JPS62128549A - Icパツケ−ジ - Google Patents
Icパツケ−ジInfo
- Publication number
- JPS62128549A JPS62128549A JP60270345A JP27034585A JPS62128549A JP S62128549 A JPS62128549 A JP S62128549A JP 60270345 A JP60270345 A JP 60270345A JP 27034585 A JP27034585 A JP 27034585A JP S62128549 A JPS62128549 A JP S62128549A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- layer
- conductor
- micro
- layer conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W44/00—Electrical arrangements for controlling or matching impedance
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はICパッケージに関し、特に笛号引き出し線が
マイクロ−ストリップラインからなるICパッケージに
関する。
マイクロ−ストリップラインからなるICパッケージに
関する。
従来、信号引き出し線がマイクロ・ストリップ・ライン
からなるフラット・パッケージの断面図は第2図のよう
であった。誘電体からなるパッケージ本体1中に、第1
層の導体2.第2層の4体3、第3層の導体4を有し、
第2層の導体を接地平板とし、第1層の導体、第2層の
導体とがそれぞnマイクロ・ストリップ・ラインとなっ
ていた。
からなるフラット・パッケージの断面図は第2図のよう
であった。誘電体からなるパッケージ本体1中に、第1
層の導体2.第2層の4体3、第3層の導体4を有し、
第2層の導体を接地平板とし、第1層の導体、第2層の
導体とがそれぞnマイクロ・ストリップ・ラインとなっ
ていた。
次にこのフラット・パッケージの構造図を第3図に示す
。誘電体からなるパッケージ本体5中に、第1層の導体
6.第2層の4体7、第3層の畳体8とを有し、第2層
の導体を接地平板として、第1層の導体とは、マイクロ
・ストリップ・ラインとなっていた。パッケージ内側の
ステッチ9とチップ10上のパッド11とはワイヤ12
にエクボンティ/グさnていた。パッケージ外筒1には
り一ド13を有する。パッケージ全上方より見て向い合
う2組の辺のうちの1組の辺14に至るマイクロ・スト
リップ・ラインは、第1層の導体6−1と、接地平板で
ある 第2層の導体とで構成さn1mvh’:nマイク
ロ−ストリップラインとの間にa。
。誘電体からなるパッケージ本体5中に、第1層の導体
6.第2層の4体7、第3層の畳体8とを有し、第2層
の導体を接地平板として、第1層の導体とは、マイクロ
・ストリップ・ラインとなっていた。パッケージ内側の
ステッチ9とチップ10上のパッド11とはワイヤ12
にエクボンティ/グさnていた。パッケージ外筒1には
り一ド13を有する。パッケージ全上方より見て向い合
う2組の辺のうちの1組の辺14に至るマイクロ・スト
リップ・ラインは、第1層の導体6−1と、接地平板で
ある 第2層の導体とで構成さn1mvh’:nマイク
ロ−ストリップラインとの間にa。
リード13−1により僧地平板に汲れし7’(第1層の
導体6〜2を有し、瞬接するマイクロ・ストリツブ・ラ
イン相互の影41を小さくしていた。残りの1組の辺1
5に至るマイクロ・ストリップ・ラインは、第1層の畳
体6−3、第3層の導体8と。
導体6〜2を有し、瞬接するマイクロ・ストリツブ・ラ
イン相互の影41を小さくしていた。残りの1組の辺1
5に至るマイクロ・ストリップ・ラインは、第1層の畳
体6−3、第3層の導体8と。
接地平板である第2層の4体からなっており、第1 J
mの得体と第3層の導体とは、パッケージ内側のステッ
チの近傍で、スルーホール16にエフ接続さnていた。
mの得体と第3層の導体とは、パッケージ内側のステッ
チの近傍で、スルーホール16にエフ接続さnていた。
プリント板実装時、パッケージ外側で第3層配線に接続
したリード13−2には、抵抗17金外付し、マイクロ
・ストリップラインライン全終端していた。第一層の畳
体のマイクロ・ス) IJツブ・ライン6−3はパッケ
ージ内側では、ステッチ9−1に接続し、パッケージ外
側では、リード13−3に接続してい友。
したリード13−2には、抵抗17金外付し、マイクロ
・ストリップラインライン全終端していた。第一層の畳
体のマイクロ・ス) IJツブ・ライン6−3はパッケ
ージ内側では、ステッチ9−1に接続し、パッケージ外
側では、リード13−3に接続してい友。
上述した従来の信号引き出し−がマイクロ・ストリップ
・ライ/からなるフラットφパッケージでは、接地平板
が、1組の向いあう辺のリードのうち半分しか接地さn
ていないため、マイクロ・ストリップ・ラインの信号の
変化の際に、接地平板上の各々の点での電位が接地レベ
ルに安定せず、ゆらぎが生じる。このため、各々のマイ
クロ・ストリップ・ラインの生♀性インピーダンスは1
、省には所要の値とならず、実装したプリント板上のス
トリップ・ラインの特性インピーダンスとの間で不整曾
全引き越し、信号の反射が生じるという欠点がある〇 〔問題点′ft解決するための手段〕 本発明のICパッケージの毎号引き出し線がマイクロ・
ストリップ・ラインからなるフラット・パッケージは、
マイクロ・ストリップ−ラインの構成に寄与する接地平
面に接続するビンをパッケージ底面に1本以上有してい
る。
・ライ/からなるフラットφパッケージでは、接地平板
が、1組の向いあう辺のリードのうち半分しか接地さn
ていないため、マイクロ・ストリップ・ラインの信号の
変化の際に、接地平板上の各々の点での電位が接地レベ
ルに安定せず、ゆらぎが生じる。このため、各々のマイ
クロ・ストリップ・ラインの生♀性インピーダンスは1
、省には所要の値とならず、実装したプリント板上のス
トリップ・ラインの特性インピーダンスとの間で不整曾
全引き越し、信号の反射が生じるという欠点がある〇 〔問題点′ft解決するための手段〕 本発明のICパッケージの毎号引き出し線がマイクロ・
ストリップ・ラインからなるフラット・パッケージは、
マイクロ・ストリップ−ラインの構成に寄与する接地平
面に接続するビンをパッケージ底面に1本以上有してい
る。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第4図は本発明の一実施例の断面図である。誘電体から
なるパッケージ本体18中に、第1層の畳体19.第2
層の畳体20お工び第3層の導体21を有し、第2層の
導体を接地平板とし、第1層の環体、第3層の導体とが
そnぞnマイクロ・ストリップ・ラインとなっている。
なるパッケージ本体18中に、第1層の畳体19.第2
層の畳体20お工び第3層の導体21を有し、第2層の
導体を接地平板とし、第1層の環体、第3層の導体とが
そnぞnマイクロ・ストリップ・ラインとなっている。
接地平板には。
パッケージ底面に至るビン状の導体22が接続さnてい
る。次に本フラットバレケージの構造図を第1図に示す
。誘′は体からなるパッケージ本体23中に、第1層の
導体24、第2層の導体25、第3層の導体26とを有
し、第2層の畳体を接地平板として、第1+−導体と第
3層尋体とは、マイクロ−ストリップ−ラインとなりて
いる。パッケージ内側のステッチ27とチーIプ28上
のノくヴド29とはワイヤ30にニジボンティシブされ
ている0パツケージ外側にはリード31ケ有する0パツ
ケージを上方エリ見て囲い合う2組の辺のうち1組の辺
32に至るマイクロ・ストリップラインは、第1層の導
体24−1と接地平板である第2層の導体とにより構成
さn%隣りあうマイクロ−ストリップ・ライ/との間に
は、リード31−1により接地平板に接続した第1層の
導体24−2を有し%隣接するマイクロ−ストリップ・
ライン相互の影響を小姑くしている。残りの1組の辺3
3に至るマイクロストリップラインハ、第1層の畳体2
4−3.第3層の畳体25と、接地平板でめる第2層の
導体からなっており、第1層の導体と第3層の導体とは
パッケージ内側1のステッチの近傍でスルーホール34
にLり接続さnているoまたパッケージ底面には、接地
平板に接続するビン35を有している。プリント基板実
装時に、パッケージ外側で第3層配線に接rfcはり−
ド31−2は、抵抗36を外付けし、マイクロ・ストリ
ップ・ラインを終端し、パッケージ底面のビンは惜地す
る〇第一層の畳体のマイクロ・ストリップ・ライン24
−3はパッケージ内側1では、ステッチ27−1に。
る。次に本フラットバレケージの構造図を第1図に示す
。誘′は体からなるパッケージ本体23中に、第1層の
導体24、第2層の導体25、第3層の導体26とを有
し、第2層の畳体を接地平板として、第1+−導体と第
3層尋体とは、マイクロ−ストリップ−ラインとなりて
いる。パッケージ内側のステッチ27とチーIプ28上
のノくヴド29とはワイヤ30にニジボンティシブされ
ている0パツケージ外側にはリード31ケ有する0パツ
ケージを上方エリ見て囲い合う2組の辺のうち1組の辺
32に至るマイクロ・ストリップラインは、第1層の導
体24−1と接地平板である第2層の導体とにより構成
さn%隣りあうマイクロ−ストリップ・ライ/との間に
は、リード31−1により接地平板に接続した第1層の
導体24−2を有し%隣接するマイクロ−ストリップ・
ライン相互の影響を小姑くしている。残りの1組の辺3
3に至るマイクロストリップラインハ、第1層の畳体2
4−3.第3層の畳体25と、接地平板でめる第2層の
導体からなっており、第1層の導体と第3層の導体とは
パッケージ内側1のステッチの近傍でスルーホール34
にLり接続さnているoまたパッケージ底面には、接地
平板に接続するビン35を有している。プリント基板実
装時に、パッケージ外側で第3層配線に接rfcはり−
ド31−2は、抵抗36を外付けし、マイクロ・ストリ
ップ・ラインを終端し、パッケージ底面のビンは惜地す
る〇第一層の畳体のマイクロ・ストリップ・ライン24
−3はパッケージ内側1では、ステッチ27−1に。
パッケージ外側でHIJ−ド31−3に接続する第5図
に一実姐例を辺33側から見た凶、第6図に一実施例の
底面図を示す。パッケージ側面にIJ−ド37が睨わn
、パッケージ裏面には、ビン38があられnている。
に一実姐例を辺33側から見た凶、第6図に一実施例の
底面図を示す。パッケージ側面にIJ−ド37が睨わn
、パッケージ裏面には、ビン38があられnている。
以上n兄明した工うに本発明は、毎号引き出し線がマイ
クロ・ストリップ・ラインからなるフラット・パッケー
ジにおいて、マイクロ・ストリップ・ラインの構成に寄
与する接地平板に接続するビンk パッケージ底面に1
本以上配置することにニジ、信号引き出し線の電位の変
化にかかわらず%接地平板の電位を工、!7安定に接地
レベルに保つことがテキ、マイクロ・ストリップ線路の
特性インピーダンスを所要の唾とすることができる効果
がある。
クロ・ストリップ・ラインからなるフラット・パッケー
ジにおいて、マイクロ・ストリップ・ラインの構成に寄
与する接地平板に接続するビンk パッケージ底面に1
本以上配置することにニジ、信号引き出し線の電位の変
化にかかわらず%接地平板の電位を工、!7安定に接地
レベルに保つことがテキ、マイクロ・ストリップ線路の
特性インピーダンスを所要の唾とすることができる効果
がある。
第1図は本発明の一実施例のICパッケージの構造図、
第2図は従来のICパッケージの断面図、第3図は従来
のICパッケージの構造図、第4図ば第1図の辺33に
そう断面図、第5図μ第1図の辺33惧11から見た図
、第6図は第1図の底面の凶である。 1・・・・・・パブケージ本体% 2・・・・・・第1
層の導体、3・・・・・・第2層の導体、4・・・・・
・第3層の導体、5・・・・・・パッケージ本体、6・
・・・・・第1層の導体、7・−・・・・第2層の導体
、8・・・・・・第31−の導体、9・・・・・・ステ
ッチ、10・・・・・・チップ、11・・・・・・パッ
ド、12・・・・・・ワイヤ% 13・・・・・・リー
ド、14・・・・・・パッケージの1辺、15・・・・
・・パッケージの1辺、16・・・・・・スルーホール
、17・・・・・・終端抵抗、18・・・・・・ノくツ
ケージ本体、19・・・・・・第11t4の得体、20
・・・・−・第2層の導体、21・・・・・・第31−
の導体、22・・・・・・ビン、23・・・・・・パッ
ケージ本体、24・・・・・・第1層の導体、25・・
・・・・第2鳩の導体、26・・・・・・第3層の畳体
。 27・・・・・・ステラf、28・・・・・・テップ、
29・・・−・ノくラド、30・・・・・・ワイヤ、3
1・・・・・・リード、32・・・・・・パッケージの
1辺、33・・・・・・パッケージの1辺。 34・・・・・・スルーホール、35・・・・・・ビン
、36°・・・・・終端抵抗、37・・・・・・リード
、38・・・・・・ビ/。 a 、”−”二 代理人 弁理士 内 原 日(、・第4図
第2図は従来のICパッケージの断面図、第3図は従来
のICパッケージの構造図、第4図ば第1図の辺33に
そう断面図、第5図μ第1図の辺33惧11から見た図
、第6図は第1図の底面の凶である。 1・・・・・・パブケージ本体% 2・・・・・・第1
層の導体、3・・・・・・第2層の導体、4・・・・・
・第3層の導体、5・・・・・・パッケージ本体、6・
・・・・・第1層の導体、7・−・・・・第2層の導体
、8・・・・・・第31−の導体、9・・・・・・ステ
ッチ、10・・・・・・チップ、11・・・・・・パッ
ド、12・・・・・・ワイヤ% 13・・・・・・リー
ド、14・・・・・・パッケージの1辺、15・・・・
・・パッケージの1辺、16・・・・・・スルーホール
、17・・・・・・終端抵抗、18・・・・・・ノくツ
ケージ本体、19・・・・・・第11t4の得体、20
・・・・−・第2層の導体、21・・・・・・第31−
の導体、22・・・・・・ビン、23・・・・・・パッ
ケージ本体、24・・・・・・第1層の導体、25・・
・・・・第2鳩の導体、26・・・・・・第3層の畳体
。 27・・・・・・ステラf、28・・・・・・テップ、
29・・・−・ノくラド、30・・・・・・ワイヤ、3
1・・・・・・リード、32・・・・・・パッケージの
1辺、33・・・・・・パッケージの1辺。 34・・・・・・スルーホール、35・・・・・・ビン
、36°・・・・・終端抵抗、37・・・・・・リード
、38・・・・・・ビ/。 a 、”−”二 代理人 弁理士 内 原 日(、・第4図
Claims (1)
- 信号引き出し線がマイクロ・ストリップラインからなる
フラット・パッケージにおいて、マイクロ・ストリップ
ラインの構成に寄与する接地平板に接続するピンをパッ
ケージ底面に1本以上有することを特徴とするICパッ
ケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60270345A JPH0732214B2 (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | Icパツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60270345A JPH0732214B2 (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | Icパツケ−ジ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62128549A true JPS62128549A (ja) | 1987-06-10 |
| JPH0732214B2 JPH0732214B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=17484965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60270345A Expired - Lifetime JPH0732214B2 (ja) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | Icパツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732214B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5162896A (en) * | 1987-06-02 | 1992-11-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | IC package for high-speed semiconductor integrated circuit device |
| US5221860A (en) * | 1991-02-19 | 1993-06-22 | At&T Bell Laboratories | High speed laser package |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54132273U (ja) * | 1978-03-03 | 1979-09-13 | ||
| JPS6045044A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-11 | Nec Corp | Icパツケ−ジ |
-
1985
- 1985-11-29 JP JP60270345A patent/JPH0732214B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54132273U (ja) * | 1978-03-03 | 1979-09-13 | ||
| JPS6045044A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-11 | Nec Corp | Icパツケ−ジ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5162896A (en) * | 1987-06-02 | 1992-11-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | IC package for high-speed semiconductor integrated circuit device |
| US5221860A (en) * | 1991-02-19 | 1993-06-22 | At&T Bell Laboratories | High speed laser package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0732214B2 (ja) | 1995-04-10 |
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