JPS62116778A - 非晶質膜の成膜方法 - Google Patents
非晶質膜の成膜方法Info
- Publication number
- JPS62116778A JPS62116778A JP60257369A JP25736985A JPS62116778A JP S62116778 A JPS62116778 A JP S62116778A JP 60257369 A JP60257369 A JP 60257369A JP 25736985 A JP25736985 A JP 25736985A JP S62116778 A JPS62116778 A JP S62116778A
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- JP
- Japan
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- electrode
- support
- amorphous film
- film
- forming
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/10—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプラズマＣＶＤ法による非晶質膜の成膜方法に
関するものである。
関するものである。
電子複写機等の静電潜像担持体は導電性の支持体表面に
光導電層を積層形成して構成されるのが一般的であるが
、光導電層として近年アモルファスシリコンを主成分と
したものの研究が進められている。アモルファスシリコ
ンを主成分とする光導電層はセレン、硫化カドミウムを
主成分とする旧来のものに比較して耐熱性、耐摩擦性に
富み、無害であるうえ高光感度であり、また長波長光に
対しても十分な感度を有するので、複写機、レーザプリ
ンタを用いたインテリジェントコピーにも適用できる等
の利点を有する。
光導電層を積層形成して構成されるのが一般的であるが
、光導電層として近年アモルファスシリコンを主成分と
したものの研究が進められている。アモルファスシリコ
ンを主成分とする光導電層はセレン、硫化カドミウムを
主成分とする旧来のものに比較して耐熱性、耐摩擦性に
富み、無害であるうえ高光感度であり、また長波長光に
対しても十分な感度を有するので、複写機、レーザプリ
ンタを用いたインテリジェントコピーにも適用できる等
の利点を有する。
このようなアモルファスシリコンの成膜には通常プラズ
マＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）法が広く用いられており、従来は次のよう
にして行われていた。即ち反応室内に中空円筒形をなす
電極及びその内側にヒータを立設した回転台を配設し、
へ２等の導電性材料にて形成した円筒形をなす支持体を
前記電極の内側であって、且つヒータの外側に位置させ
た状態で回転台上に載置し、反応室内を所定の真空度に
設定し、支持体をヒータにて所定温度に加熱し、回転台
を回転し、ＳｉＨ２等の原料ガスを供給しつつ電極と支
持体との間に高周波電圧を印加し、両者の間にグロー放
電を行わせ、原料ガスを分解せしめて支持体周囲にアモ
ルファスシリコン膜を蒸着形成せしめるようになってい
る。
マＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）法が広く用いられており、従来は次のよう
にして行われていた。即ち反応室内に中空円筒形をなす
電極及びその内側にヒータを立設した回転台を配設し、
へ２等の導電性材料にて形成した円筒形をなす支持体を
前記電極の内側であって、且つヒータの外側に位置させ
た状態で回転台上に載置し、反応室内を所定の真空度に
設定し、支持体をヒータにて所定温度に加熱し、回転台
を回転し、ＳｉＨ２等の原料ガスを供給しつつ電極と支
持体との間に高周波電圧を印加し、両者の間にグロー放
電を行わせ、原料ガスを分解せしめて支持体周囲にアモ
ルファスシリコン膜を蒸着形成せしめるようになってい
る。
ところでこのような蒸着過程ではアモルファスシリコン
膜は支持体表面に蒸着せしめられると同時に電極の内周
面にも蒸着せしめられるが、このアモルファスシリコン
膜と電極との接着性は弱く、成膜中にもアモルファスシ
リコン膜片が電極から剥離して支持体表面に付着する現
象が発生し、このアモルファスシリコン膜片が後の工程
中で脱落し、支持体表面に斑点状のアモルファスシリコ
ン膜が欠落したピンホール状欠損部が形成されて画像欠
陥が生じ電子写真特性を低下させるという問題があった
。
膜は支持体表面に蒸着せしめられると同時に電極の内周
面にも蒸着せしめられるが、このアモルファスシリコン
膜と電極との接着性は弱く、成膜中にもアモルファスシ
リコン膜片が電極から剥離して支持体表面に付着する現
象が発生し、このアモルファスシリコン膜片が後の工程
中で脱落し、支持体表面に斑点状のアモルファスシリコ
ン膜が欠落したピンホール状欠損部が形成されて画像欠
陥が生じ電子写真特性を低下させるという問題があった
。
本発明はかかる事情に鑑みなされたものであって、その
目的とするところは電極からの非晶質膜の剥離原因が両
者の接着性不良に依ること、また接着性不良は電極表面
の酸化物の存在による表面粗さに起因することに着目し
、これら電極表面の酸化物を直接除去する表面加工、或
いは表面に対するＡｌ、Ｃｒ等のメッキ、蒸着を行うこ
とにより酸化物を間接的に除去することによって効果的
に非晶質膜と支持体表面との接合性を高め、支持体表面
におけるピンホール欠陥を大幅に低減し得るようにした
非晶質膜の成膜方法を提供するにある。
目的とするところは電極からの非晶質膜の剥離原因が両
者の接着性不良に依ること、また接着性不良は電極表面
の酸化物の存在による表面粗さに起因することに着目し
、これら電極表面の酸化物を直接除去する表面加工、或
いは表面に対するＡｌ、Ｃｒ等のメッキ、蒸着を行うこ
とにより酸化物を間接的に除去することによって効果的
に非晶質膜と支持体表面との接合性を高め、支持体表面
におけるピンホール欠陥を大幅に低減し得るようにした
非晶質膜の成膜方法を提供するにある。
本発明に係る非晶質膜の成膜方法は、グロー放電によっ
て原料ガスを分解し、支持体表面に非晶質膜を形成する
方法において、放電を行わせるべき電極としてその表面
に研磨を施した電極を用いることを特徴とする。
て原料ガスを分解し、支持体表面に非晶質膜を形成する
方法において、放電を行わせるべき電極としてその表面
に研磨を施した電極を用いることを特徴とする。
以下本発明方法を電子複写機の静電潜像担持体における
光導電膜の形成に通用した場合につき図面に基づき具体
的に説明する。第１図は本発明方法の実施状態を示す模
式的縦断面図であり、図中１は反応室を示している。反
応室１は両端部を閉じた中空の円筒形に形成されており
、底壁の中央部には図示しない真空ポンプに連なる排気
口１ａが設けられ、また内部には周囲壁と略同心状に回
転台２、電極３が配設され、前記回転台２には円筒形に
形成された導電性を備える支持体５が着膜可能に配設さ
れている。
光導電膜の形成に通用した場合につき図面に基づき具体
的に説明する。第１図は本発明方法の実施状態を示す模
式的縦断面図であり、図中１は反応室を示している。反
応室１は両端部を閉じた中空の円筒形に形成されており
、底壁の中央部には図示しない真空ポンプに連なる排気
口１ａが設けられ、また内部には周囲壁と略同心状に回
転台２、電極３が配設され、前記回転台２には円筒形に
形成された導電性を備える支持体５が着膜可能に配設さ
れている。
回転台２はヒータ（図示せず）を備えた円筒部２ａを円
錐台部２ｂ上に立設して構成されており、円錐台部２ｂ
にて円筒形をなす支持体５の下端部を同心状に支持する
ようになっている。円錐台部２ｂの下部中央は支軸２ｃ
の上端に固定され、また支軸２ｃの下端はギヤ２ｄ、２
ｅを介して反応室１の底壁下方に配したモータ２ｆに連
繋されており、該モータ２ｆの駆動によって支軸２ｃと
共に軸心線口りに回転せしめられるようになっている。
錐台部２ｂ上に立設して構成されており、円錐台部２ｂ
にて円筒形をなす支持体５の下端部を同心状に支持する
ようになっている。円錐台部２ｂの下部中央は支軸２ｃ
の上端に固定され、また支軸２ｃの下端はギヤ２ｄ、２
ｅを介して反応室１の底壁下方に配したモータ２ｆに連
繋されており、該モータ２ｆの駆動によって支軸２ｃと
共に軸心線口りに回転せしめられるようになっている。
電極３はステンレス鋼を材料にして下端部を閉じた円筒
形に形成され、周壁、底壁は２重構造にして原料ガス通
流路３ａを備えており、回転台２の外周にこれと同心状
に位置させて反応室１の底壁に配した絶縁台ｌｂ上に固
定され、外周壁は同じく絶縁スペーサ４ａを隔ててアー
スシールド４に支持されている。内周壁には多数の原料
ガス吹出口３ｂが設けられ、また通流路３ａには途中に
パルプ３ｃを介在させた原料ガスの供給管３ｄが連結さ
れており、該供給管３ｄを通じて原料ガスが通流路３ａ
内に供給され、各吹出口３ｂから回転台２の円筒部２ａ
との間の空隙間に噴出するようになっている。
形に形成され、周壁、底壁は２重構造にして原料ガス通
流路３ａを備えており、回転台２の外周にこれと同心状
に位置させて反応室１の底壁に配した絶縁台ｌｂ上に固
定され、外周壁は同じく絶縁スペーサ４ａを隔ててアー
スシールド４に支持されている。内周壁には多数の原料
ガス吹出口３ｂが設けられ、また通流路３ａには途中に
パルプ３ｃを介在させた原料ガスの供給管３ｄが連結さ
れており、該供給管３ｄを通じて原料ガスが通流路３ａ
内に供給され、各吹出口３ｂから回転台２の円筒部２ａ
との間の空隙間に噴出するようになっている。
電極３の全外表面又は支持体５と対向する内周壁面は化
学的、或いは機械的研磨法によって表面の酸化物を除去
すると共に表面の粗さを０．２ｓ以下に設定して表面を
滑らかに仕上げである。
学的、或いは機械的研磨法によって表面の酸化物を除去
すると共に表面の粗さを０．２ｓ以下に設定して表面を
滑らかに仕上げである。
この表面仕上げの方法については何ら上述した如きｇｆ
慶に依る場合にのみ限るものではなく、例えば電極３そ
れ自体を放電等によっても表面が損傷を受は難いＡＪ＋
Ｎ＋＋ Ｃｒ等を素材にして形成し、或いはＡｌ、
Ｎｉ、 Ｃｒ、又はこれらの合金等のメッキ膜、或いは
スパッタリング等による蒸着膜をステンレス鋼製電極の
表面に形成することとしてもよい。
慶に依る場合にのみ限るものではなく、例えば電極３そ
れ自体を放電等によっても表面が損傷を受は難いＡＪ＋
Ｎ＋＋ Ｃｒ等を素材にして形成し、或いはＡｌ、
Ｎｉ、 Ｃｒ、又はこれらの合金等のメッキ膜、或いは
スパッタリング等による蒸着膜をステンレス鋼製電極の
表面に形成することとしてもよい。
３ｅはマツチングボックス、３ｆは電極３に高周波電圧
を印加するための高周波電源である。
を印加するための高周波電源である。
而して上述した如き本発明方法にあっては排気口１ａか
ら排気して反応室１内を所定の真空度に設定した後、回
転台２のヒータにて支持体５を所定温度に加熱し、供給
管、電極３を通じて吹出口３ｂから支持体５外周面との
間の空隙内に原料ガスを供給しつつ、電極３と支持体５
との間に高周波電圧を印加してこれらの間にグロー放電
を行わせ、原料ガスを分解して、支持体５の表面に非晶
質シリコン層等の非晶質膜を蒸着形成せしめるようにな
っている。
ら排気して反応室１内を所定の真空度に設定した後、回
転台２のヒータにて支持体５を所定温度に加熱し、供給
管、電極３を通じて吹出口３ｂから支持体５外周面との
間の空隙内に原料ガスを供給しつつ、電極３と支持体５
との間に高周波電圧を印加してこれらの間にグロー放電
を行わせ、原料ガスを分解して、支持体５の表面に非晶
質シリコン層等の非晶質膜を蒸着形成せしめるようにな
っている。
この蒸着過程中非晶質膜は電極３の表面にも略支持体５
の表面に対するのと同様に蒸着形成されるが、電極３の
表面は前述の如く酸化物が除去され、緻密な平滑面に形
成されているため、非晶質膜との接着性が高く、電極３
表面からの非晶質膜の剥離が抑制され、剥離した非晶質
膜片が支持体５の表面に付着し、脱落してその跡に生ず
るピンホール欠陥が著しく低減されることとなる。
の表面に対するのと同様に蒸着形成されるが、電極３の
表面は前述の如く酸化物が除去され、緻密な平滑面に形
成されているため、非晶質膜との接着性が高く、電極３
表面からの非晶質膜の剥離が抑制され、剥離した非晶質
膜片が支持体５の表面に付着し、脱落してその跡に生ず
るピンホール欠陥が著しく低減されることとなる。
第２図（イ）、（ロ）、（ハ）は支持体表面の部分写真
図であり、第２図（イ）は電極としてステンレス鋼製電
極の表面にアルミニウムを、また第２図（ロ）は同じく
クロムを夫々スパッタリングにて蒸着形成したものを使
用したときの結果を示し、更に第２図（ハ）は電極とし
てステンレス鋼製であって、且つ表面を未処理としたも
のを使用したときの結果である。なお倍率は実物と等大
であり、写真中に現れている斑点状痕がピンホール欠陥
を示している。
図であり、第２図（イ）は電極としてステンレス鋼製電
極の表面にアルミニウムを、また第２図（ロ）は同じく
クロムを夫々スパッタリングにて蒸着形成したものを使
用したときの結果を示し、更に第２図（ハ）は電極とし
てステンレス鋼製であって、且つ表面を未処理としたも
のを使用したときの結果である。なお倍率は実物と等大
であり、写真中に現れている斑点状痕がピンホール欠陥
を示している。
なお写真中に現れている縞模様は支持体表面の地模様で
ある。
ある。
この写真図から明らかな如〈従来方法に依った場合には
ピンホール欠陥が大きく、しかも数が多いが、第２図（
イ）、（ロ）に示す本発明方法に依った場合の支持体表
面のピンホール欠陥はいずれの場合もその大きさ、数と
もに著しく低減されていることが解る。
ピンホール欠陥が大きく、しかも数が多いが、第２図（
イ）、（ロ）に示す本発明方法に依った場合の支持体表
面のピンホール欠陥はいずれの場合もその大きさ、数と
もに著しく低減されていることが解る。
以上の如く本発明方法にあっては、放電用の電極の表面
を研磨加工し、また金属皮膜をメッキ又は蒸着にて付着
せしめてあるから、非晶質膜との接着性が優れ、電極表
面に形成された非晶質膜の剥離を抑制して支持体表面に
付着するのを防止出来て、支持体表面における非晶質膜
が蒸着されていないピンホール欠陥が形成されるのを大
幅に低減出来るなど、膜品質の向上に寄与するところ多
大である。
を研磨加工し、また金属皮膜をメッキ又は蒸着にて付着
せしめてあるから、非晶質膜との接着性が優れ、電極表
面に形成された非晶質膜の剥離を抑制して支持体表面に
付着するのを防止出来て、支持体表面における非晶質膜
が蒸着されていないピンホール欠陥が形成されるのを大
幅に低減出来るなど、膜品質の向上に寄与するところ多
大である。
第１図は本発明方法の実施状態を示す模式的縦断面図、
第２図（イ）、（ロ）、（ハ）は本発明方法に依った場
合と従来方法に依った場合との比較試験結果を示す写真
図である。 ■・・・反応室 ２・・・回転台 ２ａ・・・円筒部
２ｂ・・・円錐台部 ２ｃ・・・支軸 ２ｄ・・・ギヤ
２ｆ・・・モータ３・・・電極 ３ａ・・・通流路
３ｂ・・・吹出口 ３Ｃ・・・供給管４・・・アースシ
ールド ５・・・支持体時 許 出願人 三洋電機株
式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 第 １ コ 図面の浄書（内容に変更なし） 第２図 手続補正書（方式） ％式％ ２、発明の名称 非晶質膜の成膜方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 所在地 守口市京阪本通２丁目１８番地名 称 （１８
８） 三洋電機株式会社代表者 井 植 薫 ４、代理人 〒５４３ 住 所 大阪市天王寺区四天王寺１丁目１４番２２号
日進ビル２０７号 河野特許事務所（電話０６−７７９−３０８８ ）明細
書の１図面の簡単な説明」の欄及び図面７、補正の内容 ７−１「図面の簡単な説明」の欄 明細書の第９頁１８行目乃至２０行目に「第２図（イ）
、（ロ）、（ハ）は本発明方法に依った場合と従来方法
に依った場合との比較試験結果を示す写真図である。」
とあるを次のとおりに訂正する。 「第２図（イ）、（ロ）、（ハ）は本発明方法に依った
場合と従来方法に依った場合との比較試験結果を示す電
極面の説明図である。」７−２図面 第２図（イ）、（ロ）、（ハ）を別紙のとおりに訂正す
る。 ８、添付書類の目録 ）訂正図面 １通手続補正
書（自発） 昭和６１年２月７日
第２図（イ）、（ロ）、（ハ）は本発明方法に依った場
合と従来方法に依った場合との比較試験結果を示す写真
図である。 ■・・・反応室 ２・・・回転台 ２ａ・・・円筒部
２ｂ・・・円錐台部 ２ｃ・・・支軸 ２ｄ・・・ギヤ
２ｆ・・・モータ３・・・電極 ３ａ・・・通流路
３ｂ・・・吹出口 ３Ｃ・・・供給管４・・・アースシ
ールド ５・・・支持体時 許 出願人 三洋電機株
式会社 代理人 弁理士 河 野 登 夫 第 １ コ 図面の浄書（内容に変更なし） 第２図 手続補正書（方式） ％式％ ２、発明の名称 非晶質膜の成膜方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 所在地 守口市京阪本通２丁目１８番地名 称 （１８
８） 三洋電機株式会社代表者 井 植 薫 ４、代理人 〒５４３ 住 所 大阪市天王寺区四天王寺１丁目１４番２２号
日進ビル２０７号 河野特許事務所（電話０６−７７９−３０８８ ）明細
書の１図面の簡単な説明」の欄及び図面７、補正の内容 ７−１「図面の簡単な説明」の欄 明細書の第９頁１８行目乃至２０行目に「第２図（イ）
、（ロ）、（ハ）は本発明方法に依った場合と従来方法
に依った場合との比較試験結果を示す写真図である。」
とあるを次のとおりに訂正する。 「第２図（イ）、（ロ）、（ハ）は本発明方法に依った
場合と従来方法に依った場合との比較試験結果を示す電
極面の説明図である。」７−２図面 第２図（イ）、（ロ）、（ハ）を別紙のとおりに訂正す
る。 ８、添付書類の目録 ）訂正図面 １通手続補正
書（自発） 昭和６１年２月７日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、グロー放電によって原料ガスを分解し、支持体表面
に非晶質膜を形成する方法において、放電を行わせるべ
き電極として、その表面に研磨を施した電極を用いるこ
とを特徴とする非晶質膜の成膜方法。 ２、前記電極は表面を研磨加工を施したＡｌ、Ｎｉ、Ｃ
ｒ又はステンレス鋼製である特許請求の範囲第１項記載
の非晶質膜の成膜方法。 ３、グロー放電によって原料ガスを分解し、支持体表面
に非晶質膜を形成する方法において、放電を行わせるべ
き電極として表面に金属皮膜を付着せしめた電極を用い
ることを特徴とする非晶質膜の成膜方法。 ４、前記電極は表面にＡｌ、Ｃｒ、Ｎｉ又はこれらを含
む合金のメッキ加工を施してある特許請求の範囲第３項
記載の非晶質膜の成膜方法。 ５、前記電極は表面にＡｌ、Ｃｒ、Ｎｉ又はこれらを含
む合金を蒸着せしめてある特許請求の範囲第３項記載の
非晶質膜の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60257369A JPS62116778A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 非晶質膜の成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60257369A JPS62116778A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 非晶質膜の成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62116778A true JPS62116778A (ja) | 1987-05-28 |
Family
ID=17305427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60257369A Pending JPS62116778A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 非晶質膜の成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62116778A (ja) |
-
1985
- 1985-11-15 JP JP60257369A patent/JPS62116778A/ja active Pending
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