JPS62111426A - フオトレジストの処理方法 - Google Patents
フオトレジストの処理方法Info
- Publication number
- JPS62111426A JPS62111426A JP60239456A JP23945685A JPS62111426A JP S62111426 A JPS62111426 A JP S62111426A JP 60239456 A JP60239456 A JP 60239456A JP 23945685 A JP23945685 A JP 23945685A JP S62111426 A JPS62111426 A JP S62111426A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- ultraviolet rays
- wavelength
- lamp
- mercury lamp
- Prior art date
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- Granted
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体ウェハに塗布されたフォトレジスト
の処理方法に係り、特に紫外線照射：・てよるフォトレ
ジストの処理方法に関するものであるっ〔従来の技術〕 従来の紫外線照射によるフォトレジストの処理について
は、半導体ウェハに塗布されたフォトレジストにマスク
ｉＥターンを露光する処理、フォトレジスト表面に付着
した有機汚染物を分解洗浄する予備洗浄処理等において
、紫外線照射が利用されているが、最近レノスト処理工
程のひとつであるベーキング工程への適用が注目されて
いる。
の処理方法に係り、特に紫外線照射：・てよるフォトレ
ジストの処理方法に関するものであるっ〔従来の技術〕 従来の紫外線照射によるフォトレジストの処理について
は、半導体ウェハに塗布されたフォトレジストにマスク
ｉＥターンを露光する処理、フォトレジスト表面に付着
した有機汚染物を分解洗浄する予備洗浄処理等において
、紫外線照射が利用されているが、最近レノスト処理工
程のひとつであるベーキング工程への適用が注目されて
いる。
ベーキング工程とは、フォトレジスト塗布、露光、現像
によるレノストックターンを形成する工程とこのレノス
トパターンを用いてイオン注入やデラズマエソチングな
ど行う工程との中間の工程で、フォトレジストの半導体
基板への接着性向上、耐熱性の向上することなどを目的
とした工程である。
によるレノストックターンを形成する工程とこのレノス
トパターンを用いてイオン注入やデラズマエソチングな
ど行う工程との中間の工程で、フォトレジストの半導体
基板への接着性向上、耐熱性の向上することなどを目的
とした工程である。
最近現像後のベーキング工程の前、あるいはベーキング
時に紫外線をあてて、より短時間に耐熱性。
時に紫外線をあてて、より短時間に耐熱性。
耐プラズマ二ノチング性を高める方法が検討されている
。
。
このように最近、フォトレジストベーキング工程におい
ては、紫外線を照射することが検討されている。
ては、紫外線を照射することが検討されている。
ところが、例えば第３図に示されるようなＳ ｉ Ｏ２
層と８４層とからなる半導体ウェハに塗布されたフォト
レジストに短波長の紫外線を照射すると、フォトン・シ
ストが膜ベシしたシ、膜の形状が変化したりすることが
起こる。
層と８４層とからなる半導体ウェハに塗布されたフォト
レジストに短波長の紫外線を照射すると、フォトン・シ
ストが膜ベシしたシ、膜の形状が変化したりすることが
起こる。
フォトレジストの膜べりや膜の形状の変化の原図として
は、短波長の紫外線を照射した場合には、オゾン０３が
発生し、酸化作用が大きくなること、あるいはフォトレ
ジストを構成する高分子化合物の結合が切断されて、低
分子化合物化し、蒸発すること等が考えられる。
は、短波長の紫外線を照射した場合には、オゾン０３が
発生し、酸化作用が大きくなること、あるいはフォトレ
ジストを構成する高分子化合物の結合が切断されて、低
分子化合物化し、蒸発すること等が考えられる。
また、短波長の紫外線を照射すると、例えばＳ ｒ ０
２膜のような絶縁膜の性質が変化することもある。
２膜のような絶縁膜の性質が変化することもある。
このように、短波長の紫外線を照射した場合には、フォ
トレジストの破壊される危険性があること、また短波長
の紫外線により発生するオゾンを処理するには複雑な装
置が必要となる等の問題点があった。
トレジストの破壊される危険性があること、また短波長
の紫外線により発生するオゾンを処理するには複雑な装
置が必要となる等の問題点があった。
この発明は、こうした問題点に鑑みて、紫外線の照射に
よるフォトレジストの破壊を防止し、（シンの発生を防
止すること等により、紫外線照射によるフォトレジスト
処理を効果的に行うことを目的とするものである。
よるフォトレジストの破壊を防止し、（シンの発生を防
止すること等により、紫外線照射によるフォトレジスト
処理を効果的に行うことを目的とするものである。
この目的を達成するために、この発明では、波長２２０
ｎｍ以下の紫外線の放射光を遮断するガラスを、紫外
線を放射するランプの発光管に使用する。
ｎｍ以下の紫外線の放射光を遮断するガラスを、紫外
線を放射するランプの発光管に使用する。
この発明においては、２２０ ｎｍ以下の紫外線の放射
が効果的にカットされることにより、オゾンの発生が防
止され、フォトレジストに対する破壊作用をもたらす紫
外線が２オドレジストに照射されない。しかも、フォト
レジストの耐熱性、耐プラズマエツチング性の向上に有
効な紫外線成分は依然として含まれているので、効果的
なフオトレ・シスト処理が可能となる。
が効果的にカットされることにより、オゾンの発生が防
止され、フォトレジストに対する破壊作用をもたらす紫
外線が２オドレジストに照射されない。しかも、フォト
レジストの耐熱性、耐プラズマエツチング性の向上に有
効な紫外線成分は依然として含まれているので、効果的
なフオトレ・シスト処理が可能となる。
第１図は、この発明によるフォトレジスト処理方法の一
実施例を説明するだめのフォトレジスト処理装置である
。パターン化されたフォトレジスト４が半導体ウニ・・
５の上に形成されており半導体ウェハ５は、ウェハ処理
台６に載置される。ウェハ処理台６は、ヒータ１０で加
熱あるいは冷却水孔１１に冷却水を流がすことによって
冷却される。この加熱と冷却機構により温度制御を行う
機能を有する。また、ウェノ・処理台６には、真空吸着
孔７が付加されており、真空ポンプによって連通孔８を
通して真空引きすることにより、半導体ウェハ５をウェ
ハ処理台６上に密着かつ固定する機能をも有する。
実施例を説明するだめのフォトレジスト処理装置である
。パターン化されたフォトレジスト４が半導体ウニ・・
５の上に形成されており半導体ウェハ５は、ウェハ処理
台６に載置される。ウェハ処理台６は、ヒータ１０で加
熱あるいは冷却水孔１１に冷却水を流がすことによって
冷却される。この加熱と冷却機構により温度制御を行う
機能を有する。また、ウェノ・処理台６には、真空吸着
孔７が付加されており、真空ポンプによって連通孔８を
通して真空引きすることにより、半導体ウェハ５をウェ
ハ処理台６上に密着かつ固定する機能をも有する。
照射部は、高圧水銀灯１、凹面ミラー２、フィルタ３な
どから構成されており、高圧水銀灯１から放射された放
射光は、フィルタ３等によシ、適当な波長の紫外線を含
む放射光として、フォトレジスト４上に照射される。
どから構成されており、高圧水銀灯１から放射された放
射光は、フィルタ３等によシ、適当な波長の紫外線を含
む放射光として、フォトレジスト４上に照射される。
紫外線の波長としては、既に述べたように、波長２２０
ｎｍ以下の短波長の放射光を遮断することにより、紫
外線照射によるフォトレジスト処理を効果的に行うこと
ができる。波長２２０ ｎｍ以下の短波長の放射光を遮
断する手段としては、種々検討した結果、高圧水銀灯１
の発光管を、波長が２２０ ｎｍ以下の紫外線を遮断す
るガラスで構成することが適当である。
ｎｍ以下の短波長の放射光を遮断することにより、紫
外線照射によるフォトレジスト処理を効果的に行うこと
ができる。波長２２０ ｎｍ以下の短波長の放射光を遮
断する手段としては、種々検討した結果、高圧水銀灯１
の発光管を、波長が２２０ ｎｍ以下の紫外線を遮断す
るガラスで構成することが適当である。
このガラスの材料としては、耐熱性の点から石英製ガラ
スが好適であるが、溶融石英と合成石英は、２２０ ｎ
ｍ以下の波長の紫外線の透過率が高いので、オゾンレス
石英が、波長が２２０ ｎｍ以下の紫外線をほとんど透
過せず、かつレジスト処理に効果的な３５０ ｎｍより
短波長の紫外線をよく透過するので、ここではオゾンレ
ス石英製ガラスを用いた。
スが好適であるが、溶融石英と合成石英は、２２０ ｎ
ｍ以下の波長の紫外線の透過率が高いので、オゾンレス
石英が、波長が２２０ ｎｍ以下の紫外線をほとんど透
過せず、かつレジスト処理に効果的な３５０ ｎｍより
短波長の紫外線をよく透過するので、ここではオゾンレ
ス石英製ガラスを用いた。
なお、以上の実施例では、水銀灯の発光管に石英製ガラ
スを用いたが、これに限定されるものでばなく、水銀灯
と照射処理すべきフォトレジストとの間の光通路の間に
、波長２２０ ｎｍ以下の紫外線を遮断する力゛ラスを
設けても可能であることは言うまでもない。
スを用いたが、これに限定されるものでばなく、水銀灯
と照射処理すべきフォトレジストとの間の光通路の間に
、波長２２０ ｎｍ以下の紫外線を遮断する力゛ラスを
設けても可能であることは言うまでもない。
また、高圧水銀灯については、適当な波長の紫外線を放
射するものであればよく、他の金属を例えばハライドの
形で微量添加したものでも良く、さらには稀ガス放電灯
を用いることも可能である。
射するものであればよく、他の金属を例えばハライドの
形で微量添加したものでも良く、さらには稀ガス放電灯
を用いることも可能である。
以上の説明から明らかなように、この発明によれば、波
長２２０ ｎｍ以下の短波長放射光がカントされること
により、フォトレジストに対する破壊作用をもたらす短
波長放射光がフォトレジストに照射されず、しかも簡単
な構成でフォトレジストに有害な作用を及はすオゾンの
発生も防止される。
長２２０ ｎｍ以下の短波長放射光がカントされること
により、フォトレジストに対する破壊作用をもたらす短
波長放射光がフォトレジストに照射されず、しかも簡単
な構成でフォトレジストに有害な作用を及はすオゾンの
発生も防止される。
しかも、フォトレジストの耐熱性、耐プラズマ性の向上
に有効な紫外線成分は依然として含まれているので、効
果的なフォトレジスト処理が可能となる。
に有効な紫外線成分は依然として含まれているので、効
果的なフォトレジスト処理が可能となる。
第１図は、この発明によるレジスト処理方法の一実施例
を説明するためのレジスト処理装置、第２図は、この発
明によるレジスト処理方法に使用する水銀灯の放射線ス
被りトルを示す図、第３図は、フォトレジストが塗布さ
れた半導体ウェハの断面図である。 図中、１：高圧水銀灯 ３：フィルタ４：フォトレ
ジスト ５：半導体ウェハ６：ウェハ処理台 代理人 弁理士 １）北 嵩 晴 フォトレジ”スト別蛎量 第１図 ２豪０ｊ皮長（・−） 水銀末子の枚１４を良ス〃クトｌし 第２図 千Δμ木ウェハ 第３図 手続補正書（ｅ骨２１ 昭和 ６１年 １ 月１３ 日 。
を説明するためのレジスト処理装置、第２図は、この発
明によるレジスト処理方法に使用する水銀灯の放射線ス
被りトルを示す図、第３図は、フォトレジストが塗布さ
れた半導体ウェハの断面図である。 図中、１：高圧水銀灯 ３：フィルタ４：フォトレ
ジスト ５：半導体ウェハ６：ウェハ処理台 代理人 弁理士 １）北 嵩 晴 フォトレジ”スト別蛎量 第１図 ２豪０ｊ皮長（・−） 水銀末子の枚１４を良ス〃クトｌし 第２図 千Δμ木ウェハ 第３図 手続補正書（ｅ骨２１ 昭和 ６１年 １ 月１３ 日 。
Claims (3)
- （１）半導体ウェハに塗布されたフォトレジストを処理
する方法において、波長２２０ｎｍ以下の短波長の放射
光を遮断するガラスを、紫外線を放射するランプの発光
管もしくはランプと被処理物間にフィルタとして使用す
ることを特徴とするフォトレジストの処理方法。 - （２）紫外線を放射するランプとして水銀灯もしくは稀
ガス放電灯を用いることを特徴とする特許請求の範囲第
（１）項記載のフォトレジストの処理方法。 - （３）オゾンレス石英製ガラスをランプの発光管もしく
はフィルタに使用することを特徴とする特許請求の範囲
第（１）項もしくは第（２）項記載のフォトレジストの
処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60239456A JPS62111426A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | フオトレジストの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60239456A JPS62111426A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | フオトレジストの処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62111426A true JPS62111426A (ja) | 1987-05-22 |
| JPH0410733B2 JPH0410733B2 (ja) | 1992-02-26 |
Family
ID=17045032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60239456A Granted JPS62111426A (ja) | 1985-10-28 | 1985-10-28 | フオトレジストの処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62111426A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4897287A (en) * | 1988-10-06 | 1990-01-30 | The Boc Group, Inc. | Metallization process for an integrated circuit |
| JP2019199392A (ja) * | 2018-05-18 | 2019-11-21 | 日本電気硝子株式会社 | 膜付きガラス板及びパッケージ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51111072A (en) * | 1975-03-26 | 1976-10-01 | Hitachi Ltd | Photo etching method |
-
1985
- 1985-10-28 JP JP60239456A patent/JPS62111426A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51111072A (en) * | 1975-03-26 | 1976-10-01 | Hitachi Ltd | Photo etching method |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4897287A (en) * | 1988-10-06 | 1990-01-30 | The Boc Group, Inc. | Metallization process for an integrated circuit |
| JP2019199392A (ja) * | 2018-05-18 | 2019-11-21 | 日本電気硝子株式会社 | 膜付きガラス板及びパッケージ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0410733B2 (ja) | 1992-02-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |