JPS621472B2 - - Google Patents

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JPS621472B2
JPS621472B2 JP2846883A JP2846883A JPS621472B2 JP S621472 B2 JPS621472 B2 JP S621472B2 JP 2846883 A JP2846883 A JP 2846883A JP 2846883 A JP2846883 A JP 2846883A JP S621472 B2 JPS621472 B2 JP S621472B2
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JP
Japan
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workpiece
section
sputtering
loading
shaft
Prior art date
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Expired
Application number
JP2846883A
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English (en)
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JPS59157281A (ja
Inventor
Hidetaka Jo
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokuda Seisakusho Co Ltd
Original Assignee
Tokuda Seisakusho Co Ltd
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Publication date
Application filed by Tokuda Seisakusho Co Ltd filed Critical Tokuda Seisakusho Co Ltd
Priority to JP2846883A priority Critical patent/JPS59157281A/ja
Publication of JPS59157281A publication Critical patent/JPS59157281A/ja
Publication of JPS621472B2 publication Critical patent/JPS621472B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はスパツタリング装置に係り、特にワー
クを放射状に配置して効率よくスパツタリングを
行なえるようにしたスパツタリング装置の改良に
関する。
〔発明の技術的背景〕
従来から、真空槽内において、スパツタ材であ
るターゲツトを支持するターゲツト支持部材の近
傍にマグネツトを配設し、このターゲツトへの通
電により発生するプラズマ放電によりターゲツト
をスパツタさせ、真空槽内に装着されたワークの
表面にスパツタ膜を生成させるスパツタリング装
置が知られている。
しかして従来の上記スパツタリング装置では、
連続してワークにスパツタ膜を生成させ、しかも
装置自体を小形化して設置場所の狭小化を図るた
め水平回転体を形成しし、その回転円周上にシリ
コンウエハ等のワークを配置するように構成され
ている。ワークの真空槽への搬入出には、搬入出
口を真空槽のいずれかの側の一箇所あるいは二箇
所に設け、ここからワークの装入あるいは取出し
を行なう構成となつている。
〔背景技術の問題点〕
しかしながら、上記のような従来のスパツタリ
ング装置では、真空槽内でのワークは水平方向に
位置して設けているため、ウエハ等のワーク処理
表面がごみ等による基板汚染の可能性が多く、実
用上障害となつている。
また、ワークが水平の状態で搬送されかつ処理
される状態では、円周上にワークが配置されてい
ることが装置設置場所の効率化をねらいとしては
いるが、依然としてスペース的には大きく、より
改善が望まれていた。
さらにまた、ワークの装入部および取出部も結
局は真空槽の左右に隣接して設けるため、装置自
体の設置面積の狭小化には大きな障害となつてい
た。
〔発明の目的〕
本発明は上記のような従来の実情に鑑み、真空
槽を含む装置全体の設置面積の狭小化と、良質な
スパツタ膜の生成を図つて、従来の欠点を解消す
ることを目的としてなされたものである。
〔発明の概要〕
本発明は上記の目的を達成するために、ワーク
の装入部と取出部とを各別に接近または兼用さ
せ、またスパツタ膜生成部である真空槽の下方の
位置せしめて構成し、同時に真空槽内の回転体を
略鉛直面でかつ放射方向に配列し、もつて設置面
積の狭小化と良質な処理を実現したものである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明を図面に示す一実施例により説明
する。
本発明のスパツタリング装置は、第1図に示す
ようにワークの装入部1、同取出部2、およびス
パツタ膜生成部3とからなり、さらに詳しくは、
スパツタ膜生成部3は回転体4と、該回転体4を
内蔵するケース本体5とで形成されている。
装入部1は、取出部2と共に下部にあつて、こ
の両者の上部に前記スパツタ膜生成部3である前
記ケース本体5が装架されている。
また装入部1は箱状をなしていて、ワークを前
記スパツタ膜生成部3へ装入するため、上部は開
放されて装入口6を形成し、この部分で前記ケー
ス本体5と連結されている。箱状内の下部はワー
クを入れるための空所7aを形成している。
装入部1内には、ワークを受入れ位置から装入
位置へ運搬する装入位置Aが設けられている。こ
の装入装置Aは、第3図に具体的構成の一例を示
すように、上方部において支点となり回転駆動さ
れる軸8に、中間部が谷に折れ曲つたレバー9の
一端が軸支され、このレバー9は軸8を中心とし
て揺動自在とされている。
前記軸8と、前記レバー9の他端の軸40に
は、同径のスプロケツト41,42が固着されて
おり、これらスプロケツト41,42と、前記レ
バー9の中間位置に軸支された中間スプロケツト
43,44とにチエン45が掛回され、軸8が回
動されたとき軸40は不回転のまゝ昇降されるよ
うになつている。このレバー9の他端の軸40
に、ワーク10を支持するための受台11の基部
が固着され、この受台11は水平姿勢のまゝ昇降
される。
なお、上記の機構は、スプロケツトとチエンと
によるほか、プーリーとベルト、ギヤ系列等に置
換することもできる。
前記受台11はその上部両端にワーク10を支
持するもので、レバー9が下降位置(第4図実線
図示位置)から上方へ移動することによつてスパ
ツタ膜生成部3のケース本体5内へ装入口6を通
じ装入されるようになつている。ケース本体5に
装入されたワーク10が回転体4に装着されたの
ち、レバー9は装入部1内に復帰し、その開口部
はバルブ12により密閉される。
他方、ワーク10の取出部2は、前記ケース本
体5の中心に対し前記装入部1とほぼ対称の位置
にあつて、装入部1と大きさも同様の箱状をなし
ており、前記スパツタ膜生成部3内にあつたワー
ク10を取出すため、上部は開放された取出口1
3に形成され、この部分で前記ケース本体5と連
結されている。箱状内の下部はスパツタ膜が生成
されたワークを取出すための空所7bとなつてい
る。
また取出口13内には、前記装入部1における
装入装置Aとは勝手違いの取出し装置Bが設けら
れている。この取出し装置Bは、上方部に設けら
れる支点となる軸14があつて、この軸14に中
間が谷に折れ曲つたレバー15の一端が軸支され
ており、これによりレバー15は軸14を中心に
揺動自在となつている。レバー15の他端15a
には、装入装置Aと同様に同じ大きさの受台11
が設けられていて、その基部がレバー15の他端
15aの軸14に固着されている。
そしてワーク10は受台11の上部の両端で支
持されるようになつている。なおこのレバー15
は装入部1における装入装置Aと同様に構成され
た駆動機構によつて下部の位置から上部の位置へ
上昇し、これに伴なつてスパツタ膜生成部3のケ
ース本体5から取外されたワーク10は、受台1
1によつて支持されて取出部2内へ下降され、取
外される。このときの受台11は上方位置から下
方位置へ移動しても水平状態を保つ機構になつて
いるのは装入装置Aの場合と全く同様である。
ケース本体5は、第2図に示すように、薄形の
円筒状で円筒部分16が横置きされており、その
奥には後面板19が円筒部分16と周囲を溶接そ
の他の手段で固着されている。また後面板17の
中央には前記回転体4を支承して回転させるため
の固定軸18が設けられている。
ケース本体5の前面には中央部分が外側に向つ
て凸状に湾曲した前蓋19がボルト20その他の
手段で結合されている。
前蓋19には外側からケース本体5内に対して
スパツタ材であるターゲツト、ターゲツト支持部
材およびマグネツトなどからなるスパツタ源21
が放射状に複数個(実施例では4個)設けてあ
り、このスパツタ源21からワーク10に対しタ
ーゲツトをスパツタさせるようになつている。
回転体4は、円板状で中央部分には巾広の軸受
部22があつて前記固定軸18に外嵌され、この
固定軸18の回りに回転可能となつている。
また回転体4には中心から放射状で、かつ所定
距離に複数個(実施例では6個)の孔が穿設され
ていて、この各孔に軸受ケース25が取付けら
れ、軸受24が内嵌されている。そしてこの軸受
24がワーク10を保持するチヤツク25を回転
自在に内嵌している。
チヤツク25は、第4図に詳細を例示するよう
に、平軸受26を内嵌した外筒27と、シヤフト
28と、ばね29と、爪30とで構成されてお
り、シヤフト28は前記外筒29に内嵌されて平
軸受26内を前後に摺動できるようになつてい
る。
ばね29はシヤフト28に外嵌され、一端はシ
ヤフト28の後端の頭部により、他端は外筒27
内の小径部側壁により挾持されている。
またシヤフト28の前端は、複数のてこ部の爪
30が設けてあり、シヤフト28と同一軸心上で
前記後面板17の裏面に設けられた油圧シリンダ
31のロツド31aの先端が伸長してシヤフト2
8の頭部と接触すると、シヤフト28が前進して
ばね29を圧縮し、その結果爪30を拡開動作さ
せて締付を解放する。またロツド先端の後退で頭
部と離間し、その結果ばね29が復元しシヤフト
28の後退で互いの爪30を接近させて締付ける
ように作動する。
そしてワーク10の中心部分の裏面に設けられ
たワーク10より小径のホルダ32の外周を、前
記油圧シリンダ31のロツド31aの後退により
爪30も互いに接近させ締付けるものである。
また回転体4の各チヤツク25の取付部分は、
間仕切り33とカバー34とによつて複数個(実
施例では6個)の個々のスパツタ槽35a,35
b,35c,35d,35e,35fが第1図に
おいて左下から時計回りに第1〜第6の順に形成
されている。各スパツタ槽35a,35b,35
c,35d,35e,35fには装入部1より送
り込まれた各1個ずつのワークがチヤツク25に
よつて取付けられ、またチヤツク25の後部に設
けられた歯車36と、後面板17の裏側面に設け
られたモータ37と直結されて同一回転する歯車
38とは噛合つているので、モータ37を回転さ
せるとチヤツク25によつて締付けらているワー
ク10は自転するようになつている。
なお、前記前蓋19の各スパツタ源21は、回
転体4の各スパツタ槽の内下側の2個を除く35
b,35c,35e,35fに対向する位置で、
中心がスパツタ槽の中心よりも下側に設けられて
いるが、ワークが前述のように自転するようにな
つてているため、ワークの表面に生成されるスパ
ツタ膜に粗密が生じないようになつている。
なお、図示しない駆動装置を駆動させると歯車
を介して回転体4の間仕切り33部に設けられた
歯車39を回転させるようになつているので、こ
の歯車39と一体になつている回転体4は、前記
固定軸18の周りに回転させることができ、かつ
間欠的にその回転を断続できるようになつてい
る。
つぎに作用について説明する。装入部1に収納
された未処理の円形状の第1番目のワーク10
は、レバー9の最下位の位置で受台11の中に収
容される。
ここで駆動装置を駆動してレバー9を最下位の
位置から上昇させると、受台11は水平位置を保
つて、レバー9の上昇に伴なつて上昇し、装入口
6から第1のスパツタ槽35aへ自動的に装入さ
れる。
ここで油圧シリンダ31の操作によつてロツド
を伸長させ、ばね29を圧縮してワーク10のホ
ルダ32を掴むように待機していたチヤツク25
は、油圧シリンダ31のロツドの収縮と共にばね
29の戻り力によつてホルダ32を複数の爪30
によつて挾持する。
その後、回転体4により第1番目のワーク10
はスパツタ槽と一緒にされて、第2のスパツタ槽
35bの位置にくる。
この状態のときには、第2番目のワーク10は
第1のスパツタ槽35aの位置に装入され、第1
番目のワーク10と同様にチヤツク25によりホ
ルダ32部分で挾持される。
第2のスパツタ槽35bに位置した第1番目の
ワーク10は、第2のスパツタ槽に対向したスパ
ツタ源21により、表面にスパツタ膜が生成され
る。
しかも前述のようにワーク10はモータ37の
回転により自転するようになつているので、膜は
粗密にならないように一様に生成される。
第2のスパツタ槽35bの位置でのスパツタ膜
の生成が終ると、第1番目のワーク10は回転体
4の回転により第3のスパツタ槽35cの位置に
移動する。同様にして第2番目のワーク10は、
第2のスパツタ槽35bの位置に移動し、第1の
スパツタ槽35aへは第3番目の新たなワークが
装入される。
このようにして回転体4が順次回転してスパツ
タ膜がその都度積層されて、第1番番目のワーク
が第5のスパツタ槽35eの位置での工程が終る
と、ここで所定厚さのスパツタ膜の生成が完了
し、第6のスパツタ槽35fの位置に回されてき
たとき、取出部2から受台11がレバー15の揺
動によつて上昇し、ワーク10のホルダ32を保
持していたチヤツク25が、油圧シリンダ31の
ロツドの伸長によつて外れると、ワーク10は取
出部2のレバー15の受台11のみによつて支持
され、駆動装置によつて駆動されたレバー15
は、取出部2内へ下降する。
このようにして処理が完了したワーク10は装
置外へ順に取出されることになる。
なお、本実施例ではスパツタ槽が6個で、スパ
ツタ源が4個の場合について説明したが、第3図
に示すように装入部40と取出部41とを1つの
ケース42内に納め、かつ回転するスパツタ槽4
3を5個とし、スパツタ源44は4個として、ワ
ークの装入と取出しを交互に行なうようにしても
よい。
また、本実施例は以上2つの場合について示し
たが、これに限定されるものでなく、本発明の要
旨の範囲内で適宜変更できることはいうまでもな
い。
〔発明の効果〕
本発明のスパツタリング装置は以上のように構
成し、ワークの装入部および取出部をスパツタ膜
生成部の下方に位置せしめ、ワークを垂直方向に
立てた状態で装入部および取出部と膜生成部との
間を移動搬送せしめるようにしたので、その結果
装置全体の設置面積が著しく狭小ならしめ得たこ
と、ワーク自体もスパツタ時に垂直状態で処理さ
れ、処理面へのごみ等の付着を著しく減少せしめ
たこと、さらには膜生成部への装入・取出し機構
を鉛直方向の膜生成部下方に設けることによつ
て、装入・取出し機構がきわめてコンパクト化、
単純化なし得たものであり、実用上の効果はきわ
めて大なるものがある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るスパツタリング装置の一
実施例を示す正面の断面図、第2図は第1図の側
面の断面図、第3図はワーク装入部の装入装置の
一例を示す斜視図、第4図は同チヤツクの拡大断
面図、第5図は本発明のスパツタリング装置の他
の実施例を示す正面の断面図である。 1…装入部、2…取出部、3…スパツタ膜生成
部、4…回転体、5…ケース本体、21…スパツ
タ源、35a〜f…スパツタ槽、40…装入部、4
1…取出部、43…真空槽、44…スパツタ源、
A…装入装置、B…取出し装置。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 ワークの装入部、取出部およびスパツタ膜生
    成部からなるスパツタリング装置において、スパ
    ツタ膜生成部を、複数個に区分されかつ放射方向
    に配列した回転体と、該回転体を支承するケース
    本体とにより形成し、前記ワークを前記装入部か
    らケース本体の回転体に装脱する装入出部を前記
    ケース本体の下方に位置せしめ、ワークの装入取
    出しを略鉛直方向に行なわしめるように構成した
    ことを特徴とするスパツタリング装置。
JP2846883A 1983-02-24 1983-02-24 スパツタリング装置 Granted JPS59157281A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2846883A JPS59157281A (ja) 1983-02-24 1983-02-24 スパツタリング装置

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JP2846883A JPS59157281A (ja) 1983-02-24 1983-02-24 スパツタリング装置

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JPS59157281A JPS59157281A (ja) 1984-09-06
JPS621472B2 true JPS621472B2 (ja) 1987-01-13

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ID=12249480

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5021138A (en) * 1985-01-17 1991-06-04 Babu Suryadevara V Side source center sink plasma reactor
FR2594102B1 (fr) * 1986-02-12 1991-04-19 Stein Heurtey Installation flexible automatisee de traitement thermochimique rapide
US6413381B1 (en) 2000-04-12 2002-07-02 Steag Hamatech Ag Horizontal sputtering system
DE102008062332A1 (de) * 2008-12-15 2010-06-17 Gühring Ohg Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung und/oder -beschichtung von Substratkomponenten
JP7000083B2 (ja) * 2017-09-07 2022-01-19 芝浦メカトロニクス株式会社 成膜装置

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