JPS62109049A - 微小光学素子の製造方法 - Google Patents
微小光学素子の製造方法Info
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- JPS62109049A JPS62109049A JP60249302A JP24930285A JPS62109049A JP S62109049 A JPS62109049 A JP S62109049A JP 60249302 A JP60249302 A JP 60249302A JP 24930285 A JP24930285 A JP 24930285A JP S62109049 A JPS62109049 A JP S62109049A
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- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1861—Reflection gratings characterised by their structure, e.g. step profile, contours of substrate or grooves, pitch variations, materials
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
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- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
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- H01J2237/31761—Patterning strategy
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、微小光学素子の製造方法に関するものである
。。
。。
従来の技術
近年、マイクロフレネルレンズやマイクログレーティン
グ等の薄膜形微小光学素子は、小形軽量で種々の機能を
有する光学素子として注目されており、電子ビームを電
子ビームレジストに照射して製造する電子ビームリソグ
ラフィが有望である。
グ等の薄膜形微小光学素子は、小形軽量で種々の機能を
有する光学素子として注目されており、電子ビームを電
子ビームレジストに照射して製造する電子ビームリソグ
ラフィが有望である。
また、種々の光分布や高効率を実現しようとすると、フ
レネルレンズやグレーティングの断面形状を制御する必
要があり、例えば、断面形状を適当な膜厚で鋸歯状にす
ると、回折効率はほぼ１６０％という高効率を実現する
ことができる。
レネルレンズやグレーティングの断面形状を制御する必
要があり、例えば、断面形状を適当な膜厚で鋸歯状にす
ると、回折効率はほぼ１６０％という高効率を実現する
ことができる。
従来の電子ビームリソグラフィによる薄膜形微小光学素
子の製造方法としては、第２図に示すように、まず基板
１上に電子ビームレジスト２とＡｕ等の帯電防止膜３を
塗布又は堆積しく第２図（ａ））、電子ビーム４の加Ｍ
電圧は一定のまま電子ビーム４の走査回数等を制御して
レジスト２上に直接描画しく第２図（ｂ） ） 、帯電
防止膜３のエツチング現像処理をすることにより断面形
状が鋸歯状のフレネルレンズまたはグレーティング２′
を製造する（第２図（Ｃ））という方法がある。
子の製造方法としては、第２図に示すように、まず基板
１上に電子ビームレジスト２とＡｕ等の帯電防止膜３を
塗布又は堆積しく第２図（ａ））、電子ビーム４の加Ｍ
電圧は一定のまま電子ビーム４の走査回数等を制御して
レジスト２上に直接描画しく第２図（ｂ） ） 、帯電
防止膜３のエツチング現像処理をすることにより断面形
状が鋸歯状のフレネルレンズまたはグレーティング２′
を製造する（第２図（Ｃ））という方法がある。
（藤田他；″雷子ビーム描画作製によるブレーズ化マイ
クロフレネルレンズ″、電子通信学会論文誌（ｃ） 、
Ｊ６６− Ｃ，１、ＰＰ、８５−９１（昭５８−１）
）発明が解決しようとする問題点 このような従来の方法では、加速電圧を高く、例えば３
０ｋｖ以上の一定に保って描画している。このような高
加速電圧では電子ビームは塗布したし・シストを通過し
、基板で主に散乱し、いわゆる近接効果を生じ、さらに
は、レジストの感度特性を正確に補正して露光量を調整
する必要があり、理想的な鋸歯形状の実現は難しく、良
好な光学特性をもつ微小光学素子は得られなかった。本
発明はかかる問題点を解決するもので、光学特性の優れ
た薄膜形微小光学素子を提供することを目的とする。
クロフレネルレンズ″、電子通信学会論文誌（ｃ） 、
Ｊ６６− Ｃ，１、ＰＰ、８５−９１（昭５８−１）
）発明が解決しようとする問題点 このような従来の方法では、加速電圧を高く、例えば３
０ｋｖ以上の一定に保って描画している。このような高
加速電圧では電子ビームは塗布したし・シストを通過し
、基板で主に散乱し、いわゆる近接効果を生じ、さらに
は、レジストの感度特性を正確に補正して露光量を調整
する必要があり、理想的な鋸歯形状の実現は難しく、良
好な光学特性をもつ微小光学素子は得られなかった。本
発明はかかる問題点を解決するもので、光学特性の優れ
た薄膜形微小光学素子を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
木光明は上記問題点を解決するため、電子ビームの加速
電圧を上記微小光学素子の形状に対応するように低加速
電圧範囲で変化させて、上記ポジ形電子ビームレジスト
に直接描画、現＠処即を行い、上記電子ビームレジスト
の膜厚を変化させるようにしものである。
電圧を上記微小光学素子の形状に対応するように低加速
電圧範囲で変化させて、上記ポジ形電子ビームレジスト
に直接描画、現＠処即を行い、上記電子ビームレジスト
の膜厚を変化させるようにしものである。
作用
本発明は上記した方法により、電子ビームが基板で散乱
して悪影響を及ぼす近接効果がなくなり、また、レジス
トの感度特性の補正もほとんど必要がなくなり、容易に
理想的な断面形状をもつ光学特性のよい微小光学素子を
製造することができる実施例 以下本発明の一実施例を図面にもとづいて説明する。第
１図は本発明の一実施例のグレーティングの製造工程図
である。第１図において、１１は基板、１２はポジ形電
子ビームレジスト、１３は帯電防止膜である。本実施例
では、基板１１としてガラス、ポジ形電子ビームレジス
ト１２としてＰＭＭＡ１帯電防止膜１３としてへ〇膜を
用いた。基板１１としてはグレーティングの使用波長に
おいて透過率の優れているものなら何でもよい。またＡ
ｕ膜は電子ビーム１４の帯電を防止するためだけに用い
るものであり、電子ビーム１４の帯電の心配のない場合
、つまり基板１１あるいはレジスト１２が導電性のある
場合には必要がないし、またＡＩ等の他の金属薄膜でも
よい。
して悪影響を及ぼす近接効果がなくなり、また、レジス
トの感度特性の補正もほとんど必要がなくなり、容易に
理想的な断面形状をもつ光学特性のよい微小光学素子を
製造することができる実施例 以下本発明の一実施例を図面にもとづいて説明する。第
１図は本発明の一実施例のグレーティングの製造工程図
である。第１図において、１１は基板、１２はポジ形電
子ビームレジスト、１３は帯電防止膜である。本実施例
では、基板１１としてガラス、ポジ形電子ビームレジス
ト１２としてＰＭＭＡ１帯電防止膜１３としてへ〇膜を
用いた。基板１１としてはグレーティングの使用波長に
おいて透過率の優れているものなら何でもよい。またＡ
ｕ膜は電子ビーム１４の帯電を防止するためだけに用い
るものであり、電子ビーム１４の帯電の心配のない場合
、つまり基板１１あるいはレジスト１２が導電性のある
場合には必要がないし、またＡＩ等の他の金属薄膜でも
よい。
次に、製造工程について説明する。まず、基板１１の上
にポジ形電子ビームレジスト１２を例えば１．３μｌ’
ｄｌ布し、その上に帯電防止膜１３を例えば１００人真
空蒸着した（第１図（ａ））。次に製造ザるグレーティ
ング１２′の形状に対応するように低加速電圧範囲で電
子ビーム１４の加Ｍ電圧を変化させて、ポジ形電子ビー
ムレジスト１２に直接描画した（第１図（ｂ））。本発
明者らは、低加速電圧範囲では、電子ビーム１４の電子
ビームレジスト１２層内への侵入深さは加速電圧に依存
して小さく聴り、多少露光量がオーバーしても、現像後
の膜厚はほとんど一定であることを見出した。例えば、
加速電圧の大きさが１０ＫＶ、、５ＫＶ、２ＫＶ、Ｉ
ＫＶで適正露光以上のとき、現像により剥離したｒｔＡ
厚は１．２μｍ 、 ０．４５ μｔｇ 、 ０．２２
μｒｇ 、 ０．１１ μ■でほとんど一定であった
。また、電子ビーム１４は基板１１側には透過しないの
で、レジスト１２の感度がよくなり、描画時間も短くな
った。
にポジ形電子ビームレジスト１２を例えば１．３μｌ’
ｄｌ布し、その上に帯電防止膜１３を例えば１００人真
空蒸着した（第１図（ａ））。次に製造ザるグレーティ
ング１２′の形状に対応するように低加速電圧範囲で電
子ビーム１４の加Ｍ電圧を変化させて、ポジ形電子ビー
ムレジスト１２に直接描画した（第１図（ｂ））。本発
明者らは、低加速電圧範囲では、電子ビーム１４の電子
ビームレジスト１２層内への侵入深さは加速電圧に依存
して小さく聴り、多少露光量がオーバーしても、現像後
の膜厚はほとんど一定であることを見出した。例えば、
加速電圧の大きさが１０ＫＶ、、５ＫＶ、２ＫＶ、Ｉ
ＫＶで適正露光以上のとき、現像により剥離したｒｔＡ
厚は１．２μｍ 、 ０．４５ μｔｇ 、 ０．２２
μｒｇ 、 ０．１１ μ■でほとんど一定であった
。また、電子ビーム１４は基板１１側には透過しないの
で、レジスト１２の感度がよくなり、描画時間も短くな
った。
本実施例では、電子ビーム１４の加速電圧を１０に■か
ら０．１ＫＶまでなめらかに変化させた。最後に、帯電
防止膜１３をエツチングして除去し、現像処理をしてレ
ジスト１２の膜厚を変化させて、グレーティング１２′
を得た（第１図（Ｃ））。グレーティング１２′ は、
電子ビーム１４の基板１１からの散乱の影響を受ける、
いわゆる近接効果の影響もなく、設計通りの良好な断面
形状が実現できた。さらに、電子ビームの浸透深さは低
加Ｊｉｌｉ電圧範囲では露光量によらず加速電圧で決ま
るので、従来例のようにレジスト１２の感度特性を正確
に補正して露光量を調整する必要もなくなり、再現性よ
く良好な断面形状が容易に実現することができた。結果
として、光学特性のよいグレーティング１２′が得られ
た。
ら０．１ＫＶまでなめらかに変化させた。最後に、帯電
防止膜１３をエツチングして除去し、現像処理をしてレ
ジスト１２の膜厚を変化させて、グレーティング１２′
を得た（第１図（Ｃ））。グレーティング１２′ は、
電子ビーム１４の基板１１からの散乱の影響を受ける、
いわゆる近接効果の影響もなく、設計通りの良好な断面
形状が実現できた。さらに、電子ビームの浸透深さは低
加Ｊｉｌｉ電圧範囲では露光量によらず加速電圧で決ま
るので、従来例のようにレジスト１２の感度特性を正確
に補正して露光量を調整する必要もなくなり、再現性よ
く良好な断面形状が容易に実現することができた。結果
として、光学特性のよいグレーティング１２′が得られ
た。
レジスト１２の膜厚は本実施例ではｄ＝１．３μｌとし
たが、これは、グレーティング１２′の使用波長をＨｅ
−Ｎｏレーザのλ＝ ０．６３２８ μｒｇとし、レジ
スト１２のＰＭＭＡの屈折率がｎ＝１．５であるため、
１次回折効率はｄ−λ／ （ｎ−１） ＝ １．３μｔ
のとき最大となるためである。ポジ形電子ビームレジス
ト１２の屈折率は１．５〜１．７程度であるため、高効
率を得ようとした場合、レジスト１２の膜厚はｄ＝２λ
以下でよいことがわかった。
たが、これは、グレーティング１２′の使用波長をＨｅ
−Ｎｏレーザのλ＝ ０．６３２８ μｒｇとし、レジ
スト１２のＰＭＭＡの屈折率がｎ＝１．５であるため、
１次回折効率はｄ−λ／ （ｎ−１） ＝ １．３μｔ
のとき最大となるためである。ポジ形電子ビームレジス
ト１２の屈折率は１．５〜１．７程度であるため、高効
率を得ようとした場合、レジスト１２の膜厚はｄ＝２λ
以下でよいことがわかった。
以上、本実施例では断面形状が鋸歯状のグレーティング
について説明を行ってきたが、種々の断面形状をもつグ
レーティングやフレネルレンズ等の他の薄膜微小光学素
子の製造方法についても同様の効果が得られるのは言う
までもない。
について説明を行ってきたが、種々の断面形状をもつグ
レーティングやフレネルレンズ等の他の薄膜微小光学素
子の製造方法についても同様の効果が得られるのは言う
までもない。
ブて明の効果
以上本発明によれば、電子ビームの近接効果を減少させ
、またレジストの感度特性の補正もほとんど不必要とな
り、良好な断面形状実現ができて、光学特性のよい薄膜
微小光学素子が青られるという効果を有する。
、またレジストの感度特性の補正もほとんど不必要とな
り、良好な断面形状実現ができて、光学特性のよい薄膜
微小光学素子が青られるという効果を有する。
第１図は本発明の一実施例のグレーティングの製造工程
図、第２図は従来例のグレーティングの製造工程図であ
る。 １１・・・基板、１２・・・ポジ形電子ビームレジスト
、１２′・・・グレーティング、１４・・・電子ビーム
代理人 森 本 義 弘 棺１図 第２図
図、第２図は従来例のグレーティングの製造工程図であ
る。 １１・・・基板、１２・・・ポジ形電子ビームレジスト
、１２′・・・グレーティング、１４・・・電子ビーム
代理人 森 本 義 弘 棺１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上にポジ形電子ビームレジストを塗布し、電子
ビームの加速電圧を上記微小光学素子の形状に対応する
ように低加速電圧範囲で変化させて、上記ポジ形電子ビ
ームレジストに直接描画、現像処理を行い、上記電子ビ
ームレジストの膜厚を変化させることを特徴とする微小
光学素子の製造方法。 ２、電子ビームの加速電圧は１０ｋｖ以下であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の微小光学素子の
製造方法。 ３、微小光学素子はフレネルレンズであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の微小光学素子の製造方
法。 ４、微小光学索子はグレーティングであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の微小光学素子の製造方
法。 ５、ポジ形電子ビームレジストの膜厚を微小光学素子の
使用波長の２倍以下にしたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の微小光学素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60249302A JPH0740111B2 (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | 微小光学素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60249302A JPH0740111B2 (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | 微小光学素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62109049A true JPS62109049A (ja) | 1987-05-20 |
| JPH0740111B2 JPH0740111B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=17190956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60249302A Expired - Fee Related JPH0740111B2 (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | 微小光学素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0740111B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01261601A (ja) * | 1988-04-13 | 1989-10-18 | Omron Tateisi Electron Co | マイクロ非球面レンズおよびその作製方法，ならびにマイクロ非球面レンズを利用した光ファイバ結合装置，集光光学系，光学素子，半導体レーザ光源およびイメージ・ディバイス |
| JPH03204604A (ja) * | 1990-01-05 | 1991-09-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 分光器および光分波器 |
| JPH0713337A (ja) * | 1993-06-21 | 1995-01-17 | Nec Corp | 厚膜配線パターンの露光装置 |
| JP2003077803A (ja) * | 2001-09-03 | 2003-03-14 | Konica Corp | 電子ビーム描画方法及びその方法にて描画された基材並びに電子ビーム描画装置 |
| WO2004027843A1 (en) * | 2002-09-18 | 2004-04-01 | Tokyo University Of Science | Surface processing method |
| WO2006088209A1 (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-24 | Tokyo University Of Science Educational Foundation Administrative Organization | ３次元モールドの製造方法、微細加工物の製造方法、微細パターン成形品の製造方法、３次元モールド、微細加工物、微細パターン成形品及び光学部品 |
| WO2007029810A1 (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-15 | Tokyo University Of Science Educational Foundation Administrative Organization | ３次元モールドの製造方法、微細加工物の製造方法、微細パターン成形品の製造方法、３次元モールド、微細加工物、微細パターン成形品及び光学素子 |
| JP2007102156A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-04-19 | Tokyo Univ Of Science | ３次元構造物の製造方法、３次元構造物、光学素子及びステンシルマスク。 |
| JP2007156384A (ja) * | 2005-02-21 | 2007-06-21 | Tokyo Univ Of Science | ３次元モールドの製造方法、微細加工物の製造方法、微細パターン成形品の製造方法、３次元モールド、微細加工物、微細パターン成形品及び光学部品。 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024248637A1 (en) * | 2023-05-27 | 2024-12-05 | Sport Vision Technology Spolka Z Ograniczona Odpowiedzialnoscia Spolka Komandytowa | Method of increasing depth of field of imaging setup and diffractive-optical lens attachment to implementation of the method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS608844A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-17 | Pioneer Electronic Corp | 電子ビームによるレジスト加工方法 |
| JPS60103310A (ja) * | 1983-11-11 | 1985-06-07 | Pioneer Electronic Corp | マイクロフレネルレンズの製造方法 |
-
1985
- 1985-11-07 JP JP60249302A patent/JPH0740111B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS608844A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-17 | Pioneer Electronic Corp | 電子ビームによるレジスト加工方法 |
| JPS60103310A (ja) * | 1983-11-11 | 1985-06-07 | Pioneer Electronic Corp | マイクロフレネルレンズの製造方法 |
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| JPH01261601A (ja) * | 1988-04-13 | 1989-10-18 | Omron Tateisi Electron Co | マイクロ非球面レンズおよびその作製方法，ならびにマイクロ非球面レンズを利用した光ファイバ結合装置，集光光学系，光学素子，半導体レーザ光源およびイメージ・ディバイス |
| JPH03204604A (ja) * | 1990-01-05 | 1991-09-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 分光器および光分波器 |
| JPH0713337A (ja) * | 1993-06-21 | 1995-01-17 | Nec Corp | 厚膜配線パターンの露光装置 |
| JP2003077803A (ja) * | 2001-09-03 | 2003-03-14 | Konica Corp | 電子ビーム描画方法及びその方法にて描画された基材並びに電子ビーム描画装置 |
| WO2004027843A1 (en) * | 2002-09-18 | 2004-04-01 | Tokyo University Of Science | Surface processing method |
| JP2005539393A (ja) * | 2002-09-18 | 2005-12-22 | 学校法人東京理科大学 | 表面加工方法 |
| WO2006088209A1 (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-24 | Tokyo University Of Science Educational Foundation Administrative Organization | ３次元モールドの製造方法、微細加工物の製造方法、微細パターン成形品の製造方法、３次元モールド、微細加工物、微細パターン成形品及び光学部品 |
| JP2007156384A (ja) * | 2005-02-21 | 2007-06-21 | Tokyo Univ Of Science | ３次元モールドの製造方法、微細加工物の製造方法、微細パターン成形品の製造方法、３次元モールド、微細加工物、微細パターン成形品及び光学部品。 |
| US7629596B2 (en) | 2005-02-21 | 2009-12-08 | Tokyo University Of Science Educational Foundation Administrative Organization | Method of producing 3-D mold, method of producing finely processed product, method of producing fine-pattern molded product, 3-D mold, finely processed product, fine-pattern molded product and optical component |
| WO2007029810A1 (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-15 | Tokyo University Of Science Educational Foundation Administrative Organization | ３次元モールドの製造方法、微細加工物の製造方法、微細パターン成形品の製造方法、３次元モールド、微細加工物、微細パターン成形品及び光学素子 |
| JP2007102156A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-04-19 | Tokyo Univ Of Science | ３次元構造物の製造方法、３次元構造物、光学素子及びステンシルマスク。 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0740111B2 (ja) | 1995-05-01 |
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