JPS6212200B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6212200B2 JPS6212200B2 JP57048418A JP4841882A JPS6212200B2 JP S6212200 B2 JPS6212200 B2 JP S6212200B2 JP 57048418 A JP57048418 A JP 57048418A JP 4841882 A JP4841882 A JP 4841882A JP S6212200 B2 JPS6212200 B2 JP S6212200B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glaze
- weight
- thermal expansion
- porcelain
- infrared
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Gas Burners (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規な施釉したセラミツクス赤外線
放射体を製造するための方法に関するものであ
る。さらに詳しくいえば、本発明は、素地と釉の
両方の熱膨張をできるだけ低くするように材料を
選択して耐熱衝撃性を高めた、黒体の放射率に近
い高効率放射体及び短波長域の放放射率が低いに
もかかわらず波長４〜５μｍ以遠の放射率が高
い、いわゆる遠赤外線放射体の製造方法に関する
ものである。
放射体を製造するための方法に関するものであ
る。さらに詳しくいえば、本発明は、素地と釉の
両方の熱膨張をできるだけ低くするように材料を
選択して耐熱衝撃性を高めた、黒体の放射率に近
い高効率放射体及び短波長域の放放射率が低いに
もかかわらず波長４〜５μｍ以遠の放射率が高
い、いわゆる遠赤外線放射体の製造方法に関する
ものである。
赤外線放射体は、通常加熱した状態で用いられ
るので、熱膨張率が小さく、かつ常温から約800
℃までの温度範囲で異常熱膨張を生じない材料を
用いることが必要である。
るので、熱膨張率が小さく、かつ常温から約800
℃までの温度範囲で異常熱膨張を生じない材料を
用いることが必要である。
また、吸水性の材料を用いると、吸収された水
分が加熱によつて気化し、その膨張圧によつて構
造が破壊することがあるので、吸水性が低いこと
も要求される。
分が加熱によつて気化し、その膨張圧によつて構
造が破壊することがあるので、吸水性が低いこと
も要求される。
このような高効率赤外線放射体及び遠赤外線放
射体に対しての要求を満たすとともに、表面の外
観を改善し、かつ表面の汚れ付着を防止するに
は、セラミツクス赤外線放射体の表面に施釉すれ
ばよいが、加熱して使用する際に熱膨張率の差異
により素地と釉とが剥離したりその境界部分でク
ラツクを生じるのを免れない。
射体に対しての要求を満たすとともに、表面の外
観を改善し、かつ表面の汚れ付着を防止するに
は、セラミツクス赤外線放射体の表面に施釉すれ
ばよいが、加熱して使用する際に熱膨張率の差異
により素地と釉とが剥離したりその境界部分でク
ラツクを生じるのを免れない。
本発明者は、このような問題点を解決するため
に、素地として低熱膨張性のβ―スポジユーメン
系磁器又はコージエライト系磁器を用いるととも
に、その上に施す釉薬を特定の低膨張性のものと
すればよいことを見出し、本発明をなすに至つ
た。
に、素地として低熱膨張性のβ―スポジユーメン
系磁器又はコージエライト系磁器を用いるととも
に、その上に施す釉薬を特定の低膨張性のものと
すればよいことを見出し、本発明をなすに至つ
た。
すなわち、本発明は、低熱膨張性のβ―スポジ
ユーメン系磁器又はコージエライト系磁器を素地
とし、この上に、Li2O，CaO，Al2O3及びSiO2か
ら成る組成又はこれにさらにZnOを加えた組成を
有する低膨張性マツト釉あるいはこのマツト釉に
黒色の遷移金属酸化物焼成物を配合したものを施
釉し、1100〜1300℃で焼成することを特徴とする
赤外線放射体の製造方法を提供するものである。
ユーメン系磁器又はコージエライト系磁器を素地
とし、この上に、Li2O，CaO，Al2O3及びSiO2か
ら成る組成又はこれにさらにZnOを加えた組成を
有する低膨張性マツト釉あるいはこのマツト釉に
黒色の遷移金属酸化物焼成物を配合したものを施
釉し、1100〜1300℃で焼成することを特徴とする
赤外線放射体の製造方法を提供するものである。
本発明方法における素地としては、コージエラ
イト（2MgO・2Al2O3・5SiO2）を主体としたも
の、又はベタライト〔（Li2O・Na2O）・Al2O3・
8SiO2〕を原料として調製した低膨張性のβ―ス
ポジユーメン（Li2O・Al2O3・4SiO2）が用いられ
る。これらの素地の線熱膨張係数は０ないし５×
10-6程度が好ましい。
イト（2MgO・2Al2O3・5SiO2）を主体としたも
の、又はベタライト〔（Li2O・Na2O）・Al2O3・
8SiO2〕を原料として調製した低膨張性のβ―ス
ポジユーメン（Li2O・Al2O3・4SiO2）が用いられ
る。これらの素地の線熱膨張係数は０ないし５×
10-6程度が好ましい。
また、この上に施される釉薬としては、組成式
0.7Li2O・0.3CaO・0.5Al2O3
・0.3SiO2
に相当する釉、あるいはこのCaOの一部がZnOに
より置換された、組成式 0.7Li2O・0.2CaO・0.1ZnO ・0.5Al2O3・3.0SiO2 に相当する釉を生成するような白色マツト釉を用
いるのが有利である。このような白色マツト釉
は、例えばベタライトを主体とし、これに炭酸リ
チウム、石灰石、ドロマイト、亜鉛華などを混合
し、湿式微粉砕し、スラリー状とすることによつ
て調製することができる。この白色マツト釉を施
した場合は、いわゆる遠赤外線放射体を得ること
ができる。
より置換された、組成式 0.7Li2O・0.2CaO・0.1ZnO ・0.5Al2O3・3.0SiO2 に相当する釉を生成するような白色マツト釉を用
いるのが有利である。このような白色マツト釉
は、例えばベタライトを主体とし、これに炭酸リ
チウム、石灰石、ドロマイト、亜鉛華などを混合
し、湿式微粉砕し、スラリー状とすることによつ
て調製することができる。この白色マツト釉を施
した場合は、いわゆる遠赤外線放射体を得ること
ができる。
他方、放射効率の高い赤外線放射体を得るに
は、この白色マツト釉に放射率の良好な黒色の遷
移元素酸化物例えば二酸化マンガン、酸化鉄、酸
化コバルト、酸化銅、酸化クロムなどの焼成物を
配合した、黒色ないし黒褐色の釉薬を用いる。白
色マツト釉に対する遷移元素酸化物焼成物の配合
量としては、５〜20重量％の範囲が適当である。
は、この白色マツト釉に放射率の良好な黒色の遷
移元素酸化物例えば二酸化マンガン、酸化鉄、酸
化コバルト、酸化銅、酸化クロムなどの焼成物を
配合した、黒色ないし黒褐色の釉薬を用いる。白
色マツト釉に対する遷移元素酸化物焼成物の配合
量としては、５〜20重量％の範囲が適当である。
本発明方法を好適に実施するには、所定の素地
を素焼し、その上に湿式微粉砕法によりスラリー
状に調製した所定の組成の白色マツト釉又は黒色
釉を施釉したのち、1200〜1250℃の酸化焔で焼成
する。この際の素地の形状は、板状、棒状、管
状、その他任意のものとすることができる。この
ようにして得た放射体の適所に電気抵抗体を形成
させれば、セラミツクスヒーターとすることがで
きる。
を素焼し、その上に湿式微粉砕法によりスラリー
状に調製した所定の組成の白色マツト釉又は黒色
釉を施釉したのち、1200〜1250℃の酸化焔で焼成
する。この際の素地の形状は、板状、棒状、管
状、その他任意のものとすることができる。この
ようにして得た放射体の適所に電気抵抗体を形成
させれば、セラミツクスヒーターとすることがで
きる。
本発明方法により得られる施釉した赤外線放射
体は、耐熱衝撃性が高く、また長期間にわたつて
使用しても、素地部と釉部との剥離やクラツクを
生じない上に、外観が滑らかで汚れにくいという
長所がある。
体は、耐熱衝撃性が高く、また長期間にわたつて
使用しても、素地部と釉部との剥離やクラツクを
生じない上に、外観が滑らかで汚れにくいという
長所がある。
次に実施例により本発明をさらに詳細に説明す
る。
る。
実施例 １
ベタライト80重量％と粘土20重量％の混合物を
湿式微粉砕し、乾燥後、プレス成形により板状体
（厚さ５mm、縦300mm、横250mm）とし、約800℃に
おいて素焼した。
湿式微粉砕し、乾燥後、プレス成形により板状体
（厚さ５mm、縦300mm、横250mm）とし、約800℃に
おいて素焼した。
このようにして得た素地の熱膨張曲線を第１図
に実線で示す（符号Ａ）。
に実線で示す（符号Ａ）。
次にベタライト75.0重量％、炭酸リチウム8.4
重量％、石灰石7.0重量％、亜鉛華2.8重量％及び
水水酸化アルミニウム6.8重量％から成る混合物
を湿式微粉砕し、スラリー状の白色マツト釉を調
製した。この白色マツト釉は、式 0.7Li2O・0.2CaO・0.1ZnO ・0.5Al2O3・3.0SiO2 に相当する組成を有し、その焼成体は、第１図に
破線（符号Ｂ）で示した熱膨張曲線を有する。
重量％、石灰石7.0重量％、亜鉛華2.8重量％及び
水水酸化アルミニウム6.8重量％から成る混合物
を湿式微粉砕し、スラリー状の白色マツト釉を調
製した。この白色マツト釉は、式 0.7Li2O・0.2CaO・0.1ZnO ・0.5Al2O3・3.0SiO2 に相当する組成を有し、その焼成体は、第１図に
破線（符号Ｂ）で示した熱膨張曲線を有する。
前記した素焼素地の表側面に、この白色マツト
釉を施釉し、1200〜1250℃の範囲の温度の酸化焔
で焼成することにより遠赤外線放射パネル板を製
造した。
釉を施釉し、1200〜1250℃の範囲の温度の酸化焔
で焼成することにより遠赤外線放射パネル板を製
造した。
別にSnO290重量％とSb2O510重量％の粉末混合
物に水を加えてスラリー状とし、前記のパネル板
の裏面側に塗布し、1000〜1200℃の温度で焼き付
けて抵抗体を形成し、さらにその両端に銀ペース
トでターミナルを作り、500℃で焼き付け、遠赤
外線ヒーターを製造した。
物に水を加えてスラリー状とし、前記のパネル板
の裏面側に塗布し、1000〜1200℃の温度で焼き付
けて抵抗体を形成し、さらにその両端に銀ペース
トでターミナルを作り、500℃で焼き付け、遠赤
外線ヒーターを製造した。
このものの、表面温度を500℃にしたときの半
球面分光赤外線放射発散度曲線は、第２図に実線
（符号Ｉ）で示すように、遠赤外線放射体の特性
を有する。
球面分光赤外線放射発散度曲線は、第２図に実線
（符号Ｉ）で示すように、遠赤外線放射体の特性
を有する。
このようにして得られた遠赤外線ヒーターは、
常温から500℃までの線熱膨張係数が素地部で2.3
×10-6、釉部が2.6×10-6と比較的低く、十分実
用に供することができる。
常温から500℃までの線熱膨張係数が素地部で2.3
×10-6、釉部が2.6×10-6と比較的低く、十分実
用に供することができる。
実施例 ２
ベタライト60重量％、長石10重量％及び粘土30
重量％から成る混合物を微粉砕後、練土状に調製
し、押出成形によりパイプ状（外径20mm、内径15
mm、長さ500mm）に成形したのち、素焼した。こ
のものの線熱膨張曲線を第１図に鎖線（符号
A′）で示す。
重量％から成る混合物を微粉砕後、練土状に調製
し、押出成形によりパイプ状（外径20mm、内径15
mm、長さ500mm）に成形したのち、素焼した。こ
のものの線熱膨張曲線を第１図に鎖線（符号
A′）で示す。
次に、ベタライト74.6重量％、炭酸リチウム
8.3重量％、石灰石10.4重量％及び水酸化アルミ
ニウム6.7重量％から成る基本釉組成物に、あら
かじめ、MnO260重量％、Fe2O320重量％、
CaO10重量％及びCuO10重量％の混合物を1100
℃で仮焼して調製した焼成物を17重量％の割合で
添加し、湿式粉砕することにより釉スラリーを得
た。
8.3重量％、石灰石10.4重量％及び水酸化アルミ
ニウム6.7重量％から成る基本釉組成物に、あら
かじめ、MnO260重量％、Fe2O320重量％、
CaO10重量％及びCuO10重量％の混合物を1100
℃で仮焼して調製した焼成物を17重量％の割合で
添加し、湿式粉砕することにより釉スラリーを得
た。
このものの線熱膨張曲線を第１図に二点鎖線
（符号B′）で示す。前記の素焼した素地に、この
釉スラリーを施こし、1200℃の酸化焔で焼成し、
表面が黒色の管状放射体を製造した。
（符号B′）で示す。前記の素焼した素地に、この
釉スラリーを施こし、1200℃の酸化焔で焼成し、
表面が黒色の管状放射体を製造した。
この管状放射体の内部にニクロム線を装入すれ
ば赤外線ヒーターとなる。このものは、第２図の
破線（符号）で示すような赤外線放射特性を有
する。
ば赤外線ヒーターとなる。このものは、第２図の
破線（符号）で示すような赤外線放射特性を有
する。
なお、第２図には比較のために、黒体の半球面
分光赤外線放射発散度を鎖線（符号）で併記し
た。
分光赤外線放射発散度を鎖線（符号）で併記し
た。
この例におけるMnO260重量％、Fe2O320重量
％、CaO10重量％及びCuO10重量％から成る混
合物の代りに、Fe2O380重量％、MnO215重量％
及びCoO5重量％から成る混合物を用い他は同様
にして赤外線放射体を製造した場合もほとんど同
じ結果が得られた。
％、CaO10重量％及びCuO10重量％から成る混
合物の代りに、Fe2O380重量％、MnO215重量％
及びCoO5重量％から成る混合物を用い他は同様
にして赤外線放射体を製造した場合もほとんど同
じ結果が得られた。
実施例 ３
タルク25重量％、アルミナ８重量％、粘土68重
量％の割合で各成分を用意し、先ずタルクとアル
ミナと粘土の中の43重量％相当分だけを混合し
て、1300〜1400℃において仮焼し、次いで残りの
粘土を加えてコージエライト素地を調製した。こ
れを実施例２と同様にしてパイプ状に成形し、素
焼きした。このようにして得た素地の常温から
500℃までの線熱膨張係数は2.7×10-6であつた。
量％の割合で各成分を用意し、先ずタルクとアル
ミナと粘土の中の43重量％相当分だけを混合し
て、1300〜1400℃において仮焼し、次いで残りの
粘土を加えてコージエライト素地を調製した。こ
れを実施例２と同様にしてパイプ状に成形し、素
焼きした。このようにして得た素地の常温から
500℃までの線熱膨張係数は2.7×10-6であつた。
次に、実施例２と同じ組成の黒色釉を施釉し、
同じようにして焼成することにより表面が黒色の
赤外線放射体が得られた。
同じようにして焼成することにより表面が黒色の
赤外線放射体が得られた。
前記の素地の線熱膨張曲線を第１図に点線（符
号Ｃ）で示す。
号Ｃ）で示す。
第１図は、本発明の各実施例で得た素地及び釉
の焼成後の線熱膨張曲線を示すグラフ、第２図
は、各実施例で得られた放射体及び黒体の表面温
度を500℃としたときの半球面分光赤外線放射発
散度曲線を示すグラフである。
の焼成後の線熱膨張曲線を示すグラフ、第２図
は、各実施例で得られた放射体及び黒体の表面温
度を500℃としたときの半球面分光赤外線放射発
散度曲線を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 低熱膨張性のβ―スポジユーメン系磁器又は
コージエライト系磁器を素地とし、この上に、
Li2O，CaO，Al2O3及びSiO2から成る組成又はこ
れにさらにZnOを加えた組成を有する低膨張性マ
ツト釉を施釉し、1100〜1300℃で焼成することを
特徴とする赤外線放射体の製造方法。 ２ 低熱膨張性のβ―スポジユーメン系磁器又は
コージエライト系磁器を素地とし、この上に、
Li2O，CaO，Al2O3及びSiO2から成る組成又はこ
れにさらにZnOを加えた組成を有する低膨張性マ
ツト釉に黒色の遷移金属酸化物焼成物を配合した
ものを施釉し、1100〜1300℃で焼成することを特
徴とする赤外線放射体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57048418A JPS58167483A (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | 施釉したセラミツクス赤外線放射体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57048418A JPS58167483A (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | 施釉したセラミツクス赤外線放射体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58167483A JPS58167483A (ja) | 1983-10-03 |
| JPS6212200B2 true JPS6212200B2 (ja) | 1987-03-17 |
Family
ID=12802764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57048418A Granted JPS58167483A (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | 施釉したセラミツクス赤外線放射体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58167483A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01131056A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-23 | Chugai Ro Co Ltd | 遠赤外線放射体 |
| JPH01314716A (ja) * | 1988-06-10 | 1989-12-19 | Unitika Ltd | 保温性を有する白色系布帛 |
| US7754345B2 (en) * | 2004-06-16 | 2010-07-13 | Jih-Hsin Tsai | Far infrared emitting nano glaze |
| WO2014123294A1 (ko) * | 2013-02-06 | 2014-08-14 | (주)에릭스 | 내열도자기 표면에 도포되어 마이크로파를 흡수하여 발열되는 발열체 조성물, 그를 포함하는 도자기용 전사지, 그를 포함하는 원적외선 발열 도자기 및 그 제조방법 |
-
1982
- 1982-03-25 JP JP57048418A patent/JPS58167483A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58167483A (ja) | 1983-10-03 |
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