JPH0462070B2 - - Google Patents
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- JPH0462070B2 JPH0462070B2 JP57055114A JP5511482A JPH0462070B2 JP H0462070 B2 JPH0462070 B2 JP H0462070B2 JP 57055114 A JP57055114 A JP 57055114A JP 5511482 A JP5511482 A JP 5511482A JP H0462070 B2 JPH0462070 B2 JP H0462070B2
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- roughness
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
-
- G—PHYSICS
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- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
- G03G5/102—Bases for charge-receiving or other layers consisting of or comprising metals
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセレン系電子写真感光体の製造方法に
おける導電性支持体の加工手段に関する。
おける導電性支持体の加工手段に関する。
従来、セレン系電子写真感光体の製造方法とし
ては金属表面を有する導電性支持体表面を、表面
粗さRZ(JIS−B0601による)が0.01〜0.4μmとな
る迄、旋削又はバフ研摩し、ついでエツチング処
理した後、セレン、セレン系合金、セレン化合物
(以下これらをセレン系という)を蒸着するか、
或いは前記支持体表面、表面粗さRZが0.3〜
2.0μmとなる迄、超仕上げ加工(砥石の振動及び
摺動による加工法)した後、同様にセレン系蒸着
層を設ける方法が知られている。しかし両方法と
も製造上難があり、前者の方法では、(1)表面加工
の他にエツチング処理を必要とするため、設備費
が大である、(2)エツチング処理の際のエツチング
液の管理が難かしく、液の濃度変化によりピツト
状態が変化するため、外観、接着性等、感光体特
性がばらつく、(3)再生加工においては切削代を必
要とするため、再生回数はせいぜい1回程度であ
り、繰返し再生は困難、(4)蒸着層にAs2Se3を用
いた場合は再生加工でエツチング処理の際、再生
加工(旋削)した表面以外の面に付着している微
量のAs2Se3が処理液中に溶解し、人体に有害な
AsH3ガスを発生するので、この有害ガスを処理
するための高価な設備を必要とする。一方、後者
の方法ではエツチング処理に伴う欠点はないが、
加工後の支持体表面にAs2Se3蒸着層を設けると、
蒸着層表面に突起物が多数発生し、電子写真複写
機とのマツチングの際、トナークリーニング用の
ブレードを傷つける結果、コピーの品質を劣化さ
せる。突起物の発生数は支持体の表面粗さに依存
し、RZ0.3〜2.0μmの粗さでは蒸着層を加工して
も電子写真複写機とのマツチングの点で許容でき
ない。
ては金属表面を有する導電性支持体表面を、表面
粗さRZ(JIS−B0601による)が0.01〜0.4μmとな
る迄、旋削又はバフ研摩し、ついでエツチング処
理した後、セレン、セレン系合金、セレン化合物
(以下これらをセレン系という)を蒸着するか、
或いは前記支持体表面、表面粗さRZが0.3〜
2.0μmとなる迄、超仕上げ加工(砥石の振動及び
摺動による加工法)した後、同様にセレン系蒸着
層を設ける方法が知られている。しかし両方法と
も製造上難があり、前者の方法では、(1)表面加工
の他にエツチング処理を必要とするため、設備費
が大である、(2)エツチング処理の際のエツチング
液の管理が難かしく、液の濃度変化によりピツト
状態が変化するため、外観、接着性等、感光体特
性がばらつく、(3)再生加工においては切削代を必
要とするため、再生回数はせいぜい1回程度であ
り、繰返し再生は困難、(4)蒸着層にAs2Se3を用
いた場合は再生加工でエツチング処理の際、再生
加工(旋削)した表面以外の面に付着している微
量のAs2Se3が処理液中に溶解し、人体に有害な
AsH3ガスを発生するので、この有害ガスを処理
するための高価な設備を必要とする。一方、後者
の方法ではエツチング処理に伴う欠点はないが、
加工後の支持体表面にAs2Se3蒸着層を設けると、
蒸着層表面に突起物が多数発生し、電子写真複写
機とのマツチングの際、トナークリーニング用の
ブレードを傷つける結果、コピーの品質を劣化さ
せる。突起物の発生数は支持体の表面粗さに依存
し、RZ0.3〜2.0μmの粗さでは蒸着層を加工して
も電子写真複写機とのマツチングの点で許容でき
ない。
本発明の目的はエツチング処理に伴う欠点を除
去すると共に蒸着層表面の突起物の発生を抑制し
て電子写真複写機とのマツチング性を改良すると
共に、電子写真プロセス適合した表面平滑性及び
接着性を有するセレン系電子写真感光体の製造方
法を提供することである。
去すると共に蒸着層表面の突起物の発生を抑制し
て電子写真複写機とのマツチング性を改良すると
共に、電子写真プロセス適合した表面平滑性及び
接着性を有するセレン系電子写真感光体の製造方
法を提供することである。
即ち本発明方法は金属表面を有する導電性支持
体表面を物理的又は化学的に加工後、その上にセ
レン、セレン系合金又はセレン化合物の蒸着層を
設けるセレン系電子写真感光体の製造方法におい
て、前記表面加工を、砥石の振動及び摺動によつ
て表面粗さRZ(JIS−B0601による)が0.05μm以
上0.3未満となる迄、行なうことを特徴とするも
のである。
体表面を物理的又は化学的に加工後、その上にセ
レン、セレン系合金又はセレン化合物の蒸着層を
設けるセレン系電子写真感光体の製造方法におい
て、前記表面加工を、砥石の振動及び摺動によつ
て表面粗さRZ(JIS−B0601による)が0.05μm以
上0.3未満となる迄、行なうことを特徴とするも
のである。
本発明者は従来の支持体の表面加工法のうち、
超仕上げ加工法が種々の欠点を伴うエツチング処
理を必要としないことに着目し、超仕上げ加工法
について種々検討した結果、表面粗さRZが
0.05μm以上0.3未満の範囲に加工すれば突起物の
発生が少なく、このため蒸着後、表層加工すれば
電子写真複写機とのマツチング上、許容できるこ
とを見出した。またこうして表面加工した支持体
を用いれば電子写真のプロセス面から要求される
表面平滑性及び支持体と蒸着層との接着性に適合
したセレン系、特にAs2Se3感光体が得られるこ
とを見出した。本発明はこれらの知見に基づくも
のである。
超仕上げ加工法が種々の欠点を伴うエツチング処
理を必要としないことに着目し、超仕上げ加工法
について種々検討した結果、表面粗さRZが
0.05μm以上0.3未満の範囲に加工すれば突起物の
発生が少なく、このため蒸着後、表層加工すれば
電子写真複写機とのマツチング上、許容できるこ
とを見出した。またこうして表面加工した支持体
を用いれば電子写真のプロセス面から要求される
表面平滑性及び支持体と蒸着層との接着性に適合
したセレン系、特にAs2Se3感光体が得られるこ
とを見出した。本発明はこれらの知見に基づくも
のである。
本発明方法はまずAl,ステンレス等の金属表
面を有する導電性支持体表面を好ましくは1〜
6μmRZの粗さに切削加工した後、表面粗さRZが
0.05μm以上0.3μm未満に加工できる粒度の砥石を
振動させながら、支持体表面を摺動させて切削加
工を行なう。なお摺動は砥石自体を移動させて行
なつてもよいし、また支持体を移動させて行なつ
てもよい。また支持体の表面粗さは主として砥石
の粒度によつて決定されるが(第1図参照、例え
ば粒度#5000の砥石を用いれば最小0.05μRZ表面
粗さが得られる。)その他に加工時の砥石の振巾、
圧力及び移動速度(又は支持体の移動速度)によ
りコントロールできる。次にこうして所定表面粗
さに加工された支持体に常法によりSe,Se−Te
合金、As2Se3等のセレン系材料を厚さ40〜80μm
程度に真空蒸着せしめる。
面を有する導電性支持体表面を好ましくは1〜
6μmRZの粗さに切削加工した後、表面粗さRZが
0.05μm以上0.3μm未満に加工できる粒度の砥石を
振動させながら、支持体表面を摺動させて切削加
工を行なう。なお摺動は砥石自体を移動させて行
なつてもよいし、また支持体を移動させて行なつ
てもよい。また支持体の表面粗さは主として砥石
の粒度によつて決定されるが(第1図参照、例え
ば粒度#5000の砥石を用いれば最小0.05μRZ表面
粗さが得られる。)その他に加工時の砥石の振巾、
圧力及び移動速度(又は支持体の移動速度)によ
りコントロールできる。次にこうして所定表面粗
さに加工された支持体に常法によりSe,Se−Te
合金、As2Se3等のセレン系材料を厚さ40〜80μm
程度に真空蒸着せしめる。
本発明で使用される砥石は黒色炭化珪素、緑色
炭化珪素、褐色酸化アルミナ、白色酸化アルミナ
等の粒子をポリビニルアルコール及び熱硬化性樹
脂よりなる結合剤で固めて作られる。
炭化珪素、褐色酸化アルミナ、白色酸化アルミナ
等の粒子をポリビニルアルコール及び熱硬化性樹
脂よりなる結合剤で固めて作られる。
本発明の超仕上げ加工法による支持体表面は研
削軌跡は交差し合つて複雑な形状を有し、他の切
削による物理的又は化学的加工法で得られる同レ
ベルの表面粗さのものと比べると、蒸着層との接
着力が著しく改善される(第2図参照)。またこ
うして表面粗さRZが0.05μm以上0.3μm未満に超
仕上げ加工された支持体を用いて得られるセレン
系感光体表面の突起物発生数は表面加工後、電子
写真複写機のマツチング上、許容できる程度に少
ない(第3図参照、図はAs2Se3系感光体を使用
した例で、測定面積:0.8mm、突起物:直径20μ以
上の条件で測定した場合である)。なお支持体の
表面粗さRZが0.05μm未満では表面加工に時間を
要し、量産に適さない。
削軌跡は交差し合つて複雑な形状を有し、他の切
削による物理的又は化学的加工法で得られる同レ
ベルの表面粗さのものと比べると、蒸着層との接
着力が著しく改善される(第2図参照)。またこ
うして表面粗さRZが0.05μm以上0.3μm未満に超
仕上げ加工された支持体を用いて得られるセレン
系感光体表面の突起物発生数は表面加工後、電子
写真複写機のマツチング上、許容できる程度に少
ない(第3図参照、図はAs2Se3系感光体を使用
した例で、測定面積:0.8mm、突起物:直径20μ以
上の条件で測定した場合である)。なお支持体の
表面粗さRZが0.05μm未満では表面加工に時間を
要し、量産に適さない。
また0.3μm以上では突起物の発生が多いため、
電子写真複写機とのマツチングの点で問題があ
る。
電子写真複写機とのマツチングの点で問題があ
る。
以下に本発明を実施例により説明する。
実施例
Alパイプ(JIS−A300TD)の表面をまず表面
粗さ4〜6μmRZと成るまで、切削加工した後、
その上を、砥石粒度#4000の砥石の振動及び摺動
により研削加工して表面粗さRZが0.05μm以上
0.3μm未満の導電性支持体を得た。次に支持体の
加工面に、支持体温度230℃、蒸発温度400℃の条
件でAs2Se3を真空蒸着じて厚さ65μmの蒸着層を
設けた。得られたセレン系電子写真感光体は支持
体−蒸着層間の接着性に優れ、しかも表面の突起
発生数は電子写真複写機とのマツチング上、許容
し得る程度に少なかつた。
粗さ4〜6μmRZと成るまで、切削加工した後、
その上を、砥石粒度#4000の砥石の振動及び摺動
により研削加工して表面粗さRZが0.05μm以上
0.3μm未満の導電性支持体を得た。次に支持体の
加工面に、支持体温度230℃、蒸発温度400℃の条
件でAs2Se3を真空蒸着じて厚さ65μmの蒸着層を
設けた。得られたセレン系電子写真感光体は支持
体−蒸着層間の接着性に優れ、しかも表面の突起
発生数は電子写真複写機とのマツチング上、許容
し得る程度に少なかつた。
比較例
研削加工を、#1000の砥石を用いて表面粗さ
RZ=0.3〜2.0μmとなる迄行なつた他は実施例1
と同じ方法でセレン系電子写真感光体を作成し
た。この感光体は支持体−蒸着層間の接着性は優
れていたが、表面の突起発生数は電子写真複写機
とのマツチング上、許容できない程多かつた。
RZ=0.3〜2.0μmとなる迄行なつた他は実施例1
と同じ方法でセレン系電子写真感光体を作成し
た。この感光体は支持体−蒸着層間の接着性は優
れていたが、表面の突起発生数は電子写真複写機
とのマツチング上、許容できない程多かつた。
第1図は本発明方法で用いられる砥石の粒度
と、この砥石の研削加工によつて得られるAl支
持体表面の粗さとの関係図、第2図はAl支持体
表面の加工法の相違による2種の感光体の支持体
の表面粗さと蒸着層−支持体間の接着強度との関
係図、第3図は本発明方法で切削加工したAl支
持体の表面粗さとこの支持体上にAs2Se3蒸着層
を設けて得られた感光体の表面加工後の突起発生
数との関係図である。
と、この砥石の研削加工によつて得られるAl支
持体表面の粗さとの関係図、第2図はAl支持体
表面の加工法の相違による2種の感光体の支持体
の表面粗さと蒸着層−支持体間の接着強度との関
係図、第3図は本発明方法で切削加工したAl支
持体の表面粗さとこの支持体上にAs2Se3蒸着層
を設けて得られた感光体の表面加工後の突起発生
数との関係図である。
Claims (1)
- 1 金属表面を有する導電性支持体表面を物理的
又は化学的に加工後、その上にセレン、セレン合
金又はセレン化合物の蒸着層を設けるセレン系電
子写真感光体の製造方法において、前記表面加工
を、砥石の振動及び摺動によつて表面粗さRZが
0.05μm以上0.3μm未満となる迄、行なうことを特
徴とするセレン系電子写真感光体の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57055114A JPS58172652A (ja) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | セレン系電子写真感光体の製造方法 |
| US06/480,601 US4514483A (en) | 1982-04-02 | 1983-03-30 | Method for preparation of selenium type electrophotographic element in which the substrate is superfinished by vibrating and sliding a grindstone |
| DE3311913A DE3311913C2 (de) | 1982-04-02 | 1983-03-31 | Verfahren zur Herstellung eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57055114A JPS58172652A (ja) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | セレン系電子写真感光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58172652A JPS58172652A (ja) | 1983-10-11 |
| JPH0462070B2 true JPH0462070B2 (ja) | 1992-10-05 |
Family
ID=12989720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57055114A Granted JPS58172652A (ja) | 1982-04-02 | 1982-04-02 | セレン系電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4514483A (ja) |
| JP (1) | JPS58172652A (ja) |
| DE (1) | DE3311913C2 (ja) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1254433A (en) * | 1984-02-13 | 1989-05-23 | Tetsuo Sueda | Light receiving member |
| US4696884A (en) * | 1984-02-27 | 1987-09-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Member having photosensitive layer with series of smoothly continuous non-parallel interfaces |
| US4675263A (en) * | 1984-03-12 | 1987-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Member having substrate and light-receiving layer of A-Si:Ge film and A-Si film with non-parallel interface with substrate |
| US4720443A (en) * | 1984-04-05 | 1988-01-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Member having light receiving layer with nonparallel interfaces |
| JPS60212768A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-25 | Canon Inc | 光受容部材 |
| US4705733A (en) * | 1984-04-24 | 1987-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Member having light receiving layer and substrate with overlapping subprojections |
| US4705732A (en) * | 1984-04-27 | 1987-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Member having substrate with projecting portions at surface and light receiving layer of amorphous silicon |
| JPS60257453A (ja) * | 1984-06-04 | 1985-12-19 | Canon Inc | 光受容部材 |
| CA1258394A (en) * | 1984-06-05 | 1989-08-15 | Yoshio Tsuezuki | Light-receiving member |
| US4705731A (en) * | 1984-06-05 | 1987-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Member having substrate with protruding surface light receiving layer of amorphous silicon and surface reflective layer |
| US4705735A (en) * | 1984-06-07 | 1987-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Member having substrate with protruding surface portions and light receiving layer with amorphous silicon matrix |
| US4696883A (en) * | 1984-07-09 | 1987-09-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Member having light receiving layer with smoothly connected non-parallel interfaces and surface reflective layer |
| US4696881A (en) * | 1984-07-10 | 1987-09-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Member having light receiving layer with smoothly connected interfaces |
| US4696882A (en) * | 1984-07-12 | 1987-09-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Member having light receiving layer with smoothly interconnecting nonparallel interfaces |
| US4678733A (en) * | 1984-10-15 | 1987-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Member having light receiving layer of A-Si: Ge (C,N,O) A-Si/surface antireflection layer with non-parallel interfaces |
| US4735883A (en) * | 1985-04-06 | 1988-04-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface treated metal member, preparation method thereof and photoconductive member by use thereof |
| JPS6236676A (ja) * | 1985-08-10 | 1987-02-17 | Canon Inc | 光導電部材用の支持体及び該支持体を有する光導電部材 |
| JPS62163058A (ja) * | 1986-01-13 | 1987-07-18 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
| JPH0727267B2 (ja) * | 1986-10-04 | 1995-03-29 | ミノルタ株式会社 | 電子写真の感光体 |
| JPS644754A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-09 | Minolta Camera Kk | Photosensitive body |
| JP2595574B2 (ja) * | 1987-11-06 | 1997-04-02 | ミノルタ株式会社 | 感光体 |
| JPH01207756A (ja) * | 1988-02-16 | 1989-08-21 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体の製造方法 |
| JPH07102505B2 (ja) * | 1988-04-13 | 1995-11-08 | 富士写真フイルム株式会社 | 研磨テープ |
| JPH0282262A (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-22 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体の製造方法 |
| JPH031157A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-07 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体及び画像形成方法 |
| US5302485A (en) * | 1993-01-04 | 1994-04-12 | Xerox Corporation | Method to suppress plywood in a photosensitive member |
| JPH06295083A (ja) * | 1993-01-04 | 1994-10-21 | Xerox Corp | 金属被覆した感光体基体 |
| JPH09103940A (ja) * | 1995-08-07 | 1997-04-22 | Ricoh Co Ltd | 電解インプロセスドレッシング研削砥石および電解インプロセスドレッシング研削方法および電解インプロセスドレッシング研削装置 |
| US5955231A (en) * | 1997-12-15 | 1999-09-21 | Konica Corporation | Electrophotographic apparatus and electrophotographic photoreceptor employed by the same |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2090274A (en) * | 1931-06-04 | 1937-08-17 | Carborundum Co | Grinding hard sintered carbide compositions |
| US2663636A (en) * | 1949-05-25 | 1953-12-22 | Haloid Co | Electrophotographic plate and method of producing same |
| FR1181499A (fr) * | 1957-08-20 | 1959-06-16 | Rank Xerox Ltd | Plaque xérographique |
| JPS5827496B2 (ja) * | 1976-07-23 | 1983-06-09 | 株式会社リコー | 電子写真用セレン感光体 |
| DE3020939C2 (de) * | 1980-06-03 | 1982-12-23 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
-
1982
- 1982-04-02 JP JP57055114A patent/JPS58172652A/ja active Granted
-
1983
- 1983-03-30 US US06/480,601 patent/US4514483A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-03-31 DE DE3311913A patent/DE3311913C2/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58172652A (ja) | 1983-10-11 |
| US4514483A (en) | 1985-04-30 |
| DE3311913A1 (de) | 1983-10-13 |
| DE3311913C2 (de) | 1987-01-08 |
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