JPS62104077A - 電荷結合素子の駆動方法 - Google Patents
電荷結合素子の駆動方法Info
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- JPS62104077A JPS62104077A JP60243567A JP24356785A JPS62104077A JP S62104077 A JPS62104077 A JP S62104077A JP 60243567 A JP60243567 A JP 60243567A JP 24356785 A JP24356785 A JP 24356785A JP S62104077 A JPS62104077 A JP S62104077A
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Landscapes
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、複数の垂直シフトレジスタと複数の水平シフ
トレジスタとを有する電荷結合素子の駆動方法に関する
。
トレジスタとを有する電荷結合素子の駆動方法に関する
。
（従来の技術）
近年、電荷結合素子（以後ＣＣＤと略記する）は、集積
回路技術の進歩を背景に、多方面にわたって研究開発が
なされ、固体撮像素子、アナログ遅延線、フィールドメ
モリ等に応用きれるようになった。特にＣＣＤを用いた
固体撮像素子は、小型軽量、低消費電力、高Ｍ頼性など
多くの特長があり、近年その開発が盛んである。かかる
ＣＣＤ固体撮像素子の構造は様々であるが、最近の目立
った傾向は、多画素化、高密度化に適した構造のものが
出現したことにある。
回路技術の進歩を背景に、多方面にわたって研究開発が
なされ、固体撮像素子、アナログ遅延線、フィールドメ
モリ等に応用きれるようになった。特にＣＣＤを用いた
固体撮像素子は、小型軽量、低消費電力、高Ｍ頼性など
多くの特長があり、近年その開発が盛んである。かかる
ＣＣＤ固体撮像素子の構造は様々であるが、最近の目立
った傾向は、多画素化、高密度化に適した構造のものが
出現したことにある。
たとえば、第３図は本願の発明者が発明し本願の出願人
が出願した「電荷結合素子およびその駆動方法」（特願
昭５９−０７０４３３ ）に記載の実施例であり、垂直
シフトレジスタと水平シフトレジスタとの接続部の平面
図が示されている。この例では、水平シフトレジスタを
２木蓮列に配置することにより水平方向素子ピッチを緩
和し、多画素化、高密度化をはかっている。同図におい
て、１０１〜１０５は垂直シフトレジスタ群の電荷転送
チャネル、１１１ 、１１２は第１．第２の水平シフト
レジスタの電荷転送チャネル、１２１は垂直シフトレジ
スタ群の最終転送電極、１３１ 、１４１は第１．第２
のトランスファゲート電極、１５１〜１６０は水平シフ
トレジスタを覆う転送電極、１６１〜１６３は第１．第
２の水平シフトレジスタを結合する電荷転送チャネル、
１７１〜１８８は例えばイオン注入によって形成される
電位障壁領域を示す。
が出願した「電荷結合素子およびその駆動方法」（特願
昭５９−０７０４３３ ）に記載の実施例であり、垂直
シフトレジスタと水平シフトレジスタとの接続部の平面
図が示されている。この例では、水平シフトレジスタを
２木蓮列に配置することにより水平方向素子ピッチを緩
和し、多画素化、高密度化をはかっている。同図におい
て、１０１〜１０５は垂直シフトレジスタ群の電荷転送
チャネル、１１１ 、１１２は第１．第２の水平シフト
レジスタの電荷転送チャネル、１２１は垂直シフトレジ
スタ群の最終転送電極、１３１ 、１４１は第１．第２
のトランスファゲート電極、１５１〜１６０は水平シフ
トレジスタを覆う転送電極、１６１〜１６３は第１．第
２の水平シフトレジスタを結合する電荷転送チャネル、
１７１〜１８８は例えばイオン注入によって形成される
電位障壁領域を示す。
第４図は、第３図に示したＣＣＤ固体撮像素子の駆動方
法の一例において、テレビジョン言分の水平ブランキン
グ期間中に各電極に印加される駆動パルスの波形を示す
図である。図において、φｖ４は前記垂直シフトレジス
タ群の最終転送電極１２１に印加キれるパルス、≠ＴＯ
Ｉｂ φ７．．はそれぞれ前記第１ｇ第２のトランスフ
ァゲート電極１３１ 、１４１に印加されるパルス、４
Ｍ１１（６＆１ｍはそれぞれ前記水平転送電極１５１〜
１６０に印加されるパルスである。第５図は、第４図の
各時刻における第３図の一点鎖！ＩＡ−Ａ’に沿っての
素子内部の電位分布を示す。
法の一例において、テレビジョン言分の水平ブランキン
グ期間中に各電極に印加される駆動パルスの波形を示す
図である。図において、φｖ４は前記垂直シフトレジス
タ群の最終転送電極１２１に印加キれるパルス、≠ＴＯ
Ｉｂ φ７．．はそれぞれ前記第１ｇ第２のトランスフ
ァゲート電極１３１ 、１４１に印加されるパルス、４
Ｍ１１（６＆１ｍはそれぞれ前記水平転送電極１５１〜
１６０に印加されるパルスである。第５図は、第４図の
各時刻における第３図の一点鎖！ＩＡ−Ａ’に沿っての
素子内部の電位分布を示す。
ここで、第４図及び第５図を用いて、第３図に示すＣＣ
Ｄ固定撮像素子の動作について説明する。
Ｄ固定撮像素子の動作について説明する。
まず、時刻Ｔ０においてパルスφＨＩ＋φ■の水平方向
への電荷転送動作は停止し、水平ブランキング期間とな
る。このときパルス≠ｖ４はオン状態にあり、垂直シフ
トレジスタ群１０１〜１０５を下方に転送されてきた＠
Ｊｉ３−電荷は、垂直シフトレジスタの最終伝送電極１
２１下に蓄積される。つぎに時刻Ｔ、でパルス−ｖ４が
オン、パルスφＴＧＩがオン状態に遷移すると、前記信
号電荷は第１のトランスファゲート電極１３１下へと転
送され、時刻Ｔ、においてトランスファゲート電極１３
１下に蓄積される６時刻Ｔ ｓでパルスφ７゜１がオフ
、水平シフトレジスタの一転送電極に印加されるパルス
−１がオン状態となり、時刻Ｔ４となると、前記信号電
荷のうち、φ８□に対応する垂直シフｌ−レジスタ１０
１ 、１０３ 。
への電荷転送動作は停止し、水平ブランキング期間とな
る。このときパルス≠ｖ４はオン状態にあり、垂直シフ
トレジスタ群１０１〜１０５を下方に転送されてきた＠
Ｊｉ３−電荷は、垂直シフトレジスタの最終伝送電極１
２１下に蓄積される。つぎに時刻Ｔ、でパルス−ｖ４が
オン、パルスφＴＧＩがオン状態に遷移すると、前記信
号電荷は第１のトランスファゲート電極１３１下へと転
送され、時刻Ｔ、においてトランスファゲート電極１３
１下に蓄積される６時刻Ｔ ｓでパルスφ７゜１がオフ
、水平シフトレジスタの一転送電極に印加されるパルス
−１がオン状態となり、時刻Ｔ４となると、前記信号電
荷のうち、φ８□に対応する垂直シフｌ−レジスタ１０
１ 、１０３ 。
１０５中でトランスファゲート電極１３１下に蓄積され
ていた信号電荷１９１は、第１の水平シフトレジスタ１
１１のφＭｌに対応する水平転送電極１５２ 、１５６
。
ていた信号電荷１９１は、第１の水平シフトレジスタ１
１１のφＭｌに対応する水平転送電極１５２ 、１５６
。
１６０下へと転送・蓄積される（第４図、時刻Ｔ、）。
このとき、トランスファゲート電極１３１に印加きれる
パルスφ？ＧＩはオフ状態であるにもかかわらず、パル
ス’ｉ６８１がオフ状態でかつ電位障壁領域１７１が存
在するために、−〇に対応する垂直シフトレジスタ１０
２，１０４からの信号電荷、たとえば１９２は、トラン
スファゲート電極１３１下に留まっている。つぎに時刻
Ｔａ、Ｌでパルス≠８□がオフ、パルスφＴＧ２がオン
状態になると、前記信号電荷１９１は、≠□が印加され
ている水平転送電極から第２のトランスファゲート電極 蓄積きれる。このとき、前記信号電荷１９２はそのまま
第１のトランスファゲート電極１３１下に蓄積されてい
る。つぎに時刻Ｔｙ 、 ＴａでパルスφアＧ８がオフ
、パルス−工、がオン状態になると、前記信号電荷１９
１は、第２のトランスファゲート電極１４１下から第２
の水平シフトレジスタ１１２のφ□、に対応する水平転
送電極１５４ 、１５８下へと転送される。これと同時
に、φ。に対応する垂直シフトシ・ジスタ１０２．１０
４からの前記信号電荷１９２は、第１のトランスファゲ
ート電極１３１下からの第１の水平シフトレジスタ１１
１のφ工、に対応する水平転送電極１５４．１５８下へ
と転送される。このようにして垂直シフトレジスタ群の
２列毎の信号電荷が、２木の水平シフトレジスタに振り
分けられたことになる。この振り分けののち、時刻Ｔ、
では、水平ブランキング期間が終了し、パルスφ旧、φ
Ｈ２が水平方向への電荷転送動作を開始するため、各信
号電荷は水平方向へと転送される。
パルスφ？ＧＩはオフ状態であるにもかかわらず、パル
ス’ｉ６８１がオフ状態でかつ電位障壁領域１７１が存
在するために、−〇に対応する垂直シフトレジスタ１０
２，１０４からの信号電荷、たとえば１９２は、トラン
スファゲート電極１３１下に留まっている。つぎに時刻
Ｔａ、Ｌでパルス≠８□がオフ、パルスφＴＧ２がオン
状態になると、前記信号電荷１９１は、≠□が印加され
ている水平転送電極から第２のトランスファゲート電極 蓄積きれる。このとき、前記信号電荷１９２はそのまま
第１のトランスファゲート電極１３１下に蓄積されてい
る。つぎに時刻Ｔｙ 、 ＴａでパルスφアＧ８がオフ
、パルス−工、がオン状態になると、前記信号電荷１９
１は、第２のトランスファゲート電極１４１下から第２
の水平シフトレジスタ１１２のφ□、に対応する水平転
送電極１５４ 、１５８下へと転送される。これと同時
に、φ。に対応する垂直シフトシ・ジスタ１０２．１０
４からの前記信号電荷１９２は、第１のトランスファゲ
ート電極１３１下からの第１の水平シフトレジスタ１１
１のφ工、に対応する水平転送電極１５４．１５８下へ
と転送される。このようにして垂直シフトレジスタ群の
２列毎の信号電荷が、２木の水平シフトレジスタに振り
分けられたことになる。この振り分けののち、時刻Ｔ、
では、水平ブランキング期間が終了し、パルスφ旧、φ
Ｈ２が水平方向への電荷転送動作を開始するため、各信
号電荷は水平方向へと転送される。
（発明が解決しようとする問題点）
ところで、上述したＣＣＤ固体撮像素子の駆動方法を試
験したところ、再生画像に不規則な縦じま妨害が発生す
ることが判明した。これは垂直シフトレジスタ群から水
平シフトレジスタ群への信号電荷の振り分けが転送効率
よく行なわれないことに起因している。すなわち、ＣＣ
Ｄ固体撮像素子は、一般に水平シフトレジスタの最大転
送電荷量が垂直シフトレジスタの最大転送電荷量に比べ
て２〜５倍程度大きくなるように設計される。また水平
シフトレジスタのチャネル長は、第３図からも明らかな
ように、水平方向の素子ピッチによって制限きれ、実際
問題として、信号電荷を垂直シフトレジスタの数百倍も
の駆動周波数で効率良く転送するためには、上記チャネ
ル長は短い方が良い。よって、必要とされる電極面積を
確保するために、水平シフトレジスタのチャネル幅は必
然的に大きくとられる。このため、第３図に示す第１の
水平シフトレジスタ１１１の転送電極１５２ 、１５６
。
験したところ、再生画像に不規則な縦じま妨害が発生す
ることが判明した。これは垂直シフトレジスタ群から水
平シフトレジスタ群への信号電荷の振り分けが転送効率
よく行なわれないことに起因している。すなわち、ＣＣ
Ｄ固体撮像素子は、一般に水平シフトレジスタの最大転
送電荷量が垂直シフトレジスタの最大転送電荷量に比べ
て２〜５倍程度大きくなるように設計される。また水平
シフトレジスタのチャネル長は、第３図からも明らかな
ように、水平方向の素子ピッチによって制限きれ、実際
問題として、信号電荷を垂直シフトレジスタの数百倍も
の駆動周波数で効率良く転送するためには、上記チャネ
ル長は短い方が良い。よって、必要とされる電極面積を
確保するために、水平シフトレジスタのチャネル幅は必
然的に大きくとられる。このため、第３図に示す第１の
水平シフトレジスタ１１１の転送電極１５２ 、１５６
。
１６０下から第２のトランスファゲート電極１４１下へ
の電荷の転送は、行路長が長いために不完全転送となり
易く、その結果として、第１の水平シフトレジスタ１１
１の転送電極１５２ 、１５６ 、１６０下に取り残し
電荷が存在することになる。この取り残し電荷は、第４
図の時刻Ｔ、で第１の水平シフトレジスタ１１１の隣接
する信号電荷と混じり合うため、再生画像に縦じまとな
って現れる。
の電荷の転送は、行路長が長いために不完全転送となり
易く、その結果として、第１の水平シフトレジスタ１１
１の転送電極１５２ 、１５６ 、１６０下に取り残し
電荷が存在することになる。この取り残し電荷は、第４
図の時刻Ｔ、で第１の水平シフトレジスタ１１１の隣接
する信号電荷と混じり合うため、再生画像に縦じまとな
って現れる。
本発明の目的は上述した従来の欠点を除去したもので、
その目的とするところは縦じま妨害の発生しないＣＣＤ
固体撮像素子の新しい駆動方法を提供することにある。
その目的とするところは縦じま妨害の発生しないＣＣＤ
固体撮像素子の新しい駆動方法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
前述の問題点を清快するために本発明が提供する手段は
、電荷結合素子による複数列の垂直シフトレジスタ群と
、該垂直シフトレジスタ群の電荷転送方向と直角方向に
配！きれた電荷結合素子によるＭ行の水平シフトレジス
タ群と、前記垂直シフトレジスタ群と前記水平シフトレ
ジスタ群の第１の水平シフトレジスタとの間および前記
Ｍ行の水平シフトレジスタ群の間に該水平シフトレジス
タ群の電荷転送方向と平行に配置きれたＭ個のトランス
ファゲート電極とを有し、前記垂直シフトレジスタ群か
らのＭ列毎の信号電荷を前記Ｍ行の水平シフトレジスタ
群のそれぞれに振り分ける電荷結合素子の駆動方法であ
って、前記水平シフトレジスタ群および前記Ｍ個のトラ
ンスファゲート電極に印加する転送パルス群の前記信号
電荷の振り分け期、間における立ち下がり特性を１通常
の電荷転送時に比べて緩やかにしたことを特徴とする。
、電荷結合素子による複数列の垂直シフトレジスタ群と
、該垂直シフトレジスタ群の電荷転送方向と直角方向に
配！きれた電荷結合素子によるＭ行の水平シフトレジス
タ群と、前記垂直シフトレジスタ群と前記水平シフトレ
ジスタ群の第１の水平シフトレジスタとの間および前記
Ｍ行の水平シフトレジスタ群の間に該水平シフトレジス
タ群の電荷転送方向と平行に配置きれたＭ個のトランス
ファゲート電極とを有し、前記垂直シフトレジスタ群か
らのＭ列毎の信号電荷を前記Ｍ行の水平シフトレジスタ
群のそれぞれに振り分ける電荷結合素子の駆動方法であ
って、前記水平シフトレジスタ群および前記Ｍ個のトラ
ンスファゲート電極に印加する転送パルス群の前記信号
電荷の振り分け期、間における立ち下がり特性を１通常
の電荷転送時に比べて緩やかにしたことを特徴とする。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
が、本発明を適用する素子の構成は従来例と同一で差支
えないから、ここでは第３図に示すＣＣＤＣＤ固体素像
素子用する実施例を挙げて説明する。
が、本発明を適用する素子の構成は従来例と同一で差支
えないから、ここでは第３図に示すＣＣＤＣＤ固体素像
素子用する実施例を挙げて説明する。
第１図は本発明の一実施例により第３図のＣＣＤ固体撮
像素子を駆動するのに用いる駆動パルスの波形図であり
、テレビジョン６号の水平ブランキング期間中に各電極
に印加される駆動パルスの波形が示されている。同図に
おいて、φｖ４は垂直シ′り１・ｌ・ジスタ群の最終転
送電極１２１に印加されるパルス、φ１６Ｉ、φＴＧ２
はそれぞれ第１、第２のトランスファゲート電極１３１
、１４１に印加されるパルス、φ□、、φ。はそれぞ
れ水平転送電極１５１〜１６０に印加されるパルスであ
る。また図中の時刻Ｔ、〜Ｔ、は従来例の第４図と全く
同一にとられている。
像素子を駆動するのに用いる駆動パルスの波形図であり
、テレビジョン６号の水平ブランキング期間中に各電極
に印加される駆動パルスの波形が示されている。同図に
おいて、φｖ４は垂直シ′り１・ｌ・ジスタ群の最終転
送電極１２１に印加されるパルス、φ１６Ｉ、φＴＧ２
はそれぞれ第１、第２のトランスファゲート電極１３１
、１４１に印加されるパルス、φ□、、φ。はそれぞ
れ水平転送電極１５１〜１６０に印加されるパルスであ
る。また図中の時刻Ｔ、〜Ｔ、は従来例の第４図と全く
同一にとられている。
本発明による駆動方法の特徴は、時刻Ｔ１におけるパル
スφｖ４の立ち下がり、時刻Ｔ、におけるパルスφＴＧ
Ｉの立ち下がり、時刻Ｔ、におけるパルスφ８１の立ち
下がりおよび時刻Ｔ７におけるパルスφ７Ｇ！の立ち下
がりが通常の電荷転送時に比べてはるかに緩やかにとら
れている点であり、他は従来例の第４図と同一である。
スφｖ４の立ち下がり、時刻Ｔ、におけるパルスφＴＧ
Ｉの立ち下がり、時刻Ｔ、におけるパルスφ８１の立ち
下がりおよび時刻Ｔ７におけるパルスφ７Ｇ！の立ち下
がりが通常の電荷転送時に比べてはるかに緩やかにとら
れている点であり、他は従来例の第４図と同一である。
これはいわゆるブツシュクロックと呼ばれる電荷転送の
方法で、転送効率の改善に効果がある。−例として、時
刻Ｉｇにおけるパルスｄ Ｍｌの緩やかな立ち下がりの
効果をみると、同時刻において第１の水平レジスタ１１
１のφ□に対応する水平転送電極１５２ 、１５６ 、
１６０下に蓄積されていた信号電荷は、パルス６丁、が
オン状態になるから、徐々に第２のトランスファゲート
電極１４１下に転送・蓄積きれる。このとき、水平転送
電極１５２ 、１５６ 、１６０下の行路長が長いから
、通常の転送では不完全転送となりがちであるが、立ち
下がりを緩やかにしたブツシュクロック法では完全転送
され、取り残し電荷は存在しない。このため、再生画像
に縦じま妨害が現れることになる。
方法で、転送効率の改善に効果がある。−例として、時
刻Ｉｇにおけるパルスｄ Ｍｌの緩やかな立ち下がりの
効果をみると、同時刻において第１の水平レジスタ１１
１のφ□に対応する水平転送電極１５２ 、１５６ 、
１６０下に蓄積されていた信号電荷は、パルス６丁、が
オン状態になるから、徐々に第２のトランスファゲート
電極１４１下に転送・蓄積きれる。このとき、水平転送
電極１５２ 、１５６ 、１６０下の行路長が長いから
、通常の転送では不完全転送となりがちであるが、立ち
下がりを緩やかにしたブツシュクロック法では完全転送
され、取り残し電荷は存在しない。このため、再生画像
に縦じま妨害が現れることになる。
ところで、時刻Ｔ、からＴ、までの水平ブランキング期
間が通常のＮＴＳＣ方式でも約１０μと長くとれるから
、たとえば１μ８と相当大きく設定することができる。
間が通常のＮＴＳＣ方式でも約１０μと長くとれるから
、たとえば１μ８と相当大きく設定することができる。
これに反し、垂直転送パルスφＶ４、水平転送パルスφ
□等は、通常の電荷転送時には数十ＫＨｚ〜数ＭＨｚの
高速動作となるから、その立ち下がり時間も短くする必
要がある。特に水平転送パルスφＭ１の立ち下がりは、
例えば水平転送周波数１４．３ＭＨｚで駆動時には、１
０ｎｓ以下に押さえる必要がある。上記相反する２つの
事項を同時に満足させるためには、通常の電荷転送時に
は急峻に立ち下がり、垂直シフトレジスタから水平シフ
トレジスタへの信号電荷の振り分けを行なう水平ブラン
キング期間中には緩やかに立ち下がるような転送パルス
が必要である。第２図（ａ）はかかる立ち下がり時間の
異なる転送パルスを発生ずる駆動回路の一例である。
□等は、通常の電荷転送時には数十ＫＨｚ〜数ＭＨｚの
高速動作となるから、その立ち下がり時間も短くする必
要がある。特に水平転送パルスφＭ１の立ち下がりは、
例えば水平転送周波数１４．３ＭＨｚで駆動時には、１
０ｎｓ以下に押さえる必要がある。上記相反する２つの
事項を同時に満足させるためには、通常の電荷転送時に
は急峻に立ち下がり、垂直シフトレジスタから水平シフ
トレジスタへの信号電荷の振り分けを行なう水平ブラン
キング期間中には緩やかに立ち下がるような転送パルス
が必要である。第２図（ａ）はかかる立ち下がり時間の
異なる転送パルスを発生ずる駆動回路の一例である。
同図はいわゆる飽和形スイッチング回路であり、ＰＮＰ
トランジスタ１１とＮＰＮ ）−ランジスタ１２、ア
ナログスイッチ１３、エミッタ抵抗１４．２木のグイオ
ード１５ 、１６．２個のフンデンサ１７ 、１８及び
２本のベース抵抗１９．２０とで構成きれている。本駆
動回路の動作を第２図（ｂ）に示す入出力波形を使って
説明する。このとき端子２１には電源電圧ｖＤＤが印加
されているものとする。まず、入力端子２２に印加され
る入力パルス３１が時刻Ｔ６°で低レベルとなると、Ｐ
ＮＰ トランジスタ１１がオン状態、ＮＰＮ ）−ラン
ジスタ１２がオフ状態となり、出力端子２３からの出力
パルス３２は電源電圧Ｖ。とほぼ等しい電圧に変化する
。次に、入力パルス３１が時刻Ｔ１°で高レベルとなる
と、ＰＮＰトランジスタがオフ状態、ＮＰＮトランジス
タ１２がオン状態に変移するため、出力パルス３２は接
地レベルにほぼ等しい電圧にまで変化する。このとき、
この変化の割合、すなわち出力パルスの立ち下がり時間
は、ＮＰＮ トランジスタ１２のエミッタ端子に接続き
れた抵抗の大き茜に左右される。例えば、アナログスイ
ッチ１３がエミッタ抵抗１４の側に切り換わっていると
きの立ち下がり特性は、３２の実線で示すごとく緩やか
になる。これとは反対に、アナログスイッチ１３が接地
側に切り換わっているときの立ち下がり特性は、３２の
破線で示すごとく急峻になる。よって、アナログスイッ
チ１３の切換を水平ブランキングパルスで制御すること
により、電荷転送時には急峻に立ち下がり、水平ブラン
キング期間中には緩やかに立ち下がるような転送パルス
の発生が可能となる。
トランジスタ１１とＮＰＮ ）−ランジスタ１２、ア
ナログスイッチ１３、エミッタ抵抗１４．２木のグイオ
ード１５ 、１６．２個のフンデンサ１７ 、１８及び
２本のベース抵抗１９．２０とで構成きれている。本駆
動回路の動作を第２図（ｂ）に示す入出力波形を使って
説明する。このとき端子２１には電源電圧ｖＤＤが印加
されているものとする。まず、入力端子２２に印加され
る入力パルス３１が時刻Ｔ６°で低レベルとなると、Ｐ
ＮＰ トランジスタ１１がオン状態、ＮＰＮ ）−ラン
ジスタ１２がオフ状態となり、出力端子２３からの出力
パルス３２は電源電圧Ｖ。とほぼ等しい電圧に変化する
。次に、入力パルス３１が時刻Ｔ１°で高レベルとなる
と、ＰＮＰトランジスタがオフ状態、ＮＰＮトランジス
タ１２がオン状態に変移するため、出力パルス３２は接
地レベルにほぼ等しい電圧にまで変化する。このとき、
この変化の割合、すなわち出力パルスの立ち下がり時間
は、ＮＰＮ トランジスタ１２のエミッタ端子に接続き
れた抵抗の大き茜に左右される。例えば、アナログスイ
ッチ１３がエミッタ抵抗１４の側に切り換わっていると
きの立ち下がり特性は、３２の実線で示すごとく緩やか
になる。これとは反対に、アナログスイッチ１３が接地
側に切り換わっているときの立ち下がり特性は、３２の
破線で示すごとく急峻になる。よって、アナログスイッ
チ１３の切換を水平ブランキングパルスで制御すること
により、電荷転送時には急峻に立ち下がり、水平ブラン
キング期間中には緩やかに立ち下がるような転送パルス
の発生が可能となる。
（発明の効果）
以上延べたように、本発明にょるＣＣＤの駆動方法を用
いれば、複数行の水平シフトレジスタを有するＣＣＤ固
体撮像素子を縦じま妨害なく駆動することができる。な
お、実施例ではＣＣＤ固体撮像素子に限定して説明した
が、本発明はＣＣＤアナログ遅延線、ＣＣＤフィールド
メモリ等の駆動にも応用可能である。
いれば、複数行の水平シフトレジスタを有するＣＣＤ固
体撮像素子を縦じま妨害なく駆動することができる。な
お、実施例ではＣＣＤ固体撮像素子に限定して説明した
が、本発明はＣＣＤアナログ遅延線、ＣＣＤフィールド
メモリ等の駆動にも応用可能である。
第１図は本発明の一実施例により第３図のＣＣＤ固体撮
像素子を駆動するのに用いる駆動パルスの波形図、第２
Ｅ（ａ）は立ち下がり特性の異なる転送パルスを発生す
る駆動回路の一例を示す回路図、同１５Ｄ（ｂ）は本図
（ａ）の回路の入出力パルスの波形図、第３図は２行の
水平シフトレジスタを有するＣＣＤ固体撮像素子の主要
部の平面図、第４図はＣＣＤ固体撮像素子の従来の駆動
方法で用いる駆動パルスの波形図、第５図は第３図の一
点鎖線Ａ−Ａ’に沿った素子内部の電位分布と信号電荷
の流れを示す図である。 図において、１０１〜１０５は垂直シフトレジスタの電
荷転送チャネル、１１１ 、１１２は水平シフトレジス
タの電荷転送チャネル、１２１は垂直シフトレジスタの
最終転送電極、１３１ 、１４１はトランスファゲート
電極、１５１〜１６０は水平転送電極、１６１〜１６３
は水平シフトレジスタを結合する電荷転送チャネル、１
７１〜１８８は電位障壁領域である。 第３図 Δ に １０１〜＋０５ ４）ｊ−シフトレジスタ −５
１−１６０ 木！−私憑（し吻１１１ 、１１２
＆＋ ； ）） Ｌ−ジス９ ’６’＝６３
５１／ｊ；ｎｔ−４−千ｑキル＋ｚ１４１６嚇處Ｔｈ
１７１〜１８８電位嘩吹領滅１３１．１４１
）ランスフは一ト噛（射ｉ第５図
像素子を駆動するのに用いる駆動パルスの波形図、第２
Ｅ（ａ）は立ち下がり特性の異なる転送パルスを発生す
る駆動回路の一例を示す回路図、同１５Ｄ（ｂ）は本図
（ａ）の回路の入出力パルスの波形図、第３図は２行の
水平シフトレジスタを有するＣＣＤ固体撮像素子の主要
部の平面図、第４図はＣＣＤ固体撮像素子の従来の駆動
方法で用いる駆動パルスの波形図、第５図は第３図の一
点鎖線Ａ−Ａ’に沿った素子内部の電位分布と信号電荷
の流れを示す図である。 図において、１０１〜１０５は垂直シフトレジスタの電
荷転送チャネル、１１１ 、１１２は水平シフトレジス
タの電荷転送チャネル、１２１は垂直シフトレジスタの
最終転送電極、１３１ 、１４１はトランスファゲート
電極、１５１〜１６０は水平転送電極、１６１〜１６３
は水平シフトレジスタを結合する電荷転送チャネル、１
７１〜１８８は電位障壁領域である。 第３図 Δ に １０１〜＋０５ ４）ｊ−シフトレジスタ −５
１−１６０ 木！−私憑（し吻１１１ 、１１２
＆＋ ； ）） Ｌ−ジス９ ’６’＝６３
５１／ｊ；ｎｔ−４−千ｑキル＋ｚ１４１６嚇處Ｔｈ
１７１〜１８８電位嘩吹領滅１３１．１４１
）ランスフは一ト噛（射ｉ第５図
Claims (1)
- 電荷結合素子による複数列の垂直シフトレジスタ群と、
該垂直シフトレジスタ群の電荷転送方向と直角方向に配
置された電荷結合素子によるＭ行の水平シフトレジスタ
群と、前記垂直シフトレジスタ群と前記水平シフトレジ
スタ群の第１の水平シフトレジスタとの間および前記Ｍ
行の水平シフトレジスタ群の間に該水平シフトレジスタ
群の電荷転送方向と平行に配置されたＭ個のトランスフ
ァゲート電極とを有し、前記垂直シフトレジスタ群から
のＭ列毎の信号電荷を前記Ｍ行の水平シフトレジスタ群
のそれぞれに振り分ける電荷結合素子の駆動方法におい
て、前記水平シフトレジスタ群および前記Ｍ個のトラン
スファゲート電極に印加する転送パルス群の前記信号電
荷の振り分け期間における立ち下がり特性を、通常の電
荷転送時に比べて緩やかにしたことを特徴とする電荷結
合素子の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60243567A JPS62104077A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 電荷結合素子の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60243567A JPS62104077A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 電荷結合素子の駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62104077A true JPS62104077A (ja) | 1987-05-14 |
Family
ID=17105757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60243567A Pending JPS62104077A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 電荷結合素子の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62104077A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01248663A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Toshiba Corp | 多線ｃｃｄ |
| JPH02133963A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| US5189498A (en) * | 1989-11-06 | 1993-02-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Charge coupled device |
| US5302543A (en) * | 1989-11-06 | 1994-04-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making a charge coupled device |
| US5451802A (en) * | 1992-10-29 | 1995-09-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Charge transfer device having a high-resistance electrode and a low-resistance electrode |
| US5650644A (en) * | 1990-05-16 | 1997-07-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Charge transfer device having a plurality of vertical and horizontal charge-coupled devices with improved configurations for isolation regions and impurity implanted regions between the charge-coupled devices |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55132069A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-14 | Nec Corp | Ccd driving gear |
| JPS5913478A (ja) * | 1982-07-14 | 1984-01-24 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
| JPS60172890A (ja) * | 1984-02-17 | 1985-09-06 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
-
1985
- 1985-10-30 JP JP60243567A patent/JPS62104077A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55132069A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-14 | Nec Corp | Ccd driving gear |
| JPS5913478A (ja) * | 1982-07-14 | 1984-01-24 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5650644A (en) * | 1990-05-16 | 1997-07-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Charge transfer device having a plurality of vertical and horizontal charge-coupled devices with improved configurations for isolation regions and impurity implanted regions between the charge-coupled devices |
| US5451802A (en) * | 1992-10-29 | 1995-09-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Charge transfer device having a high-resistance electrode and a low-resistance electrode |
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