JPS62149160A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS62149160A JPS62149160A JP60289889A JP28988985A JPS62149160A JP S62149160 A JPS62149160 A JP S62149160A JP 60289889 A JP60289889 A JP 60289889A JP 28988985 A JP28988985 A JP 28988985A JP S62149160 A JPS62149160 A JP S62149160A
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- JP
- Japan
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- lead frame
- lead
- metal
- thin
- metal film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/456—Materials
- H10W70/457—Materials of metallic layers on leadframes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/04—Manufacture or treatment of leadframes
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置、特に樹脂成型を供う半導体装Ｉ〆
の品質を著しく高めるものである。
の品質を著しく高めるものである。
本発明はリードフレームの製造方法に関するものである
。
。
金＠薄板（通常はフープ材が使われる〕からリードフレ
ームを製造する場曾、フレーム形状をスタンピング又は
エツチングで加工する事が通常行われるが、このスタン
ピング又はエツチングの刀日工前に薄板の一部分Ｋｇ二
の金属薄膜をメッキ等の方法、で形成する事を特徴とし
ている。
ームを製造する場曾、フレーム形状をスタンピング又は
エツチングで加工する事が通常行われるが、このスタン
ピング又はエツチングの刀日工前に薄板の一部分Ｋｇ二
の金属薄膜をメッキ等の方法、で形成する事を特徴とし
ている。
このメッキされた膜は、半導体素子とリードフレームを
接層する為のダイパッドやワイヤーボンディング用の接
着部分となる。
接層する為のダイパッドやワイヤーボンディング用の接
着部分となる。
従来のリードフレーム製造に於いては、金属薄板にリー
ドフレーム形状をスタンピング又はエツチングで加工し
た後にリードフレームの一部分をゴム状の絶縁弾性体で
圧接し必要部分のみ第二の金属をメッキ等で被層させる
という製造方法を採用していた。
ドフレーム形状をスタンピング又はエツチングで加工し
た後にリードフレームの一部分をゴム状の絶縁弾性体で
圧接し必要部分のみ第二の金属をメッキ等で被層させる
という製造方法を採用していた。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕従来の方法
でリードフレームを製造した場合、第５図■に示した通
りフレーム側面に外側へ同かつて、第二の金属１−が侵
〈被層する。
でリードフレームを製造した場合、第５図■に示した通
りフレーム側面に外側へ同かつて、第二の金属１−が侵
〈被層する。
か＼る第二の金属１−のはみ出しは下記の様な問題点を
発生する〇 第二の金属として銀を用いた場合、樹脂成型の外側へこ
のはみ出し部分が露出する。
発生する〇 第二の金属として銀を用いた場合、樹脂成型の外側へこ
のはみ出し部分が露出する。
この様な半導体ｔｉｔが、使用されるとリードの端子間
に電圧が印加される。しかも湿度の高い環境でこれらの
半２淳体装ｌＮが使用されると、露出した第二の金緘（
銀）がマイグレーション現象を起こしリード間をショー
トさせる事になる。
に電圧が印加される。しかも湿度の高い環境でこれらの
半２淳体装ｌＮが使用されると、露出した第二の金緘（
銀）がマイグレーション現象を起こしリード間をショー
トさせる事になる。
本発明はか＼る第二の金属層が外へはみ出す事を全く無
くす＄を目的としたもので、リードの側面には第二の金
属層を被着さぜない様にしたものである。
くす＄を目的としたもので、リードの側面には第二の金
属層を被着さぜない様にしたものである。
父本発明の第二の目的は、リード加工後に部分メッキを
した場合、部分メッキで機械的に押えつける事により生
じ易いフレームの変形も起こさせない様にする事である
。
した場合、部分メッキで機械的に押えつける事により生
じ易いフレームの変形も起こさせない様にする事である
。
リードの側面に第二の金属が被着しない様にする為には
、リードの形成前の薄板状の段階で第二の金属を被層す
る事が有効である。
、リードの形成前の薄板状の段階で第二の金属を被層す
る事が有効である。
本発明では、薄板状の金属板に第二の金属層を部分メッ
キ等で被着せしめる。しかる後に該被着部分と位ｌ〆を
合せする形でリードフレーム刀０工をする事でリードの
側面への第二の金属層の被ａｔ防止するものである。
キ等で被着せしめる。しかる後に該被着部分と位ｌ〆を
合せする形でリードフレーム刀０工をする事でリードの
側面への第二の金属層の被ａｔ防止するものである。
〔実施例１〕
金属薄板（材質は４２アロイ）の一部分を残して絶縁性
の弾刃物（例えばゴム）を圧接して、一部分のみ第二の
金属Ｉｎ （例えば銀ンを約５ミクロンメッキで被）ｕ
せしめ、しかる後にリードフレーム形状にパンチングし
てリードフレームを製造する。
の弾刃物（例えばゴム）を圧接して、一部分のみ第二の
金属Ｉｎ （例えば銀ンを約５ミクロンメッキで被）ｕ
せしめ、しかる後にリードフレーム形状にパンチングし
てリードフレームを製造する。
〔実施例２〕
金属薄板の一部分を除いて樹脂を被層せしめる。
（又は全面に感光性樹脂を被層せしめ４光及び現像によ
り一部分のみの樹脂を除去することも可能）しかる後に
金属薄板の露出部分のみ第二の金属層をメッキ又は魚屑
、等の方法で被層させ、質脂を除去した後、リードフレ
ーム形状をフォトエツチング又はパンチングで刀ロエ裂
造する。
り一部分のみの樹脂を除去することも可能）しかる後に
金属薄板の露出部分のみ第二の金属層をメッキ又は魚屑
、等の方法で被層させ、質脂を除去した後、リードフレ
ーム形状をフォトエツチング又はパンチングで刀ロエ裂
造する。
［発明の効果］
本発明の製造方法によれば第二の金属層は原理的にリー
ドフレームの側面部分にはみ出して被層（第三図の■）
する事はなくなる為、この部分がマイグレーション、外
観不良温の原因にならないこと、従って従来の様にはみ
出した金属薄膜を後工程で手直しにより除去する必要が
無くなった。
ドフレームの側面部分にはみ出して被層（第三図の■）
する事はなくなる為、この部分がマイグレーション、外
観不良温の原因にならないこと、従って従来の様にはみ
出した金属薄膜を後工程で手直しにより除去する必要が
無くなった。
又、第二の金％Ｉ−を被層する工程をリードフレームの
加工以前に行う為、フレーム形状の変形が発生ぜず、安
定した品質のリードフレームが製造できろ。
加工以前に行う為、フレーム形状の変形が発生ぜず、安
定した品質のリードフレームが製造できろ。
第１図は半導体装置に使われる一般的なリードフレーム
の部分平面図。 １は半導体素子を凄冴するダイパッド部２けリードを示
す 耶２図は本発明の製造方法により夷遺されたリードフレ
ームの一部（特てダイパッド部）の斜視；菌。 ３は被着された第二の金属薄膜を示す 第３図は従来の番造方ｅにより製造されたリードフレー
ムの−８（特にダイパッド部）の斜視図。 ４ははみ出した第二の金属薄膜層 以 上
の部分平面図。 １は半導体素子を凄冴するダイパッド部２けリードを示
す 耶２図は本発明の製造方法により夷遺されたリードフレ
ームの一部（特てダイパッド部）の斜視；菌。 ３は被着された第二の金属薄膜を示す 第３図は従来の番造方ｅにより製造されたリードフレー
ムの−８（特にダイパッド部）の斜視図。 ４ははみ出した第二の金属薄膜層 以 上
Claims (1)
- 板状の第一の金属板からリードフレームを製造する半導
体装置の製造方法に於いて、あらかじめ該第一の金属板
表面の一部分に第二の金属膜を付着させしかる後にリー
ドフレーム形状に加工する事を特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60289889A JPS62149160A (ja) | 1985-12-23 | 1985-12-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60289889A JPS62149160A (ja) | 1985-12-23 | 1985-12-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62149160A true JPS62149160A (ja) | 1987-07-03 |
Family
ID=17749079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60289889A Pending JPS62149160A (ja) | 1985-12-23 | 1985-12-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62149160A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6695461B2 (en) | 2000-12-25 | 2004-02-24 | Seiko Epson Corporation | Lamp unit, projector, and fixing method of light source lamp and reflector |
-
1985
- 1985-12-23 JP JP60289889A patent/JPS62149160A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6695461B2 (en) | 2000-12-25 | 2004-02-24 | Seiko Epson Corporation | Lamp unit, projector, and fixing method of light source lamp and reflector |
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