JPS62119225A - エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物Info
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- JPS62119225A JPS62119225A JP25961985A JP25961985A JPS62119225A JP S62119225 A JPS62119225 A JP S62119225A JP 25961985 A JP25961985 A JP 25961985A JP 25961985 A JP25961985 A JP 25961985A JP S62119225 A JPS62119225 A JP S62119225A
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- JP
- Japan
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- epoxy resin
- parts
- resin composition
- weight
- compound
- Prior art date
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- Granted
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は特に半導体封止用等として好適に用いられるエ
ポキシ樹脂組成物に関するものである。
ポキシ樹脂組成物に関するものである。
最近の半導体装置は、従来のセラミック、キャン封止型
のものに比べ、大量生産性に優れ、しかも低価格な製品
が得られることから樹脂封止式のものが多く使用されて
いる。これらの中で特にエポキシ樹脂組成物は、一般に
他の熱硬化性樹脂に比べて電気特性、機械特性、接着性
等に優れているため、従来より半導体装置の封正に利用
されている。しかしながら、エポキシ樹脂で封止された
半導体装置は、セラミック、キャン封止の半導体装置に
比べて吸湿性を有し、樹脂とフレーム界面を通しての水
の浸入という問題を有している。また、封止樹脂中には
加水分解性塩素原子やギ酸、シュウ酸等の有機酸が残存
しており、これらは水との相互作用により半導体装置の
リーク電流を増大させたり、アルミニウム電極の腐蝕等
をひきおこし、信頼性低下の大きな原因となっている。
のものに比べ、大量生産性に優れ、しかも低価格な製品
が得られることから樹脂封止式のものが多く使用されて
いる。これらの中で特にエポキシ樹脂組成物は、一般に
他の熱硬化性樹脂に比べて電気特性、機械特性、接着性
等に優れているため、従来より半導体装置の封正に利用
されている。しかしながら、エポキシ樹脂で封止された
半導体装置は、セラミック、キャン封止の半導体装置に
比べて吸湿性を有し、樹脂とフレーム界面を通しての水
の浸入という問題を有している。また、封止樹脂中には
加水分解性塩素原子やギ酸、シュウ酸等の有機酸が残存
しており、これらは水との相互作用により半導体装置の
リーク電流を増大させたり、アルミニウム電極の腐蝕等
をひきおこし、信頼性低下の大きな原因となっている。
従来、上記したようなエポキシ樹脂で封止した半導体装
置の耐湿性の不足に起因する不良を防止する目的で種々
の改良が試みられ、これには例えば封止樹脂中の加水分
解性塩素や有機酸を低減する方法が提案されている(特
公昭57−60779号公報)が、イオン性不純物ある
いは加水分解鵠素を完全に除去又は低減することは実質
的に不可能でおり、所期の目的を十分達成することはで
きないという不利がある。
置の耐湿性の不足に起因する不良を防止する目的で種々
の改良が試みられ、これには例えば封止樹脂中の加水分
解性塩素や有機酸を低減する方法が提案されている(特
公昭57−60779号公報)が、イオン性不純物ある
いは加水分解鵠素を完全に除去又は低減することは実質
的に不可能でおり、所期の目的を十分達成することはで
きないという不利がある。
本発明は上記事情を改善するためになされたもので、優
れた耐湿性を有するエポキシ樹脂組成物を提供すること
を目的とする。
れた耐湿性を有するエポキシ樹脂組成物を提供すること
を目的とする。
問題点を解決するための手段及び作用
即ち、本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討を
行なった結果、エポキシ樹脂と、フェノール樹脂と、無
機充填剤とを含むエポキシ樹脂組成物に分子内にフェナ
ジン環を有する化合物(以下、フェナジン化合物という
)及び分子内にポリアゾ基を有する化合物(以下、ポリ
アゾ化合物という)から選ばれる添加剤の1種以上と、
表面張力が35 dyne/m以下(20℃)のオルガ
ノポリシロキサンとを配合した場合、とりわけ該添加剤
とオルガノポリシロキサンをエポキシ樹脂とフェノール
樹脂との合計量100重量部に対しそれぞれ0.05〜
5重量部配置部た場合には、半導体装置の樹脂封止用と
して優れた耐湿性を有するエポキシ樹脂組成物が得られ
ることを知見し、本発明を完成するに至ったものである
。
行なった結果、エポキシ樹脂と、フェノール樹脂と、無
機充填剤とを含むエポキシ樹脂組成物に分子内にフェナ
ジン環を有する化合物(以下、フェナジン化合物という
)及び分子内にポリアゾ基を有する化合物(以下、ポリ
アゾ化合物という)から選ばれる添加剤の1種以上と、
表面張力が35 dyne/m以下(20℃)のオルガ
ノポリシロキサンとを配合した場合、とりわけ該添加剤
とオルガノポリシロキサンをエポキシ樹脂とフェノール
樹脂との合計量100重量部に対しそれぞれ0.05〜
5重量部配置部た場合には、半導体装置の樹脂封止用と
して優れた耐湿性を有するエポキシ樹脂組成物が得られ
ることを知見し、本発明を完成するに至ったものである
。
従って、本発明は、
(イ)エポキシ樹脂
(ロ) ノ?ラック型フェノール樹脂
(ハ)無機充填剤
(ロ)分子内にフェナジン化合物及び分子内にアゾ基を
有する化合物から選択される少なくとも1種よりなる添
加剤 (ホ)下記式(1) (但し、式中Rは水素原子、水酸基、アルコキシ基及び
−価の有機基から選ばれる1種、mは平均値として1.
8〜3,0の正数、nは2以上の整数を表わす。) で示され、かつ温度20℃での表面張力が35ダイン/
cIIL以下のオルガノポリシロキサンを含有するエポ
キシ樹脂組成物を提供するものである。
有する化合物から選択される少なくとも1種よりなる添
加剤 (ホ)下記式(1) (但し、式中Rは水素原子、水酸基、アルコキシ基及び
−価の有機基から選ばれる1種、mは平均値として1.
8〜3,0の正数、nは2以上の整数を表わす。) で示され、かつ温度20℃での表面張力が35ダイン/
cIIL以下のオルガノポリシロキサンを含有するエポ
キシ樹脂組成物を提供するものである。
以下、本発明を更に詳しく説明する。
まず、本発明に使用する(イ)のエポキシ樹脂としては
、1分子中に2個以上のエポキシ基を有する基 エポキシ樹脂であり、その分子中にエポキシ結rを少な
くとも2個有する化合物である限り、分子構造、分子量
等に特に制限なく使用し得る。
、1分子中に2個以上のエポキシ基を有する基 エポキシ樹脂であり、その分子中にエポキシ結rを少な
くとも2個有する化合物である限り、分子構造、分子量
等に特に制限なく使用し得る。
次に、←)のノボラック型フェノール樹脂としては、エ
ポキシ樹脂の硬化剤として従来から知られているものを
用いることができ、例えば、シュウ酸、塩酸あるいは燐
酸などの酸を触媒として、フェノール、クレl−ル、キ
シレノールなどのフェノール類とホルムアルデヒド又は
パラホルムアルデヒドを反応させて得られる未変性ノデ
ラック型フェノール樹脂及びその一部又は全部を可撓性
のある化合物で変性した樹脂、例えばオルガノポリシロ
キサン変性ノボラック型フェノール樹脂やエイキシ化も
しくはブチル化ノゼラック型フェノール樹脂などの1種
を単独で又は2種以上を組み合わせて使用し得る。なお
、これらのノがラック型フェノール樹脂としては、軟化
点が80〜120℃のものが好ましい。80℃より低い
と耐熱性が低下し、120℃より高いと組成物の溶融粘
度が高くなり、作業性に劣る場合が生じる。
ポキシ樹脂の硬化剤として従来から知られているものを
用いることができ、例えば、シュウ酸、塩酸あるいは燐
酸などの酸を触媒として、フェノール、クレl−ル、キ
シレノールなどのフェノール類とホルムアルデヒド又は
パラホルムアルデヒドを反応させて得られる未変性ノデ
ラック型フェノール樹脂及びその一部又は全部を可撓性
のある化合物で変性した樹脂、例えばオルガノポリシロ
キサン変性ノボラック型フェノール樹脂やエイキシ化も
しくはブチル化ノゼラック型フェノール樹脂などの1種
を単独で又は2種以上を組み合わせて使用し得る。なお
、これらのノがラック型フェノール樹脂としては、軟化
点が80〜120℃のものが好ましい。80℃より低い
と耐熱性が低下し、120℃より高いと組成物の溶融粘
度が高くなり、作業性に劣る場合が生じる。
上述した(口)のツメラック型フェノール樹脂の使用量
は、エポキシ樹脂のエポキシ基(、)とツメラック型フ
ェノール樹脂のフェノール性水酸基(b)とのモル比(
&/b)が0.5〜4、特に0.8〜2、最適には1〜
1,2の範囲となる鼠とすることが好ましく、このモル
比が0.5より小さいと組成物の硬化特性、成形作業性
および硬化物の高温時における電気特性が悪くなるし、
一方4より大きいと組成物の成形作業性が悪くなるほか
硬化物の電気特性も悪くなる場合が生じる。
は、エポキシ樹脂のエポキシ基(、)とツメラック型フ
ェノール樹脂のフェノール性水酸基(b)とのモル比(
&/b)が0.5〜4、特に0.8〜2、最適には1〜
1,2の範囲となる鼠とすることが好ましく、このモル
比が0.5より小さいと組成物の硬化特性、成形作業性
および硬化物の高温時における電気特性が悪くなるし、
一方4より大きいと組成物の成形作業性が悪くなるほか
硬化物の電気特性も悪くなる場合が生じる。
更に本発明においては、上記したフェノール樹脂(硬化
剤)とエポキシ樹脂との反応を促進させる目的で各種硬
化促進剤、例えばイミダゾール或いはその誘導体、三級
アミン系誘導体、ホスフィン系誘導体、シクロアミジン
誘導体、1.8−シアデービシクロ[5,4,0]ウン
デセン−7或いはその誘導体などが挙げられ、これらの
1種又は2種以上が使用し得る。これらの中では、オル
ガノホスフィン化合物が好ましい。オルガノホスフィン
化合物としては、第一ホスフィン、第二ホスフィン、第
三ホスフィンが包含され、これにはエチルホスフィン、
グロビルホスフィン、ブチルホスフィン、長鎖アルキル
ホスフィン、フェニルホスフィン、ジメチルホスフィン
、ジエチルホスフィン、ジプロピルホスフィン、シアミ
ルホスフィン、少なくとも1個が長鎖アルキル基である
ジアルキルホスフィン、ジフェニルホスフィン、メチル
フェニルホスフィン、エチルフェニルホスフィン、トリ
メチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチル
ホスフィン、少なくとも1個が長鎖アルキル基であるト
リアルキルホスフィン、トリフェニルホスフィン、アル
中ルゾフェニルホスフイン、ジアルキルフェニルホスフ
ィンなどが例示される。
剤)とエポキシ樹脂との反応を促進させる目的で各種硬
化促進剤、例えばイミダゾール或いはその誘導体、三級
アミン系誘導体、ホスフィン系誘導体、シクロアミジン
誘導体、1.8−シアデービシクロ[5,4,0]ウン
デセン−7或いはその誘導体などが挙げられ、これらの
1種又は2種以上が使用し得る。これらの中では、オル
ガノホスフィン化合物が好ましい。オルガノホスフィン
化合物としては、第一ホスフィン、第二ホスフィン、第
三ホスフィンが包含され、これにはエチルホスフィン、
グロビルホスフィン、ブチルホスフィン、長鎖アルキル
ホスフィン、フェニルホスフィン、ジメチルホスフィン
、ジエチルホスフィン、ジプロピルホスフィン、シアミ
ルホスフィン、少なくとも1個が長鎖アルキル基である
ジアルキルホスフィン、ジフェニルホスフィン、メチル
フェニルホスフィン、エチルフェニルホスフィン、トリ
メチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチル
ホスフィン、少なくとも1個が長鎖アルキル基であるト
リアルキルホスフィン、トリフェニルホスフィン、アル
中ルゾフェニルホスフイン、ジアルキルフェニルホスフ
ィンなどが例示される。
上記したオルガノホスフィン化合物のうちでも特に第三
ホスフィン、とりわけトリフェニルホスフィンが好まし
い。なお、上記オルガノホスフィン化合物の2s以上を
併用することは差支えない。
ホスフィン、とりわけトリフェニルホスフィンが好まし
い。なお、上記オルガノホスフィン化合物の2s以上を
併用することは差支えない。
このようなオルガノホスフィン化合物を前記(ロ)成分
であるツメラック型フェノール樹脂と共に使用すること
により、組成物の硬化特性、保存安定性、高温時の電気
特性および耐湿性が共に改善されるという効果がもたら
される。この効果が有利に達成されるためには、このホ
スフィン化合物を前記した(イ)成分および(ロ)成分
の合計量100重量部当り、りん原子の重量割合が0.
04〜0.5重量部、特に0.05〜0.3重量部とな
る量で使用することが好ましい。この使用量が少なすぎ
ると硬化特性が悪く、また多すぎると組成物の保存安定
性、高温時の電気特性、耐湿特性が悪くなる場合が生ず
る。
であるツメラック型フェノール樹脂と共に使用すること
により、組成物の硬化特性、保存安定性、高温時の電気
特性および耐湿性が共に改善されるという効果がもたら
される。この効果が有利に達成されるためには、このホ
スフィン化合物を前記した(イ)成分および(ロ)成分
の合計量100重量部当り、りん原子の重量割合が0.
04〜0.5重量部、特に0.05〜0.3重量部とな
る量で使用することが好ましい。この使用量が少なすぎ
ると硬化特性が悪く、また多すぎると組成物の保存安定
性、高温時の電気特性、耐湿特性が悪くなる場合が生ず
る。
本発明に使用する(ハ)の無機充填剤としては、結晶性
、非晶質の天然あるいは合成シリカ粉末、三酸化アンチ
モン、アルミナ、ガラス繊維、ガラスピーズ、アスベス
ト、マイカ、クレー、タルク、酸化チタン、炭化ケイ素
、炭酸カルシウム、その他従来エポキシ樹脂組成物に配
合使用されているものが例示されるが、%にはシリカ粉
末、三酸化アンチモン、高純度アルミナ、ガラス繊維等
が望ましく、また粉状充填剤は平均粒子径0.01〜3
0μmのものが好ましい。更に成分(ハ)の無機充填剤
は上記成分(イ)のエポキシ樹脂と成分(ロ)のノボラ
ック型フェノール樹脂との合計;[1lOO重量部に対
し100〜500重量部の範囲で使用することが好まし
く、150〜400重量部がより望ましい。これは使用
量が少ないと線膨張係数が大きくなるという不利が生じ
る場合があり、また使用量が多すぎると、分散が困難と
なるばかりか、加工性、低応力、耐クラツク性の物性に
おいて不利になる場合が生じるからである。
、非晶質の天然あるいは合成シリカ粉末、三酸化アンチ
モン、アルミナ、ガラス繊維、ガラスピーズ、アスベス
ト、マイカ、クレー、タルク、酸化チタン、炭化ケイ素
、炭酸カルシウム、その他従来エポキシ樹脂組成物に配
合使用されているものが例示されるが、%にはシリカ粉
末、三酸化アンチモン、高純度アルミナ、ガラス繊維等
が望ましく、また粉状充填剤は平均粒子径0.01〜3
0μmのものが好ましい。更に成分(ハ)の無機充填剤
は上記成分(イ)のエポキシ樹脂と成分(ロ)のノボラ
ック型フェノール樹脂との合計;[1lOO重量部に対
し100〜500重量部の範囲で使用することが好まし
く、150〜400重量部がより望ましい。これは使用
量が少ないと線膨張係数が大きくなるという不利が生じ
る場合があり、また使用量が多すぎると、分散が困難と
なるばかりか、加工性、低応力、耐クラツク性の物性に
おいて不利になる場合が生じるからである。
本発明に係るに)の添加剤のうちフェナジン化合物は
で示されるフェナジン環を分子内に有する化合物で、例
えば、下記構造式で表わされる(i) ニグロシン系、
(ii)サフラニン系、 (iii)イン−)、、リ
ン系。
えば、下記構造式で表わされる(i) ニグロシン系、
(ii)サフラニン系、 (iii)イン−)、、リ
ン系。
及びアニリンブラック系のアジン染料などが用いられる
。
。
(i)ニグロシン系アジン染料
6H5
(ii)サフラニン系アジン染料
(iii)インシュリン系アジン染料
6H5
但し、上記(i)〜(iii )においてXはct等の
・・ログこれらのうちでは、とりわけ(i)のニグロシ
ン系染料を使用することが好ましい。
・・ログこれらのうちでは、とりわけ(i)のニグロシ
ン系染料を使用することが好ましい。
また、本発明に係るに)の添加剤のうちポリアゾ化合物
としては、下記構造式を有するものなどが用いられる。
としては、下記構造式を有するものなどが用いられる。
ε:;
n本発明に係る添加剤に)は、その配合量をエポキシ
樹脂とノボラック型フェノール樹脂との合計量100重
量部に対し0.05〜5重量部とすることが好ましく、
この範囲においてエポキシ樹脂組成物の耐湿性をより向
上させることができる。なお、上記添加剤としては、例
えば、その51を5oyの水に投入し、25℃で30分
間抽出し、た後、これをr遇することによって得られる
r液(抽出■中のハロダンイオン及びアルカリ金属イオ
ンの含有量がそれぞれ10 ppm以下であるものを使
用することが好ましい。
n本発明に係る添加剤に)は、その配合量をエポキシ
樹脂とノボラック型フェノール樹脂との合計量100重
量部に対し0.05〜5重量部とすることが好ましく、
この範囲においてエポキシ樹脂組成物の耐湿性をより向
上させることができる。なお、上記添加剤としては、例
えば、その51を5oyの水に投入し、25℃で30分
間抽出し、た後、これをr遇することによって得られる
r液(抽出■中のハロダンイオン及びアルカリ金属イオ
ンの含有量がそれぞれ10 ppm以下であるものを使
用することが好ましい。
本発明に係る(ホ)のオルガノポリシロキサンは、前記
式(1)で示される化合物からなり、その具体例として
下記構造式を有するものなどが挙げられる。
式(1)で示される化合物からなり、その具体例として
下記構造式を有するものなどが挙げられる。
(但し、上記式中tはO〜500の整数を示す。)但し
、上記式中mは0〜5ooの整数、pは10〜500(
D整数で、p、qはq/p=0.05〜0.5の関係で
表わされ、R′としては以下の構造を有する官能基が挙
げられる。
、上記式中mは0〜5ooの整数、pは10〜500(
D整数で、p、qはq/p=0.05〜0.5の関係で
表わされ、R′としては以下の構造を有する官能基が挙
げられる。
CH。
−CH2CH2CH20(C2H40−)、。H、−C
H2cH2CH20(03H60+2゜H−CH2CH
2CH2NH2,−CH2CH2CH2SH−CH2C
H2CH20CH2CH−CH2N2 −CF20F20F、 、、 −CH2CH2
(CF2)nCF3゜−8CH2CH2(CF2)nC
F’、 、 −COOCH2CH2(CF2)nCF、
。
H2cH2CH20(03H60+2゜H−CH2CH
2CH2NH2,−CH2CH2CH2SH−CH2C
H2CH20CH2CH−CH2N2 −CF20F20F、 、、 −CH2CH2
(CF2)nCF3゜−8CH2CH2(CF2)nC
F’、 、 −COOCH2CH2(CF2)nCF、
。
CH3CH3
(但し、nは3〜30の整数で表わされる。)更に、本
発明に係る(ホ)のオルガノポリシロキサンは、温度2
0℃での表面張力が35 dyne/c*以下であるこ
とが必要で、これ以上の表面張力を有するものは、シリ
コンチップ、フレーム等トの漏れ性が悪くなり、半導体
装置中に侵入してきた水分を防止して半導体を保護する
という効果が発揮し得なくなる。
発明に係る(ホ)のオルガノポリシロキサンは、温度2
0℃での表面張力が35 dyne/c*以下であるこ
とが必要で、これ以上の表面張力を有するものは、シリ
コンチップ、フレーム等トの漏れ性が悪くなり、半導体
装置中に侵入してきた水分を防止して半導体を保護する
という効果が発揮し得なくなる。
また、本発明に係る(ホ)のオルガノポリシロキサンは
、その配合量をエポキシ樹脂とノボラック型フェノール
樹脂との合計量x00!i部に対し0.05〜5重量部
、特に0.5〜4重量部とするととが好ましく、0.0
5重量部未満では目的とする耐湿性の向上を達成するこ
とができず、5重量部を越えると成形時にパリや流れな
どが発生し、成形性に悪影響を及ぼすので好ましくない
。
、その配合量をエポキシ樹脂とノボラック型フェノール
樹脂との合計量x00!i部に対し0.05〜5重量部
、特に0.5〜4重量部とするととが好ましく、0.0
5重量部未満では目的とする耐湿性の向上を達成するこ
とができず、5重量部を越えると成形時にパリや流れな
どが発生し、成形性に悪影響を及ぼすので好ましくない
。
本発明の組成物には、更に必要によりその目的、用途な
どに応じ、各種の添加剤を配合することができる。例え
ば、ワックス類、ステアリン酸などの脂肪酸及びその金
属塩等の離屋剤、カーゼンブラック等の顔料、難燃化剤
、表面処理剤(r−グリシドキシゾロビルトリメトキシ
シラン等)、老化防止剤、その他の添加剤を配合するこ
とは差支えない。なお、この表面処理剤(r−グリシド
キシゾロビルトリメトキシシラン等)は全塩素量10
ppm以下、特に5 ppm以下のものを用いることが
好ましい。
どに応じ、各種の添加剤を配合することができる。例え
ば、ワックス類、ステアリン酸などの脂肪酸及びその金
属塩等の離屋剤、カーゼンブラック等の顔料、難燃化剤
、表面処理剤(r−グリシドキシゾロビルトリメトキシ
シラン等)、老化防止剤、その他の添加剤を配合するこ
とは差支えない。なお、この表面処理剤(r−グリシド
キシゾロビルトリメトキシシラン等)は全塩素量10
ppm以下、特に5 ppm以下のものを用いることが
好ましい。
本発明の組成物は、上述した成分の所用量を均一に攪拌
、混合し、予め70〜95℃に加熱しであるロール、ニ
ーダ−などにより混練、冷却し、粉砕するなどの方法で
得ることができる。なお、成分の配合順序に特に制限は
ないが、上記に)の添加剤と上記(ホ)のオルガノポリ
シロキサンとを予め混合しておくと、耐湿性の向上に対
し、相乗的な効果を発揮することができ、上記に)の添
加剤と上記(ホ)のオルガノポリシロキサンとを予め混
合しておくことが好ましい。
、混合し、予め70〜95℃に加熱しであるロール、ニ
ーダ−などにより混練、冷却し、粉砕するなどの方法で
得ることができる。なお、成分の配合順序に特に制限は
ないが、上記に)の添加剤と上記(ホ)のオルガノポリ
シロキサンとを予め混合しておくと、耐湿性の向上に対
し、相乗的な効果を発揮することができ、上記に)の添
加剤と上記(ホ)のオルガノポリシロキサンとを予め混
合しておくことが好ましい。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、I C、LSI 。
トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等の半導体装置
の対土用、プリント回路板の製造などに使用される。な
お、半導体装置の封止を行なう場合は、従来より採用さ
れている成形法、例えばトランスファ成形、インジェク
シ讐ン成形、注型法などを採用して行なうことができる
。この場合、エポキシ樹脂組成物の成形温度は150〜
180℃ポストキュアーは150〜180℃で2〜16
時間行なうことが好ましい。
の対土用、プリント回路板の製造などに使用される。な
お、半導体装置の封止を行なう場合は、従来より採用さ
れている成形法、例えばトランスファ成形、インジェク
シ讐ン成形、注型法などを採用して行なうことができる
。この場合、エポキシ樹脂組成物の成形温度は150〜
180℃ポストキュアーは150〜180℃で2〜16
時間行なうことが好ましい。
発明の詳細
な説明したように、本発明はエポキシ樹脂と、ノボラッ
ク型フェノール樹脂と、無機充填剤と、更に分子内にフ
ェナジン環を有する化合物及び分子内にポリアゾ基を有
する化合物から選ばれる少なくとも1揮よりなる添加剤
と、温度20℃での表面張力が35 dyne/crI
L以下でかつ特定化学構造のオルガノポリシロキサンと
を含有していることにより、耐湿性、高温電気特性に優
れ、半導体装置対土用等として好適に用いられるエポキ
シ樹脂組成物が得られるものである。
ク型フェノール樹脂と、無機充填剤と、更に分子内にフ
ェナジン環を有する化合物及び分子内にポリアゾ基を有
する化合物から選ばれる少なくとも1揮よりなる添加剤
と、温度20℃での表面張力が35 dyne/crI
L以下でかつ特定化学構造のオルガノポリシロキサンと
を含有していることにより、耐湿性、高温電気特性に優
れ、半導体装置対土用等として好適に用いられるエポキ
シ樹脂組成物が得られるものである。
以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的に説明す
るが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない
。なお、下記の例において部は重量部を表わす。
るが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない
。なお、下記の例において部は重量部を表わす。
〔実施例1〜6.比較例1〜3〕
エポキシ化りレゾールノ♂ラック樹脂(EOCN102
0−70.日本化薬製)55部、フェノールノゼラック
樹脂(PSK 43 Q O、群栄化学製)35部、ブ
ロム化エポキシノ?ラック樹脂(BREN−S、日本化
薬jllり10部、溶融石英粉末(XF均粒径10μm
)250部、三酸化アンチモン5部、r−グリシドキシ
プロビルトリメトキシシラン(KBM 403 、信越
化学工業部)1部、トリフェニルフォスフイン1部、カ
ルナバワックス1部に更に第1表に示した種類、量のフ
ェナジン化合物及びオルガノポリシロキサンを配合した
。上記配合物を6インチロールを使用し、温度80〜9
0℃で5分間混練りした後、冷却、粉砕して実施例1〜
6及び比較例1〜3のエポキシ樹脂組成物を得た。
0−70.日本化薬製)55部、フェノールノゼラック
樹脂(PSK 43 Q O、群栄化学製)35部、ブ
ロム化エポキシノ?ラック樹脂(BREN−S、日本化
薬jllり10部、溶融石英粉末(XF均粒径10μm
)250部、三酸化アンチモン5部、r−グリシドキシ
プロビルトリメトキシシラン(KBM 403 、信越
化学工業部)1部、トリフェニルフォスフイン1部、カ
ルナバワックス1部に更に第1表に示した種類、量のフ
ェナジン化合物及びオルガノポリシロキサンを配合した
。上記配合物を6インチロールを使用し、温度80〜9
0℃で5分間混練りした後、冷却、粉砕して実施例1〜
6及び比較例1〜3のエポキシ樹脂組成物を得た。
次に、半導体用シリコンチップに線巾5μ、膜厚1μの
アルミニウム配線を施したものを14PINDIP
にマウントしたフレームを使用し、上記エポキシ樹脂組
成物で180℃、2分の成形条件において封止し、18
0℃で24時間アフターキュアーを行なって測定用サン
プルを得た。この測定用サンプルを用い、121℃、2
.2気圧のプレッシャークツカー内に放置し、2000
時間後におけるAt配線の腐食率を測定した(テストI
)。
アルミニウム配線を施したものを14PINDIP
にマウントしたフレームを使用し、上記エポキシ樹脂組
成物で180℃、2分の成形条件において封止し、18
0℃で24時間アフターキュアーを行なって測定用サン
プルを得た。この測定用サンプルを用い、121℃、2
.2気圧のプレッシャークツカー内に放置し、2000
時間後におけるAt配線の腐食率を測定した(テストI
)。
ti、mXI規格の金型を用い、180℃、7゜ユ/の
2の条件で上記エポキシ樹脂組成物の流動性(スパイラ
ルフロー)を調べた。(テストn)上記結果を第1表に
示す。
2の条件で上記エポキシ樹脂組成物の流動性(スパイラ
ルフロー)を調べた。(テストn)上記結果を第1表に
示す。
(注1)オリエント化学展
(注2)化合物Aは下記式で表わされ、表面張力22
d3’no/cWLである。
d3’no/cWLである。
(注3)化合物Bは下記式で表わされ、表面張力23d
yne/cWLである。
yne/cWLである。
第1表の結果から、本発明の範囲を満足する分子内にフ
ェナジン環を有する化合物と表面張力が35 dyne
以下でかつ上記式で示されるオルガノポリシロキサンと
を配合することにより、At配線の腐食防止効果に優れ
たエポキシ樹脂組成物が得られるが、分子内に7エナジ
ン環を有する化合物又は上記性質のオルガノポリシロキ
サンの少なくともいずれか一方が配合されていない場合
には、得られたエポキシ樹脂組成物のAt配線の腐食防
止効果が劣り、本発明の効果が確認された。なお、分子
内にフェナジン環を有する化合物の量が5部を越えた実
施例6のエポキシ樹脂組成物は実施例1〜6のエポキシ
樹脂組成物に比し、At配線の腐食防止効果には問題は
ないものの、流動性に劣る点で好ましくないことが判る
。
ェナジン環を有する化合物と表面張力が35 dyne
以下でかつ上記式で示されるオルガノポリシロキサンと
を配合することにより、At配線の腐食防止効果に優れ
たエポキシ樹脂組成物が得られるが、分子内に7エナジ
ン環を有する化合物又は上記性質のオルガノポリシロキ
サンの少なくともいずれか一方が配合されていない場合
には、得られたエポキシ樹脂組成物のAt配線の腐食防
止効果が劣り、本発明の効果が確認された。なお、分子
内にフェナジン環を有する化合物の量が5部を越えた実
施例6のエポキシ樹脂組成物は実施例1〜6のエポキシ
樹脂組成物に比し、At配線の腐食防止効果には問題は
ないものの、流動性に劣る点で好ましくないことが判る
。
〔実施例7〜11.比較例4.5〕
エポキシ化クレゾールノデラツク樹脂(EOCN102
0−70.日本化薬製)55部、フェノールツメラック
樹脂(PSK 4300 、群栄化学製)35部、ブロ
ム化エポキシノゲラック樹脂(BREN−S、日本化薬
製)10部、溶融石英粉末(平均粒径10μm)270
部、三酸化アンチモン5部、r−グリシドキシグロビル
トリメトキシシラン(KBM 403 、信越化学展)
1部、1.8−ジアザビシクロ(5,4,10)−ウン
デセン−71部、カルパナワックス1部に更に第2表に
示された種類。
0−70.日本化薬製)55部、フェノールツメラック
樹脂(PSK 4300 、群栄化学製)35部、ブロ
ム化エポキシノゲラック樹脂(BREN−S、日本化薬
製)10部、溶融石英粉末(平均粒径10μm)270
部、三酸化アンチモン5部、r−グリシドキシグロビル
トリメトキシシラン(KBM 403 、信越化学展)
1部、1.8−ジアザビシクロ(5,4,10)−ウン
デセン−71部、カルパナワックス1部に更に第2表に
示された種類。
量の?リアゾ化合物及びオルガノ& IJシクロサンを
配合した。上記化合物を6インチロールを使用し、温度
80〜90℃で5分間混練りした後、冷却、粉砕して実
施例7〜11及び比較例4.5のエポキシ樹脂組成物を
得た。
配合した。上記化合物を6インチロールを使用し、温度
80〜90℃で5分間混練りした後、冷却、粉砕して実
施例7〜11及び比較例4.5のエポキシ樹脂組成物を
得た。
次に実施例1〜6及び比較例1〜3と同様にして測定用
サンプルを得た。この測定用サンプルを用い、前述のテ
スト■及び以下のテスト[[を行なった0 テスト■; 測定用サンプルを85℃/85%RI(の恒温恒湿槽に
放置し、20Vのバイアスを印加し、1000時間後の
At配線の腐食率を測定した。
サンプルを得た。この測定用サンプルを用い、前述のテ
スト■及び以下のテスト[[を行なった0 テスト■; 測定用サンプルを85℃/85%RI(の恒温恒湿槽に
放置し、20Vのバイアスを印加し、1000時間後の
At配線の腐食率を測定した。
上記テス)I及び■の結果を第2表に示す。
(注4)ミハラ化学社製
(注5)オリエント化学社製
(注6)化合物C:
(注7)化合物りは下記式で表わされ、表面張力33
dyne/crnである。
dyne/crnである。
(注8)化合物Eは下記式で表わされ、異面張力13d
yne/crrLである。
yne/crrLである。
CH5CH,CH3CH。
(注9)化合物Fは下記式で表わされ、表面張力39
dyne /αである。
dyne /αである。
(注10)該実施例のポリアゾ化合物とオルガノポリシ
ロキサン化合物は予め100℃にて加熱混合処理を行な
ったものである。
ロキサン化合物は予め100℃にて加熱混合処理を行な
ったものである。
第2表の結果から、本発明の範囲を満足するポリアゾ化
合物と表面張力が35dμθ−下でかつ上式で示される
オルガノポリシロキサンとを配合することにより、AA
腐食防止効果に優れたエポキシ樹脂組成物が得られるが
1.f? IJアゾ化合物の代りポリシロキサンを用い
た比較例4のエポキシ樹脂組成物は、いずれも他の条件
が本発明の範囲を満足しているにもかかわらすAt腐食
防止効果に劣り、本発明の範囲を1つでも満足しない場
合にはAt腐食防止効果に優れたエポキシ樹脂組成物が
得られなりことが知見され、本発明の効果がより一層確
認された。
合物と表面張力が35dμθ−下でかつ上式で示される
オルガノポリシロキサンとを配合することにより、AA
腐食防止効果に優れたエポキシ樹脂組成物が得られるが
1.f? IJアゾ化合物の代りポリシロキサンを用い
た比較例4のエポキシ樹脂組成物は、いずれも他の条件
が本発明の範囲を満足しているにもかかわらすAt腐食
防止効果に劣り、本発明の範囲を1つでも満足しない場
合にはAt腐食防止効果に優れたエポキシ樹脂組成物が
得られなりことが知見され、本発明の効果がより一層確
認された。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、(イ)エポキシ樹脂と、(ロ)ノボラック量フェノ
ール樹脂と、(ハ)無機充填剤とを含有し、更に(ニ)
分子内にフェナジン環を有する化合物及びポリアゾ化合
物から選択される少なくとも1種よりなる添加剤と、(
ホ)下記式(1) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(1) (但し、式中Rは水素原子、水酸基、アルコキシ基又は
一価の有機基を示し、mは平均値として1.8〜3.0
の正数、nは2以上の整数を表わす。)で示され、かつ
温度20℃での表面張力が35ダイン/cm以下のオル
ガノポリシロキサンとを含有してなることを特徴とする
エポキシ樹脂組成物。 2、(ハ)の無機充填剤が、エポキシ樹脂とノボラック
型フェノール樹脂との合計量100重量部当り100〜
500重量部配合されてなる特許請求の範囲第1項記載
のエポキシ樹脂組成物。 3、(ハ)の無機充填剤が、平均粒径0.01〜30μ
mのものである特許請求の範囲第1項又は第2項記載の
エポキシ樹脂組成物。 4、(ニ)の添加剤がエポキシ樹脂とノボラック量フェ
ノール樹脂との合計量100重量部当り0.05〜5重
量部配合されてなる特許請求の範囲第1項乃至第3項の
いずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物。 5、(ニ)の添加剤が、ハロゲンイオン及びアルカリ金
属イオンの含有量が各々10ppm以下である抽出水に
より抽出されたものである特許請求の範囲第1項乃至第
4項のいずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成物。 6、(ホ)のオルガノポリシロキサンが、エポキシ樹脂
とノボラック型フェノール樹脂との合計量100重量部
当り0.05〜5重量部配合されてなる特許請求の第1
項乃至第5項のいずれか1項に記載のエポキシ樹脂組成
物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25961985A JPS62119225A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25961985A JPS62119225A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | エポキシ樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62119225A true JPS62119225A (ja) | 1987-05-30 |
| JPS6325014B2 JPS6325014B2 (ja) | 1988-05-24 |
Family
ID=17336592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25961985A Granted JPS62119225A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62119225A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000031972A (ko) * | 1998-11-11 | 2000-06-05 | 유현식 | 반도체 소자 봉지재용 에폭시 수지 조성물 |
| JP2012082281A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| US20150160560A1 (en) * | 2009-12-25 | 2015-06-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Developing solution for photolithography, method for forming resist pattern, and method and apparatus for producing developing solution for photolithography |
-
1985
- 1985-11-18 JP JP25961985A patent/JPS62119225A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000031972A (ko) * | 1998-11-11 | 2000-06-05 | 유현식 | 반도체 소자 봉지재용 에폭시 수지 조성물 |
| US20150160560A1 (en) * | 2009-12-25 | 2015-06-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Developing solution for photolithography, method for forming resist pattern, and method and apparatus for producing developing solution for photolithography |
| US9291905B2 (en) * | 2009-12-25 | 2016-03-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Developing solution for photolithography, method for forming resist pattern, and method and apparatus for producing developing solution for photolithography |
| JP2012082281A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6325014B2 (ja) | 1988-05-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |