JPS6211268A - 画像読取装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、ファクシミリや文字・画像の読取り入力装置
に用いて好適な画像読取装置に関するものであシ、特に
長期間の使用に際しても信頼性の高い安定した画像の読
取シを行なうことのできる画像読取装置に関するもので
ある。

〈従来の技術〉 近年、ファクシミリ等の小型化・低価格化を目的として
密着型イメージセンサの開発が進んでいる。このような
密着型イメージセンサは長尺のラインセンサの光導電層
を備えることになり、この光導電層は大面積となり、そ
れだけ周辺環境の影響を受けやすくなる。従って長期間
にわたってイメージセンサを使用すると、光導電層の導
電率が次第に悪化し、出力信号の値が変化してしまい。

長期間の安定な画像の読取りを行なうことが困難である
という問題があった。

従来、上記のような経時変化に対応する解消手段として
、２値化出力の場合そのしきい値を手動または自動的に
変化させる方法及び、照射光源の光量を手動または自動
的に変化させる方法等が用いられている。

〈発明が解決しようとする問題点〉 しかしながら、上記のような方法によれば、その構成及
び制御が複雑となると共に、力１なりの長期間にわたっ
てイメージセンサを使用する場合、おのずと限界があり
、信頼性に欠けるものであった。

本発明は、このような点にかんがみて創案されたもので
あり、装置の長期間の使用に際しても信頼性の高い安定
した画像の読取りを行なうことができる画像読取装置を
提供することを目的としている。

く問題点を解決するための手段〉 本発明の画像読取装置は、上記目的を達成するため、光
導電材料によって受光部を形成した光センサを備えた画
像読取装置において、上記の光センサの光導電層を加熱
する加熱手段を備えるように構成している。

く作　用〉 上記のような構成によシ１本発明の画像読取装置は、長
期間の使用で劣化した光センサの光導電層を、加熱手段
によって適当な時期に適当な温度で適当な時間熱処理す
ることにより、初期状態の特性にまで回復させることが
出来、信頼性の高い安定した画像の読取りが行なえる。

〈実施例〉 以下１本発明を実施例を挙げて詳細に説明する。

第１図は本発明の画像読取装置受光部の一実施例の砥略
構成の断面を示す図、第２図は同装置の平面図である。

第１図及び第２図において、ｌは光導電層３を加熱する
加熱部、２は基板、３は光導電層％４は電極、５は光入
射を示す矢印である。

受光部として用いられる例えば＋１−１’ｌ族化合物半
導体であるＣｄ５１１ＣｄＳｅ系光導電材料の出発物質
は公知の化学析出法によシ得られるものであって、Ｃｄ
Ｓ系化合物粒子とＣｄＳｅ系化合物粒子を共沈させた混
合物とする。ＣｄＳ系化合物とＣｄＳｅ系化合物の混合
比は、ＣｄＳｅ　１に対してＣｄＳが０〜０．８の比と
した。この混合物の粒径２μ−以下の乾燥粉体をベース
に、融剤としてＣｄのハロゲン化物（例えばＣｄＣ）２
）を１５重量％、ガラス転移温度が４００℃の低融点ガ
ラスフリットをｌＯ重景係添加し、不純物としてＣｕＣ
ノ２を０．５重量％加え、少量のエチルセルロースを含
んだα−テレピネオールを適量加えてボールミル中で混
合し塗膜用ペーストとした後、基板２（第１図参照）上
にスクリーン印刷法にて所定の位置に上記の塗膜用ペー
ストを塗膜し、Ｎ２ガス雰囲気中で１５０℃で３０分、
３００℃で３０分。

５００℃で１時間熱処理して％　１５μ馬の膜厚から成
る光導電層３を作製し、こ−の光導電層３に電極４を形
成した。

上記のようにして形成した光センサを温度・湿度サイク
ル条件及びパルス光連続照射条件下で非常に長期間使用
すると、その出力信号値は光導電層８の材料超酸によっ
て異なるが、一般には初期値の約４０１程度にまで経時
変化してしまう°。

このように劣化した光センサを９０℃〜１２０℃程度の
温度で１時間程度熱処理することにより。

劣化した出力信号値は初期値にまで回復した。熱処理温
度は材料め組成ずれ等、素子周辺に問題を起こさない範
囲内であれば高くてもよいが、実際的には、１００℃前
後の値で十分である。

上記の実験事実に基づき本発明においては、第１図及び
第２図に示すように光導電層３を加熱する加熱手段ｌを
備えている。加熱手段１としては面ヒータ−、ニクロム
線等、光導電層３を実質的に加熱できるものであれば何
でもよく、ここでは特に限定しない。

第３図は上記加熱手段１０制御部を示すブロック図であ
り、同図において１皿は第１図及び第２図に示した画像
読取装置の光センサ部であり。

この先センサ部には電源Ｅが接続され、光りの入射に応
答して負荷抵抗ＲＬを介して端子８０より出力信号が導
出される。またｌは加熱手段でありこの加熱手段ｌには
制御部２０を介して電源ＥＣの電力が供給されるように
構成されている。

上記制御部２０は単なるスイッチ手段で構成して手動で
所望の時期に加熱手段■に電源Ｅｃを供給して駆動する
ようにしてもよい。

また制御部２０をタイマ手段で構成して予め期間を設定
しておいて、所定期間の経過に応答して自動的に加熱手
段ｌに電源ＥＣを供給して所定の時間駆動するようにし
てもよい。

更に制御部２０を端子３０から出力される出力信号値を
検知する検知手段で構成して、光センサの出力信号値が
予め設定した値にまで劣化したことを検知して自動的５
こ加熱手段１こ電源ＥＣを供給して所定の時間駆動する
ようにしてもよい。

以上のような構成により、長期間の使用で劣化した光セ
ンサの光導電層が加熱手段によらて、適当な時期に適当
な温度で適当な時間適宜熱処理されることになり、この
結果光導電層の特性が初期状態にまで回復することにな
る。

゛足発明の効果〉 以上のように本発明によれば、長期間の使用に際しても
、光センサの劣化を手動または自動的に回復させること
が出来、保守不用の信頼性の高い安定した画像の読取シ
を行なうことのできる画像読取装置を得ることができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の画像読取装置受光部の一実施例の概略
構成を示す断面図、第２図は同装置の平面図、第８図は
加熱手段の制御部の構成例を示すブロック図である。 ｌ・・・加熱部、　２・・・基部、　３・・・光導電層
。 ４・・・電極、　　　１０・・・光センサ部。 ２０・・・加熱手段１０制御部。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、光導電材料によって受光部を形成した光センサを備
   えた画像読取装置において、上記光センサの光導電層を
   加熱する加熱手段を備えたことを特徴とする画像読取装
   置。 ２、前記光センサはII−VI族化合物半導体単体もしくは
   これらのうち二種以上の化合物半導体で形成される光導
   電層を備えてなることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の画像読取装置。 ３、前記加熱手段は選択的に駆動されるように構成され
   てなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の画
   像読取装置。 ４、前記加熱手段は所定期間の経過に応答して駆動され
   るように構成されてなることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載の画像読取装置。 ５、前記加熱手段は画像読取装置の出力の経年変化によ
   る低下に応答して駆動されるように構成されてなること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の画像読取装置
   。