固定するための半田である。
次に作用効果について説明する。
本実施例では、セラミック基板1上の導体部と金泥II
I線3により電気的に接続された半導体素子2は、ゲル
状の樹脂5により外部雰囲気による影響からしゃ断され
る。また使用環境に急激もしくは大幅な温度変化があっ
ても、半導体素子の表面及び側面を覆っている樹脂はゲ
ル状であるため、素子と樹脂との熱膨張係数の差による
半導体素子と金属細線への影響はない。
さらに、セラミックもしくはプラスチック樹脂製のキャ
ップ4を接着剤6により基板に固着して半導体素子1を
覆うよう封止しているので、チップコンデンサ7やコイ
ル8を半田付する際に生ずるかも知れない外部からの機
械的な力による半導体素子1への影響も防止できる。ま
た接着剤6が硬化する際に発生するガスは、ゲル状樹脂
5が半導体素子1の表面と側面とを覆っているので問題
はない。
第2図は本発明の他の実施例を示す。この実施例は同図
に示すように、さらに多くの素子を含む混成集積回路に
おいて、所要の半導体素子2をゲル状樹脂5とキャンプ
4とで封止したものであり、本実施例においても当然上
記実施例と同様な効果が得られる。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、混成集積回路装置に
おいて、半導体素子をゲル状の樹脂で被覆し、かつ該半
導体素子をセラミックもしくはプラスチック樹脂製のキ
ャップで覆って封止するようにしたので、耐環境性上の
信頼性が高く、また生産上の歩留も安定したものが得ら
れる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による混成集積回路装置を
示す断面図、第2図はこの発明の他の実施例を示す断面
図、第3図および第4図はそれぞれ従来の混成集積回路
装置を示す断面図である。 1・・・セラミック基板、2・・・半導体素子、3・・
・金属細線、4・・・キャップ、5・・・ゲル状樹脂、
6・・・接着剤、7・・・チップコンデンサ、8・・・
コイル、9・・・半田。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 第1 図                     
    1°rう、ぐ・/り47!2:###− 3:4Lβダ 7 チγフ゛1ンテンヴ 8゛コ4/I/ 9:1tI3 第2図 第3図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体素子と、コンデンサ、抵抗あるいはコイル
    等の他の独立した回路素子を同一基板上に搭載してなる
    混成集積回路装置において、 金属細線が接続された半導体素子の表面および側面をゲ
    ル状の樹脂にて被覆し、 この半導体素子を覆うようセラミックもしくはプラスチ
    ック樹脂製のキャップを接着剤により上記基板に固着し
    て封止してなることを特徴とする混成集積回路装置。
JP60243470A 1985-10-30 1985-10-30 混成集積回路装置 Granted JPS62104055A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60243470A JPS62104055A (ja) 1985-10-30 1985-10-30 混成集積回路装置

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JP60243470A JPS62104055A (ja) 1985-10-30 1985-10-30 混成集積回路装置

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Publication Number Publication Date
JPS62104055A true JPS62104055A (ja) 1987-05-14
JPH0337306B2 JPH0337306B2 (ja) 1991-06-05

Family

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JP60243470A Granted JPS62104055A (ja) 1985-10-30 1985-10-30 混成集積回路装置

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