JPS6214089B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6214089B2 JPS6214089B2 JP56033676A JP3367681A JPS6214089B2 JP S6214089 B2 JPS6214089 B2 JP S6214089B2 JP 56033676 A JP56033676 A JP 56033676A JP 3367681 A JP3367681 A JP 3367681A JP S6214089 B2 JPS6214089 B2 JP S6214089B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scale
- boundary
- line
- lines
- exposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
- H01J37/3045—Object or beam position registration
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は隣合つて露光される二露光領域を測定
する方法に関する。
する方法に関する。
電子線露光装置を用いて例えば第１図に示すよ
うなチツプ１を露光しようとする場合、装置によ
り一度に露光できる領域（フイールド）より、１
チツプが大きい場合、チツプパターンをフイール
ドＦ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４等のフイールド単位に
分割し、１フイールドを露光する毎にステージを
動かして隣のフイールドを露光することの繰り返
しにより露光をしている。
うなチツプ１を露光しようとする場合、装置によ
り一度に露光できる領域（フイールド）より、１
チツプが大きい場合、チツプパターンをフイール
ドＦ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４等のフイールド単位に
分割し、１フイールドを露光する毎にステージを
動かして隣のフイールドを露光することの繰り返
しにより露光をしている。
この場合、隣合つたフイールド間の接続精度は
パターン作成において重大な要素となるため、従
来よりこの接続精度の測定が行なわれていた。
パターン作成において重大な要素となるため、従
来よりこの接続精度の測定が行なわれていた。
さて、接続精度には隣合つたフイールド間の境
界に平行な方向の接続精度と境界に垂直な方向の
接続精度とがある。
界に平行な方向の接続精度と境界に垂直な方向の
接続精度とがある。
従来の接続精度測定方法においては第２図ａに
示すようにフイールド間の境界２に平行な方向の
接続精度は以下のようにして測定している。即ち
境界２の左側のフイールドFLの右端に例えば１
μｍの線幅を有する主尺目盛線３を５μｍのピツ
チで描画する。この時中央の線Ｃは識別し易いよ
うに他の線より長く描画する。次にステージを動
かして右側のフイールドFRの左端に例えば4.9μ
ｍのピツチで副尺目盛線４をその中央の線CSが
主尺目盛線３の中央の線Ｃと同じ位置になるよう
に描画する。描画終了後、描画されたパターンを
光学顕微鏡等の拡大像を観察する手段によつて観
察する。境界２に平行な方向の接続精度が極めて
高ければ、中央の線Ｃ，CSが合うが、接続がず
れているとずれ量に応じて中央の線から離れた主
尺目盛線、副尺目盛線同志が合い、この合つた線
の位置により接続精度を読み取るようにしてい
る。例えば、中央の線からＹ方向に向つて２本目
の線同志が合つていれば、右側のフイールドが左
側のフイールドに対して0.2μmY方向へずれてい
ると測定できる。
示すようにフイールド間の境界２に平行な方向の
接続精度は以下のようにして測定している。即ち
境界２の左側のフイールドFLの右端に例えば１
μｍの線幅を有する主尺目盛線３を５μｍのピツ
チで描画する。この時中央の線Ｃは識別し易いよ
うに他の線より長く描画する。次にステージを動
かして右側のフイールドFRの左端に例えば4.9μ
ｍのピツチで副尺目盛線４をその中央の線CSが
主尺目盛線３の中央の線Ｃと同じ位置になるよう
に描画する。描画終了後、描画されたパターンを
光学顕微鏡等の拡大像を観察する手段によつて観
察する。境界２に平行な方向の接続精度が極めて
高ければ、中央の線Ｃ，CSが合うが、接続がず
れているとずれ量に応じて中央の線から離れた主
尺目盛線、副尺目盛線同志が合い、この合つた線
の位置により接続精度を読み取るようにしてい
る。例えば、中央の線からＹ方向に向つて２本目
の線同志が合つていれば、右側のフイールドが左
側のフイールドに対して0.2μmY方向へずれてい
ると測定できる。
又、隣合つたフイールドの境界に垂直な方向の
精度は第２図ｂに示すように境界２を挾んで同じ
太さの線５，６を所定の間隔で露光し、露光後そ
の２本の線５，６の間隔Ｔを例えば測長器付の拡
大像観察手段により測定して、測定された間隔と
計画された間隔との差から接続精度を測定するよ
うにしている。
精度は第２図ｂに示すように境界２を挾んで同じ
太さの線５，６を所定の間隔で露光し、露光後そ
の２本の線５，６の間隔Ｔを例えば測長器付の拡
大像観察手段により測定して、測定された間隔と
計画された間隔との差から接続精度を測定するよ
うにしている。
従つて従来の測定方法においては境界に平行な
方向の接続精度の測定は目盛線を読み取ることに
よつて行えるので容易であるが、境界に垂直な方
向の接続精度の測定は極めて面倒であつた。
方向の接続精度の測定は目盛線を読み取ることに
よつて行えるので容易であるが、境界に垂直な方
向の接続精度の測定は極めて面倒であつた。
本発明はこのような従来の欠点を解決すべくな
されたもので、以下図面に基づき本発明の一実施
例を詳述する。
されたもので、以下図面に基づき本発明の一実施
例を詳述する。
第３図は本発明により露光される主尺目盛線と
副尺目盛線を示すもので、第３図において、２は
接続精度を測定しようとする隣合うフイールド
FLとFRの境界である。
副尺目盛線を示すもので、第３図において、２は
接続精度を測定しようとする隣合うフイールド
FLとFRの境界である。
測定者は左側のフイールドFLの右端に境界２
に対して45゜をなす主尺目盛線７を露光すると共
に、該主尺目盛線７に対して直角をなす（従つて
境界２に対しては135゜をなす）ように更に主尺
目盛線８を露光する。
に対して45゜をなす主尺目盛線７を露光すると共
に、該主尺目盛線７に対して直角をなす（従つて
境界２に対しては135゜をなす）ように更に主尺
目盛線８を露光する。
次にステージを移動させて右側のフイールド
FRの左端に前記主尺目盛線７と対をなす副尺目
盛線９をその中央の線CSが主尺目盛線７の中央
の線Ｃと一直線になるように露光すると共に、前
記主尺目盛線８と対をなす副尺目盛線１０をその
中央の線CSが主尺目盛線８の中央の線Ｃと一直
線になるように露光する。尚、これら副尺目盛線
９，１０の方向は各々が対をなす主尺目盛線の方
向と一致するように露光する。
FRの左端に前記主尺目盛線７と対をなす副尺目
盛線９をその中央の線CSが主尺目盛線７の中央
の線Ｃと一直線になるように露光すると共に、前
記主尺目盛線８と対をなす副尺目盛線１０をその
中央の線CSが主尺目盛線８の中央の線Ｃと一直
線になるように露光する。尚、これら副尺目盛線
９，１０の方向は各々が対をなす主尺目盛線の方
向と一致するように露光する。
さて、これら目盛線は境界２に対して45゜（或
は135゜）の角度を有している。従つて左側のフ
イールドFLに対して右側のフイールドFRが境界
２に対して垂直な方向にｂだけずれたとすると、
副尺目盛線ｐは第４図から明らかなようにずれが
全く無い時の位置p′に比較してあたかもフイール
ドFRが境界２に平行（上方に）にｂだけずれた
時に観察されるような位置に見え、又副尺目盛線
ｑはずれが全く無い時の位置q′に比較してあたか
もフイールドFRが境界２に平行（下方に）に−
ｂだけずれた時に観察されるような位置に見え
る。
は135゜）の角度を有している。従つて左側のフ
イールドFLに対して右側のフイールドFRが境界
２に対して垂直な方向にｂだけずれたとすると、
副尺目盛線ｐは第４図から明らかなようにずれが
全く無い時の位置p′に比較してあたかもフイール
ドFRが境界２に平行（上方に）にｂだけずれた
時に観察されるような位置に見え、又副尺目盛線
ｑはずれが全く無い時の位置q′に比較してあたか
もフイールドFRが境界２に平行（下方に）に−
ｂだけずれた時に観察されるような位置に見え
る。
従つて、フイールドFRがフイールドFLに対し
て境界２に平行な方向にａ、垂直な方向にｂだけ
ずれたとすると、目盛線７，９によるずれ量の読
み値Ｍはａ＋ｂであり、一方目盛線８，１０によ
るずれ量の読み値Ｎはａ−ｂである。
て境界２に平行な方向にａ、垂直な方向にｂだけ
ずれたとすると、目盛線７，９によるずれ量の読
み値Ｍはａ＋ｂであり、一方目盛線８，１０によ
るずれ量の読み値Ｎはａ−ｂである。
そこで、露光が終了した後目盛線７，９による
ずれ量Ｍを読み取ると共に目盛線８，１０による
ずれ量の読み値Ｎを読み取り、前述した関係から
逆に境界２に平行な方向のずれ量ａをａ＝Ｍ＋Ｎ／２ から求めると共に、境界２に垂直な方向のずれ量
ｂをｂ＝Ｍ−Ｎ／２から求めることができる。
ずれ量Ｍを読み取ると共に目盛線８，１０による
ずれ量の読み値Ｎを読み取り、前述した関係から
逆に境界２に平行な方向のずれ量ａをａ＝Ｍ＋Ｎ／２ から求めると共に、境界２に垂直な方向のずれ量
ｂをｂ＝Ｍ−Ｎ／２から求めることができる。
上述したように、本発明によれば目盛線を読み
取つて簡単な計算をするだけでフイールドの境界
に平行な方向と垂直な方向のフイールド間接続精
度を簡単に測定することができる。
取つて簡単な計算をするだけでフイールドの境界
に平行な方向と垂直な方向のフイールド間接続精
度を簡単に測定することができる。
第１図はチツプが複数のフイールドの集合とし
て露光されることを説明するための図、第２図は
従来の方法を説明するための図、第３図は本発明
の一実施例を示すための図、第４図は隣合うフイ
ールドの境界に垂直な方向のずれが目盛線にもた
らす効果について説明するための図である。 ２：境界、７：主尺目盛線、８：主尺目盛線、
９：副尺目盛線、１０：副尺目盛線。
て露光されることを説明するための図、第２図は
従来の方法を説明するための図、第３図は本発明
の一実施例を示すための図、第４図は隣合うフイ
ールドの境界に垂直な方向のずれが目盛線にもた
らす効果について説明するための図である。 ２：境界、７：主尺目盛線、８：主尺目盛線、
９：副尺目盛線、１０：副尺目盛線。
Claims (1)
- １ 隣合つて露光される二露光領域の境界に沿つ
て一方の露光領域側に主尺目盛線を露光すると共
に他方の露光領域側に副尺目盛線を露光し、主尺
目盛線と副尺目盛線の拡大像を観察することによ
り前記二露光領域の接続精度を測定する方法にお
いて、前記主尺目盛線と副尺目盛線からなる対を
二対露光すると共に、そのうち第１の対の目盛線
の方向は第２の対の目盛線の方向に対して直角を
なし且つ前記境界に対して45゜をなすように露光
し、これら第１、第２の対の目盛線を観察して前
記境界に平行な方向と垂直な方向の接続精度を測
定するようにしたことを特徴とする電子線露光に
おける接続精度測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56033676A JPS57148347A (en) | 1981-03-09 | 1981-03-09 | Measurement of connection accuracy for electron beam exposure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56033676A JPS57148347A (en) | 1981-03-09 | 1981-03-09 | Measurement of connection accuracy for electron beam exposure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57148347A JPS57148347A (en) | 1982-09-13 |
| JPS6214089B2 true JPS6214089B2 (ja) | 1987-03-31 |
Family
ID=12393049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56033676A Granted JPS57148347A (en) | 1981-03-09 | 1981-03-09 | Measurement of connection accuracy for electron beam exposure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57148347A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01118074U (ja) * | 1988-02-02 | 1989-08-09 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5834731U (ja) * | 1981-08-28 | 1983-03-07 | 三洋電機株式会社 | 電子ビ−ム露光用マスク |
| JPS604216A (ja) * | 1983-06-21 | 1985-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビ−ム露光方法 |
| JP2726411B2 (ja) * | 1986-05-09 | 1998-03-11 | 三菱電機株式会社 | パターン描画方法 |
| JPH07111951B2 (ja) * | 1988-06-22 | 1995-11-29 | 日本電気株式会社 | 電子線描画用接続精度測定方法 |
| JP2870461B2 (ja) * | 1995-12-18 | 1999-03-17 | 日本電気株式会社 | フォトマスクの目合わせマーク及び半導体装置 |
-
1981
- 1981-03-09 JP JP56033676A patent/JPS57148347A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01118074U (ja) * | 1988-02-02 | 1989-08-09 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57148347A (en) | 1982-09-13 |
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