JPS62123781A - 光電変換素子 - Google Patents
光電変換素子Info
- Publication number
- JPS62123781A JPS62123781A JP60263123A JP26312385A JPS62123781A JP S62123781 A JPS62123781 A JP S62123781A JP 60263123 A JP60263123 A JP 60263123A JP 26312385 A JP26312385 A JP 26312385A JP S62123781 A JPS62123781 A JP S62123781A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- conversion element
- layer
- amorphous silicon
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/70—Surface textures, e.g. pyramid structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/244—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、アモルファスシリコンを用いた太陽電池など
に有利に■いられる光電変換素子に関する。
に有利に■いられる光電変換素子に関する。
背景技術
典型的な先行技術は、第４図に示されている。
この光電変換素子１は、ステンレス鋼などから成る金属
基板２上に、Ｐ型アモルファスシリコン層３と、Ｉ型ア
モルファスシリコン層４と、Ｎ型アモルファス２９７２
層５とがこの順序で接合されて構成される。トＩ型アモ
ルファスシリコン層５上には、酸化インノウムースズ（
ＩＳＯ）などから成る透明導電Ｗｉ６と、上部電極８と
がｆ↓空蒸着などによってそれぞれ形成される。透明導
電層６測から入射される光は、Ｐ型、Ｉ型およびＮ型ア
モル７７久ンリコン層３〜５内で光電変換され、２生じ
た電流は、金属基板２と上部電極３とに接続される図示
しない外部の負荷に供給され、こうして太陽電池として
の機能が実現される。
基板２上に、Ｐ型アモルファスシリコン層３と、Ｉ型ア
モルファスシリコン層４と、Ｎ型アモルファス２９７２
層５とがこの順序で接合されて構成される。トＩ型アモ
ルファスシリコン層５上には、酸化インノウムースズ（
ＩＳＯ）などから成る透明導電Ｗｉ６と、上部電極８と
がｆ↓空蒸着などによってそれぞれ形成される。透明導
電層６測から入射される光は、Ｐ型、Ｉ型およびＮ型ア
モル７７久ンリコン層３〜５内で光電変換され、２生じ
た電流は、金属基板２と上部電極３とに接続される図示
しない外部の負荷に供給され、こうして太陽電池として
の機能が実現される。
このような先行技術では、透明導電層６の＆而が平坦で
あるために光の反射率が大きく、したがって入射光量を
増加することができない。このためＰ型、■型およびＮ
型アそルアＴスシリコン層３〜５における光の吸収率を
高めることができず、短絡層；嘉の増加および曲線因子
を改善することができない。
あるために光の反射率が大きく、したがって入射光量を
増加することができない。このためＰ型、■型およびＮ
型アそルアＴスシリコン層３〜５における光の吸収率を
高めることができず、短絡層；嘉の増加および曲線因子
を改善することができない。
発明が解決しようと士る間厘点
本発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、短絡電流
の増加および曲線因子の改善を図り、これによって光電
変換効率を向上させるようにした光電変換素子を提供す
ることである。
の増加および曲線因子の改善を図り、これによって光電
変換効率を向上させるようにした光電変換素子を提供す
ることである。
問題点を解決するための手段
本発明は、基板と、
Ｗ板上に形成され、基板とは反対側の表面が微細な凹凸
に形成されている導電性電極と、前記導電性電極上に形
成される光電変換半導体層と、 前記光電変換半導体層上に形成される透明導電層とを含
むことを特徴とする光電変換素子である。
に形成されている導電性電極と、前記導電性電極上に形
成される光電変換半導体層と、 前記光電変換半導体層上に形成される透明導電層とを含
むことを特徴とする光電変換素子である。
作 用
本発明に従えば、基板上に導電性電極を形成し、この導
電性電極の基板とは反対側の表面を微細な凹凸に形成す
ることによって、光の吸収率を高めて、光電変換効率の
向上を図ることができる。
電性電極の基板とは反対側の表面を微細な凹凸に形成す
ることによって、光の吸収率を高めて、光電変換効率の
向上を図ることができる。
実施例
第１図は、本発明に従う光電変換素子１０の断面図であ
る。この光電変換素子１０は、基本的には、従来の光電
変換素子１（第４図参照）に類似した（１が成を有する
。すなわちステンレス鋼などから成る金属基板１１上に
は、酸化インノウムースズから成る導電ｗＪ２１と、酸
化スズ（Ｓ１１０２）から成るバッフＴ層２２との二層
購造を有する導電性電極１２が形成される。この導電性
電極１２上には、光電変換半導体層としてのＰ型アモル
ファスシリコン層１３と、Ｉ型アモルファスシリコン層
１４と、Ｎ型アモルファスシリコンＮ １５とがこの類
序で接合される。Ｎ型アモルファス２９７７層１５上に
は、酸化インノウムースズなどから成る透明導電層１６
と、上部電極１６ａとが真空蒸着などによってそれぞれ
形成される。
る。この光電変換素子１０は、基本的には、従来の光電
変換素子１（第４図参照）に類似した（１が成を有する
。すなわちステンレス鋼などから成る金属基板１１上に
は、酸化インノウムースズから成る導電ｗＪ２１と、酸
化スズ（Ｓ１１０２）から成るバッフＴ層２２との二層
購造を有する導電性電極１２が形成される。この導電性
電極１２上には、光電変換半導体層としてのＰ型アモル
ファスシリコン層１３と、Ｉ型アモルファスシリコン層
１４と、Ｎ型アモルファスシリコンＮ １５とがこの類
序で接合される。Ｎ型アモルファス２９７７層１５上に
は、酸化インノウムースズなどから成る透明導電層１６
と、上部電極１６ａとが真空蒸着などによってそれぞれ
形成される。
本発明では、透明導電層１６の表面の光の反射率を低下
させるために、導電性電極１２の金属基板１１に臨む面
とは反対側の面を粗面化、すなわち微細な凹凸に形成し
、これによって透明導電層１６の表面を粗面化とした同
様な効果を得ようとするものである。透明導電層１６の
表面を粗面化することによって、Ｐ型、■型およびＮ型
アモルファス２９７２層１３〜１５における光の吸収率
を高めることができ、これによって後述するように本発
明に従う光電変換素子１０の光電変換効率の向上を図る
ことができる。
させるために、導電性電極１２の金属基板１１に臨む面
とは反対側の面を粗面化、すなわち微細な凹凸に形成し
、これによって透明導電層１６の表面を粗面化とした同
様な効果を得ようとするものである。透明導電層１６の
表面を粗面化することによって、Ｐ型、■型およびＮ型
アモルファス２９７２層１３〜１５における光の吸収率
を高めることができ、これによって後述するように本発
明に従う光電変換素子１０の光電変換効率の向上を図る
ことができる。
導電性電極１２を粗面化するにあたっては、金属フ、１
コ板１１上に、まず真空蒸着やメッキ法などによって酸
化インノウムーチタン（ＩＴＯ）を約数１０００人の膜
厚で堆積させ、これによって導電層２１を形成する。こ
のとき蒸着時間の変化および金Ｆｉ ｊ３；板１】の温
度の変化などによって、導電層２１の金属基板１１に臨
む面とは反対側の面を、約数１００Å以上の微細な凹凸
状に形成することができる。その後、導電層２１上に真
空蒸着やメンキ法などによって酸化スズ（ＳｎＯｚ）を
約１００人の膜厚でＩｌｌ ｆ貞させ、これ１こよって
パン７７５２２を形成する。バ、７７Ｗｉ２２の導電Ｊ
？ｇ２１に臨む而とは反対側の面は、導電Ｒ１！２１の
上記約１００人夏、上の微細な凹凸形状とほぼ等しい凹
凸形状に形成される。
コ板１１上に、まず真空蒸着やメッキ法などによって酸
化インノウムーチタン（ＩＴＯ）を約数１０００人の膜
厚で堆積させ、これによって導電層２１を形成する。こ
のとき蒸着時間の変化および金Ｆｉ ｊ３；板１】の温
度の変化などによって、導電層２１の金属基板１１に臨
む面とは反対側の面を、約数１００Å以上の微細な凹凸
状に形成することができる。その後、導電層２１上に真
空蒸着やメンキ法などによって酸化スズ（ＳｎＯｚ）を
約１００人の膜厚でＩｌｌ ｆ貞させ、これ１こよって
パン７７５２２を形成する。バ、７７Ｗｉ２２の導電Ｊ
？ｇ２１に臨む而とは反対側の面は、導電Ｒ１！２１の
上記約１００人夏、上の微細な凹凸形状とほぼ等しい凹
凸形状に形成される。
導電Ｗｉ２１は、下部電極としてのは能を果たし、また
パンツ７に！１２２は、導電層２１中に含まれるインノ
ウムの拡散を減少させる役割を果たす。このように導電
性電極１２を、導電層２１とバ・ン７ＴＷＪ２２との二
ＪＦ！ｉ構造とすることによって、光透過率を問題にす
る必要がなく、しから導電層２１の粗面化をより容易に
コントロールすることができるという特長を有する。
パンツ７に！１２２は、導電層２１中に含まれるインノ
ウムの拡散を減少させる役割を果たす。このように導電
性電極１２を、導電層２１とバ・ン７ＴＷＪ２２との二
ＪＦ！ｉ構造とすることによって、光透過率を問題にす
る必要がなく、しから導電層２１の粗面化をより容易に
コントロールすることができるという特長を有する。
このように金属基板１１上に、粗面化した導電層１２を
形成した後、導電性電極１２上にグロー放電によるプラ
ズマＣＶ Ｄ （Ｃｂｅｍｉｃａｌ Ｖ ａｌ＋ｏｕ
ｒＤ ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって、Ｐ型アモルフ
ァスシリコン層１３と、Ｉ型アモルファスシリコン１１
．ｉと、Ｎ型アモルファス２９３２層１５とをこの預序
でそれぞれ均一な膜厚で形成する。さら（こＮ型アモル
ファス２９７７層１５上に、真空蒸着などによって酸化
インノウムーチタン（ＩＴＯ）などから成る透明導電層
１６を均一な膜厚で形成する。
形成した後、導電性電極１２上にグロー放電によるプラ
ズマＣＶ Ｄ （Ｃｂｅｍｉｃａｌ Ｖ ａｌ＋ｏｕ
ｒＤ ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって、Ｐ型アモルフ
ァスシリコン層１３と、Ｉ型アモルファスシリコン１１
．ｉと、Ｎ型アモルファス２９３２層１５とをこの預序
でそれぞれ均一な膜厚で形成する。さら（こＮ型アモル
ファス２９７７層１５上に、真空蒸着などによって酸化
インノウムーチタン（ＩＴＯ）などから成る透明導電層
１６を均一な膜厚で形成する。
これらＰ型、■型およびＮ型アモルファスシリフン層１
３〜１５、および透明導電層１６は、導電性電極１２の
前記微細な凹凸上にそれぞれ堆積されることによって°
、透明導電層１６の表面には、導電性電極１２の前記微
細な凹凸形状がそのまま現れることとなる。したがって
導電性電極１２を粗面化することによっ′〔、結果的に
は透明導電層１Ｇの表面を粗面化したと同様な効果を得
ることができる。
３〜１５、および透明導電層１６は、導電性電極１２の
前記微細な凹凸上にそれぞれ堆積されることによって°
、透明導電層１６の表面には、導電性電極１２の前記微
細な凹凸形状がそのまま現れることとなる。したがって
導電性電極１２を粗面化することによっ′〔、結果的に
は透明導電層１Ｇの表面を粗面化したと同様な効果を得
ることができる。
木兄町名の実験によれば、従来の光電変換素子１（第・
を図参照）における電流／電圧特性は、第２図のライン
！１で示されるとおりであり、本発明に従う光電変換索
子１０の電流／電圧特性はラインア２で示されるとおり
である。この実験結果から明らかなように、光電変換素
子１０の解放電圧は、従来の光電変換索子１と差異はな
いが、短絡電流と曲線因子に関してはその向上が見られ
、光電変換効率が高められていることが理解される。
を図参照）における電流／電圧特性は、第２図のライン
！１で示されるとおりであり、本発明に従う光電変換索
子１０の電流／電圧特性はラインア２で示されるとおり
である。この実験結果から明らかなように、光電変換素
子１０の解放電圧は、従来の光電変換索子１と差異はな
いが、短絡電流と曲線因子に関してはその向上が見られ
、光電変換効率が高められていることが理解される。
また０を来の光電変換索子１の分光感度特性は、第３図
のラインア３で示されるとおりであり、本発明に従う光
電変換素子１０の分光感度特性は、ラインＪ？４で示さ
れるとおりである。光電変換素子１０では、導電性電極
１２の表面が微細な凹凸に形成されているため、入射さ
れた光のイテ路長の増加およびキャリヤに対する実質的
な膜厚の減少が実現され、これによって光電変換素子１
０の収集効率が全体的に向上する。ラインノ４から明ら
かなように、特に入射光の長波長側ｉこおいては、尤の
緩衝の低下および導電性電極１２の粗面化：こよる反射
光の増加によって、収集効率が極めて向上していること
が埋Ｍ３れる。
のラインア３で示されるとおりであり、本発明に従う光
電変換素子１０の分光感度特性は、ラインＪ？４で示さ
れるとおりである。光電変換素子１０では、導電性電極
１２の表面が微細な凹凸に形成されているため、入射さ
れた光のイテ路長の増加およびキャリヤに対する実質的
な膜厚の減少が実現され、これによって光電変換素子１
０の収集効率が全体的に向上する。ラインノ４から明ら
かなように、特に入射光の長波長側ｉこおいては、尤の
緩衝の低下および導電性電極１２の粗面化：こよる反射
光の増加によって、収集効率が極めて向上していること
が埋Ｍ３れる。
このように本件光電変換素子１０においては、■尤の散
乱効果による尤の行路長の増加、■ヌ４電性電極Ｘ２の
豪細な凹凸１こおける反射光の増加、■キャリヤ（電子
、正孔）に対する膜厚のり、に少、＄Ｐ型、Ｉ型および
Ｎ型アモルファス２９３７層１３〜１５の膜厚の不均一
性による光のモ渉の低下などの利点を得ることができる
。この光電変換索子１０を太陽電池として用いる場合、
１１ガ記第２図および第３図の実験結果から、太陽電池
待避としての短絡電流の増加および曲線因子の改迎が期
待される。短絡電流の増加は、主に光電変換素子ｌＯの
長波長感度が導電性電極１２の微細な凹凸による光反射
の増加および各アモルファスシリコン層１３〜１５のｖ
厚による光の緩衝の低下によって実現される。また曲線
因子は、各アモルファスシリコン層１３〜１５の膜厚の
不均一性により、キャリヤに対する有効膜厚が実際の膜
厚上りも薄（なるため改善されると考えられる。なおス
テンレス鋼などから成る金属基板１１上にＰ型、■型Ｉ
ｊよびＮ型アモルファス２９３７層１３〜１５を形成す
ることによって、粗面化される導電性電極］２は、透明
である必要はなく、また導電性電極１２の膜厚設定ら自
由であり、太陽電池特性の最適化が図られるという利点
を有する。
乱効果による尤の行路長の増加、■ヌ４電性電極Ｘ２の
豪細な凹凸１こおける反射光の増加、■キャリヤ（電子
、正孔）に対する膜厚のり、に少、＄Ｐ型、Ｉ型および
Ｎ型アモルファス２９３７層１３〜１５の膜厚の不均一
性による光のモ渉の低下などの利点を得ることができる
。この光電変換索子１０を太陽電池として用いる場合、
１１ガ記第２図および第３図の実験結果から、太陽電池
待避としての短絡電流の増加および曲線因子の改迎が期
待される。短絡電流の増加は、主に光電変換素子ｌＯの
長波長感度が導電性電極１２の微細な凹凸による光反射
の増加および各アモルファスシリコン層１３〜１５のｖ
厚による光の緩衝の低下によって実現される。また曲線
因子は、各アモルファスシリコン層１３〜１５の膜厚の
不均一性により、キャリヤに対する有効膜厚が実際の膜
厚上りも薄（なるため改善されると考えられる。なおス
テンレス鋼などから成る金属基板１１上にＰ型、■型Ｉ
ｊよびＮ型アモルファス２９３７層１３〜１５を形成す
ることによって、粗面化される導電性電極］２は、透明
である必要はなく、また導電性電極１２の膜厚設定ら自
由であり、太陽電池特性の最適化が図られるという利点
を有する。
参考的に述べれば、従来のアモルファスシリコンを用い
た太陽電池の基板としては、ステンレス調以外にガラス
などの透光性材料が泪いちれている。プラス基板を用い
る場合、ガラス基板が絶縁体であるため、その表面に透
明導電膜を付着する必要があったが、最近ではその透明
導電膜の粗面化によって太陽電池の効率を向上させる試
みが行二なわれている。ところがステンレス鋼などの金
属基板の場合、アモルファスシリコン層を形成した後に
、透明導電膜を付着しなければならないということらあ
り、これまで試みられていなかっ嬬これはアモルファス
シリコンを用いた太陽’；Ｈ？ａの場合、作成後の熱処
理によってそのアモルファスシリコン層の特性が大きく
変化するｒこめ、大陽届池の効率を損なうことなく、表
面を咀面ｆｔ士ることは極めて困難を伴なうからである
。そこて′本発明においては、光入射側でなく反射の面
、ｒなわち導電性電極１２の表面を微細な凹凸にして粗
面化することによって、入射′側を粗面化した揚重とほ
ぼ同等の効果を得るものである。
た太陽電池の基板としては、ステンレス調以外にガラス
などの透光性材料が泪いちれている。プラス基板を用い
る場合、ガラス基板が絶縁体であるため、その表面に透
明導電膜を付着する必要があったが、最近ではその透明
導電膜の粗面化によって太陽電池の効率を向上させる試
みが行二なわれている。ところがステンレス鋼などの金
属基板の場合、アモルファスシリコン層を形成した後に
、透明導電膜を付着しなければならないということらあ
り、これまで試みられていなかっ嬬これはアモルファス
シリコンを用いた太陽’；Ｈ？ａの場合、作成後の熱処
理によってそのアモルファスシリコン層の特性が大きく
変化するｒこめ、大陽届池の効率を損なうことなく、表
面を咀面ｆｔ士ることは極めて困難を伴なうからである
。そこて′本発明においては、光入射側でなく反射の面
、ｒなわち導電性電極１２の表面を微細な凹凸にして粗
面化することによって、入射′側を粗面化した揚重とほ
ぼ同等の効果を得るものである。
導電性電極１２の材料としては、■コ易に＋Ｕ而面する
ことが可能であること、■尤の吸収か少ない、特に長波
長光の吸収が少なり・こと、■比抵抗が充分に小さいこ
と、■アモルファススシリコン中ドープされてもそのセ
ル特性に大きな影′ｎを与えないこと、■基板との密着
性が良好でσ％に剥がれないこと、などの条件を満たせ
ばよく、：ｉｊｊ記実施例で用いた酸化インノウムーチ
タン（Ｉ Ｔ □）や酸化スズ（ＳＩ＋０２）に限定さ
れない。
ことが可能であること、■尤の吸収か少ない、特に長波
長光の吸収が少なり・こと、■比抵抗が充分に小さいこ
と、■アモルファススシリコン中ドープされてもそのセ
ル特性に大きな影′ｎを与えないこと、■基板との密着
性が良好でσ％に剥がれないこと、などの条件を満たせ
ばよく、：ｉｊｊ記実施例で用いた酸化インノウムーチ
タン（Ｉ Ｔ □）や酸化スズ（ＳＩ＋０２）に限定さ
れない。
前記実施例では、導電性電極１２の４■面化は、蒸着時
間の変化および金属基板１１の温度の変化などによって
行なうようにしたけれども、これ以外の方法、たとえば
圧延ローラによって微細な凹凸を形成するようにしても
よい。
間の変化および金属基板１１の温度の変化などによって
行なうようにしたけれども、これ以外の方法、たとえば
圧延ローラによって微細な凹凸を形成するようにしても
よい。
前記実施例では、ＰＩＮ購遣のアモルファスシリコン層
１３〜１５を導電性電極１２上に形成したけれども、こ
れに限定されず、Ｎ Ｉ ＰｌＲ造のアモルファスシリ
コン層を形成するようにしてもよく、また多層ＰＩＮ＃
湾遣または多層丁ＰＮ構造のアモルファスシリコン層を
形成するようにしてもよい。
１３〜１５を導電性電極１２上に形成したけれども、こ
れに限定されず、Ｎ Ｉ ＰｌＲ造のアモルファスシリ
コン層を形成するようにしてもよく、また多層ＰＩＮ＃
湾遣または多層丁ＰＮ構造のアモルファスシリコン層を
形成するようにしてもよい。
本発明に従う光電変換素子は、太ｌｉａ電池に限らず、
その他各種センサなと広範囲の技術分野に亘って実施さ
れることができる。
その他各種センサなと広範囲の技術分野に亘って実施さ
れることができる。
効 果
以上のように本発明によれば、導電性電極の基板とは反
対側の表面を、微細な凹凸に形成することによって、光
吸収率を高めることができ、短絡電流の増加および曲線
因子を改善することができ、これによって光電変換効率
の向上を図ることができる。
対側の表面を、微細な凹凸に形成することによって、光
吸収率を高めることができ、短絡電流の増加および曲線
因子を改善することができ、これによって光電変換効率
の向上を図ることができる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、ＰＳ２図は電流／
電圧特性を示すグラフ、第３図は収集効率と波長との関
係を示すグラフ、第４図は先行技術を説明するだめの図
である。 １．１０・・・光電変換素子、２．１１・・・金属基板
、３〜５，１３〜１５・・・アモルファスシリコン層、
６．１６・・・透明導電層、１２・・・導電性電極、２
１・・・導電層、２２・・・バッフｒＭ 代理人 弁理士 口数 圭一部 第１図 電圧（ｖ） 第２図 液長（ｍｍ） 第３図 尤 第４図
電圧特性を示すグラフ、第３図は収集効率と波長との関
係を示すグラフ、第４図は先行技術を説明するだめの図
である。 １．１０・・・光電変換素子、２．１１・・・金属基板
、３〜５，１３〜１５・・・アモルファスシリコン層、
６．１６・・・透明導電層、１２・・・導電性電極、２
１・・・導電層、２２・・・バッフｒＭ 代理人 弁理士 口数 圭一部 第１図 電圧（ｖ） 第２図 液長（ｍｍ） 第３図 尤 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板と、 基板上に形成され、基板とは反対側の表面が微細な凹凸
に形成されている導電性電極と、 前記導電性電極上に形成される光電変換半導体層と、 前記光電変換半導体層上に形成される透明導電層とを含
むことを特徴とする光電変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60263123A JPS62123781A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60263123A JPS62123781A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 光電変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62123781A true JPS62123781A (ja) | 1987-06-05 |
Family
ID=17385141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60263123A Pending JPS62123781A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 光電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62123781A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS642688A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-06 | Janome Sewing Mach Co Ltd | Thread control in automatic thread tension sewing machine |
| JPH0423149U (ja) * | 1990-06-13 | 1992-02-26 | ||
| JPH05218469A (ja) * | 1992-02-05 | 1993-08-27 | Canon Inc | 光起電力素子及びその製造方法 |
| WO2010041846A2 (en) | 2008-10-06 | 2010-04-15 | Lg Electronics Inc. | Solar cell |
| JPWO2014064929A1 (ja) * | 2012-10-23 | 2016-09-08 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 太陽電池 |
-
1985
- 1985-11-22 JP JP60263123A patent/JPS62123781A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS642688A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-06 | Janome Sewing Mach Co Ltd | Thread control in automatic thread tension sewing machine |
| JPH0423149U (ja) * | 1990-06-13 | 1992-02-26 | ||
| JPH05218469A (ja) * | 1992-02-05 | 1993-08-27 | Canon Inc | 光起電力素子及びその製造方法 |
| WO2010041846A2 (en) | 2008-10-06 | 2010-04-15 | Lg Electronics Inc. | Solar cell |
| EP2240967A4 (en) * | 2008-10-06 | 2013-02-27 | Lg Electronics Inc | SOLAR CELL |
| JPWO2014064929A1 (ja) * | 2012-10-23 | 2016-09-08 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 太陽電池 |
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