JPS62147740A - 半導体装置のボンデイング方法及びその装置 - Google Patents
半導体装置のボンデイング方法及びその装置Info
- Publication number
- JPS62147740A JPS62147740A JP60288785A JP28878585A JPS62147740A JP S62147740 A JPS62147740 A JP S62147740A JP 60288785 A JP60288785 A JP 60288785A JP 28878585 A JP28878585 A JP 28878585A JP S62147740 A JPS62147740 A JP S62147740A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- leads
- lead
- film carrier
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置のボンディング方法及びその装置に
関し、特に、リード側の撮影が鮮明に行われるようにし
てリード側の位置を高精度に検出できるよう記した半導
体装置のボンディング方法及びその装置に関する。
関し、特に、リード側の撮影が鮮明に行われるようにし
てリード側の位置を高精度に検出できるよう記した半導
体装置のボンディング方法及びその装置に関する。
従来の半導体装置のボンディング方法として、例えば、
半導体チップの電極と外部導出用リードとをＡｕ、ＡＩ
等の金属細線であるワイヤーで接続するワイヤーボンデ
ィング方式、或いは半導体チップの電極に金属の突起を
設けた突起電極と絶縁フィルム上に形成されたリードと
を接続するフィルムキャリヤ一方式がある。通常、これ
らのボンディングは半導体チップの電極位置または半導
体チップの電極位置とリード位置との両方を検出し、自
動的に位置合わせ後ボンディングする自動ボンダーによ
って実施されている。
半導体チップの電極と外部導出用リードとをＡｕ、ＡＩ
等の金属細線であるワイヤーで接続するワイヤーボンデ
ィング方式、或いは半導体チップの電極に金属の突起を
設けた突起電極と絶縁フィルム上に形成されたリードと
を接続するフィルムキャリヤ一方式がある。通常、これ
らのボンディングは半導体チップの電極位置または半導
体チップの電極位置とリード位置との両方を検出し、自
動的に位置合わせ後ボンディングする自動ボンダーによ
って実施されている。
前者のワイヤーボンディング方式における自動ボンディ
ング方法は、例えば、第６図及び第７図に示すようにし
て行われている。即ち、半導体チップ搭載部１上に半導
体チップ２を固着剤３により固着したリードフレーム４
を準備し、リードフレーム４をワイヤーボンディングス
テージ５に搬送位置決めしてから固定し、ＴＶカメラ等
の撮像装置６により照明７で照らされた半導体装ツブ２
の通常２ケ所を撮影し、撮像装置６からの映像信号を２
値化し、２値化された映像パターンと予め設定された標
準パターンとのずれ量を計算し、予め記憶されている半
導体チップの電極の座標と計算して求めたずれ量とから
ボンディングステージ５上にある半導体チップ２の電極
座標を検出する。次に、求めた座標に従って半導体チッ
プ２の電極８とリードフレーム４の外部導出用リード９
とをボンディングワイヤーで接続することによって完了
する。
ング方法は、例えば、第６図及び第７図に示すようにし
て行われている。即ち、半導体チップ搭載部１上に半導
体チップ２を固着剤３により固着したリードフレーム４
を準備し、リードフレーム４をワイヤーボンディングス
テージ５に搬送位置決めしてから固定し、ＴＶカメラ等
の撮像装置６により照明７で照らされた半導体装ツブ２
の通常２ケ所を撮影し、撮像装置６からの映像信号を２
値化し、２値化された映像パターンと予め設定された標
準パターンとのずれ量を計算し、予め記憶されている半
導体チップの電極の座標と計算して求めたずれ量とから
ボンディングステージ５上にある半導体チップ２の電極
座標を検出する。次に、求めた座標に従って半導体チッ
プ２の電極８とリードフレーム４の外部導出用リード９
とをボンディングワイヤーで接続することによって完了
する。
この場合、外部思出用リード９の幅は通常２００μ以上
あり、また、リードフレーム４の搬送位置決め精度が±
５０μ以下であるのに対し、ボンディングに必要な範囲
は°ｌＯＯμ程度であるため、外部導出用リード９の位
置検出は実施しない場合が多い。
あり、また、リードフレーム４の搬送位置決め精度が±
５０μ以下であるのに対し、ボンディングに必要な範囲
は°ｌＯＯμ程度であるため、外部導出用リード９の位
置検出は実施しない場合が多い。
一方、後者のフィルムキャリヤーテープ方式における自
動ボンディング方法は、例えば第８図〜第１１図に示す
ようにして行われている。即ち、搬送及び位置決め用の
孔であるスプロケットホール１０、半導体チップが入る
孔であるデバイスホール１１、及び所定の本数のリード
１２ （そのうちの２本は認識用のパターン１５を有す
る）を有するフィルムキャリヤーテープ１３を準備し、
フィルムキャリヤーテープ１３をリードボンディングス
テージ１４上に搬送して位置決めし、最初にフィルムキ
ャリヤーテープ１３の２本のり一ド１２に設けられた認
識用のパターン１５を撮像装置６を移動させることによ
りそれぞれ撮影し、得られた映像信号を２値化し、２値
化された映像パターンと予め設定さた標準パターンとの
ずれ量を計算し、リード１２の位置を検出する。リード
１２を検出している間に、第８図に示すように、リード
ボンディングステージ１４上に半導体装ツブ２をフィル
ムキャリヤーテープ１３から離れた位置で載置し、真空
吸着等の方法で固定後フィルムキャリヤーテープ１３の
リード１２の下に移動させる。次に、゛光源７ａ、７ｂ
によって照明しなから撮像装置６をフィルムキャリヤー
テープ１３のデバイスホール１１のほぼ中央を撮影する
位置で固定し、第９図及び第１０図に示すようにリード
ボンディングステージ１４を移動し、半導体チップ２の
通常２ケ所を撮像装置６により撮影してリード１２側と
同じように半導体装ツブ２の電極１６の位置を検出する
。ついで、求めたり一ド１２と半導体チップ電極１６の
位置とから、両者の位置が一致するようにリードボンデ
ィングステージ１４を移動することによって半４体チッ
プ２をリード１２の下に位置合わせした後、圧着冶具（
図示せず）により、リード１２と半導体チップ２の電極
上に設＆Ｊられた突起電極１６とを接続することによっ
てボンディングを完了する。
動ボンディング方法は、例えば第８図〜第１１図に示す
ようにして行われている。即ち、搬送及び位置決め用の
孔であるスプロケットホール１０、半導体チップが入る
孔であるデバイスホール１１、及び所定の本数のリード
１２ （そのうちの２本は認識用のパターン１５を有す
る）を有するフィルムキャリヤーテープ１３を準備し、
フィルムキャリヤーテープ１３をリードボンディングス
テージ１４上に搬送して位置決めし、最初にフィルムキ
ャリヤーテープ１３の２本のり一ド１２に設けられた認
識用のパターン１５を撮像装置６を移動させることによ
りそれぞれ撮影し、得られた映像信号を２値化し、２値
化された映像パターンと予め設定さた標準パターンとの
ずれ量を計算し、リード１２の位置を検出する。リード
１２を検出している間に、第８図に示すように、リード
ボンディングステージ１４上に半導体装ツブ２をフィル
ムキャリヤーテープ１３から離れた位置で載置し、真空
吸着等の方法で固定後フィルムキャリヤーテープ１３の
リード１２の下に移動させる。次に、゛光源７ａ、７ｂ
によって照明しなから撮像装置６をフィルムキャリヤー
テープ１３のデバイスホール１１のほぼ中央を撮影する
位置で固定し、第９図及び第１０図に示すようにリード
ボンディングステージ１４を移動し、半導体チップ２の
通常２ケ所を撮像装置６により撮影してリード１２側と
同じように半導体装ツブ２の電極１６の位置を検出する
。ついで、求めたり一ド１２と半導体チップ電極１６の
位置とから、両者の位置が一致するようにリードボンデ
ィングステージ１４を移動することによって半４体チッ
プ２をリード１２の下に位置合わせした後、圧着冶具（
図示せず）により、リード１２と半導体チップ２の電極
上に設＆Ｊられた突起電極１６とを接続することによっ
てボンディングを完了する。
しかし、従来の半導体装置のボンディング装置によれば
、前者のワイヤーボンディング方式にあっては、半導体
チップの電極側に比べてリード側が精度的に余裕がある
ことから半導体チップの電極側に施すような位置検出を
せずに単に機械的に位置決めするか、比較的精度上不十
分な検出機構を用いて位置決めしているため、最近の半
導体チップの能力増加に付随する電極端子数の増加に応
じてリード数を増加させようとすると、リードの幅及び
その間隔が小になってリード側で高い位置検出精度を出
すことができない不都合があった。
、前者のワイヤーボンディング方式にあっては、半導体
チップの電極側に比べてリード側が精度的に余裕がある
ことから半導体チップの電極側に施すような位置検出を
せずに単に機械的に位置決めするか、比較的精度上不十
分な検出機構を用いて位置決めしているため、最近の半
導体チップの能力増加に付随する電極端子数の増加に応
じてリード数を増加させようとすると、リードの幅及び
その間隔が小になってリード側で高い位置検出精度を出
すことができない不都合があった。
この問題に対し、リード側についても、撮像装置により
位置検出を実施すれば、精度が向上してリード幅を狭く
することが可能であるが、半導体チップの表面とリード
面の高さが異なるために、いずれか一方にしか撮像装置
の焦点を合わせることができず、映像が不鮮明になると
共に、十分な検出精度を得ることができない。
位置検出を実施すれば、精度が向上してリード幅を狭く
することが可能であるが、半導体チップの表面とリード
面の高さが異なるために、いずれか一方にしか撮像装置
の焦点を合わせることができず、映像が不鮮明になると
共に、十分な検出精度を得ることができない。
また、後者のフィルムキャリヤ一方式にあっては、リー
ド数の増加にともなってリート幅が細くなったり、ある
いはリード長が長くなった場合には、リード先端部にお
いて垂れ下がりが生じる。これを修正するためにリード
面を上げると、半導体チップ面とリード面に段差が生じ
て撮像装置の焦点ずれが発生してリード側の検出精度を
悪くする原因となる。
ド数の増加にともなってリート幅が細くなったり、ある
いはリード長が長くなった場合には、リード先端部にお
いて垂れ下がりが生じる。これを修正するためにリード
面を上げると、半導体チップ面とリード面に段差が生じ
て撮像装置の焦点ずれが発生してリード側の検出精度を
悪くする原因となる。
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、リード側の
位置を半導体チ・７プとともに尚精度に検出できるよう
にするため、半導体チップ面及びリード面と撮像装置の
間のそれぞれの光学距湘を調整できるようにした半導体
装置のボンディング方法及びその装置を提供するもので
ある。
位置を半導体チ・７プとともに尚精度に検出できるよう
にするため、半導体チップ面及びリード面と撮像装置の
間のそれぞれの光学距湘を調整できるようにした半導体
装置のボンディング方法及びその装置を提供するもので
ある。
本発明の半導体装置のボンディング方法及びその装置に
よれば、撮像装置、半導体チップ面、及びリード面の１
つあるいは２つを移動させると撮像装置の焦点面に半導
体チップ面及びリード面が適格に位置することになり、
それによって半導体チップ面の映像、及びリード面の映
像をともに鮮明なものにすることができる。ここで、撮
像装置の移動とは、装置自体の移動、あるいは装置内に
おけるレンスの移動を言う。
よれば、撮像装置、半導体チップ面、及びリード面の１
つあるいは２つを移動させると撮像装置の焦点面に半導
体チップ面及びリード面が適格に位置することになり、
それによって半導体チップ面の映像、及びリード面の映
像をともに鮮明なものにすることができる。ここで、撮
像装置の移動とは、装置自体の移動、あるいは装置内に
おけるレンスの移動を言う。
以下、本発明による半導体のボンディング方法及びその
装置を詳細に説明する。
装置を詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示し、半導体チップ２の表
面に焦点を合わせて該チップ２の上方に配置され半導体
チップ２及びリード１２を撮影する撮像装置２０と、撮
影対象面を照明する光源２１と、前述したスプロケット
ホール（図示せず）、デバイスホール１１及びリード１
２を有するフィルムキャリヤーテープ１３をリード１２
面が半導体チップ２面と同一高さになるようにして送り
込む送込みローラ２２ａおよびそれを引き取る引取りロ
ーラ２２ｂ （これらのローラは後述するように昇降す
る）と、これらのローラ２２ａ、２２ｂの各々を駆動し
てフィルムキャリヤーテープ１３の移動、停止、上界又
は下降させる駆動部２３ａ、２３ｂと、撮像装置２０に
よって撮影された画像中の輪シｂコンスト・ラストを検
出し、輪郭が最も明瞭になるように駆動部２３ａ、２３
ｂを制御し、フィルムキャリヤーテープ１３を昇降させ
る制御部２４より構成される（尚、２２ｃはフィルＪ、
キャリヤーテープ１３を供給する供給ローラ、２２ｄは
それを巻き取る巻取りローラ、２３ｃ、２３ｄはそれら
を駆動する駆動部である）。
面に焦点を合わせて該チップ２の上方に配置され半導体
チップ２及びリード１２を撮影する撮像装置２０と、撮
影対象面を照明する光源２１と、前述したスプロケット
ホール（図示せず）、デバイスホール１１及びリード１
２を有するフィルムキャリヤーテープ１３をリード１２
面が半導体チップ２面と同一高さになるようにして送り
込む送込みローラ２２ａおよびそれを引き取る引取りロ
ーラ２２ｂ （これらのローラは後述するように昇降す
る）と、これらのローラ２２ａ、２２ｂの各々を駆動し
てフィルムキャリヤーテープ１３の移動、停止、上界又
は下降させる駆動部２３ａ、２３ｂと、撮像装置２０に
よって撮影された画像中の輪シｂコンスト・ラストを検
出し、輪郭が最も明瞭になるように駆動部２３ａ、２３
ｂを制御し、フィルムキャリヤーテープ１３を昇降させ
る制御部２４より構成される（尚、２２ｃはフィルＪ、
キャリヤーテープ１３を供給する供給ローラ、２２ｄは
それを巻き取る巻取りローラ、２３ｃ、２３ｄはそれら
を駆動する駆動部である）。
以上の構成において、スプロケットホールとデバイスホ
ール１１とリード１２とを有するフィルムキャリヤーテ
ープ１３を、第２図のように、リードホンディングステ
ージ１４上に搬送して位置決めし、リード１２にあらか
じめ設けられた認識パターン面がほぼ半導体チップ面と
同一の高さになるようにフィルムキャリヤ−テープ１３
全体をローラ２２ａ、２２ｂを下降させて下方向に移動
させる。次に、２木のり一ド１２に１つずつ設けられた
認識パターンを撮像装置２０を移動させることによって
撮影して認識し、リード１２の位置を検出する。ここで
、撮像装置２０の焦点距離を半導体チ・７ブ２の表面に
あわせておけば、リード１２の認識パターンを撮影の際
も焦点距離があっているため、得られる映像は鮮明とな
り高精度の検出ができる。次に、第３図に示すように、
フィルム；１；ヤリャーテープ１３を駆動部２３ａ、２
３ｂの制御によりローラ２２ａ、２２ｂ（上昇）を介し
て上方向に移動後、フィルムキャリヤーテープ１３から
離れた位置で半導体チップ２をリードボンディングステ
ージ１４に載置し、真空吸着法等で固定しながらリート
ボンディングステージ１４を移動させて半導体チップ２
をフィルムキャリヤーテープ１３のリート１２の下へ搬
送する。ついで、撮像装置２０をフィルムキャリヤーテ
ープ１３のデバイスホール１１のほぼ中央部に移動させ
て固定後、半導体装ノブ２を移動させて半導体装ツブ２
の通常２ケ所を撮影して認識し、半導体チップ２の電極
位置を検出する。次に、検出したり一ド１２と半導体チ
ップ２の電極位置とから、両者の位置が一致するように
リートポンディングステージ１４を水平方向に移動する
ことによって半導体チップ２をリード１２の下に位置合
わせをした後、第４図に示すようにフィルムキャリヤー
テープ１３を駆動部２３ａ、２３ｂの制御によりロール
２２ａ、２２ｂ（下降）を介して下方向に移動させ、リ
ート１２を半導体チップ２の電極上に位置させる。
ール１１とリード１２とを有するフィルムキャリヤーテ
ープ１３を、第２図のように、リードホンディングステ
ージ１４上に搬送して位置決めし、リード１２にあらか
じめ設けられた認識パターン面がほぼ半導体チップ面と
同一の高さになるようにフィルムキャリヤ−テープ１３
全体をローラ２２ａ、２２ｂを下降させて下方向に移動
させる。次に、２木のり一ド１２に１つずつ設けられた
認識パターンを撮像装置２０を移動させることによって
撮影して認識し、リード１２の位置を検出する。ここで
、撮像装置２０の焦点距離を半導体チ・７ブ２の表面に
あわせておけば、リード１２の認識パターンを撮影の際
も焦点距離があっているため、得られる映像は鮮明とな
り高精度の検出ができる。次に、第３図に示すように、
フィルム；１；ヤリャーテープ１３を駆動部２３ａ、２
３ｂの制御によりローラ２２ａ、２２ｂ（上昇）を介し
て上方向に移動後、フィルムキャリヤーテープ１３から
離れた位置で半導体チップ２をリードボンディングステ
ージ１４に載置し、真空吸着法等で固定しながらリート
ボンディングステージ１４を移動させて半導体チップ２
をフィルムキャリヤーテープ１３のリート１２の下へ搬
送する。ついで、撮像装置２０をフィルムキャリヤーテ
ープ１３のデバイスホール１１のほぼ中央部に移動させ
て固定後、半導体装ノブ２を移動させて半導体装ツブ２
の通常２ケ所を撮影して認識し、半導体チップ２の電極
位置を検出する。次に、検出したり一ド１２と半導体チ
ップ２の電極位置とから、両者の位置が一致するように
リートポンディングステージ１４を水平方向に移動する
ことによって半導体チップ２をリード１２の下に位置合
わせをした後、第４図に示すようにフィルムキャリヤー
テープ１３を駆動部２３ａ、２３ｂの制御によりロール
２２ａ、２２ｂ（下降）を介して下方向に移動させ、リ
ート１２を半導体チップ２の電極上に位置させる。
しかる後、圧着治具（図示せず）によってリード１２と
半導体チップ２の電極上に設けられた突起電極１６とを
接続してボンディングを完成する。
半導体チップ２の電極上に設けられた突起電極１６とを
接続してボンディングを完成する。
尚、以上の実施例においては、半導体チップ面とリード
面の位置合ねせをフィルムキャリヤーテープ１３を昇降
させることによって行うものとしたが、第５図に示すよ
うに、フィルムキャリヤーテープ１３を一定レベルの高
さのところに位置させ、リードボンディングステージ１
４を昇降させるようにして位置合わせするようにしても
良い。
面の位置合ねせをフィルムキャリヤーテープ１３を昇降
させることによって行うものとしたが、第５図に示すよ
うに、フィルムキャリヤーテープ１３を一定レベルの高
さのところに位置させ、リードボンディングステージ１
４を昇降させるようにして位置合わせするようにしても
良い。
また、他の実施例として、フィルムキャリヤーテープ１
３及びリードボンディングステージ１．４の両方を固定
（高さ不揃いのまま）とし、撮像装置２０を昇降させて
個別に焦点合わせを行ってもよい。この場合、撮像装置
２０の合焦機構をズームにすれば、撮像装置２０を昇降
させずに固定にしたまま焦点合ねせを行うことができる
。
３及びリードボンディングステージ１．４の両方を固定
（高さ不揃いのまま）とし、撮像装置２０を昇降させて
個別に焦点合わせを行ってもよい。この場合、撮像装置
２０の合焦機構をズームにすれば、撮像装置２０を昇降
させずに固定にしたまま焦点合ねせを行うことができる
。
また、以上の実施例においては、フィルムキャリヤーテ
ープ方式に適用する例を示したが、ワイヤーボンディン
グ方式に対しても全く同様に適用することが可能をであ
る。
ープ方式に適用する例を示したが、ワイヤーボンディン
グ方式に対しても全く同様に適用することが可能をであ
る。
以上説明した通り、本発明の半導体装置のボンディング
方法及びその装置によれば、半導体チップ面及びリード
面と撮像装置の間のそれぞれの光学距離を調整できるよ
うにしたため、半導体チップ側及びリード側ともそれぞ
れ説明な映像が得られ、高精度の位置検出が可能となる
。この結果、半導体装ノブの電極端子数の増加に応して
リード数が増加してリード幅が狭小化しても、これに対
する対応が容易に可能となる。
方法及びその装置によれば、半導体チップ面及びリード
面と撮像装置の間のそれぞれの光学距離を調整できるよ
うにしたため、半導体チップ側及びリード側ともそれぞ
れ説明な映像が得られ、高精度の位置検出が可能となる
。この結果、半導体装ノブの電極端子数の増加に応して
リード数が増加してリード幅が狭小化しても、これに対
する対応が容易に可能となる。
第１図は本発明の一実施例を示すｉ、ｌ、￥成図。
第２図乃至第４図は本発明におりる動作説明図。第５図
は本発明の他の実施例における動作説明図。第６図及び
第７図は従来装置によるワイヤーボンディング方式によ
るボンディング工程を示す平面図及び縦断面図。第８図
乃至第１０図はフィルムキャリヤ一方式の従来装置にお
ける各製造工程を示す平面図。第１１図及び第１２図は
フィルムキャリヤ一方式の従来装置における各製造工程
を示す縦断面図。 符号の説明 ２−−・−半導体チップ １２・−一一一−−リー
ド１３−・−・−フィルムキャリヤーテープ１４−−−
−・リードボンディングステージ１５−・−認識用パタ
ーン １６−−−−−一突起電掻２０−・−撮像装置
２１−−−−−一光源２２ ａ−ｍ−送込み
ローラ（昇降） ２２ｂ−・−引取りローラ（昇降） ２２Ｃ−・供給ローラ ２２ｄ・・−巻取ローラ
２３ ａ 〜２３ ｄ ・−駆動部 ２４−−−−一
制御部第２図 第３図 第４図 第５図 ／動μ！２０ ｅ ＾ 区乎 Ｆ− ９層 ｍ−，ご
は本発明の他の実施例における動作説明図。第６図及び
第７図は従来装置によるワイヤーボンディング方式によ
るボンディング工程を示す平面図及び縦断面図。第８図
乃至第１０図はフィルムキャリヤ一方式の従来装置にお
ける各製造工程を示す平面図。第１１図及び第１２図は
フィルムキャリヤ一方式の従来装置における各製造工程
を示す縦断面図。 符号の説明 ２−−・−半導体チップ １２・−一一一−−リー
ド１３−・−・−フィルムキャリヤーテープ１４−−−
−・リードボンディングステージ１５−・−認識用パタ
ーン １６−−−−−一突起電掻２０−・−撮像装置
２１−−−−−一光源２２ ａ−ｍ−送込み
ローラ（昇降） ２２ｂ−・−引取りローラ（昇降） ２２Ｃ−・供給ローラ ２２ｄ・・−巻取ローラ
２３ ａ 〜２３ ｄ ・−駆動部 ２４−−−−一
制御部第２図 第３図 第４図 第５図 ／動μ！２０ ｅ ＾ 区乎 Ｆ− ９層 ｍ−，ご
Claims (2)
- （１）リードフレームのリードまたはフィルムキャリヤ
ーテープのリードと、該リードとボンディングされる電
極を有した半導体チップをそれぞれ撮影した撮像手段の
映像に基づいて前記リードの位置及び前記半導体チップ
の前記電極の位置を検出して両者をボンディングする半
導体装置のボンディング方法において前記リード及び前
記半導体チップのそれぞれをレンズ焦点距離に応じた光
学距離に設定することを特徴とする半導体装置のボンデ
ィング方法。 - （２）リードフレームのリードまたはフィルムキャリヤ
ーテープのリードと、該リードとボンディングされる電
極を有した半導体チップをそれぞれ撮影した撮像手段の
映像に基づいて前記リードの位置及び前記半導体チップ
の前記電極の位置を検出して両者をボンディングする半
導体装置のボンディング装置において、前記撮像手段と
前記リード及び前記半導体 チップの間のそれぞれの光学距離を変更する光学距離変
更手段と、 前記光学距離変更手段の光学距離信号を入 力して前記光学距離が所定の距離になったことを検出し
たとき前記撮像手段、リードフレームまたはフィルムキ
ャリヤーテープ、及び半導体チップの位置を固定する制
御手段を有することを特徴とする半導体装置のボンディ
ング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60288785A JPS62147740A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 半導体装置のボンデイング方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60288785A JPS62147740A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 半導体装置のボンデイング方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62147740A true JPS62147740A (ja) | 1987-07-01 |
Family
ID=17734690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60288785A Pending JPS62147740A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 半導体装置のボンデイング方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62147740A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0420498U (ja) * | 1990-06-12 | 1992-02-20 |
-
1985
- 1985-12-20 JP JP60288785A patent/JPS62147740A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0420498U (ja) * | 1990-06-12 | 1992-02-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4966139B2 (ja) | 接合材貼付検査装置、実装装置、電気部品の製造方法 | |
| EP0259816A2 (en) | Method for bonding semiconductor laser element and apparatus therefor | |
| KR100321327B1 (ko) | 플렉시블기판맞붙임장치및맞붙임방법 | |
| JP2000150970A (ja) | 発光素子のボンディング方法および装置 | |
| JPH08114812A (ja) | 液晶パネル製造装置 | |
| JP2003008295A (ja) | 電子部品装着方法及びその装置 | |
| JP3209623B2 (ja) | マウンタ | |
| JPH0870013A (ja) | ボンディング方法及びその装置 | |
| JPH05152794A (ja) | Ｉｃチツプ実装装置 | |
| JP2001326252A (ja) | 電子部品の実装装置および実装方法 | |
| KR20240021117A (ko) | 반도체 제조 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JPH0758495A (ja) | 電子部品装着装置および電子部品装着位置補正方法 | |
| JP2024114993A (ja) | 実装基板および実装方法 | |
| JP2841733B2 (ja) | 半導体素子の位置合わせ方法 | |
| JPH0582741B2 (ja) | ||
| JP2755726B2 (ja) | 位置認識装置および実装装置 | |
| JP2000286452A (ja) | 発光素子の発光中心検出方法 | |
| TWI906766B (zh) | 半導體製造裝置、檢查裝置及半導體裝置的製造方法 | |
| JP2533375B2 (ja) | テ―プボンディングにおけるリ―ドとバンプの位置検出方法 | |
| JP2000294573A (ja) | ボンディング装置 | |
| JPH0855874A (ja) | 半導体チップの接着方法 | |
| JPS63169034A (ja) | 半導体デバイス組立装置 | |
| JP3006437B2 (ja) | 電子部品観察装置及び電子部品観察方法 | |
| JP4660178B2 (ja) | 電子部品の実装装置 | |
| JPH07109960B2 (ja) | 電子部品の位置決め方法およびその装置 |