JPS6212912A - 薄膜磁気ヘツドウエハ− - Google Patents
薄膜磁気ヘツドウエハ−Info
- Publication number
- JPS6212912A JPS6212912A JP15026785A JP15026785A JPS6212912A JP S6212912 A JPS6212912 A JP S6212912A JP 15026785 A JP15026785 A JP 15026785A JP 15026785 A JP15026785 A JP 15026785A JP S6212912 A JPS6212912 A JP S6212912A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic head
- film magnetic
- thin film
- gap
- depth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
- G11B5/3166—Testing or indicating in relation thereto, e.g. before the fabrication is completed
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
り発明の利用分野〕
本発明は、磁気記録または再生用の薄膜磁気Ｉヘッドに
係り、特に該磁気ヘッドのギャップ深さを所定に研摩す
るための研摩深さ検出用パターンに関する。
係り、特に該磁気ヘッドのギャップ深さを所定に研摩す
るための研摩深さ検出用パターンに関する。
従来における研摩加工の研摩方法としては、特開昭５９
−６５９１９号公報に記載のように、第９図に示すよう
な下部磁性層７と導体コイル１と上部磁性層２とを積層
して形成される薄膜磁気ヘッド３で上記導体コイル２０
両端に回路のオープンを検出するための研摩用電極４を
配置し、前記電極４が研摩時に切断されることを検出し
て所定の寸法を得るというものがある。しかしながら、
この方法では上記研摩用電極パターン４は、導体コイル
形成時に作製する場合がほとんどである。ここでギャッ
プ深さというのはコイル絶縁層のテーパエッチング終了
ポイントからテープ摺動面までの深さである。コイル形
成時に形成されたパターンとの相関は、単にマスク合わ
せ精度がある程度一致しているにすぎず、ギャップ深さ
を制御するという目的を充分に満たしていない。
−６５９１９号公報に記載のように、第９図に示すよう
な下部磁性層７と導体コイル１と上部磁性層２とを積層
して形成される薄膜磁気ヘッド３で上記導体コイル２０
両端に回路のオープンを検出するための研摩用電極４を
配置し、前記電極４が研摩時に切断されることを検出し
て所定の寸法を得るというものがある。しかしながら、
この方法では上記研摩用電極パターン４は、導体コイル
形成時に作製する場合がほとんどである。ここでギャッ
プ深さというのはコイル絶縁層のテーパエッチング終了
ポイントからテープ摺動面までの深さである。コイル形
成時に形成されたパターンとの相関は、単にマスク合わ
せ精度がある程度一致しているにすぎず、ギャップ深さ
を制御するという目的を充分に満たしていない。
また、第１０図に示すように特開昭５９−５８６１４号
では研摩用電極パターンを、素子上に形成した保護層５
上にコイル絶縁１層のテーパエッチング終了ポイン）Ｂ
に合わせて作製することを提案しているが、プロセスが
複雑になる上に非常に厚い保護膜上でのマスク合わせ精
度という点に問題がある。
では研摩用電極パターンを、素子上に形成した保護層５
上にコイル絶縁１層のテーパエッチング終了ポイン）Ｂ
に合わせて作製することを提案しているが、プロセスが
複雑になる上に非常に厚い保護膜上でのマスク合わせ精
度という点に問題がある。
〔発明の目的」
本発明の目的は、ギャップ深さの高精度化及び深さ位置
の確実な検出を可能とし得る研摩深さ検出用パターンを
具えた薄膜磁気ヘッドウェハーを提供することにある。
の確実な検出を可能とし得る研摩深さ検出用パターンを
具えた薄膜磁気ヘッドウェハーを提供することにある。
厚い絶縁膜のテーパエッチングでも、同一材料、同一工
程で形成すれば、検出用パターン部のテーバ終了ポイン
トとヘッド部のテーパ終了ポイントとの相対間隔は、フ
ォトマスク形成時のパターンの相対間隔と変わらない。
程で形成すれば、検出用パターン部のテーバ終了ポイン
トとヘッド部のテーパ終了ポイントとの相対間隔は、フ
ォトマスク形成時のパターンの相対間隔と変わらない。
マタ、テーパエッチングの下端の並び精度は、第１２図
に示すように±１μｍ以内であるという実験事実に基づ
き、本発明はギャップ深さを決定しているコイル絶縁層
のテーパエッチングと全く同一材料、同一工程で形成さ
れた３次元の研摩深さ検出用パターンをウェハーの各ア
レイの両端あるいは両端と中央部に複数配置することに
より、深さ位置を確実に検出することができるという点
に特徴がある。
に示すように±１μｍ以内であるという実験事実に基づ
き、本発明はギャップ深さを決定しているコイル絶縁層
のテーパエッチングと全く同一材料、同一工程で形成さ
れた３次元の研摩深さ検出用パターンをウェハーの各ア
レイの両端あるいは両端と中央部に複数配置することに
より、深さ位置を確実に検出することができるという点
に特徴がある。
以下に本発明の薄膜磁気ヘッドについて図面を参照しな
から具体的に説明する。
から具体的に説明する。
第１図は、本発明薄膜磁気ヘッド及び検出用パターンに
かかる一実施例の要部側断面図である。薄膜磁気ヘッド
３は、基板６上に、下部コア７、層間絶縁層１１．電磁
変換のためのコイル１、上部コア２から形成されている
。上部コア２と下部コア７はコア接続部８で接続され、
ギャップ９を有して磁気回路を形成している。従ってキ
ャップ９はＢ点ｌでか電磁変換のだめの有効間隙となる
。なお、上、下部コアは高透磁率磁性材、例えばパーマ
ロイからなり、層間絶縁層１１．ギャップ９はＳ＋０＊
、コイル１は１等からなる。検出用パターン４は、上記
薄膜磁気ヘッド３に隣接して上、下部コア材と層間絶縁
層とから形成されている。
かかる一実施例の要部側断面図である。薄膜磁気ヘッド
３は、基板６上に、下部コア７、層間絶縁層１１．電磁
変換のためのコイル１、上部コア２から形成されている
。上部コア２と下部コア７はコア接続部８で接続され、
ギャップ９を有して磁気回路を形成している。従ってキ
ャップ９はＢ点ｌでか電磁変換のだめの有効間隙となる
。なお、上、下部コアは高透磁率磁性材、例えばパーマ
ロイからなり、層間絶縁層１１．ギャップ９はＳ＋０＊
、コイル１は１等からなる。検出用パターン４は、上記
薄膜磁気ヘッド３に隣接して上、下部コア材と層間絶縁
層とから形成されている。
第２図に、磁気へラドウェハ一平面図、第３図にその要
部平面図を示す。つ止バーの両端に磁気ヘッド３に隣接
して検出用パターン４が形成されている。検出用パター
ン４は、磁気ヘッド３と同一の下部コア材と絶縁材、上
部コア材とからなり、第２図でもわかるように、磁気ヘ
ッド部６および検出部４は同一工程により形成される。
部平面図を示す。つ止バーの両端に磁気ヘッド３に隣接
して検出用パターン４が形成されている。検出用パター
ン４は、磁気ヘッド３と同一の下部コア材と絶縁材、上
部コア材とからなり、第２図でもわかるように、磁気ヘ
ッド部６および検出部４は同一工程により形成される。
本来、厚さ６〜１０μｍの厚いＳｉｎ、絶縁膜のテーパ
エツチングを行なった場合、第１５図に示したように、
マスク基準線とテーパエッチングの下端（ギャップ深さ
を決定する因子）との位置相関は非常に悪い。すなわち
５ｉｎｓ膜質、マスクとＳｉｎ、の付着力、エツチング
液の状態等によりテーバ下端部がずれることによる。し
かしながら同一工程で形成した場合においては、第１１
図に示すように検出部での絶縁膜のテーパエツチングの
下端Ａとヘッド部の絶縁膜の下端部Ｂとの相対間隔は、
フォトマスク形成時の相対間隔Ａ’−Ｂ’にほとんど一
致する。これは前述したエツチング下端の位置変動が工
程側々により異なる種類のものであり、同一工程、同一
ウニバー内ではほとんど変動しないためである。またこ
の時の５ｉｎｓ絶縁層のテーバエッチの下端部のウェハ
ー内での並び精度は実験により、第１２図に示すように
３インチウェハー内で±１μｍ以内に入ることが実証さ
れている。
エツチングを行なった場合、第１５図に示したように、
マスク基準線とテーパエッチングの下端（ギャップ深さ
を決定する因子）との位置相関は非常に悪い。すなわち
５ｉｎｓ膜質、マスクとＳｉｎ、の付着力、エツチング
液の状態等によりテーバ下端部がずれることによる。し
かしながら同一工程で形成した場合においては、第１１
図に示すように検出部での絶縁膜のテーパエツチングの
下端Ａとヘッド部の絶縁膜の下端部Ｂとの相対間隔は、
フォトマスク形成時の相対間隔Ａ’−Ｂ’にほとんど一
致する。これは前述したエツチング下端の位置変動が工
程側々により異なる種類のものであり、同一工程、同一
ウニバー内ではほとんど変動しないためである。またこ
の時の５ｉｎｓ絶縁層のテーバエッチの下端部のウェハ
ー内での並び精度は実験により、第１２図に示すように
３インチウェハー内で±１μｍ以内に入ることが実証さ
れている。
上部コア２は、ヘッド部においては、フロントギャップ
部でＳｉｎ、等のギャップ材を介して設 ゛け
られ、リア接続部で下部コアと接続し、コイルにより駆
動される。一方、検出部は、前述した上部コア材よりな
っており、ヘッド部と異なろ点はギャップ材がなく下部
コアと接続部で電気的に接合されていることである。以
上のことより、検出部における上部コア材と下部コア材
のつくる回路のオープンを抵抗測定によって検出し、研
摩を終了することによって有効ギャップ深さとすること
ができる。
部でＳｉｎ、等のギャップ材を介して設 ゛け
られ、リア接続部で下部コアと接続し、コイルにより駆
動される。一方、検出部は、前述した上部コア材よりな
っており、ヘッド部と異なろ点はギャップ材がなく下部
コアと接続部で電気的に接合されていることである。以
上のことより、検出部における上部コア材と下部コア材
のつくる回路のオープンを抵抗測定によって検出し、研
摩を終了することによって有効ギャップ深さとすること
ができる。
このような３次元の研摩深さ検出用パターンを各アレイ
の両端にもつフェノ・−を第４図のとと（Ｃ−Ｃ’で切
断し、円筒研硝機等により研削する。検出用端子をモニ
ターしておき、これがオープンになった時研削を止めれ
ば所望のギャップ深さが得られることになる。しかる後
に、それぞれのへッドテッグにＬ）−Ｄ’で切断し所望
のヘッドチップを完成する。
の両端にもつフェノ・−を第４図のとと（Ｃ−Ｃ’で切
断し、円筒研硝機等により研削する。検出用端子をモニ
ターしておき、これがオープンになった時研削を止めれ
ば所望のギャップ深さが得られることになる。しかる後
に、それぞれのへッドテッグにＬ）−Ｄ’で切断し所望
のヘッドチップを完成する。
この研摩深さ検出用パターンの配置は、上記のようにア
レイの両端に配置する場合の他に１第６図のごとく、ア
レイの両端及び中央部に配置することにより、一層研摩
精度乞あげることがでざる。また、第７図、第８図のご
どく配置することにより、検出用パターン４１がオープ
ンになるまで粗削りができ、その後、第二の検出用パタ
ーン４２がオープンになるまで微細加工することによっ
て加工精度をあげることができる。
レイの両端に配置する場合の他に１第６図のごとく、ア
レイの両端及び中央部に配置することにより、一層研摩
精度乞あげることがでざる。また、第７図、第８図のご
どく配置することにより、検出用パターン４１がオープ
ンになるまで粗削りができ、その後、第二の検出用パタ
ーン４２がオープンになるまで微細加工することによっ
て加工精度をあげることができる。
以上の如く、本発明の薄膜磁気ヘッドは、ギャップ深さ
を決定しているコイル層間絶縁層のテーパエッチングと
全く同一工程で形成されている三次元の研Ｍ４さ検出パ
ターンを具えたことにより従来に比較して大幅な深さ位
置の検出精度を得ることができる。
を決定しているコイル層間絶縁層のテーパエッチングと
全く同一工程で形成されている三次元の研Ｍ４さ検出パ
ターンを具えたことにより従来に比較して大幅な深さ位
置の検出精度を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例の磁気へッドクエハーの要部
側断面図、第２図は同じく平面図、第３図は本発明の一
実施例の要部平面図、第４図、第５図はヘッド分割図、
第６図、第７図。 第８図は本発明における他の実施例の要部平面図、第９
図は従来例の平面図、第１０図は他の従来例の側断面図
、第１１図はエツチングパターン説明図、第１２図はテ
ーパエッチングの並び精度を示すグラフ、第１３図はマ
スク基準線とエツチングパターンの位置関係を示す説明
図である。 １・・・導体コイル、 ２・・・上部コア、３・
・・薄膜磁気ヘッド、 ５・・・保護膜、６・・・基板
、 ７・・・下部コア、８・・・コア接続
部、 ９・・・ギャップ、１１・層間絶縁層。
側断面図、第２図は同じく平面図、第３図は本発明の一
実施例の要部平面図、第４図、第５図はヘッド分割図、
第６図、第７図。 第８図は本発明における他の実施例の要部平面図、第９
図は従来例の平面図、第１０図は他の従来例の側断面図
、第１１図はエツチングパターン説明図、第１２図はテ
ーパエッチングの並び精度を示すグラフ、第１３図はマ
スク基準線とエツチングパターンの位置関係を示す説明
図である。 １・・・導体コイル、 ２・・・上部コア、３・
・・薄膜磁気ヘッド、 ５・・・保護膜、６・・・基板
、 ７・・・下部コア、８・・・コア接続
部、 ９・・・ギャップ、１１・層間絶縁層。
Claims (1)
- １、薄膜磁性材を微小間隙で対向せしめて形成される電
磁変換子が複数配置された薄膜磁気ヘッドウェハーにお
いて、ウェハー内の各アレイの両端もしくは、両端と中
央部にギャップ深さを決定するコイル絶縁層のテーパエ
ッチングと同一工程で形成された３次元の研摩深さ検出
用パターンを少なくとも２個以上具えたことを特徴とす
る薄膜磁気ヘッドウェハー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15026785A JPS6212912A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 薄膜磁気ヘツドウエハ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15026785A JPS6212912A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 薄膜磁気ヘツドウエハ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6212912A true JPS6212912A (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=15493203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15026785A Pending JPS6212912A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 薄膜磁気ヘツドウエハ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6212912A (ja) |
-
1985
- 1985-07-10 JP JP15026785A patent/JPS6212912A/ja active Pending
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