JPS6065723A - 硫化カドミウム焼結膜の熱処理方法 - Google Patents
硫化カドミウム焼結膜の熱処理方法Info
- Publication number
- JPS6065723A JPS6065723A JP17431483A JP17431483A JPS6065723A JP S6065723 A JPS6065723 A JP S6065723A JP 17431483 A JP17431483 A JP 17431483A JP 17431483 A JP17431483 A JP 17431483A JP S6065723 A JPS6065723 A JP S6065723A
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- Japan
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- cadmium sulfide
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- glass substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ソーダガラス基板と硫化カドミウム焼結膜（
以下ＣｄＳ焼結膜と称す。）の密着性を向上させるＣｄ
Ｓ焼結膜の熱処理方法に関する。
以下ＣｄＳ焼結膜と称す。）の密着性を向上させるＣｄ
Ｓ焼結膜の熱処理方法に関する。
従来、ＣｄＳの基板材料は、耐熱温度の高い高価なホウ
ケイ酸ガラス（パイレックス等）を用いていた。これは
ＣｄＳの焼結温度が６５０°Ｃ〜７００°Ｃの的低い安
価なり−ダガラス基板を使用できなかった為である。
ケイ酸ガラス（パイレックス等）を用いていた。これは
ＣｄＳの焼結温度が６５０°Ｃ〜７００°Ｃの的低い安
価なり−ダガラス基板を使用できなかった為である。
従って、このような材料を使用して形成されたいわゆる
光導電体素子（受光素子）は、コストの高りものとなっ
ていた。
光導電体素子（受光素子）は、コストの高りものとなっ
ていた。
その後、ＣｄＳの焼結方法の研究の結果、融剤として塩
化カドミウム（以下ＣｄＣｊ２ と称す。）を用いるこ
とにより、融剤ＣｄＣｌ２の融点直下の５４０’Ｃ〜５
６５°Ｃの温度範囲で良質のＣｄＳ焼結膜が形成できる
ことが判り、ソーダガラス基板の使用が可能となり、素
子のコス■・が著しく安価なものとなった。
化カドミウム（以下ＣｄＣｊ２ と称す。）を用いるこ
とにより、融剤ＣｄＣｌ２の融点直下の５４０’Ｃ〜５
６５°Ｃの温度範囲で良質のＣｄＳ焼結膜が形成できる
ことが判り、ソーダガラス基板の使用が可能となり、素
子のコス■・が著しく安価なものとなった。
しかしながら、ソーダガラス基板上に、このような方法
で形成されたＣｄＳ焼結膜は、内部応力が大きくて、自
然放置においても自壊することや、水洗においては簡単
にはく離することがあり実用性に問題があった。
で形成されたＣｄＳ焼結膜は、内部応力が大きくて、自
然放置においても自壊することや、水洗においては簡単
にはく離することがあり実用性に問題があった。
このことは、ソーダガラスの熱膨張係数は、９゜×１σ
７ｃｍ１０ｃであるのに対して、ホウケイ酸ガラス熱膨
張係数が、ソーダガラスは、ホウケイ酸の３倍であるこ
とが起因しているものと考えられる６さらにまた、５４
０°Ｃ〜５６５°Ｃの焼結温度範囲も一因トナッている
ことが考えラレル。
７ｃｍ１０ｃであるのに対して、ホウケイ酸ガラス熱膨
張係数が、ソーダガラスは、ホウケイ酸の３倍であるこ
とが起因しているものと考えられる６さらにまた、５４
０°Ｃ〜５６５°Ｃの焼結温度範囲も一因トナッている
ことが考えラレル。
本発明の目的は、このような従来技術の欠点を解消し、
ソーダガラス基板上に形成したＣｄＳ焼結膜に２次的に
熱処理、即ちアニール処理を施すことによって、Ｃｄ−
８焼結膜とソーダガラス基板との密着性を向上させる熱
処理方法を提供することにある。
ソーダガラス基板上に形成したＣｄＳ焼結膜に２次的に
熱処理、即ちアニール処理を施すことによって、Ｃｄ−
８焼結膜とソーダガラス基板との密着性を向上させる熱
処理方法を提供することにある。
この目的を達成するために、本発明は、ＣｄＳ粉末に、
ＣａＣｌ２及び有機バインダーを加えてＣｄＳペースト
ヲ作り、該ペーストをソーダガラス基板上に印刷し、こ
れを予備乾燥した後、窒素ガス（Ｎ２）雰囲気中で焼結
して得られるＣｄＳ膜を、空気雰囲気中に於て４６０°
Ｃ〜５００°Ｃの温度範囲で１０分間以内の熱処理を行
うこと全特徴とする。
ＣａＣｌ２及び有機バインダーを加えてＣｄＳペースト
ヲ作り、該ペーストをソーダガラス基板上に印刷し、こ
れを予備乾燥した後、窒素ガス（Ｎ２）雰囲気中で焼結
して得られるＣｄＳ膜を、空気雰囲気中に於て４６０°
Ｃ〜５００°Ｃの温度範囲で１０分間以内の熱処理を行
うこと全特徴とする。
以下、本発明を実施例を用いて説明する。
先ず、ＣｄＳ粉末に、融剤ＣｄＣｔ２及び有機ノくイン
ダーを加えてＣｄＳペーストを作り、該ペーストをソー
ダガラス基板上に印刷する。
ダーを加えてＣｄＳペーストを作り、該ペーストをソー
ダガラス基板上に印刷する。
次に、これを予備乾燥Ｉ−だ後、Ｎ、啄囲尖（中で焼結
する。
する。
このようにして得られたソーダガラス基板上のＣｄＳ膜
を素材として用いて、以下にこの素材の熱処理、即ちア
ニール処理の実験結果を説明する。
を素材として用いて、以下にこの素材の熱処理、即ちア
ニール処理の実験結果を説明する。
（１） Ｎ２ 、Ｎ２ 、ＣＯ２雰囲気中では、アニー
ル処理の効果はなかった。
ル処理の効果はなかった。
これに対して、空気雰囲気中では、アニール処理の効果
が顕著に現われた。このことによりＣｄＳ膜とソーダガ
ラス基板との密着性は、空気中σ）０２と強い相関をも
っていることが判った。
が顕著に現われた。このことによりＣｄＳ膜とソーダガ
ラス基板との密着性は、空気中σ）０２と強い相関をも
っていることが判った。
（２）アニール処理温度は、４６０°Ｃ以上を必要とす
る。
る。
４６０°Ｃ以上の空気雰囲気中にＣｄＳ膜全保全保持と
経過時間とともに、０．と反ｔ−ｒ２、し、ＣｄＳ膜の
表（■が赤味を増しながら硫酸塩及び酸化物に変化して
いき、劣化が激しく歌った。
経過時間とともに、０．と反ｔ−ｒ２、し、ＣｄＳ膜の
表（■が赤味を増しながら硫酸塩及び酸化物に変化して
いき、劣化が激しく歌った。
（３）以上のことより、空気雰囲気中σ）アニール処理
に於て、ｃｄｓｍと基板の密着性ｉｔ、鴫の作用により
向上し、ＣｄＳ膜質は、０．の作用により劣化すること
が判明した。
に於て、ｃｄｓｍと基板の密着性ｉｔ、鴫の作用により
向上し、ＣｄＳ膜質は、０．の作用により劣化すること
が判明した。
（４）次にこの相反する作用につき、アニール処理時間
に対するＣｄＳ膜の密着強度と、ＣｄＳ膜質の変化を調
べた。
に対するＣｄＳ膜の密着強度と、ＣｄＳ膜質の変化を調
べた。
第１図は、空気雰囲気炉を用いて、５００°Ｃの温度で
アニール処理を行った際の、アニール処理時間に対する
、ソーダガラス基板上のＣｄＳ膜の密着強度の状態を示
す関係図である。
アニール処理を行った際の、アニール処理時間に対する
、ソーダガラス基板上のＣｄＳ膜の密着強度の状態を示
す関係図である。
第２図は、第１図と同じ条件でアニール処理を行った際
の、アニール処理時間に対する、いわゆる受光素子とし
て形成されたＣｄＳ膜質の変化を、この受光素子の端子
の開放端電圧Ｖ。０の絶対値の低下として示す関係図で
ある。
の、アニール処理時間に対する、いわゆる受光素子とし
て形成されたＣｄＳ膜質の変化を、この受光素子の端子
の開放端電圧Ｖ。０の絶対値の低下として示す関係図で
ある。
第１図から明らかなように、ＣｄＳ膜の空気中でのアニ
ール処理の効果は、極めて短時間で発生しており、例え
ば５００°Ｃの温度で１分間保持するだけで密着強度は
１００％に達した。
ール処理の効果は、極めて短時間で発生しており、例え
ば５００°Ｃの温度で１分間保持するだけで密着強度は
１００％に達した。
さらに、１０分、２０分と保持時間を延長しても密着強
度の増減はなかった。
度の増減はなかった。
ＣｄＳ膜質の変化については・第２図から明らかなよう
に、５００°Ｃのアニール処理時間、１〜１０分間では
ＣｄＳ膜質の電気的特性の変化はみられなかったが、１
０分以上の保持時間に於ては、電気的特性、即ちＶ。０
の値に異常が発生し、ＣｄＳ膜表面に微少な異結晶の発
生が観察された。
に、５００°Ｃのアニール処理時間、１〜１０分間では
ＣｄＳ膜質の電気的特性の変化はみられなかったが、１
０分以上の保持時間に於ては、電気的特性、即ちＶ。０
の値に異常が発生し、ＣｄＳ膜表面に微少な異結晶の発
生が観察された。
従って、以上のことより、４６０°Ｃ〜５００°Ｃにて
１０分間以内の空気雰囲気中に於けるアニール処理によ
って、ＣｄＳ［質の劣化がなく、ソーダガラス基板とＣ
ｄＳ膜間の密着性の優ｉｔた、いわゆる受光素子に適し
たＣｄＳ焼結膜が得られた。
１０分間以内の空気雰囲気中に於けるアニール処理によ
って、ＣｄＳ［質の劣化がなく、ソーダガラス基板とＣ
ｄＳ膜間の密着性の優ｉｔた、いわゆる受光素子に適し
たＣｄＳ焼結膜が得られた。
以上、説明したように、本発明は、最も安価なソーダガ
ラス基板上に、光導電体素子、いわゆる受光素子に適し
ｆＩＬＣｄＳ膜をＮ、雰囲気中で焼結した後、このＣｄ
Ｓ膜を望見雰囲気中で短時間のアニール処理を行うとい
った簡単な方法にてＣｄＳ ｉとソーダガラス基板の密
着性を著しく向上させたものでありその効果は極めて大
なるものである。
ラス基板上に、光導電体素子、いわゆる受光素子に適し
ｆＩＬＣｄＳ膜をＮ、雰囲気中で焼結した後、このＣｄ
Ｓ膜を望見雰囲気中で短時間のアニール処理を行うとい
った簡単な方法にてＣｄＳ ｉとソーダガラス基板の密
着性を著しく向上させたものでありその効果は極めて大
なるものである。
第１図は、アニール処理時間に対する、ソーダガラス基
板とＣｄＳ膜の密着強度の状態を示す関係図、第２図は
、アニール処理時間に対する、ＣｄＳ膜質の変化を電気
的特性変化として示す関係図である。
板とＣｄＳ膜の密着強度の状態を示す関係図、第２図は
、アニール処理時間に対する、ＣｄＳ膜質の変化を電気
的特性変化として示す関係図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 硫化カド之つム粉末に、塩化カドミウム及び有機バイン
ダーを加えて硫化カドミウムペーストを作り、該ペース
トをソーダガラス基板上に印刷し、これを予備乾燥した
後、窒素ガス雰囲気中で焼結して得られる硫化カドミウ
ム膜を、空気雰囲気中 。 に於て４６０℃〜５００°Ｃの温度範囲で１０分間以内
の熱処理を行うことを特徴とする硫化カドミウム焼結、
膜の熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17431483A JPS6065723A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 硫化カドミウム焼結膜の熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17431483A JPS6065723A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 硫化カドミウム焼結膜の熱処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6065723A true JPS6065723A (ja) | 1985-04-15 |
Family
ID=15976483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17431483A Pending JPS6065723A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 硫化カドミウム焼結膜の熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6065723A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5299038A (en) * | 1991-01-28 | 1994-03-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LCD with heat conductor from light source to separate portion of light guide |
-
1983
- 1983-09-22 JP JP17431483A patent/JPS6065723A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5299038A (en) * | 1991-01-28 | 1994-03-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LCD with heat conductor from light source to separate portion of light guide |
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