JPS62126864A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS62126864A JPS62126864A JP60267704A JP26770485A JPS62126864A JP S62126864 A JPS62126864 A JP S62126864A JP 60267704 A JP60267704 A JP 60267704A JP 26770485 A JP26770485 A JP 26770485A JP S62126864 A JPS62126864 A JP S62126864A
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- JP
- Japan
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- diode
- signal
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- capacitor
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 8
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- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 2
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- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
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Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Rectifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃ産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置、特に、相補型電界効果トランジス
タでｗＪｔＥされたモノリシック集積回路（以下ＣＭＯ
８集積回路）に整流回路を含ませた半導体装置。
タでｗＪｔＥされたモノリシック集積回路（以下ＣＭＯ
８集積回路）に整流回路を含ませた半導体装置。
従来のＣＭＯ８集積回路は外部から厘流電柳の供給を受
は動作していた。したがって、商用電源を使用してＣＭ
ＯＳ ％積回路を動作させ工つとすると、まず、変圧器
にニジ電圧を低下させた後、ＣＭＯ８集積回路とは別個
の整流用ダイオードに工り構成される整流回路を通して
所定電圧の直流電流を形成し、該直流’ｙ流をＣＭＯ８
集積回路に供給していた。
は動作していた。したがって、商用電源を使用してＣＭ
ＯＳ ％積回路を動作させ工つとすると、まず、変圧器
にニジ電圧を低下させた後、ＣＭＯ８集積回路とは別個
の整流用ダイオードに工り構成される整流回路を通して
所定電圧の直流電流を形成し、該直流’ｙ流をＣＭＯ８
集積回路に供給していた。
上記ＣＭＯ８集積回路にあっては、直流電流を形成する
のにＣＭＵＳ集槓回路とは別個に整流回路を構成しなけ
れはならなかったのて、電子回路全体の部品数が増加し
、これら部品を組込むためのスペースも大きくなるとい
う問題点かあった。
のにＣＭＵＳ集槓回路とは別個に整流回路を構成しなけ
れはならなかったのて、電子回路全体の部品数が増加し
、これら部品を組込むためのスペースも大きくなるとい
う問題点かあった。
本発明は、交流信号から脈流電流を形成するダイオード
と、前記脈流１１＃Ｌを平滑化するコンデンサとで構成
される整流回路を含む半導体装置において、第１導１１
ｉ型のウェルを有する第２導電型の半導体基板と、該第
１導電型のウェルと第２導電型の半導体基板とにそれぞ
れ形成された電界効果型トランジスタと、半導体基板の
表面部に形成され交流電源に接続されたダイオードと、
半導体基板に形成され前記ダイオードと接続されたコン
デンサとを有し、該コンデンサの出力を前記電界効果型
トランジスタに供給するようにしたことを要旨とする。
と、前記脈流１１＃Ｌを平滑化するコンデンサとで構成
される整流回路を含む半導体装置において、第１導１１
ｉ型のウェルを有する第２導電型の半導体基板と、該第
１導電型のウェルと第２導電型の半導体基板とにそれぞ
れ形成された電界効果型トランジスタと、半導体基板の
表面部に形成され交流電源に接続されたダイオードと、
半導体基板に形成され前記ダイオードと接続されたコン
デンサとを有し、該コンデンサの出力を前記電界効果型
トランジスタに供給するようにしたことを要旨とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第り図は、本発明の一実施例の断面構造を示す。
ＣＭＣＪＳ集槓口路集積一のへ形のシリコン基板【に形
成されておシ、その基板１にはＰ＋形のソース領域２と
Ｐ＋形トドレイン領域３形成されており、その間に４の
ゲートが対回し、基板ｌの表面部にＰ型のチャネルが形
成される。
成されておシ、その基板１にはＰ＋形のソース領域２と
Ｐ＋形トドレイン領域３形成されており、その間に４の
ゲートが対回し、基板ｌの表面部にＰ型のチャネルが形
成される。
一方、Ｎ形のチャネルを作る為、へ形シリコン基板りの
表面部にアインレーシ１ン惟域としてＰ−ｗｅ ５が
形成されており、その中にへ 形のソース領域６とＮ＋
形のドレイン傾城７とを作シその間に８のゲートを対向
させている。またＶＤＤ電源９はＮ型の高濃度領域１０
を介してＮ形シリコン基板ｌとＰ＋形のソース領域２と
に接続されており、これらに亀曽電位ＶＤＤを供給して
いる。
表面部にアインレーシ１ン惟域としてＰ−ｗｅ ５が
形成されており、その中にへ 形のソース領域６とＮ＋
形のドレイン傾城７とを作シその間に８のゲートを対向
させている。またＶＤＤ電源９はＮ型の高濃度領域１０
を介してＮ形シリコン基板ｌとＰ＋形のソース領域２と
に接続されており、これらに亀曽電位ＶＤＤを供給して
いる。
−７１Ｖｓｓ＠＃ｌ ｌ Ｂ Ｐ型（０７ｆＬｒＱ度’
６１Ｊ域１２ ｋ介シてＰウェル５とへ 形のソース領
域６とに接続されておシ、これらに接地電位Ｖｓｓ ｆ
供給している。
６１Ｊ域１２ ｋ介シてＰウェル５とへ 形のソース領
域６とに接続されておシ、これらに接地電位Ｖｓｓ ｆ
供給している。
１３の交流信号人力端子ＶＩＮは、Ｐ値域１４を介して
へ形シリコン基板ｌと接続されておシ、さらに入力端子
ＶＩＮはＮ領域１５を介してＰウェル７に接続され工い
る。
へ形シリコン基板ｌと接続されておシ、さらに入力端子
ＶＩＮはＮ領域１５を介してＰウェル７に接続され工い
る。
１６、 Ｌ ７はＰ型のチャネルストッパー金％１８は
Ｎ＋型のチャンネルストッパをそれぞれ示している。
Ｎ＋型のチャンネルストッパをそれぞれ示している。
このＣＭ（ＪＳのインバータ出刃はＰ＋領域３とへ“領
域７とに配線されている。
域７とに配線されている。
次に、一実施例の作用を第２図を参照しつつ説明すると
、交流源２０からの交流信号は入力端子１３に入力する
。
、交流源２０からの交流信号は入力端子１３に入力する
。
このとき、Ｐ＋領域１４とＮ形シリコン基板１によるＰ
Ｎ接合にニジダイオードＤ１か形成されておシ、これに
Ｌシ交流源２０からの交流信号の正の半サイクルの匍号
がＰＮ接合を通過してＮ形シリコン基８２１に流入し、
Ｎ＋＋域１０を経て電伸端子９へと流れ、平滑コンデン
サ２１にニジ平滑され直流となる。
Ｎ接合にニジダイオードＤ１か形成されておシ、これに
Ｌシ交流源２０からの交流信号の正の半サイクルの匍号
がＰＮ接合を通過してＮ形シリコン基８２１に流入し、
Ｎ＋＋域１０を経て電伸端子９へと流れ、平滑コンデン
サ２１にニジ平滑され直流となる。
また交流源２０からの交流信号の角の半サイクルは、Ｎ
＋領域Ｌ５とＰウェル５とで構成されるＰＮ接合ダイオ
ードによシ、逆バイアスされるため、出刃信号としては
現われない。
＋領域Ｌ５とＰウェル５とで構成されるＰＮ接合ダイオ
ードによシ、逆バイアスされるため、出刃信号としては
現われない。
第３図と第４因に整流回路の等価回路図と各部波形を示
します。
します。
ｅ３１は交流信号で、実効値がＥの正弦波でめる。
ｅ２は出力される電圧でｂる。マイナスを基準に考えま
すと、ｅｌは正弦波なのでｔ＝００時に８１＝０で、そ
れから８３は大きくなっ工行く。８ｔりＶＦ （タイオ
ー ）”Ｌ） ｌ （Ｄｌｌａ万同）テはｅ２＝ｏであ
るがｅｌがＶｐｉ越すと、ｅ２にはｅｌ−Ｖｐ。
すと、ｅｌは正弦波なのでｔ＝００時に８１＝０で、そ
れから８３は大きくなっ工行く。８ｔりＶＦ （タイオ
ー ）”Ｌ） ｌ （Ｄｌｌａ万同）テはｅ２＝ｏであ
るがｅｌがＶｐｉ越すと、ｅ２にはｅｌ−Ｖｐ。
電圧が現れ、最大値はＶ４Ｅ−Ｖｐとなる。
ｅｌが小さくなっていくとｅ、ｘ りＶｐとなった時点
でｅ２工０ となシ負の半サイクルでは常に０２＝０と
なる。
でｅ２工０ となシ負の半サイクルでは常に０２＝０と
なる。
以上説明してき友工うに、本発明にＬれば、ダイオード
とコンデンサとからなる整流回路を電界効果型トランジ
スタと共に集積したので、部品数か減少し、心壁スペー
スも小さくなるという効果が得られる。
とコンデンサとからなる整流回路を電界効果型トランジ
スタと共に集積したので、部品数か減少し、心壁スペー
スも小さくなるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１因は本発明の一実施例の断面図、叱２図は一実施例
の回路図、第３図龜−実施例の要部の回路図、第４囚は
第３図の波形図である。 ｌ・・・・・・半導体基板、４．８・・・・・・電界効
果トランジスタ、５・・・・・・ウェル、ＪＪ＊、Ｄ２
・・・・・・ダイオード、２１・・・・・・コンデンサ
。 代理人 弁理士 内 原 音 第１区 第３図
の回路図、第３図龜−実施例の要部の回路図、第４囚は
第３図の波形図である。 ｌ・・・・・・半導体基板、４．８・・・・・・電界効
果トランジスタ、５・・・・・・ウェル、ＪＪ＊、Ｄ２
・・・・・・ダイオード、２１・・・・・・コンデンサ
。 代理人 弁理士 内 原 音 第１区 第３図
Claims (1)
- 交流信号から脈流電流を形成するダイオードと、前記脈
流電流を平滑化するコンデンサとで構成される整流回路
を含む半導体装置において、第１導電型のウェルを有す
る第２導電型の半導体基板と、該第１導電型のウェルと
第２導電型の半導体基板とにそれぞれ形成された電界効
果型トランジスタと、半導体基板の表面部に形成され交
流電源に接続されたダイオードと、半導体基板に形成さ
れ前記ダイオードと接続されたコンデンサとを有し、該
コンデンサの出力を前記電界効果型トランジスタに供給
したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60267704A JPS62126864A (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60267704A JPS62126864A (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62126864A true JPS62126864A (ja) | 1987-06-09 |
Family
ID=17448384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60267704A Pending JPS62126864A (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62126864A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57119674A (en) * | 1980-11-26 | 1982-07-26 | Itt | Monolithic integrated rectifying bridge |
-
1985
- 1985-11-27 JP JP60267704A patent/JPS62126864A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57119674A (en) * | 1980-11-26 | 1982-07-26 | Itt | Monolithic integrated rectifying bridge |
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