JPH0499309A - バーニアパターン - Google Patents
バーニアパターンInfo
- Publication number
- JPH0499309A JPH0499309A JP2217312A JP21731290A JPH0499309A JP H0499309 A JPH0499309 A JP H0499309A JP 2217312 A JP2217312 A JP 2217312A JP 21731290 A JP21731290 A JP 21731290A JP H0499309 A JPH0499309 A JP H0499309A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vernier
- pattern
- scale
- main scale
- scales
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length-Measuring Instruments Using Mechanical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体ウェハの製造工程で各加工工程で用い
られるマスクのバーニアパターンに関する。
られるマスクのバーニアパターンに関する。
［発明の概要］
本発明は、半導体ウェハ上に素子を形成する各工程で用
いられるマスクのバーニアパターンにおいて、 一つの主尺に対して尺度の異なる二つの副尺を有するこ
とにより、 各工程毎にバーニアの種類を変更することなく、また、
バーニアパターンのために広い領域をとることなく、２
種類の要求精度のバーニアパターンを得られるようにし
たものである。
いられるマスクのバーニアパターンにおいて、 一つの主尺に対して尺度の異なる二つの副尺を有するこ
とにより、 各工程毎にバーニアの種類を変更することなく、また、
バーニアパターンのために広い領域をとることなく、２
種類の要求精度のバーニアパターンを得られるようにし
たものである。
「従来の技術］
従来、半導体ウェハの各加工工程間のマスクの重ね合わ
せ精度を評価する場合、ウェハ用のバーニアパターン（
主尺）とウェハ上に転写された副尺であるマスク用バー
ニアパターン（レジストパターン）との相対位置ずれを
読み取ることが行なわれている。第２図は、この下地パ
ターンと上層パターンで形成されたウェハ上の一組のバ
ーニアを示している。同図中、ｌはＸ軸方向に所定ピッ
チで平行なパターンが描かれた主尺であり、２は主尺ｌ
が形成される前工程の次に行なわれる後工程で形成され
た副尺を示している。この副尺２のピッチは、主尺Ｉの
ピッチに対して僅かに異なって設定されており、これら
主尺１と副尺２との相対位置ずれを読み取ることにより
、重ね合せ精度の評価が行なわれるようになっている。
せ精度を評価する場合、ウェハ用のバーニアパターン（
主尺）とウェハ上に転写された副尺であるマスク用バー
ニアパターン（レジストパターン）との相対位置ずれを
読み取ることが行なわれている。第２図は、この下地パ
ターンと上層パターンで形成されたウェハ上の一組のバ
ーニアを示している。同図中、ｌはＸ軸方向に所定ピッ
チで平行なパターンが描かれた主尺であり、２は主尺ｌ
が形成される前工程の次に行なわれる後工程で形成され
た副尺を示している。この副尺２のピッチは、主尺Ｉの
ピッチに対して僅かに異なって設定されており、これら
主尺１と副尺２との相対位置ずれを読み取ることにより
、重ね合せ精度の評価が行なわれるようになっている。
なお、同図中３はＹ軸方向に平行に形成された主尺であ
り、４はこの主尺３に対して設定された副尺である。
り、４はこの主尺３に対して設定された副尺である。
この従来例は、最大±２．５μｍの範囲まで読み取れる
ことが出来、読み取りの精度は０．５μｍとなる。
ことが出来、読み取りの精度は０．５μｍとなる。
１課題を解決するための手段３
そこで、本発明は、半導体ウェハ上に素子を形成する各
工程で用いられるマスクのバーニアパターンにおいて、
一つの主尺に対して尺度の異なる二つの副尺を有するこ
とを、その解決手段としている。
工程で用いられるマスクのバーニアパターンにおいて、
一つの主尺に対して尺度の異なる二つの副尺を有するこ
とを、その解決手段としている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、このような従来のバーニアパターンにあ
っては、主尺と副尺は夫々所定ピッチの配列で形成され
たバーニアを用いるため、ずれの読み取り精度及びずれ
量の読み取り範囲が一律に決まり、ずれ許容範囲の大小
、読み取り要求精度の高低により数種類のバーニアパタ
ーンの組合わせを用意し、要求に応じてパターンを使い
分ける必要があった。
っては、主尺と副尺は夫々所定ピッチの配列で形成され
たバーニアを用いるため、ずれの読み取り精度及びずれ
量の読み取り範囲が一律に決まり、ずれ許容範囲の大小
、読み取り要求精度の高低により数種類のバーニアパタ
ーンの組合わせを用意し、要求に応じてパターンを使い
分ける必要があった。
本発明は、このような問題点に着目して創案されたもの
であって、工程毎にバーニアの種類を変更することなく
、２種類の要求精度を選択できるバーニアパターンを得
んとするものである。
であって、工程毎にバーニアの種類を変更することなく
、２種類の要求精度を選択できるバーニアパターンを得
んとするものである。
［作用］
主尺に対して二つの副尺は、夫々異なったずれ読み取り
精度を得ることが出来、ずれ読み取り要求精度の高低に
亘る重ね合わせ精度の評価を可能にする。
精度を得ることが出来、ずれ読み取り要求精度の高低に
亘る重ね合わせ精度の評価を可能にする。
［実施例］
以下、本発明に係るバーニアパターンの詳細を図面に示
す実施例に基づいて説明する。
す実施例に基づいて説明する。
本実施例においては、第１図に示すように、主尺１０．
１３と、この主尺１０．１３の両側に夫々ピッチの異な
る第１副尺ＩＩ、１４と第２副尺１２．１５を備えてい
る。
１３と、この主尺１０．１３の両側に夫々ピッチの異な
る第１副尺ＩＩ、１４と第２副尺１２．１５を備えてい
る。
主尺ｌＯとこの両側に配置される第１副尺ＩＩ。
第２副尺１２は、Ｘ軸方向に沿って夫々所定ピッチで間
欠的に配置され、主尺１３とこの両側の第１副尺１４．
第２副尺１５は、Ｙ軸方向に沿って夫々所定ピッチで間
欠的に配置される。
欠的に配置され、主尺１３とこの両側の第１副尺１４．
第２副尺１５は、Ｙ軸方向に沿って夫々所定ピッチで間
欠的に配置される。
主尺１０．＋３と副尺１１，１２．１４．１５とは、夫
々異工程で用いられるマスクに形成され、第１図は、ウ
ェハ上に転写されたバーニアパターン（レジストパター
ン）を示している。
々異工程で用いられるマスクに形成され、第１図は、ウ
ェハ上に転写されたバーニアパターン（レジストパター
ン）を示している。
主尺１０，１３及び第１副尺１１，１４．第２副尺１２
，１５の各ピッチの設定は、要求される２種類の工程の
バーニアの読み取り範囲、読み取り精度により任意に決
定される。例えば、第１図に示すように、第１副尺１１
，１４の１ピツチ当りのずれが０．１μｍ、第２副尺１
２．１５の１ピツチ当りのずれが０．５μｍとすると、
本実施例では、最大±２．５μｍの範囲までずれを読む
ことができ、且つ±０．５μｍまでの間なら０．１μｍ
精度でずれを読み取ることが可能となる。
，１５の各ピッチの設定は、要求される２種類の工程の
バーニアの読み取り範囲、読み取り精度により任意に決
定される。例えば、第１図に示すように、第１副尺１１
，１４の１ピツチ当りのずれが０．１μｍ、第２副尺１
２．１５の１ピツチ当りのずれが０．５μｍとすると、
本実施例では、最大±２．５μｍの範囲までずれを読む
ことができ、且つ±０．５μｍまでの間なら０．１μｍ
精度でずれを読み取ることが可能となる。
本実施例においては、第２図に示した従来例が最大±２
．５μｍの範囲まで読み取れる点ては同じであるか、読
み取り精度は同従来例の０５μｍからＯ１μｍへと高精
度化を達成することが可能となる。
．５μｍの範囲まで読み取れる点ては同じであるか、読
み取り精度は同従来例の０５μｍからＯ１μｍへと高精
度化を達成することが可能となる。
なお、本実施例においては、主尺１０．１３の中央のバ
ーニア１０ａ、、１３ａを長く形成し、また、第１副尺
１１．１４．第２副尺１２．１５夫々の中央のバーニア
ｌｌａ、１４ａ、１２２１．１５ａを長く形成し、視認
性を良好にしている。
ーニア１０ａ、、１３ａを長く形成し、また、第１副尺
１１．１４．第２副尺１２．１５夫々の中央のバーニア
ｌｌａ、１４ａ、１２２１．１５ａを長く形成し、視認
性を良好にしている。
以上、実施例について説明したが、本発明はこれに限ら
ず構成の趣旨に付随した各種の設計変更が可能である。
ず構成の趣旨に付随した各種の設計変更が可能である。
例えば上記実施例においては、第１副尺の１ピツチ当り
のずれを０．１μｍ１第２副尺の１ピツチ当りのずれを
０．５μｍに設定したが、各前工程の読み取り範囲、精
度に応じて適宜設定されることは言うまでもない。
のずれを０．１μｍ１第２副尺の１ピツチ当りのずれを
０．５μｍに設定したが、各前工程の読み取り範囲、精
度に応じて適宜設定されることは言うまでもない。
［発明の効果コ
本発明は係るバーニアパタンによれば、工程毎にバーニ
アパタンの種類を変更することなく、また、バーニアバ
タン形成の領域を広くとることなく２種類の要求精度の
バーニアを得る効果がある。
アパタンの種類を変更することなく、また、バーニアバ
タン形成の領域を広くとることなく２種類の要求精度の
バーニアを得る効果がある。
第１図は本発明に係るバーニアパターンの実施例の重ね
合せ状態を示す平面図、第２図は従来のバーニアパター
ンの重ね合せ状態を示す平面図である。 １０．１３・・・主尺、１１．１４・・・第１副尺、１
２．１５・・・第２副尺。 １４蔦ｌ１１１尺 木麦明０莢胞１夕１１のバーニアパターンの１ね令わ亡
た林、鞄乞承１１図第１図
合せ状態を示す平面図、第２図は従来のバーニアパター
ンの重ね合せ状態を示す平面図である。 １０．１３・・・主尺、１１．１４・・・第１副尺、１
２．１５・・・第２副尺。 １４蔦ｌ１１１尺 木麦明０莢胞１夕１１のバーニアパターンの１ね令わ亡
た林、鞄乞承１１図第１図
Claims (1)
- （１）半導体ウェハ上に素子を形成する各工程で用いら
れるマスクのバーニアパターンにおいて、一つの主尺に
対して尺度の異なる二つの副尺を有することを特徴とす
るバーニアパターン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2217312A JPH0499309A (ja) | 1990-08-17 | 1990-08-17 | バーニアパターン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2217312A JPH0499309A (ja) | 1990-08-17 | 1990-08-17 | バーニアパターン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0499309A true JPH0499309A (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=16702188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2217312A Pending JPH0499309A (ja) | 1990-08-17 | 1990-08-17 | バーニアパターン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0499309A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009004601A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画装置のフィールド接合精度測定方法 |
| US7791212B2 (en) | 2005-12-20 | 2010-09-07 | Nec Corporation | Hybrid mounted device and method of manufacturing the same |
-
1990
- 1990-08-17 JP JP2217312A patent/JPH0499309A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7791212B2 (en) | 2005-12-20 | 2010-09-07 | Nec Corporation | Hybrid mounted device and method of manufacturing the same |
| JP2009004601A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画装置のフィールド接合精度測定方法 |
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