JPS62135809A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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- JPS62135809A JPS62135809A JP60277271A JP27727185A JPS62135809A JP S62135809 A JPS62135809 A JP S62135809A JP 60277271 A JP60277271 A JP 60277271A JP 27727185 A JP27727185 A JP 27727185A JP S62135809 A JPS62135809 A JP S62135809A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液晶表示装置に於て、表示品質を向上するた
め表示パターン以外の部分の光反射及び光透過を防止す
る膜を形成する方法に関する。
め表示パターン以外の部分の光反射及び光透過を防止す
る膜を形成する方法に関する。
液晶表示装置に於て表示パターン以外の部分の光透過及
び光反射を防止すると、ブラックストライプの効果を発
揮し表示の鮮鋭問が増すため、表示品を向上できる事が
知られている。従来この碌な効果を得るためには、 １）液晶の中へ二色性染料を添加するＧ−Ｈ法２）透過
率の低＾偏光板を使用する。 。
び光反射を防止すると、ブラックストライプの効果を発
揮し表示の鮮鋭問が増すため、表示品を向上できる事が
知られている。従来この碌な効果を得るためには、 １）液晶の中へ二色性染料を添加するＧ−Ｈ法２）透過
率の低＾偏光板を使用する。 。
３）液晶セル内面の点灯不要部分へ光遮断膜を形成し光
を遮断する。
を遮断する。
等の方法が考えられていたが、３）の方法が光遮断効果
からして最も有効な方法であると考えられており、その
製造方法としては従来、下記の様な方法が取られていた
。
からして最も有効な方法であると考えられており、その
製造方法としては従来、下記の様な方法が取られていた
。
１）ゼラチン等の水溶性高分子材料に重クロム酸塩等の
感材全添加して感光ｆ！Ｅ’を付与し、光を遮断するべ
き部分にバター二／グした後、必要とする分光１５ｆ注
を有する染料で染色する。
感材全添加して感光ｆ！Ｅ’を付与し、光を遮断するべ
き部分にバター二／グした後、必要とする分光１５ｆ注
を有する染料で染色する。
２）Ａ７．ハ、 Ｃｒ 等の金ａｉｍ又はｐ、ｏ、
、 ＭｇＯ、ｃｏｏ 、 Ｎ４ｏ等の金属酸化物の薄膜
金蒸着あるｖｈはスパッタリング法により透明電画基板
）ｚｌＣ形収しフォトエツチング法によりパターンニン
グする。
、 ＭｇＯ、ｃｏｏ 、 Ｎ４ｏ等の金属酸化物の薄膜
金蒸着あるｖｈはスパッタリング法により透明電画基板
）ｚｌＣ形収しフォトエツチング法によりパターンニン
グする。
等である。
ｌ）の方法は必要な光遮断特性を得るのに１μ〜２μ程
度のｌ［厚が必要である事と耐熱性が１８０℃権度と低
いため蔽晶セル！！造工程の熱処理条件？管理する必要
がらり液晶表示装置の表示寿命に悪影響全没はしている
。又２１の方法は、へ！、刈。
度のｌ［厚が必要である事と耐熱性が１８０℃権度と低
いため蔽晶セル！！造工程の熱処理条件？管理する必要
がらり液晶表示装置の表示寿命に悪影響全没はしている
。又２１の方法は、へ！、刈。
Ｃｒ等の導体金属を用いる場合、透明ｗＬ匝とのショー
ト不良を防ぐため光遮断膜と透明！１Ｍの間に間隔金施
ける必要があり完全に光を遮断する事は出来ない、又Ｉ
ｌ′ｅ ｔ０３ ｓ Ｍ１７０＋ ＣＯＯ等の金属酸化
物を使用する場合でも、該金属＠１ヒ物が不透明でちる
ため透明ｔｉｔｌｌｉに対するアジイメント操作が困難
であり、前記透明電属パターンと１ｒｉＪ記金属及び金
属酸化物のパターンニング立置のズレにより完全な遮光
が出来ない等の間眺点があった。
ト不良を防ぐため光遮断膜と透明！１Ｍの間に間隔金施
ける必要があり完全に光を遮断する事は出来ない、又Ｉ
ｌ′ｅ ｔ０３ ｓ Ｍ１７０＋ ＣＯＯ等の金属酸化
物を使用する場合でも、該金属＠１ヒ物が不透明でちる
ため透明ｔｉｔｌｌｉに対するアジイメント操作が困難
であり、前記透明電属パターンと１ｒｉＪ記金属及び金
属酸化物のパターンニング立置のズレにより完全な遮光
が出来ない等の間眺点があった。
〔開蓋ｔ′＃６決するための手段〕
本発明は、上記の間租点を解決するために、金属酸化物
等の絶縁物による光遮断１−金、透明電甑？パターンニ
ングする際便用したフォトレジスト？そのまま残してマ
スキング材として利用し、該基板に前記絶縁物？真空法
等により収嗅する。いわゆるリフトオフ法で形成する事
により上記間頌を解決し、良好な光遮断％註金有する薄
膜を液晶表示装置内に形成することができた。
等の絶縁物による光遮断１−金、透明電甑？パターンニ
ングする際便用したフォトレジスト？そのまま残してマ
スキング材として利用し、該基板に前記絶縁物？真空法
等により収嗅する。いわゆるリフトオフ法で形成する事
により上記間頌を解決し、良好な光遮断％註金有する薄
膜を液晶表示装置内に形成することができた。
本発明１ｕ図にもとずいて説明すると、凱１図（α）の
様に透明基板１の片面に工Ｔｏ又は８ｎＯ。
様に透明基板１の片面に工Ｔｏ又は８ｎＯ。
等の透明透電膜２を有する基板に於て、該透明電ｉ ｔ
ハターンニングするため（ｂ）の様にフォトレジスト
３ｔ−前記透明導電膜２の上全面に塗布する。
ハターンニングするため（ｂ）の様にフォトレジスト
３ｔ−前記透明導電膜２の上全面に塗布する。
しかる後露光、現慮する事によりＣ）−３の様に７オト
レジスト？パターンニングする。しかる後、前記透明導
電膜がフォトレジストにより被覆されていない部分をエ
ツチングして除去しく口）の櫟な状態とする。次に金属
酸化物又は有機、無機顔料等による光遮断ｌｅ縁材層４
を真空蒸着法又はスパッタリング法により？）の様な状
態に形成する。しかる後、アルカリ水層液、又はアセト
／中へ基板ｌ全浸漬しフォトレジスト２と該フォトレジ
スト２の上に乗っている光遮断絶縁１−４を除去し？）
の通り透明電画２以外の部分に光遮断絶縁層４を形成す
る。
レジスト？パターンニングする。しかる後、前記透明導
電膜がフォトレジストにより被覆されていない部分をエ
ツチングして除去しく口）の櫟な状態とする。次に金属
酸化物又は有機、無機顔料等による光遮断ｌｅ縁材層４
を真空蒸着法又はスパッタリング法により？）の様な状
態に形成する。しかる後、アルカリ水層液、又はアセト
／中へ基板ｌ全浸漬しフォトレジスト２と該フォトレジ
スト２の上に乗っている光遮断絶縁１−４を除去し？）
の通り透明電画２以外の部分に光遮断絶縁層４を形成す
る。
ここで、光速断絶縁材料として、金属酸化物、例えば、
ｐｅ、ｏ８． Ｈ４Ｏ、Ｃ（１０、ＭｇＯ等が有効であ
り。
ｐｅ、ｏ８． Ｈ４Ｏ、Ｃ（１０、ＭｇＯ等が有効であ
り。
前記金属酸化物材料’ｋｌＫ？！蒸着又はスパッタリン
グ法により、単独又は２種類μとの異種物質を組合せて
積層したり、混合して成膜する事で、より良好な光遮断
′特性を得る事がＦｆｒ能である。又、金属酸化物以外
の材料として無機あるいは有機の顔料をスパッタリング
法により成膜する事が可能でおる。
グ法により、単独又は２種類μとの異種物質を組合せて
積層したり、混合して成膜する事で、より良好な光遮断
′特性を得る事がＦｆｒ能である。又、金属酸化物以外
の材料として無機あるいは有機の顔料をスパッタリング
法により成膜する事が可能でおる。
前記顔料を使用する場合、前記金属酸化物を使用する場
合に比べて必要とされる分光特性を比較的自由に選択で
きる点に大きなメリットが有る。
合に比べて必要とされる分光特性を比較的自由に選択で
きる点に大きなメリットが有る。
］１列〕
次に本発明１ｊｔ実施例によって詳細く説明する。
実施列１
麻１図（めの様ＶＣ透明電賑２を形成した後、フォトレ
ジスト３が前記透明電匝２の上に残っている状態でＦ６
．ｏ、 ｔ−スパッタリング法により麻１図ωの機な状
態に１００ＯＡの厚さで形成する。しかる後ωの基板を
ＫＯＨＩＱチ水ｍ液に１分間浸漬し、フォトレジスト３
を剥離し純水で充分リンスする。この様な方法で形成さ
れた光遮断時の光透過率ｉ１．５％以下であり発明の目
的を達成するＯＫ必要充分な′ｐ！ｊ性を宵していた。
ジスト３が前記透明電匝２の上に残っている状態でＦ６
．ｏ、 ｔ−スパッタリング法により麻１図ωの機な状
態に１００ＯＡの厚さで形成する。しかる後ωの基板を
ＫＯＨＩＱチ水ｍ液に１分間浸漬し、フォトレジスト３
を剥離し純水で充分リンスする。この様な方法で形成さ
れた光遮断時の光透過率ｉ１．５％以下であり発明の目
的を達成するＯＫ必要充分な′ｐ！ｊ性を宵していた。
実施例２
前記実施列１に於てＦｇＯ，を５００Ａスパツタリング
法で形成した後、さらに該Ｆ２０２による光遮断Ｋ ｋ
Ｉｃ Ｃｏｏ ｋ、 ５００ Ａスパッタリング法で
形成する。
法で形成した後、さらに該Ｆ２０２による光遮断Ｋ ｋ
Ｉｃ Ｃｏｏ ｋ、 ５００ Ａスパッタリング法で
形成する。
し小る後、実施列１と同様にしてフォトレジストを剥離
する。５００Ａ程度の厚みを持つＦ’６．０３膜は長波
長側Ｙｃ元もれが有るため黄褐色である。又５００Ａ穆
度の厚みを持りＣＯＯ膜を短波長側に光漏れが有り青色
である。したがって？＄０３の膜とＣ，０の嘆は補色の
関係に有り両方を積層する事により良好な遮″＃：、″
＃性を得た。
する。５００Ａ程度の厚みを持つＦ’６．０３膜は長波
長側Ｙｃ元もれが有るため黄褐色である。又５００Ａ穆
度の厚みを持りＣＯＯ膜を短波長側に光漏れが有り青色
である。したがって？＄０３の膜とＣ，０の嘆は補色の
関係に有り両方を積層する事により良好な遮″＃：、″
＃性を得た。
実施列３
帆１図（−の状態の基板に対し、シアン、マゼンタ、イ
エローの３色の有機顔料を各々等針混合したものをター
ゲットとしてスパッタリング法により前記有機顔料によ
る光遮断層を１５０ＯＡの厚さで形成した。しかる後肢
基板をアセトンに１分間浸漬しフォトレジスト全除去し
た後、フレオンでリンスした。この様にして出来た光遮
断層の光透過率は５％以下であり本発明の目的金達説す
るのに必要充分な￥ｉ性を有していた。
エローの３色の有機顔料を各々等針混合したものをター
ゲットとしてスパッタリング法により前記有機顔料によ
る光遮断層を１５０ＯＡの厚さで形成した。しかる後肢
基板をアセトンに１分間浸漬しフォトレジスト全除去し
た後、フレオンでリンスした。この様にして出来た光遮
断層の光透過率は５％以下であり本発明の目的金達説す
るのに必要充分な￥ｉ性を有していた。
以上％説明したように、透明１１Ｅ甑を形成する時使用
したフォトレジスト金利用してり７トオ７法により透明
電極以外の部分に金属酸ｆヒ物あるいは無機及び有機顔
料からなる光遮断層を比較的簡単な工程で良好な特性を
有する層を正確な位置［ζ形成する事が可能である。し
たがって表示品質の良ＩＡ液晶表示装置全安価に提供で
きる。
したフォトレジスト金利用してり７トオ７法により透明
電極以外の部分に金属酸ｆヒ物あるいは無機及び有機顔
料からなる光遮断層を比較的簡単な工程で良好な特性を
有する層を正確な位置［ζ形成する事が可能である。し
たがって表示品質の良ＩＡ液晶表示装置全安価に提供で
きる。
第１図（α）〜（１）は本発明による光遮断絶縁層の形
成工程側説明図。 １−透明ガラス基板 ２−透明導電膜 ３−フォトレジスト ４−光遮断絶縁層 以 上
成工程側説明図。 １−透明ガラス基板 ２−透明導電膜 ３−フォトレジスト ４−光遮断絶縁層 以 上
Claims (4)
- （１）液晶層をはさみ内面に透明電極を有して対向する
基板からなる液晶表示装置の製造において、前記対向基
板のすくなくとも一方の基板の透明電極以外の部分に前
記透明電極をエッチング法によりパターンニングすると
き用いたフオトレジストをマスキング材として使用して
光遮断絶縁薄膜を形成することを特徴とする液晶表示装
置の製造方法。 - （２）光遮断絶縁薄膜が、金属酸化物であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の液晶表示装置の製造
方法。 - （３）金属酸化物が、Ｆｅ＿２Ｏ＿３、ＭｇＯ、Ｃ＿０
Ｏ、ＮｉＯのうち少なくとも一つから成ることを特徴と
する特許請求の範囲第二項の液晶表示装置の製造方法。 - （４）光遮光絶縁膜が、有機顔料であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の液晶表示装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60277271A JPH0816751B2 (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60277271A JPH0816751B2 (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62135809A true JPS62135809A (ja) | 1987-06-18 |
| JPH0816751B2 JPH0816751B2 (ja) | 1996-02-21 |
Family
ID=17581196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60277271A Expired - Fee Related JPH0816751B2 (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0816751B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6429802A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-31 | Toppan Printing Co Ltd | Color filter |
| US5091792A (en) * | 1990-04-13 | 1992-02-25 | International Business Machines Corporation | Liquid crystal display having reduced ito shading material and method of manufacturing same |
| US5419991A (en) * | 1991-12-19 | 1995-05-30 | Sony Corporation | Method of manufacturing a liquid crystal display |
| US5508134A (en) * | 1993-06-29 | 1996-04-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal element manufacturing method |
| US5664982A (en) * | 1994-10-18 | 1997-09-09 | Shipley Company, L.L.C. | Manufacturing method for a liquid crystal display |
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|---|---|---|---|---|
| CN108681166B (zh) * | 2018-05-16 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示用基板的制备方法、显示用基板及显示装置 |
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| JPS5627114A (en) * | 1979-08-10 | 1981-03-16 | Canon Inc | Liquid crystal display cell |
-
1985
- 1985-12-10 JP JP60277271A patent/JPH0816751B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPH0816751B2 (ja) | 1996-02-21 |
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