JPS62113436A - 半導体ペレツトの外観検査方法 - Google Patents
半導体ペレツトの外観検査方法Info
- Publication number
- JPS62113436A JPS62113436A JP60252944A JP25294485A JPS62113436A JP S62113436 A JPS62113436 A JP S62113436A JP 60252944 A JP60252944 A JP 60252944A JP 25294485 A JP25294485 A JP 25294485A JP S62113436 A JPS62113436 A JP S62113436A
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- JP
- Japan
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- image
- value
- semiconductor pellet
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- Prior art date
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Image Processing (AREA)
- Image Analysis (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明は半導体ペレットの外観検査方法に関するらの
である。
である。
［発明の技術的背１］
画像処理技術や人工視覚装置の発展により、従来は人間
の視覚に全面的に依存していた検査作業等が最近では急
速に自動化されつつある。 このような自動化検査作業
に適用しうる微細パターン検査技術には種々の方式があ
り（たとえば電気学会誌、昭和５３年１１月号５７頁参
照）、これらの方式はプリント配線基板やフォトマスク
、あるいは半導体ペレット等の物品の自動検査や自動組
立てにおいて実用化されている。
の視覚に全面的に依存していた検査作業等が最近では急
速に自動化されつつある。 このような自動化検査作業
に適用しうる微細パターン検査技術には種々の方式があ
り（たとえば電気学会誌、昭和５３年１１月号５７頁参
照）、これらの方式はプリント配線基板やフォトマスク
、あるいは半導体ペレット等の物品の自動検査や自動組
立てにおいて実用化されている。
［背景技術の問題点］
前記した従来の微細パターン検査技術は二値画像による
パターン検査方法であるが、この方法には次のような問
題点があり、従って、たとえば半導体ペレット等の自動
検査には適していなかった。
パターン検査方法であるが、この方法には次のような問
題点があり、従って、たとえば半導体ペレット等の自動
検査には適していなかった。
（ｉ） 被検査物の画像を得る場合、何らかの照明装
置を用いて照明するが、照度の変動があると精度のよい
二値画像が得られない。 精度の高い二値画像を得るた
めには照度の変動に対してスレッショールドレベルを常
に最適値にするように変化させる必要があるが、これは
実際には困難である。 また、安定した二値化を行うた
めには被検査物に対して均一な照明を行うことが必要で
あるが、このような照明を行うことは不可能である。
置を用いて照明するが、照度の変動があると精度のよい
二値画像が得られない。 精度の高い二値画像を得るた
めには照度の変動に対してスレッショールドレベルを常
に最適値にするように変化させる必要があるが、これは
実際には困難である。 また、安定した二値化を行うた
めには被検査物に対して均一な照明を行うことが必要で
あるが、このような照明を行うことは不可能である。
（ｉｉ） 二値画像を用いる方法では半導体ベレット
の表面に付着している薄い汚れを検出できない。
の表面に付着している薄い汚れを検出できない。
（ｉｉｉ ） 外観検査後に欠陥の形状や位置並びに
大きさや欠陥の程度（庇の深さ、汚れ度合）等を測定す
る方法が確立されていない。
大きさや欠陥の程度（庇の深さ、汚れ度合）等を測定す
る方法が確立されていない。
（ｉｖ） 前記微細パターン検査技術を応用した二値
化パターン投影方法による外観自動検査装置も実用化さ
れているが（たとえば富士時報５２巻第８号、 １９７
９） 、この方法では複数の欠陥や複雑なパターンの外
観検査は不可能であり、複数の半導体ベレットの外観検
査を同時的に行うことはできない。
化パターン投影方法による外観自動検査装置も実用化さ
れているが（たとえば富士時報５２巻第８号、 １９７
９） 、この方法では複数の欠陥や複雑なパターンの外
観検査は不可能であり、複数の半導体ベレットの外観検
査を同時的に行うことはできない。
［発明の目的］
この発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決し、半
導体ベレットの外観を従来方法よりも高精度に、且つ実
用的に検査することのできる、半導体ベレットの外観検
査方法を提供することである。
導体ベレットの外観を従来方法よりも高精度に、且つ実
用的に検査することのできる、半導体ベレットの外観検
査方法を提供することである。
［発明の概要］
この発明による方法は被検査対象の半導体ベレットの外
観像を濃淡値として検出して画ｆ＠！Ｐを得る一方、予
め求めておいた良品の半導体ベレットの画像Ｒと前記画
像Ｐとの差の絶対値Ｉ Ｐ−Ｒ１に相当する欠陥画像Ｅ
、を作った後、この欠陥画像Ｅ、を二値画像Ｅ２に変換
し、該二値画像Ｅ２をラベリングすることにより該被検
査対象の半導体ベレットの外観不良を検出することを特
徴とするものである。
観像を濃淡値として検出して画ｆ＠！Ｐを得る一方、予
め求めておいた良品の半導体ベレットの画像Ｒと前記画
像Ｐとの差の絶対値Ｉ Ｐ−Ｒ１に相当する欠陥画像Ｅ
、を作った後、この欠陥画像Ｅ、を二値画像Ｅ２に変換
し、該二値画像Ｅ２をラベリングすることにより該被検
査対象の半導体ベレットの外観不良を検出することを特
徴とするものである。
本発明の方法においては、従来方法とは異なって濃淡画
像を用いているので二値画像を用いるよりも情報量が多
くなり、高精度の検出を行うことができる。
像を用いているので二値画像を用いるよりも情報量が多
くなり、高精度の検出を行うことができる。
なお、本発明方法の実施には本出願人が提案したパター
ン検出装置（特開昭５７−１３７９７８号公報参照）を
使用することができる。 すなわち、前記画像ＰとＲと
の位置合せを行う場合には、相関係数を用いたパターン
検出方法によって位置合せをした後、ＰとＲとの差の絶
対値に等しい欠陥の画像からラベリングを行うことによ
り半導体ベレットの外観検査を行う。
ン検出装置（特開昭５７−１３７９７８号公報参照）を
使用することができる。 すなわち、前記画像ＰとＲと
の位置合せを行う場合には、相関係数を用いたパターン
検出方法によって位置合せをした後、ＰとＲとの差の絶
対値に等しい欠陥の画像からラベリングを行うことによ
り半導体ベレットの外観検査を行う。
［発明の実施例］
以下に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
本発明の方法では、多数の半導体ベレットの外観像を光
学的に検出して光電変換するとともにそれをディジタル
信号に変換して第１図（ａ ）及び第２図の如き画像Ｓ
を得た後、この画像Ｓの中から半導体ベレット １個分
の画像Ｐを第２図に示すデータ切出し回路１によって切
り出し、これを相関係数計算回路２に入力する一方、第
１図（ｂ ）及び第２図に示すように良品の半導体ベレ
ットに関する基準画像Ｒが格納されている基準画像格納
回路３から基準画像Ｒを取り出して相関係数計算回路２
に入力させ、両者間の相関係数ｆを算出し、この相関係
数ｆを判定回路４に入れて画像Ｓ内の画像Ｐの位置を検
出する。（なお、ここまでの工程については特開昭５７
−１３７９７８号公報に開示されているパターン検出装
置によって行う。）次に、第１図（Ｃ）に示寸ように画
像Ｐと基準画像Ｒとの差の絶対値Ｉ Ｐ−Ｒｌに等しい
欠陥画像Ｅ、を作る。 この場合、欠陥画像Ｅ、の平均
値をＥ ＩＡ、最大値をＥ−（＆ｔも明るい点の値）、
最小値（最も暗い点の値）をＥｌ、１．ｎとし、スレッ
ショールドレベルＳＬを ５Ｌ＝Ｅｕ＋α（Ｅ ｎ’ｍ −Ｅ ｍｉｎ ）なる式
で計算しく但し、αは定数）だ後、この値で第１図（ｄ
）に示すように二値画像Ｅ２を作る。
学的に検出して光電変換するとともにそれをディジタル
信号に変換して第１図（ａ ）及び第２図の如き画像Ｓ
を得た後、この画像Ｓの中から半導体ベレット １個分
の画像Ｐを第２図に示すデータ切出し回路１によって切
り出し、これを相関係数計算回路２に入力する一方、第
１図（ｂ ）及び第２図に示すように良品の半導体ベレ
ットに関する基準画像Ｒが格納されている基準画像格納
回路３から基準画像Ｒを取り出して相関係数計算回路２
に入力させ、両者間の相関係数ｆを算出し、この相関係
数ｆを判定回路４に入れて画像Ｓ内の画像Ｐの位置を検
出する。（なお、ここまでの工程については特開昭５７
−１３７９７８号公報に開示されているパターン検出装
置によって行う。）次に、第１図（Ｃ）に示寸ように画
像Ｐと基準画像Ｒとの差の絶対値Ｉ Ｐ−Ｒｌに等しい
欠陥画像Ｅ、を作る。 この場合、欠陥画像Ｅ、の平均
値をＥ ＩＡ、最大値をＥ−（＆ｔも明るい点の値）、
最小値（最も暗い点の値）をＥｌ、１．ｎとし、スレッ
ショールドレベルＳＬを ５Ｌ＝Ｅｕ＋α（Ｅ ｎ’ｍ −Ｅ ｍｉｎ ）なる式
で計算しく但し、αは定数）だ後、この値で第１図（ｄ
）に示すように二値画像Ｅ２を作る。
そして、この二値画像Ｅ２をラベリング（分類）するこ
とにより、第１図（ｅ ）に示す欠陥分類像ＥＬを得、
この欠陥分類像ＥＬによって欠陥の大きさく面積）や形
状（幅、長さ等）や位置を計算して半導体ベレットの外
観検査を行う。 前記ラベリングは、たとえば、二値画
像の上左端より横方向に列数Ｘ、該端より縦方向に行数
ｙの座標Ｐ （Ｘ、Ｖ ）を、これに隣接する４つの画
素Ａ。
とにより、第１図（ｅ ）に示す欠陥分類像ＥＬを得、
この欠陥分類像ＥＬによって欠陥の大きさく面積）や形
状（幅、長さ等）や位置を計算して半導体ベレットの外
観検査を行う。 前記ラベリングは、たとえば、二値画
像の上左端より横方向に列数Ｘ、該端より縦方向に行数
ｙの座標Ｐ （Ｘ、Ｖ ）を、これに隣接する４つの画
素Ａ。
（ｘ−１，ｙ ） 、Ａ２ （ｘ−１，ｙ−１） 、
Ａｔ （ｘ、ｙ−１）及びＡ４（Ｘ −ト１ 、 ｙ
−１）の情報を用いて分類する。
Ａｔ （ｘ、ｙ−１）及びＡ４（Ｘ −ト１ 、 ｙ
−１）の情報を用いて分類する。
［発明の効果Ｊ
航記実施例において説明した本発明の方法では次のよう
な効果を奏することができる。
な効果を奏することができる。
（ａ）ｉＩ！淡画像画像いるので従来方法では正確に検
出できなかったばい汚れなども検出することができると
ともに微小なパターンくずれ等も検出することができる
。
出できなかったばい汚れなども検出することができると
ともに微小なパターンくずれ等も検出することができる
。
（ｂ ） パターン位置検出と外観検査とに用いるパ
ターンが同一画像であるため、基準パターン用のメモリ
を節約できる。
ターンが同一画像であるため、基準パターン用のメモリ
を節約できる。
（Ｃ） 照明用光源の光度（半導体ベレット上の照度
）がある程度ドリフトしても、本発明方法では自動的に
スレッショールドレベルＳＬを計算するので常に精度の
よい画像が得られる。
）がある程度ドリフトしても、本発明方法では自動的に
スレッショールドレベルＳＬを計算するので常に精度の
よい画像が得られる。
（ｄ ） 検査装置の半導体ベレット位置決め装置（
たとえばＸＹテーブル等）に精度不良やガタがあっても
パターン位置を精密に検出できるので不良品判定を誤る
ことがない。
たとえばＸＹテーブル等）に精度不良やガタがあっても
パターン位置を精密に検出できるので不良品判定を誤る
ことがない。
（ｅ ） 複数個の半導体ペレットを検査することが
できるので外観検査を高速化することができる。
できるので外観検査を高速化することができる。
第１図は本発明の方法の原理を説明するための図、第２
図は本発明方法の一部の実施に使用されるパターン検査
装置の原理と概略構成を示した図である。 １・・・データ切出し回路、 ２・・・相関係数計算回
路、 ３・・・基準画像格納回路、 ４・・・判定回路
。
図は本発明方法の一部の実施に使用されるパターン検査
装置の原理と概略構成を示した図である。 １・・・データ切出し回路、 ２・・・相関係数計算回
路、 ３・・・基準画像格納回路、 ４・・・判定回路
。
Claims (1)
- １ 被検査対象の半導体ペレットの外観像を光学的に検
出するとともにアナログ電気信号に変換した後、更にデ
ィジタル信号に変換して前記被検査対象の半導体ペレッ
トに関する画像Ｐを得る一方、良品の半導体ペレットに
関する画像Ｒと前記画像Ｐとの差の絶対値に相当する画
像Ｅ＿１を作成し、この画像Ｅ＿１を二値画像Ｅ＿２に
変換した後、画像Ｅ＿２をラベリングすることにより前
記被検査対象の半導体ペレットにおける欠陥の形状及び
大きさ並びに位置などを検出することを特徴とする半導
体ペレットの外観検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60252944A JPS62113436A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 半導体ペレツトの外観検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60252944A JPS62113436A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 半導体ペレツトの外観検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62113436A true JPS62113436A (ja) | 1987-05-25 |
Family
ID=17244329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60252944A Pending JPS62113436A (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 半導体ペレツトの外観検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62113436A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0333605A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-13 | Hitachi Ltd | パターン比較検査方法および装置 |
| JPH05172542A (ja) * | 1991-12-24 | 1993-07-09 | Kao Corp | 印刷パターン検査装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50127574A (ja) * | 1974-03-27 | 1975-10-07 | ||
| JPS5860538A (ja) * | 1981-10-06 | 1983-04-11 | Fujitsu Ltd | パタ−ン検査方法 |
| JPS59192944A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-01 | Hitachi Ltd | パタ−ン欠陥分類方法 |
-
1985
- 1985-11-13 JP JP60252944A patent/JPS62113436A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50127574A (ja) * | 1974-03-27 | 1975-10-07 | ||
| JPS5860538A (ja) * | 1981-10-06 | 1983-04-11 | Fujitsu Ltd | パタ−ン検査方法 |
| JPS59192944A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-01 | Hitachi Ltd | パタ−ン欠陥分類方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0333605A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-13 | Hitachi Ltd | パターン比較検査方法および装置 |
| JPH05172542A (ja) * | 1991-12-24 | 1993-07-09 | Kao Corp | 印刷パターン検査装置 |
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