JPS63111658A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63111658A JPS63111658A JP61259024A JP25902486A JPS63111658A JP S63111658 A JPS63111658 A JP S63111658A JP 61259024 A JP61259024 A JP 61259024A JP 25902486 A JP25902486 A JP 25902486A JP S63111658 A JPS63111658 A JP S63111658A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- box
- semiconductor chip
- case
- filled
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
- H10W72/5475—Dispositions of multiple bond wires multiple bond wires connected to common bond pads at both ends of the wires
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ケースの内部で樹脂封止された半導体チップ
を備えた半導体装置に関する。
を備えた半導体装置に関する。
従来、この種の半導体装置は第２図に示すように構成さ
れている。これを同図に基づいて説明すると、同図にお
いて、符号１は絶縁基板２上に取り付けられたケース、
３はこのケース１の内部に収納された半導体チップ、４
はこの半導体チンブ３にアルミワイヤ５によって接続さ
れかつ前記絶縁基板２上に設けられた導電層、６および
７はこの導電層４上に半田付けされ先端部がケース外に
露呈する正極側の直流出力端子（負極側の直流端子は図
示せず）と三相入力端子である。なお、８および９は前
記ケース１内に充填されたシリコンゲルとエポキシ樹脂
である。
れている。これを同図に基づいて説明すると、同図にお
いて、符号１は絶縁基板２上に取り付けられたケース、
３はこのケース１の内部に収納された半導体チップ、４
はこの半導体チンブ３にアルミワイヤ５によって接続さ
れかつ前記絶縁基板２上に設けられた導電層、６および
７はこの導電層４上に半田付けされ先端部がケース外に
露呈する正極側の直流出力端子（負極側の直流端子は図
示せず）と三相入力端子である。なお、８および９は前
記ケース１内に充填されたシリコンゲルとエポキシ樹脂
である。
ところで、この種の半導体装置においては、シリコンゲ
ル８等の軟質樹脂によって半導体チップ３、アルミワイ
ヤ５が保護され、またエポキシ樹脂９等の硬質樹脂によ
って直流出力端子６．三相入力端子７が機械的に保持さ
れている。
ル８等の軟質樹脂によって半導体チップ３、アルミワイ
ヤ５が保護され、またエポキシ樹脂９等の硬質樹脂によ
って直流出力端子６．三相入力端子７が機械的に保持さ
れている。
ところが、従来の半導体装置においては、密閉されたケ
ース１の内部に２つの樹脂（シリコンゲル８．エポキシ
樹脂９）が充填されているため、大きい温度差（−４０
℃〜＋１２５℃）がある環境下で樹脂の膨張、収縮が繰
り返されると、チップ熱抵抗が増大したり、アルミワイ
ヤ５が断線したり、あるいは絶縁層４が破壊したりして
装置動作土の信頼性が低下するという問題があった。
ース１の内部に２つの樹脂（シリコンゲル８．エポキシ
樹脂９）が充填されているため、大きい温度差（−４０
℃〜＋１２５℃）がある環境下で樹脂の膨張、収縮が繰
り返されると、チップ熱抵抗が増大したり、アルミワイ
ヤ５が断線したり、あるいは絶縁層４が破壊したりして
装置動作土の信頼性が低下するという問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、チップ
熱抵抗の増大、アルミワイヤの断線あるいは絶縁層の破
壊を防止することができ、もって装置動作上の信頼性を
向上させることができる半導体装置を提供するものであ
る。
熱抵抗の増大、アルミワイヤの断線あるいは絶縁層の破
壊を防止することができ、もって装置動作上の信頼性を
向上させることができる半導体装置を提供するものであ
る。
本発明に係る半導体装置は、半導体チップを封止する樹
脂がその内部に充填された箱体を備え、この箱体に外部
電極端子を挿通保持する保持部を一体に設け、この保持
部の周囲に箱体を密閉する蓋体を取り付けたものである
。
脂がその内部に充填された箱体を備え、この箱体に外部
電極端子を挿通保持する保持部を一体に設け、この保持
部の周囲に箱体を密閉する蓋体を取り付けたものである
。
本発明においては、チップ保護用の樹脂を充填する箱体
と外部電極端子を保持する蓋体との間に樹脂の膨張を吸
収する空隙を形成することができる。
と外部電極端子を保持する蓋体との間に樹脂の膨張を吸
収する空隙を形成することができる。
第１図は本発明に係る半導体装置をダイオードモジュー
ルに適用した例を示す斜視図で、同図において第２図と
同一の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は
省略する。同図において、符号１１で示すものは有底筒
状の箱体で、矩形状の絶縁基板１２および角筒状のケー
ス１３からなり、その内部には前記半導体チップ３を封
止する前記シリコンゲル８が充填されている。この箱体
１１のケース１３には、前記半導体チップ３に接続する
直流出力端子６および三相入力端子７を挿通保持する保
持部１４が一体に設けられている。
ルに適用した例を示す斜視図で、同図において第２図と
同一の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は
省略する。同図において、符号１１で示すものは有底筒
状の箱体で、矩形状の絶縁基板１２および角筒状のケー
ス１３からなり、その内部には前記半導体チップ３を封
止する前記シリコンゲル８が充填されている。この箱体
１１のケース１３には、前記半導体チップ３に接続する
直流出力端子６および三相入力端子７を挿通保持する保
持部１４が一体に設けられている。
１５は前記箱体１１を密閉する蓋体で、前記ケース１３
に設けられ、かつ前記保持部１４の周囲に取り付けられ
ている。
に設けられ、かつ前記保持部１４の周囲に取り付けられ
ている。
このように構成された半導体装置においては、半導体チ
ップ保護用のシリコンゲル８を充填するケース１３と、
このケース１３内から外部へのシリコンゲル８の流出を
阻止する蓋体１５との間にシリコンゲル８の膨張を吸収
する空隙を形成することができる。
ップ保護用のシリコンゲル８を充填するケース１３と、
このケース１３内から外部へのシリコンゲル８の流出を
阻止する蓋体１５との間にシリコンゲル８の膨張を吸収
する空隙を形成することができる。
したがって、大きい温度差がある環境下でシリコンゲル
８の膨張、収縮が繰り返されても、チップ熱抵抗が増大
したり、アルミワイヤ５が断線したり、あるいは絶縁層
４が破壊したりすることがなくなる。
８の膨張、収縮が繰り返されても、チップ熱抵抗が増大
したり、アルミワイヤ５が断線したり、あるいは絶縁層
４が破壊したりすることがなくなる。
また、本実施例においては、蓋体１５によって耐湿性を
高めることができる。
高めることができる。
次に、前記した半導体装置の組み立て方法について説明
する。
する。
先ず、絶縁基板１２上に導電層４．半導体チップ３を接
合する。次に、この半導体チップ３と導電層４とをアル
ミワイヤ５によって接続する。そして、直流出力端子６
．三相入力端子７が保持部１４を挿通するケース１３を
絶縁基板１２に取り付けることにより箱体１１を形成す
ると共に、直流出力端子６．三相入力端子７を半田付け
し、箱体１１内にシリコンゲル８を充填した後、ケース
１３に蓋体１５を取り付ける。
合する。次に、この半導体チップ３と導電層４とをアル
ミワイヤ５によって接続する。そして、直流出力端子６
．三相入力端子７が保持部１４を挿通するケース１３を
絶縁基板１２に取り付けることにより箱体１１を形成す
ると共に、直流出力端子６．三相入力端子７を半田付け
し、箱体１１内にシリコンゲル８を充填した後、ケース
１３に蓋体１５を取り付ける。
このようにして半導体装置を組み立てることができる。
ｌなお、本実施例にお
いては、ダイオードモジュールに適用する例を示したが
、本発明はこれに限定適用されるものではなく、この他
サイリスクモジュールあるいはトランジスタモジュール
にも実施例と同様に適用することができる。
いては、ダイオードモジュールに適用する例を示したが
、本発明はこれに限定適用されるものではなく、この他
サイリスクモジュールあるいはトランジスタモジュール
にも実施例と同様に適用することができる。
また、本発明における半導体チップ、外部電極端子等の
部品の個数は前述した実施例に限定されず、その個数は
適宜変更することが自由である。
部品の個数は前述した実施例に限定されず、その個数は
適宜変更することが自由である。
以上説明したように本発明によれば、チップ封止用の樹
脂がその内部に充填された箱体を備え、この箱体に外部
電極端子を挿通保持する保持部を一体に設け、この保持
部の周囲に箱体を密閉する蓋体を取り付けたので、箱体
と蓋体との間に樹脂の膨張を吸収する空隙を形成するこ
とができる。
脂がその内部に充填された箱体を備え、この箱体に外部
電極端子を挿通保持する保持部を一体に設け、この保持
部の周囲に箱体を密閉する蓋体を取り付けたので、箱体
と蓋体との間に樹脂の膨張を吸収する空隙を形成するこ
とができる。
したがって、チップ熱抵抗の増大、アルミワイヤの断線
あるいは絶縁層の破壊を防止することができるから、装
置動作上の信頼性を向上させることができる。
あるいは絶縁層の破壊を防止することができるから、装
置動作上の信頼性を向上させることができる。
第１図は本発明に係る半導体装置をダイオードモジュー
ルに適用した例を示す斜視図、第２図は従来の半導体装
置を示す斜視図である。 ３・・・・半導体チップ、６・・・・直流出力端子、７
・・・・三相入力端子、８・・・・シリコンゲル、１１
・・・・箱体、１４・・・・保持部、１５・・・・蓋体
。 代 理 人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 １、事件の表示 特願昭１７−：８２ρユＹ−５３
、補正をする者 事件との関係 特許出願人 代表者志岐守哉 ４、代理人 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書５頁８行〜９行の１絶縁基板１２上に・・・接合
する。」を「絶縁基板】２上に設けられた導電層４に半
導体チップ３を接合する。」と補正する。 以 上
ルに適用した例を示す斜視図、第２図は従来の半導体装
置を示す斜視図である。 ３・・・・半導体チップ、６・・・・直流出力端子、７
・・・・三相入力端子、８・・・・シリコンゲル、１１
・・・・箱体、１４・・・・保持部、１５・・・・蓋体
。 代 理 人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 １、事件の表示 特願昭１７−：８２ρユＹ−５３
、補正をする者 事件との関係 特許出願人 代表者志岐守哉 ４、代理人 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書５頁８行〜９行の１絶縁基板１２上に・・・接合
する。」を「絶縁基板】２上に設けられた導電層４に半
導体チップ３を接合する。」と補正する。 以 上
Claims (1)
- 半導体チップを封止する樹脂がその内部に充填された箱
体を備え、この箱体に前記半導体チップに接続する外部
電極端子を挿通保持する保持部を一体に設け、この保持
部の周囲に前記箱体を密閉する蓋体を取り付けたことを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61259024A JPS63111658A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61259024A JPS63111658A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63111658A true JPS63111658A (ja) | 1988-05-16 |
Family
ID=17328286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61259024A Pending JPS63111658A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63111658A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008091787A (ja) * | 2006-10-04 | 2008-04-17 | Nippon Inter Electronics Corp | パワー半導体モジュール |
-
1986
- 1986-10-29 JP JP61259024A patent/JPS63111658A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008091787A (ja) * | 2006-10-04 | 2008-04-17 | Nippon Inter Electronics Corp | パワー半導体モジュール |
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