JPH02226777A

JPH02226777A - 半導体受光素子及びその製造方法

Info

Publication number: JPH02226777A
Application number: JP1047254A
Authority: JP
Inventors: Tetsuo Sadamasa; 定政　哲雄; Haruhiko Okazaki; 治彦岡崎
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1989-02-28
Filing date: 1989-02-28
Publication date: 1990-09-10

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、アバランシェ効果を利用した半導体受光素子
に係わり、特にガードリング構造の改良をはかった半導
体受光素子及びその製造方法に関する。

（従来の技術）近年、光フアイバー通信等の分野において、高感度受光
素子としてアバランシェフォトダイオード（＾ｖａｒａ
ｎｃｈｃ　Ｐｈｏｔｏ　Ｄｉｏｄｅ　；以下ＡＰＤと略
記する）が用いられている。このＡＰＤは、半導体結晶
のアバランシェ・キャリア増倍を利用したデバイスであ
り、素子内部に高電界のアバランシェ領域を有している
。このため、アバランシェ領域、特にアバランシェ領域
外縁の電界集中による局所ブレークを防ぐガードリング
構造が重要となる。

アバランシェ増倍のための高電界領域は、急峻な濃度勾
配フロントの急傾斜不純物による片側階段（急傾斜）接
合の部分に形成される。そのため、急傾斜不純物の導入
境界ではその曲率による電界集中が起こり易く、所謂局
所ブレークを起こし易い。これを防止するのがガードリ
ングであり、その構成は、フロント濃度勾配の緩やかな
緩傾斜不純物による傾斜（緩傾斜）接合を急傾斜接合の
境界部に形成し、不純物の導入境界が緩傾斜接合となる
ようにするものである。

ところで、最近の光通信用ＡＰＤには、情報の増加に伴
って数ギガビット〜ｌＯギガビット／秒の高速応答特性
が要求されている。高速応答を達成するためには、素子
の接合面積を減じて容量を少なくすることが有効である
。また、ＡＰＤは受光部ｐｎ接合周囲をガードリングル
ｎ接合が覆うことによって、局所的電界集中を緩和する
構造が一般的であり、この場合はｐｎ接合に重複する箇
所ができる。この接合重複部は、後述する如く暗電流の
発生を招くことになる。

そこで、ｐｎ接合面積及び接合重複部の面積をできるか
ぎり減らすために、高度なマスクアライメント技術が望
まれる訳であるが、各種の結晶成長をしたウェハでは表
面の起伏によってアライメントが極めて困難であり、上
記面積を減少するのも困難であるのが実状である。この
ような背景に加えて従来のＡＰＤ及びその製造方法では
、以下に述べる開局があった。

■　例えば、ＩｎＧａＡｓ／　ＩｎＰの異種接合を有す
る基板に不純物イオン注入、アニールを行うと、接合界
面全域に渡って異常拡散が発生することが知られている
。これは、ＡＰＤ素子特性不良の原因となる。また、不
純物熱拡散においても同様である。

■　平坦な基板に不純物のイオン注入、ア二ルを行った
場合、その不純物濃度プロファイルは横方向（基板表面
と平行な方向）において急峻となり、ガードリング効果
は少ないものとなってしまう。従って、安定しｔ÷ＡＰ
Ｄ動作が得られないことになる。

■　ｐｎ接合の重複している部分は電界値が高く、重複
部周辺で発生する暗電流が最も多く、これが受光感度の
低下を招く要因となる。

以下、これらの問題を第９図を参照して説明する。第９
図は従来のＡＰＤのガードリング周辺部構成を示す断面
図であり、図中９１はＩｎ、、Ｐ中に形成したガードリ
ング接合（緩傾斜ｐｎ接合）、９２はＩｎＰ中に形成し
た受光部接合（急傾斜ｐｎ接合）である。９３はコンタ
クト層となる１ｎＧａＡｓ混晶層、９４は１ｎＧａＡｓ
／ＩｎＰの異種接合、９５は受光部領域、９６はガード
リング領域、９７は接合重複部を示している。なお、こ
のＡＰＤはｌｎＰ層と電極との間にのみ混晶層（コンタ
クト層）を選択的に形成したものである。その製造方法
としては、平坦なコンタクト層表面に不純物を選択的に
イオン注入、アニールしてガードリングを形成し、さら
にＣｄ拡散で受光部を形成し、しかる後コンタクト層を
選択的に除去している。

この場合、■で述べた異常拡散は、拡散時に基板表面全
面に混晶層９３が存在するのでＡで示す斜線部領域、つ
まり基板表面全域に発生し、素子特性の劣化を招く。■
の横方向不純物濃度プロファイルはＢで示す斜線部領域
において急峻となり、ガードリング接合９１の側周部で
降伏し易（なって受光部接合でのＡＰＤ動作が不完全な
ものとなる。さらに、受光部接合９２の周辺部の湾曲曲
率が小さいためにＣ領域における電界集中も起こり易く
受光部領域９５でのＡＰＤ動作が不完全なものとなる。

また、■の接合重複部９７においては暗電流発生をでき
る限り減らし、受光感度を向上することが望まれていた
。

（発明が解決しようとする課題）このように、従来のＡＰＤにおいては、異種接合界面に
おける異常拡散により素子特性が劣化する問題がある。

さらに、受光閉域とガードリングとの接合重複部におけ
る暗電流の発生。

受光領域の周辺部接合の湾曲曲率が小さく電界集中が起
こり易い等の問題があり、これらの問題によりガードリ
ング効果及び受光感度特性が低くなる欠点があった。

本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目
的とするところは、異常拡散による素子特性の劣化を防
止することができ、且つガードリング効果及び受光感度
特性の向上に寄与し得る半導体受光素子及びその製造方
法をＩＪ４倶することにある。

［発明の構成］（課題を解決するため手段）本発明の骨子は、基板の主表面に不純物を導入した凸部
を設け、この凸部を設けた後に受光領域及びガードリン
グ形成のための拡散を行うことにより、異常拡散の防止
、接合重複部面積の低減をはかることにある。

即ち本発明は、アバランシェ増倍を利用した半導体受光
素子において、光吸収層及びアバランシェ増倍層を含む
第１導電型半導体多層膜と、この半導体多層膜上にリン
グ状（又は略円形）に形成され第２導電型不純物が導入
された凸部と、前記半導体多層膜の表面層に上記凸部か
らの不純物拡散により形成された緩傾斜ｐｎ接合形成の
ためのガードリングと、前記半導体多層膜の表面層に第
２導電型不純物を導入して形成され、且つ前記凸部の外
周よりも内側に周辺部が位置するよう形成された急傾斜
ｐｎ接合形成のための受光領域とを具備してなるもので
ある。

また本発明は、上記半導体受光素子の製造方法において
、半導体多層膜の表面に第２導電型不純物を選択的若し
くは全域に導入したのち、この不純物を導入した領域を
選択的に残すようにリング状（又は略円形）凸部を形成
し、次いでこの凸部の不純物を活性化して半導体多層膜
の表面層に第２導電型不純物を拡散し、緩傾斜ｐｎ接合
形成のためのガードリングを形成し、次いで凸部上面又
は凸部内側に境界を有する選択拡散マスクを形成し、次
いでこの選択拡散マスクを介して半導体多層膜の表面層
に第２導電型不純物を導入し、急傾斜ｐｎ接合形成のた
めの受光領域を形成するようにした方法である。

（作用）本発明によれば、ガードリング形成前に基板の表面に不
純物を導入した凸部を設けておくことにより、ガードリ
ング形成の際に凸部以外に異常拡散が生じるのを防止す
ることができる。

また、上記凸部を介して受光領域形成のための不純物導
入を行うことにより、マスクアライメント工程を一部省
略可能で、しかもセルファライン的効果によってｐｎ接
合の重複部分の実質的微細化ができる。さらに、凸部を
介して受光領域形成のための不純物導入を行うことによ
り、受光領域の周辺部の曲率半径を大きくすることがで
きる。従って、受光感度特性の向上と共にガードリング
効果の向上をはかり得る。

本発明の特徴的作用を図面を参照して説明する。第８図
は本発明に係わるＡＰＤの部分断面図であり、ガードリ
ング周辺を前記第９図１と対応させて示している。図に
おいて、ｌＯｌはｌｎＰ中に形成したガードリング接合
（緩傾斜ｐｎ接合）　、１０２はＩｎＰ中に形成した受
光部接合（急傾斜ｐｎ接合）である。１０３はＩｎＧａ
Ａｓ混晶層（コンタクト層）であり、ガードリング接合
及び受光部接合を形成する前に選択的に残したものであ
る。また、１０４は１　ｎ　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　／　Ｉ　
ｎ　Ｐの異種接合である。１０５は受光部領域を、１０
８はガードリング領域を、１０７は電界値の高くなる接
合重複部を示したものである。

この場合、予めコンタクト層を選択的に設けておくので
、異常拡散はＤで示す斜線部類域だけに止まり、受光部
領域上には異常拡散が生じないので、素子特性の劣化の
要因とはならない。

また、横方向不純物濃度プロファイルはＥで示すように
広範囲な斜線部類域おいて緩やかとなり、ガードリング
接合ｌＯ１の側週部での降伏は少なくなって受光部接合
１０２でＡＰＤ動作が完全に行われる。さらに、受光部
接合の湾曲曲率が大きくなるため、Ｆ領域における電界
集中が発生しない。従って、安定して受光感度の優れた
ＡＰＤが得られることになる。

また、ガードリング領域１０８と、受光部接合形成用選
択拡散マスク１０８とのマスクアライメントにおいてパ
ターンずれがあったとしても、凸部を利用しているので
、暗電流に影響を与える接合重複部１０７は常に一定値
（最小限）にすることが可能である。これは、ウェハ表
面の起伏やマスクアライメント精度を考慮せずにＡＰＤ
を作成できることになる。即ち、ガードリング領域ｌＯ
Ｂの占める面積を極めて少なくすると共に、接合重複部
１０７における暗電流発生をできる限り減らすことが簡
便にできることになる。

（実施例）以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。

第１図は本発明の第１の実施例に係わるへＰＤの概略構
成を一部切欠して示す斜視図である。図中１１はｎ−１
ｎＰ基板であり、この基板１１上にはｎ−１ｎＰバッフ
ァ層１２（ドーズｍ　２　Ｘ　１０１１０ｌ６’、厚さ
　０．５μｍ）。

ｎ−１ｎＧａＡｓ光吸収層１３（ドーズ量２×ｔｏ”ｅ
ｓ−’、厚さ３μｍ）、ｎ−１ｎＧａＡｓＰ中間層１４
（ドーズ量７　Ｘ　１０”ｃｍ−’＋　厚さ　０．３μ
ｍ）、ｎ−１ｎＰ増倍層１５（ドーズ量２×１０”ｃｍ
−ζ厚さ１μｍ）及びｎ−−１ｎＰウィンド層１６（ド
ーズ量５　ｘ　１０”ｃｍ−’、厚さ２１ｍ）が成長形
成されている。ここで、１１〜１６を半導体多層膜と定
義し、この半導体多層膜の上面にはリング状の凸部１７
が形成されている。

ＩｎＰ層１層内６内、Ｂｅイオン注入によるｐ宰領域（
ガードリング）１８、Ｃｄ又はＺｎ拡散によるｐ宰領域
（受光領域）１９が設けられている。そして、基板の上
面及び下面には、絶縁！［２１，無反射コート膜２２及
び電極２３゜２４が設けられている。なお、絶縁膜２１
及び無反射Ｉ１％２２は窒化シリコン膜、電極はｐ側２
３をＡｕ／Ｐｔ／Ｔｌ、　ｎ側をＡｕ／Ｇｅとしている
。

次に、上記構成のＡＰＤの製造方法について第２図を参
照して説明する。まず、第２図（ａ）に示す如く、ｎ−
１ｎＰ基板１１上に前述した各層１２．〜，１６（７）
結晶成長をＭＯＣＶＤ法で行う。次いで、第２図（ｂ）
に示す如く、ＩｎＰ層１層上６上ｉ０２膜２５を形成し
、このＳｉＯ２膜２５に環状の窓を形成する。そして、
ＳｉＯ２膜２５をマスクとして、ｌｎＰ層１６の表面に
、２０口ＫｅＶの加速電圧、　　５　Ｘ　１０Ｉ３ｃ１
１−２のドーズ量でＢｅ不純物をイオン注入する。

不純物プロファイルのピーク位置を破線で示す。

次いで、第２図（Ｃ）に示す如く、５ｉ０２膜２５を用
いて例えばリフトオフ法で反転マスク２６を形成する。

次いで、第２図（ｄ）に示す如く、反転マスク２６を用
いて、選択的凸部（メサ）１７をリング状に形成する。

メサ形成は酸によるエツチングで０．２〜１μｍの高さ
とする。

この状態では、Ｂｅを導入した領域の結晶は損傷を受け
ており、活性化をはからなければならない。

次いで、ｔｒｉ２図（０）に示す如く、反転マスク２６
を剥離した後、７５０℃のアニールをＰＨ３雰囲気中で
行い、メサの結晶損傷回復と同時にＢｅ不純物の拡散に
よって緩傾斜ｐｎ接合を形成する。この緩傾斜ｐｎ接合
がガードリング１８であり、後述する受光部接合の湾曲
部における局所的降伏を防止するものである。

次いで、第２図（「）に示す如く、メサ上面に境界を有
する選択拡散マスク２１を形成し、このマスク２１の円
形窓を通して階段型ｐｎ接合（急傾斜ｐｎ接合）を形成
する。これが、受光領域１９であるが、湾曲部はガード
リング１８で保護されており、しかも接合重複部が少な
い構成となっている。階段型ｐｎ接合は５５０〜５６０
℃の温度でＣｄを拡散して形成した。

これ以降は、プラズマＣＶＤ法によってＳｉＮからなる
無反射コート膜２２を選択的に形成すると共に、真空蒸
着法等によってｎ型電極（Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｌ）　２３と
、ｎ型電極（Ａｕ／Ｇｅ）　２４を形成することにより
、前記第１図に示す構成が実現されることになる。

かくして製造されたＡＰＤは、リング状凸部１７を設け
ることにより、受光領域１９の拡散フロントが中央部よ
りも周辺部が浅（形成され、さらに周辺部の曲率が大き
くなるので、ガードリング耐圧を十分に高くすることが
できる。また、リング状凸部１７を設けたことにより、
受光部接合とガードリング接合の重複部を短くすること
ができ、且つ接合重複部をセルファラインで形成するこ
とができるので、素子の微細化。

高感度化及び高速化が可能となる。さらに、ガードリン
グ形成のための不純物拡散においては、ｌｎＰ層１層上
６上種接合が存在しないので、異常拡散が生じることは
なく、素子特性劣化を未然に防止することができる。

第３図は本発明の第２の実施例の製造工程を示す断面図
である。なお、第１図と同一部分については同一符号を
付して、その詳しい説明は省略する。

この実施例が先に説明した実施例と異なる点は、リング
状凸部をＩｎＰ層で形成するのではなく、１ｎＧａＡｓ
等のコンタクト層で形成することにある。まず、先の実
施例と同様に１１〜１６を形成した後、第３図（ａ）に
示す如く、ｌｎＰ層１層上６上−１ｎＧａＡｓＰ　（又
はＩ　ｎＧａＡｓ）コンタクト層３１を気相成長時に連
続的に形成する。このｎ型コンタクト層３１は、不純物
濃度を５　Ｘ　１０”ｃｇｉ−’に設定し、結晶層の厚
みを０．２〜１μｍとした。次いで、コンタクト層３１
の表面にＳｉＮ膜３２を０．０５ｊｍ以上の厚さに形成
し、ＳｉＮ＃３２を通してコンタクト層３１の表面に２
００ＫｅＶの加速電圧、５Ｘ　１０１１０ｌ３’のドー
ズ量でＢｅ不純物のイオン注入を行う。不純物プロファ
イルのピーク位置を破Ｉ！３３で示す。

次いで、第３図（ｂ）に示す如く、５ＬＮＩ！［３２を
パターン化してリング状選択エツチングマスクを形成す
る。その後、このマスクを用いてＩｎＧａＡｓＰからな
る選択的凸部（メサ）３４をリング状に形成する。メサ
形成は、酸によるエツチングで０．２〜１μｍの高さと
する。続いて、ＳｉＮマスク３２をキャップとして用い
た７５０℃のアニールをＰＨ，雰囲気中で行い、メサの
結晶損傷回復と同時にＢｅ不純物の拡散によって、緩傾
斜ｐｎ接合形成のためのガードリング１８を形成する。

なお、ＳｉＮマスク３２は凸部３４の１ｎＧａＡｓＰに
含まれるＡｓがアニール中に飛散するのを防止するもの
であり、アニール後に除去する。

次いで、第３図（Ｃ）に示す如く先の実施例と同様に、
メサ上面に境界を有する選択拡散マスク２１の円形窓を
通して急傾斜ｐｎ接合形成のための受光領域１９を形成
し、さらに無反射コート膜２２．ｐ型電極２３及びｎ型
電極２４等を形成することにより、ＡＰＤが完成するこ
とになる。

この実施例では、ＩｎＰ層１層上６上　ｎＧａＡｓＰ凸部３４があり異種接合が形成されて
いるが、この異種接合は受光領域となる部分を除くリン
グ上領域のみに存在する。このため、ガードリング形成
のための不純物拡散の際に、凸部３４下では異常拡散が
生じるものの、受光領域上に異常拡散が生じることはな
い。従って、先の実施例と同様の効果が得られる。これ
に加え本実施例では、コンタクト層３１に低接触抵抗の
オーミック電極を簡便に形成できる特徴があり、先の実
施例に比べてさらに高速応答性のＡＰＤが実現できる。

また、製造工程上ＳｉＮ膜３２をエツチングマスクとア
ニールキャップに兼用できる利点がある。

第４図は本発明の第３の実施例に係わるＡＰＤの概略構
成を示す断面図である。なお、第１図及び第３図と同一
部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する
。

この実施例が先の実施例と異なるのは、裏面入射型とし
たことにある。第４図（ａ）はｍ１図の変形であり、選
択拡散マスクとしてのＳｉＮ膜２１の開口部全面にｐ型
電極２３が形成され、基・板裏面側の受光領域に対応す
る位置に無反射コートｌ１％２２が形成され、その周囲
にｎ型電極２４が形成されている。

また、第４図（ｂ）は第２図の変形であり、ＳｉＮ膜２
１の開口部にｐ型電極２３が形成されると共に、受光領
域の周辺部にコンタクトのための円形凸部４１が形成さ
れ、さらにこの凸部４１上に電極４２が形成されている
。なお、コンタクト領域には選択拡散は行わない。また
、基板の裏面側には全面に無反射コート膜２２が形成さ
れている。

このような構成であれば、フェイスダウンボンディング
方法によって組み立て、裏面入射型のＡＰＤとなる。こ
れらのＡＰＤは、第１．第２実施例のＡＰＤに比べてさ
らにｐｎ接合面積を縮小でき、従来に比べ約５倍の高速
応答性を有するものとなる。

第５図は本発明の第４の実施例に係わるＡＰＤの概略構
成を示す断面図である。この実施例は、ガードリング接
合内に受光部接合を形成したもので、接合重複部が全て
受光部となる。

第５図（ａ）は第１図の変形であり、前記リング状凸部
を形成する代わりに、第６図（ａ）に示す如く、卵形又
は円形の凸部５１を形成する。

これ以降は第１の実施例と同様の工程を用いることによ
り、ガードリング内に受光部接合が形成されたＡＰＤが
実現されることになる。

第５図（ｂ）は第４図（ａ）の変形であり、前記リング
状凸部を形成する代わりに、第６図（ｂ）に示す如く、
卵形又は円形の凸部５２を形成する。これ以降は第１の
実施例と同様の工程を用いることにより、ガードリング
内に受光部接合が形成された裏面入射型のＡＰＤが実現
されることになる。

このような構成であれば、暗電流が問題となると考えら
れるが、第１乃至第３の実施例で述べたＡＰＤとは異な
り、接合重複部が受光部となっている。従って、無駄な
ｐｎ接合重複部が無く、暗電流も低減できるのである。

第７図は本発明の第５の実施例に係わるＡＰＤの概略構
成を示す断面図である。この実施例は、第５図の改良で
あり、ガードリング接合内に受光部接合を形成して接合
重複部を全て受光部にすると共に、受光部上面の凸部を
除去したものである。

第７図（ａ）は前記第６図（ａ）に示す如く円形の凸部
５１を形成した後、先の実施例と同様にガードリング接
合を形成する。次いで、選択エツチングのマスク及び拡
散マスクを２１形成し、凸部５１を選択エツチングし、
さらに受光部接合のための拡散を行う。その後、先の実
施例と同様に無反射コート膜２２及び電極２３．２４等
を設けることによりＡＰＤが実現される。また、第７図
（ｂ）は１ｎＰ凸部５１の代わりにＩｎＧａＡｓＰ凸部
５２を用いた例である。

このような構成であっても先の第４の実施例と同様の効
果が得られる。

なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施
することができる。例えば、前記各半導体層の材料はＩ
　ｎＰ、Ｇａ　１ｎＡｓ。

Ｇａ１ｎＡｓＰに限定されるものではな（、例えばＧａ
ｒｂ、ＧａＡｌＳｂ等、仕様に応じて適宜変更可能であ
る。さらに、各半導体層の導電型を逆にすることも可能
である。

、Ｃ発明の効果］以上詳述したように本発明によれば、基板の主表面に不
純物を導入した凸部を設け、この凸部を設けた後に受光
領域及びガードリング形成のための拡散を行うことによ
り、異常拡散の防止、接合重複部面積の低減をはかるこ
とができる。従って、異常拡散による素子特性の劣化を
防止することができ、且つガードリング効果及び受光感
度特性の向上に寄与し得る半導体受光素子を実現するこ
とが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の第１の実施例に係わるＡＰ
Ｄを説明するためのもので第１図は同ＡＰＤの概略構成
を一部切欠して示す斜視図、第２図は向ＡＰＤの製造工
程を示す断面図、第３図は本発明の第２の実施例の概略
構成を示す断面図、第４図は本発明の第３の実施例の概
略構成を示す断面図、第５図は本発明の第４の実施例の
概略構成を示す断面図、第６図は上記第４の実施例の製
造工程を糸す断面図、第７図は本発明の第５の実施例の
概略構成を示す断面図、第８図は本発明の詳細な説明す
るための模式図、第９図は従来の問題点を説明するため
の模式図である。１１・・・ｎ−１ｎＰ基板、１２・・・ｎ−１ｎＰバッファ層、１３−ｎ−Ｇａ１ｎＡｓ光吸収層、１４−ｎ−Ｇａ　ＩｎＡｓＰ中間層、１５・・・ｎ−１ｎＰアバランシ工増倍層、１６・・・
ｎ”’−１ｎＰウィンドウ層、１７．３４・・・リング
状凸部、１８・・・ｐＩＪ１領域（ガードリング）、１９・・・
ｐ壁領域（受光領域）、２１・・・絶縁膜（イオン注入マスク）、２２・・・無
反射コート膜、２３．２４・・・電極、３１　・・ｐ　−１ｎ　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　Ｐ　：ｌンタ
クト層、５１．５２・・・凸部。出願人代理人　弁理士　鈴　江　武　彦第８図１９図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）光吸収層及びアバランシェ増倍層を含む第１導電
型半導体多層膜と、この半導体多層膜上にリング状に形
成され第２導電型不純物が導入されたリング状凸部と、
前記半導体多層膜の表面層に上記リング状凸部からの不
純物拡散により形成された緩傾斜ｐｎ接合形成のための
ガードリングと、前記半導体多層膜の表面層に第２導電
型不純物を導入して形成され、且つ前記リング状凸部の
外周よりも内側に周辺部が位置するよう形成された急傾
斜ｐｎ接合形成のための受光領域とを具備してなること
を特徴とする半導体受光素子。
（２）光吸収層及びアバランシェ増倍層を含む第１導電
型半導体多層膜と、この半導体多層膜上に一部突出して
形成され第２導電型不純物が導入された凸部と、前記半
導体多層膜の表面層に上記凸部からの不純物拡散により
形成された緩傾斜ｐｎ接合形成のためのガードリングと
、前記半導体多層膜の表面層に第２導電型不純物を導入
して形成され、且つ前記凸部の内側に周辺部が位置する
よう形成された急傾斜ｐｎ接合形成のための受光領域と
を具備してなることを特徴とする半導体受光素子。
（３）光吸収層及びアバランシェ増倍層を含む第１導電
型半導体多層膜の表面に第２導電型となる不純物を導入
し、略円状の受光領域とこの受光領域の周辺部を囲むガ
ードリングを形成してなる半導体受光素子の製造方法に
おいて、前記半導体多層膜の表面に第２導電型不純物を選択的若
しくは全域に導入する工程と、前記不純物を導入した領
域を選択的に残すようにリング状凸部を形成する工程と
、前記リング状凸部の不純物を活性化して前記半導体多
層膜の表面層に第２導電型不純物を拡散し、緩傾斜ｐｎ
接合形成のためのガードリングを形成する工程と、前記
リング状凸部上面又はリング状凸部内側に境界を有する
選択拡散マスクを形成する工程と、前記選択拡散マスク
を介して前記半導体多層膜の表面層に第２導電型不純物
を導入し、急傾斜ｐｎ接合形成のための受光領域を形成
する工程とを含むことを特徴とする半導体受光素子の製
造方法。
（４）光吸収層及びアバランシェ増倍層を含む第１導電
型半導体多層膜の表面に第２導電型となる不純物を導入
し、略円状の受光領域とこの受光領域を囲むガードリン
グを形成してなる半導体受光素子の製造方法において、前記半導体多層膜の表面に第２導電型不純物を選択的若
しくは全域に導入する工程と、前記不純物を導入した領
域を選択的に残すように凸部を形成する工程と、前記凸
部の不純物を活性化して前記半導体多層膜の表面層に第
２導電型不純物を拡散し、緩傾斜ｐｎ接合形成のための
ガードリングを形成する工程と、前記凸部の内側に境界
を有する選択拡散マスクを形成する工程と、前記選択拡
散マスクを介して前記半導体多層膜の表面層に第２導電
型不純物を導入し、急傾斜ｐｎ接合形成のための受光領
域を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体受光
素子の製造方法。