JPS6212989A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS6212989A JPS6212989A JP60151205A JP15120585A JPS6212989A JP S6212989 A JPS6212989 A JP S6212989A JP 60151205 A JP60151205 A JP 60151205A JP 15120585 A JP15120585 A JP 15120585A JP S6212989 A JPS6212989 A JP S6212989A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble
- pattern
- ion implantation
- stretcher
- soft magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
磁気バブルメモリ素子であって、バブル磁区を伸長させ
るストレッチャー軟磁性パターンの一部の下に、イオン
注入層を設けることにより、該パターンからの磁界を低
減し、ストライプ磁区の部分的な転送遅れを防止可能と
する。
るストレッチャー軟磁性パターンの一部の下に、イオン
注入層を設けることにより、該パターンからの磁界を低
減し、ストライプ磁区の部分的な転送遅れを防止可能と
する。
本発明は電子計算装置等の記憶装置に用いられ、、よ２
．７０７．□ＩＪ ｆｉイ６３ヵオ、６ｏ７あ、。
１磁気バブルメモリ装置は、例えばガドリニウム・
ガリウム・ガーネットの単結晶基板の上に液相エピタキ
シャル成長法により磁性ガーネットの薄膜（［気バブル
結晶）を形成し、その上にパーマロイ等の軟磁性薄膜を
用いハーフディスク型又は非対称シェブロン型等のパタ
ーンを行列させたバブル転送路を形成したものであり、
バブル発生器により情報に従って発生させたバブルを転
送路に導き、そのパターンにバブルがある場合を“ｌ”
。
．７０７．□ＩＪ ｆｉイ６３ヵオ、６ｏ７あ、。
１磁気バブルメモリ装置は、例えばガドリニウム・
ガリウム・ガーネットの単結晶基板の上に液相エピタキ
シャル成長法により磁性ガーネットの薄膜（［気バブル
結晶）を形成し、その上にパーマロイ等の軟磁性薄膜を
用いハーフディスク型又は非対称シェブロン型等のパタ
ーンを行列させたバブル転送路を形成したものであり、
バブル発生器により情報に従って発生させたバブルを転
送路に導き、そのパターンにバブルがある場合を“ｌ”
。
ない場合を“０”として情報を記憶させている。
また、情報の読み出しは、バブルをストレッチャパター
ンによって引伸ばし、ストライプ磁区とした後、磁気抵
抗効果を利用した検出器により電気信号として取出し、
バブルの有無を検出するようになっている。
ンによって引伸ばし、ストライプ磁区とした後、磁気抵
抗効果を利用した検出器により電気信号として取出し、
バブルの有無を検出するようになっている。
第３図は従来のストレッチャーを示す図である。
同図においてｌはバブル転送路、２はストレッチャーで
ある。このストレッチャー２は多数の軟磁性薄膜パター
ン３を並べた列を複数列多段に配置したものである。
ある。このストレッチャー２は多数の軟磁性薄膜パター
ン３を並べた列を複数列多段に配置したものである。
上記従来の軟磁性ストレッチャーにおいては、バブルメ
モリ素子高密度化の為に４πＭｓの大きなバブル径の小
さい結晶を用いる場合、第３図に示すようにストレッチ
十−人ロ部でストライプ磁区４が部分的に転送遅れを生
じ動作マージンが少なくなる欠点があった。
モリ素子高密度化の為に４πＭｓの大きなバブル径の小
さい結晶を用いる場合、第３図に示すようにストレッチ
十−人ロ部でストライプ磁区４が部分的に転送遅れを生
じ動作マージンが少なくなる欠点があった。
本発明はこのような点に鑑みて案出されたもので、簡易
な構成でストレッチャーの動作マージンを向上した磁気
バブルメモリ素子を提供することを目的とするものであ
る。
な構成でストレッチャーの動作マージンを向上した磁気
バブルメモリ素子を提供することを目的とするものであ
る。
このため本発明においては、複数個の軟磁性パターンを
配列してバブル磁区を伸長させるストレッチャーを有す
る磁気バブルメモリ素子において、該ストレッチャー１
１の一部の軟磁性パターン１２下に、該パターン１２か
らの磁界を低減するようにイオン注入層１３を設けたこ
とを特徴としている。
配列してバブル磁区を伸長させるストレッチャーを有す
る磁気バブルメモリ素子において、該ストレッチャー１
１の一部の軟磁性パターン１２下に、該パターン１２か
らの磁界を低減するようにイオン注入層１３を設けたこ
とを特徴としている。
スＩ−Ｌ、ッチャーの一部の軟磁性パターンの下のバブ
ル結晶にイオン注入層を設けることにより、イオン注入
層が軟磁性パターンからの磁界を一部バイパスし、軟磁
性パターンとイオン注入層下のストライプ磁区との相互
作用が軽減するため、ストライプ磁区の部分的な転送遅
れの防止が可能となる。
ル結晶にイオン注入層を設けることにより、イオン注入
層が軟磁性パターンからの磁界を一部バイパスし、軟磁
性パターンとイオン注入層下のストライプ磁区との相互
作用が軽減するため、ストライプ磁区の部分的な転送遅
れの防止が可能となる。
第１図は本発明の実施例を示す図である。同図において
、１０はバブル転送路、１１はストレ、：／チャー、１
２は軟磁性パターン、１３はイオン注入領域である。
、１０はバブル転送路、１１はストレ、：／チャー、１
２は軟磁性パターン、１３はイオン注入領域である。
本実施例は図に示すようにストレッチャー１１、 の
一部の軟磁性パターン１２の端部がかかるように、バブ
ル結晶にイオン注入層１３を形成したものである。なお
図において点々で示した部分がイオン注入領域に形成し
たイオン注入層１３である。
一部の軟磁性パターン１２の端部がかかるように、バブ
ル結晶にイオン注入層１３を形成したものである。なお
図において点々で示した部分がイオン注入領域に形成し
たイオン注入層１３である。
通常磁気バブルメモリ素子はハードバブル抑制のために
素子全面にイオン注入が行なわれているが本実施例では
それにプラスして行なう。この場合、ハードバブル抑制
用のイオン注入よりもイオン注入ドーズ量を多くするか
、又はイオン注入層の深さを深くする。
素子全面にイオン注入が行なわれているが本実施例では
それにプラスして行なう。この場合、ハードバブル抑制
用のイオン注入よりもイオン注入ドーズ量を多くするか
、又はイオン注入層の深さを深くする。
このように構成された本実施例は、バブル結晶のイオン
注入領域に形成されたイオン注入層１３が軟磁性パター
ン１２からの磁界を一部バイパスし、軟磁性パターンと
イオン注入層下のストライプ磁区との相互作用を軽減す
るため、バブル転送路１０からストレッチャー１１に送
られるバブルは、軟磁性パターン１２のイオン注入され
た端部ではストレッチされず、イオン注入されない部分
でストレッチされる。もしイオン注入されていないと軟
磁性パターン１２の端部で既に伸長される。
注入領域に形成されたイオン注入層１３が軟磁性パター
ン１２からの磁界を一部バイパスし、軟磁性パターンと
イオン注入層下のストライプ磁区との相互作用を軽減す
るため、バブル転送路１０からストレッチャー１１に送
られるバブルは、軟磁性パターン１２のイオン注入され
た端部ではストレッチされず、イオン注入されない部分
でストレッチされる。もしイオン注入されていないと軟
磁性パターン１２の端部で既に伸長される。
端部での磁化は強いため、駆動磁界が進んでもストレッ
チされた磁区が一部端部にトラップされ、磁区の転送に
一部の遅れが生じる。しかし１２の端部の下がイオン注
入されていると前述したようにバブルは端部ではストレ
ッチされないため一部に転送遅れは生じない。従って動
作マージンの低下は防止される。
チされた磁区が一部端部にトラップされ、磁区の転送に
一部の遅れが生じる。しかし１２の端部の下がイオン注
入されていると前述したようにバブルは端部ではストレ
ッチされないため一部に転送遅れは生じない。従って動
作マージンの低下は防止される。
第２図は本発明実施例と従来例との動作マージンを比較
しｔ示した図である。同図は縦軸にバイアス磁界を、横
軸に駆動磁界をとり、曲線Ａにより本実施例の、曲線Ｂ
により従来例のマージンを示した。なおイオン注入条件
は、本実施例では全面にＮｅイオンを加速エネルギー３
５ＫｅＶでＩ Ｘｌ０１４／ｃ４注入し、更にイオン注
入層１．３として、Ｎｅイオンを１４０ＫｅＶで２ Ｘ
１０” ／ ｃｎ！及びＨ２イオンを４２Ｋｅνで２
Ｘ１０′６／ｃｎｌ注入した。
しｔ示した図である。同図は縦軸にバイアス磁界を、横
軸に駆動磁界をとり、曲線Ａにより本実施例の、曲線Ｂ
により従来例のマージンを示した。なおイオン注入条件
は、本実施例では全面にＮｅイオンを加速エネルギー３
５ＫｅＶでＩ Ｘｌ０１４／ｃ４注入し、更にイオン注
入層１．３として、Ｎｅイオンを１４０ＫｅＶで２ Ｘ
１０” ／ ｃｎ！及びＨ２イオンを４２Ｋｅνで２
Ｘ１０′６／ｃｎｌ注入した。
従来例ではハードバブル防止のため全面にＮｅイオンを
加速エネルギー３５ＫｅＶで１×１０′′／ｃ［ｌ注入
したのみである。図より本実施例は従来例に比し高駆動
磁界でのバイアスマージンが改善されていることがわか
る。
加速エネルギー３５ＫｅＶで１×１０′′／ｃ［ｌ注入
したのみである。図より本実施例は従来例に比し高駆動
磁界でのバイアスマージンが改善されていることがわか
る。
以上述べてきたように、本発明によれば極めて簡易な構
成でバイアスマージンの改善ができ、実用的には極めて
有用である。
成でバイアスマージンの改善ができ、実用的には極めて
有用である。
第１図は本発明の実施例を示す図、
第２図は本発明実施例と従来例のバイアスマージンを比
較して示した図、 第３図は従来の磁気バブルメモリ素子のストレッチャー
を示す図である。 第１図において、 １０はバブル転送路、 １１はストレッチャー、 １２は軟磁性パターン、 １３はイオン注入層である。
較して示した図、 第３図は従来の磁気バブルメモリ素子のストレッチャー
を示す図である。 第１図において、 １０はバブル転送路、 １１はストレッチャー、 １２は軟磁性パターン、 １３はイオン注入層である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、複数個の軟磁性パターンを配列してバブル磁区を伸
長させるストレッチャーを有する磁気バブルメモリ素子
において、 該ストレッチャー（１１）の一部の軟磁性パターン（１
２）下に、該パターン（１２）からの磁界を低減するよ
うにイオン注入層（１３）を設けたことを特徴とする磁
気バブルメモリ素子。 ２、上記一部のイオン注入ドーズ量を他の部分より多く
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気
バブルメモリ素子。 ３、上記一部のイオン注入層の深さを他の部分より深く
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気
バブルメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60151205A JPS6212989A (ja) | 1985-07-11 | 1985-07-11 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60151205A JPS6212989A (ja) | 1985-07-11 | 1985-07-11 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6212989A true JPS6212989A (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=15513533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60151205A Pending JPS6212989A (ja) | 1985-07-11 | 1985-07-11 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6212989A (ja) |
-
1985
- 1985-07-11 JP JP60151205A patent/JPS6212989A/ja active Pending
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