JPS6213570A - 陰極スパツタ用タ−ゲツト板 - Google Patents
陰極スパツタ用タ−ゲツト板Info
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- JPS6213570A JPS6213570A JP61156329A JP15632986A JPS6213570A JP S6213570 A JPS6213570 A JP S6213570A JP 61156329 A JP61156329 A JP 61156329A JP 15632986 A JP15632986 A JP 15632986A JP S6213570 A JPS6213570 A JP S6213570A
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- Japan
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- plate
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- sputtered
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
陰極スパッタ用ターゲ・ノド板は、基材表面Ｇこ該当す
る物質から成る層を堆積させるか、又はスパッタ装置内
で化学的に活性な残留ガスの存在でターゲット材料と活
性ガスとの化合物を堆積させるために陰極スパッタ装置
中でスパッターされる物質から成る。
る物質から成る層を堆積させるか、又はスパッタ装置内
で化学的に活性な残留ガスの存在でターゲット材料と活
性ガスとの化合物を堆積させるために陰極スパッタ装置
中でスパッターされる物質から成る。
〔従来の技術と発明が解決しようとする問題点〕出力の
大きい装置では、陰極板はイオンとの衝突によりしばし
ば極めて高い熱負荷にさらされ、過剰の熱エネルギーを
導出するために冷却しなければならない。それでも、出
力が高い場合には、ターゲット板が、通常そうであるよ
うに、その縁部で固定されて、冷却された支持体に向か
って押圧される場合には、ターゲット板が熱膨張により
歪み、支持体から離れ、それによって冷却が不充分にな
り、ターゲット材料が高温になりすぎるという問題が生
じる。その場合に、ターゲット材料は、軟化し、場合に
より最終的には溶融することもある。これを防止するた
めに、ターゲット板の裏面を冷却された支持体とはんだ
付は又は溶接することが既に試みられたが、このような
結合は極めて注意深く製造しなければならず、それでも
なお、ターゲット板が支持体からはずれることがある。
大きい装置では、陰極板はイオンとの衝突によりしばし
ば極めて高い熱負荷にさらされ、過剰の熱エネルギーを
導出するために冷却しなければならない。それでも、出
力が高い場合には、ターゲット板が、通常そうであるよ
うに、その縁部で固定されて、冷却された支持体に向か
って押圧される場合には、ターゲット板が熱膨張により
歪み、支持体から離れ、それによって冷却が不充分にな
り、ターゲット材料が高温になりすぎるという問題が生
じる。その場合に、ターゲット材料は、軟化し、場合に
より最終的には溶融することもある。これを防止するた
めに、ターゲット板の裏面を冷却された支持体とはんだ
付は又は溶接することが既に試みられたが、このような
結合は極めて注意深く製造しなければならず、それでも
なお、ターゲット板が支持体からはずれることがある。
いずれにしても、このはんだ付は又は溶接は高価である
。はとんどの場合、ターゲット板はその周縁で冷却され
る支持体上にねじで締結され、更に板の中央でねじによ
って固定されて、はずれを防止されていた。米国特許第
４４２１６２８号明細書からは、スパッターすべき表面
の平行な中心線に沿って数個の切欠部を固定のため有す
るターゲット板が公知になっており、この場合、切欠部
はスパッターすべき表面の側で中心線に沿って施された
溝の底部に設けられ、溝の深さはターゲット板を固定す
るため溝中に装着される副木及び該当する固定ねじがス
パッター面上に突出しないようにする。それより以前の
装置では、はとんどの場合にスパッタ操作中に極めて高
い温度になる板中央の溝底部の範囲におけるターゲット
板の厚さが小さいため、この個所で、改良された冷却が
達成され、それにより、中心固定部の範囲内で、材料が
歪んだり、或いは流れたりするのを防止した。
。はとんどの場合、ターゲット板はその周縁で冷却され
る支持体上にねじで締結され、更に板の中央でねじによ
って固定されて、はずれを防止されていた。米国特許第
４４２１６２８号明細書からは、スパッターすべき表面
の平行な中心線に沿って数個の切欠部を固定のため有す
るターゲット板が公知になっており、この場合、切欠部
はスパッターすべき表面の側で中心線に沿って施された
溝の底部に設けられ、溝の深さはターゲット板を固定す
るため溝中に装着される副木及び該当する固定ねじがス
パッター面上に突出しないようにする。それより以前の
装置では、はとんどの場合にスパッタ操作中に極めて高
い温度になる板中央の溝底部の範囲におけるターゲット
板の厚さが小さいため、この個所で、改良された冷却が
達成され、それにより、中心固定部の範囲内で、材料が
歪んだり、或いは流れたりするのを防止した。
しかし、ターゲット板の前面、即ち、スパッターすべき
表面に固定副木を設ける必要性は、依然として、特に、
中心固定副木及び固定ねじを構成する工作材料（鋼）の
極めて少量の同時スパッタリングでも製造すべき層の汚
染が許容できない場合に、欠点である。この欠点を回避
するため、本出願人は、スパッターすべき表面から離れ
た側に少なくとも１個の切欠部を有し、この切欠部中に
形状結合するばね結合によって支持体への固定用の補助
部材が嵌め込まれている、ターゲット板を既に提案した
。前記の切欠部を、例えば中空円筒形に構成することが
でき、その際、円筒形補助部材をスナップリングによっ
て切欠部中に嵌め込む。
表面に固定副木を設ける必要性は、依然として、特に、
中心固定副木及び固定ねじを構成する工作材料（鋼）の
極めて少量の同時スパッタリングでも製造すべき層の汚
染が許容できない場合に、欠点である。この欠点を回避
するため、本出願人は、スパッターすべき表面から離れ
た側に少なくとも１個の切欠部を有し、この切欠部中に
形状結合するばね結合によって支持体への固定用の補助
部材が嵌め込まれている、ターゲット板を既に提案した
。前記の切欠部を、例えば中空円筒形に構成することが
でき、その際、円筒形補助部材をスナップリングによっ
て切欠部中に嵌め込む。
比較的高い作動温度でも充分な機械的安定性を達成する
ため、スパッターすべき材料より著しく高い軟化点を有
する材料から補助部材を構成すべきである。
ため、スパッターすべき材料より著しく高い軟化点を有
する材料から補助部材を構成すべきである。
本発明は、ターゲット板をその裏面で固定する、更に良
好な可能性を提供することを課題とする。
好な可能性を提供することを課題とする。
〔問題点を解決するための手段および作用効果〕上記課
題は、操作時に、スパッターすべき表面から離れた裏面
が支持体に向かって押圧される、複数の構成部材から成
る陰極スパッタ用ターゲット板であって、ターゲット板
の構成部材が支持体への固定用の補助部材を嵌め込むた
め切欠部を有することを特徴とする陰極スパッタ用ター
ゲット板によって解決される。
題は、操作時に、スパッターすべき表面から離れた裏面
が支持体に向かって押圧される、複数の構成部材から成
る陰極スパッタ用ターゲット板であって、ターゲット板
の構成部材が支持体への固定用の補助部材を嵌め込むた
め切欠部を有することを特徴とする陰極スパッタ用ター
ゲット板によって解決される。
ターゲット板を複数の構成部材から構成することによっ
て、作動中に、個々の板部材をその損耗に応じて交換す
るか、又はすべての部材がある程度均一に損耗するよう
に相互に交換することができるという利点が生じる。タ
ーゲット材料は、しばしば極めて高価であるので、この
可能性は特に経済的に重要である。実際、良好な利用度
を達成するため、陰極スパッタ用ターゲット板を複数の
構成部材から構成し、個々の板部材を前記のように交換
することは、ドイツ連邦共和国特許出願公開第３００９
８３６号公報から既に公知であるが、このような複数の
構成部材から成る陰極が、本明細書に記載するように、
陰極をその裏面で確実に固定する、著しく簡単で、有利
な可能性を生じることは知られていなかった。
て、作動中に、個々の板部材をその損耗に応じて交換す
るか、又はすべての部材がある程度均一に損耗するよう
に相互に交換することができるという利点が生じる。タ
ーゲット材料は、しばしば極めて高価であるので、この
可能性は特に経済的に重要である。実際、良好な利用度
を達成するため、陰極スパッタ用ターゲット板を複数の
構成部材から構成し、個々の板部材を前記のように交換
することは、ドイツ連邦共和国特許出願公開第３００９
８３６号公報から既に公知であるが、このような複数の
構成部材から成る陰極が、本明細書に記載するように、
陰極をその裏面で確実に固定する、著しく簡単で、有利
な可能性を生じることは知られていなかった。
以下に、本発明の実施例を添付図面に基づいて詳述する
。
。
第１図は、複数の構成部材から成るターゲット板の断面
及びマグネトロンスパッタ装置内でのその配置を示す。
及びマグネトロンスパッタ装置内でのその配置を示す。
第２図は、この実施例における複数の構成部材から成る
卵形ターゲット板の斜視図である。
卵形ターゲット板の斜視図である。
第１図において、ターゲット板１は、２個の部材１ａ及
び１ｂから成り、これらは、分離スリット２のところで
相互に当接して、電気的に見てただ１個のターゲットが
形成され、その前面３がスバッターされる。ターゲット
板１は、その周縁部で把持するクランプリング４によっ
て冷却板５に対してねじ止めされている（冷却板は図示
していない冷却装置、例えば冷媒が流通するチャンネル
によって冷却される）。ターゲット板１及び冷却板５自
体は、（象徴的に示した）電磁石６に隣接しており、こ
の電磁石は、作動する際にターゲット板のスパッターす
べき前面に公知方法で磁場を保持する。この磁場は、タ
ーゲットのスパッターすべき表面の前で同時に行われる
気体放電の帯電粒子を濃縮する作用をし、これにより公
知のようにスパッタの作用度が著しく増加されうる。電
磁石６は、装置全体を収容するケーシング９の底部８上
に設置された支柱７によって支持されている。
び１ｂから成り、これらは、分離スリット２のところで
相互に当接して、電気的に見てただ１個のターゲットが
形成され、その前面３がスバッターされる。ターゲット
板１は、その周縁部で把持するクランプリング４によっ
て冷却板５に対してねじ止めされている（冷却板は図示
していない冷却装置、例えば冷媒が流通するチャンネル
によって冷却される）。ターゲット板１及び冷却板５自
体は、（象徴的に示した）電磁石６に隣接しており、こ
の電磁石は、作動する際にターゲット板のスパッターす
べき前面に公知方法で磁場を保持する。この磁場は、タ
ーゲットのスパッターすべき表面の前で同時に行われる
気体放電の帯電粒子を濃縮する作用をし、これにより公
知のようにスパッタの作用度が著しく増加されうる。電
磁石６は、装置全体を収容するケーシング９の底部８上
に設置された支柱７によって支持されている。
１０は、スパッターされる粒子の流れの開口角度を適切
に限定し、同時に、陽極と陰極板（ターゲット板）との
間に保持しなければならない気体放電用の陽極として役
立つ、ケーシング上端の絞りリングである。
に限定し、同時に、陽極と陰極板（ターゲット板）との
間に保持しなければならない気体放電用の陽極として役
立つ、ケーシング上端の絞りリングである。
ターゲット板の２個の部材１ａ及び１ｂを冷却支持体上
にクランプリング４によって縁部でばかりでなく、中央
部でも固定できるように、前記の部材は、分離スリット
を形成する側に、補助部材１３を嵌合しうる中空室を一
緒に形成する切欠部１１又は１２をそれぞれ１個有する
。補助部材１３は、冷却支持体にターゲット板を固定す
るためのねじ穴１４を有する。この固定は、最も簡単に
はねじ１５によって行うことができ、このねじは、冷却
板の穴１６を貫通して補助部材１３及びこれによってタ
ーゲット板の２個の部材１ａ及びｌｂを冷却支持体に押
圧する。図示した装置は、ターゲット板の交換の際、又
は清掃若しくは修理の目的でスパッタ装置を分解する際
に特に簡単に取り扱うことができる。個々の構成部材を
取り外し、交換するには、クランプリング４及び冷却支
持体を磁石ケーシング６ａからはずした後、単に更にね
じ１５をゆるめればよい。
にクランプリング４によって縁部でばかりでなく、中央
部でも固定できるように、前記の部材は、分離スリット
を形成する側に、補助部材１３を嵌合しうる中空室を一
緒に形成する切欠部１１又は１２をそれぞれ１個有する
。補助部材１３は、冷却支持体にターゲット板を固定す
るためのねじ穴１４を有する。この固定は、最も簡単に
はねじ１５によって行うことができ、このねじは、冷却
板の穴１６を貫通して補助部材１３及びこれによってタ
ーゲット板の２個の部材１ａ及びｌｂを冷却支持体に押
圧する。図示した装置は、ターゲット板の交換の際、又
は清掃若しくは修理の目的でスパッタ装置を分解する際
に特に簡単に取り扱うことができる。個々の構成部材を
取り外し、交換するには、クランプリング４及び冷却支
持体を磁石ケーシング６ａからはずした後、単に更にね
じ１５をゆるめればよい。
第２図に示した、３個の構成部材から成る卵形ターゲッ
ト板の実施例は、部材１６ａ、１６ｂ及び１６ｃから成
る。３個の部材は、２個の分離スリット１７及び１８を
可視化するために、第２図には小さい間隔を置いて示さ
れている。しかし、使用する際には、３個の部材は相互
に密着している（第１図に部材１ａ及び１ｂについて示
したように）。相互に当接し、分離スリットを形成する
面には、本発明により切欠部が設けられており、固定補
助部材の収容のため対応する中空室を形成する。（第２
図において）左側の分離スリットでは、２個の部材１６
ａ及び１６ｂは、補助部材としての円形板１９が切欠部
によって形成される中空室中に設置されうるような形の
切欠部を有し、その際、４個のねじ穴２０が冷却支持体
からの固定のため設けられており、これにより補助部材
は固定ねじのねし込みの際の回転に対しても安全になっ
ている。これに対して右側の分離スリットの境界面には
、矩形板の形の補助部材を収容しうる切欠部が設けられ
ており、この場合にも下側からの固定のため４個の穴が
使用される。
ト板の実施例は、部材１６ａ、１６ｂ及び１６ｃから成
る。３個の部材は、２個の分離スリット１７及び１８を
可視化するために、第２図には小さい間隔を置いて示さ
れている。しかし、使用する際には、３個の部材は相互
に密着している（第１図に部材１ａ及び１ｂについて示
したように）。相互に当接し、分離スリットを形成する
面には、本発明により切欠部が設けられており、固定補
助部材の収容のため対応する中空室を形成する。（第２
図において）左側の分離スリットでは、２個の部材１６
ａ及び１６ｂは、補助部材としての円形板１９が切欠部
によって形成される中空室中に設置されうるような形の
切欠部を有し、その際、４個のねじ穴２０が冷却支持体
からの固定のため設けられており、これにより補助部材
は固定ねじのねし込みの際の回転に対しても安全になっ
ている。これに対して右側の分離スリットの境界面には
、矩形板の形の補助部材を収容しうる切欠部が設けられ
ており、この場合にも下側からの固定のため４個の穴が
使用される。
当業者には明らかなとおり、切欠部を容易に種々の形に
することができ、その際もちろん、ねじ１５を締めるこ
とができるように、補助部材１３は切欠部によって形成
される中空室中で回転しないようにすることを考慮する
。そのため、切欠部及び補助部材を、補助部材が切欠部
によって形成される中空室に形状的に固定されるように
構成するのが有利である。補助部材は、熱伝導性の良い
物質、例えば、銅から成るのが有利である。
することができ、その際もちろん、ねじ１５を締めるこ
とができるように、補助部材１３は切欠部によって形成
される中空室中で回転しないようにすることを考慮する
。そのため、切欠部及び補助部材を、補助部材が切欠部
によって形成される中空室に形状的に固定されるように
構成するのが有利である。補助部材は、熱伝導性の良い
物質、例えば、銅から成るのが有利である。
第１図は、ターゲット板を設置したマグネトロンスパッ
タ装置の断面図、第２図は、卵形ターゲット板の斜視図
である。 ｌ・・・ターゲット板、 １ ａ、１ ｂ、１６ａ、１６ｂ、 １６ｃｍ・・構成
部材、２、１７．１８・・・分離スリット、 ４・・・クランプリング、 ５・・・冷却板、６・
・・電磁石、 ６ａ・・・磁石ケーシング、 １１．１２・・・切欠部
、１３・・・補助部材、 １４．２０・・・ねじ
穴。 以下余白
タ装置の断面図、第２図は、卵形ターゲット板の斜視図
である。 ｌ・・・ターゲット板、 １ ａ、１ ｂ、１６ａ、１６ｂ、 １６ｃｍ・・構成
部材、２、１７．１８・・・分離スリット、 ４・・・クランプリング、 ５・・・冷却板、６・
・・電磁石、 ６ａ・・・磁石ケーシング、 １１．１２・・・切欠部
、１３・・・補助部材、 １４．２０・・・ねじ
穴。 以下余白
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、操作時に、スパッターすべき表面から離れた裏面が
支持体に向かって押圧される、複数の構成部材から成る
陰極スパッタ用ターゲット板であって、ターゲット板の
構成部材が支持体への固定用の補助部材を嵌め込むため
切欠部を有することを特徴とする陰極スパッタ用ターゲ
ット板。 ２、切欠部が固定に使用する補助部材を形状に基づいて
固定するように収容するような形状を有する特許請求の
範囲第１項記載のターゲット板。 ３、補助部材がねじ穴を有する板として形成されている
特許請求の範囲第１項記載のターゲット板。 ４、補助部材が、スパッターすべき材料より著しく高い
軟化点を有する材料から成る特許請求の範囲第１項記載
のターゲット板。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH02986/85-1 | 1985-07-10 | ||
| CH2986/85A CH669242A5 (de) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | Targetplatte fuer kathodenzerstaeubung. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6213570A true JPS6213570A (ja) | 1987-01-22 |
Family
ID=4246085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61156329A Pending JPS6213570A (ja) | 1985-07-10 | 1986-07-04 | 陰極スパツタ用タ−ゲツト板 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4747927A (ja) |
| JP (1) | JPS6213570A (ja) |
| CH (1) | CH669242A5 (ja) |
| DE (1) | DE3620908A1 (ja) |
| FR (1) | FR2584741B1 (ja) |
| GB (1) | GB2178063B (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4025077A1 (de) * | 1990-08-08 | 1992-02-20 | Leybold Ag | Magnetronkathode |
| FR2670218B1 (fr) * | 1990-12-06 | 1993-02-05 | Innovatique Sa | Procede de traitement de metaux par depot de matiere, et pour la mise en óoeuvre dudit procede. |
| US5282943A (en) * | 1992-06-10 | 1994-02-01 | Tosoh Smd, Inc. | Method of bonding a titanium containing sputter target to a backing plate and bonded target/backing plate assemblies produced thereby |
| DE4242079A1 (de) * | 1992-12-14 | 1994-06-16 | Leybold Ag | Target für eine in einer evakuierbaren mit einem Prozeßgas flutbaren Prozeßkammer angeordneten Kathode |
| DE4426751A1 (de) * | 1994-07-28 | 1996-02-01 | Leybold Ag | Schwimmende Zentralbefestigung, insbesondere für großflächige Sputterkatoden |
| US6264804B1 (en) | 2000-04-12 | 2001-07-24 | Ske Technology Corp. | System and method for handling and masking a substrate in a sputter deposition system |
| JP4653419B2 (ja) * | 2004-05-17 | 2011-03-16 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 真空処理装置 |
| TW200710243A (en) * | 2005-05-02 | 2007-03-16 | Honeywell Int Inc | Target assemblies, targets, backing plates, and methods of target cooling |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3838031A (en) * | 1972-09-15 | 1974-09-24 | A Snaper | Means and method for depositing recrystallized ferroelectric material |
| US4200510A (en) * | 1979-03-19 | 1980-04-29 | Delbar Products, Inc. | Assembly and method to extend useful life of sputtering targets |
| DE3148354A1 (de) * | 1981-12-07 | 1983-06-09 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zur kathodenzerstaeubung eines metalles |
| CH646459A5 (de) * | 1982-03-22 | 1984-11-30 | Balzers Hochvakuum | Rechteckige targetplatte fuer kathodenzerstaeubungsanlagen. |
| US4414086A (en) * | 1982-11-05 | 1983-11-08 | Varian Associates, Inc. | Magnetic targets for use in sputter coating apparatus |
| JPS59133369A (ja) * | 1983-01-21 | 1984-07-31 | Hitachi Ltd | スパツタリング用のタ−ゲツト構造体 |
| JPS59200761A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-14 | Toshiba Corp | スパツタリングタ−ゲツト支持装置 |
| US4428816A (en) * | 1983-05-25 | 1984-01-31 | Materials Research Corporation | Focusing magnetron sputtering apparatus |
| US4515675A (en) * | 1983-07-06 | 1985-05-07 | Leybold-Heraeus Gmbh | Magnetron cathode for cathodic evaportion apparatus |
| US4517070A (en) * | 1984-06-28 | 1985-05-14 | General Motors Corporation | Magnetron sputtering cathode assembly and magnet assembly therefor |
| CH665057A5 (de) * | 1984-07-20 | 1988-04-15 | Balzers Hochvakuum | Targetplatte fuer kathodenzerstaeubung. |
-
1985
- 1985-07-10 CH CH2986/85A patent/CH669242A5/de not_active IP Right Cessation
-
1986
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