JPS6330995B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6330995B2 JPS6330995B2 JP23741283A JP23741283A JPS6330995B2 JP S6330995 B2 JPS6330995 B2 JP S6330995B2 JP 23741283 A JP23741283 A JP 23741283A JP 23741283 A JP23741283 A JP 23741283A JP S6330995 B2 JPS6330995 B2 JP S6330995B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- lead frame
- plated
- partial plating
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は部分めつき方法にかかり、とくに樹脂
封止型半導体装置用リードフレームの部分めつき
方法に関する。
封止型半導体装置用リードフレームの部分めつき
方法に関する。
一般に用いられている半導体装置用リードフレ
ーム（以下リードフレームと呼ぶ）はコバール42
合金などの金属板をエツチングや打抜きによつて
形成し、その後に半導体素子を搭載するダイステ
ージ及びこのダイステージに近接しワイヤーボン
デイング位置となる内部リードの片側表面へ部分
的に金あるいは銀などの貴金属めつきを施こして
いる。
ーム（以下リードフレームと呼ぶ）はコバール42
合金などの金属板をエツチングや打抜きによつて
形成し、その後に半導体素子を搭載するダイステ
ージ及びこのダイステージに近接しワイヤーボン
デイング位置となる内部リードの片側表面へ部分
的に金あるいは銀などの貴金属めつきを施こして
いる。
現在最も多く使用されている部分めつき方法
は、打抜きによつて形成したリードフレームをコ
イル状で行なう方法（コイルツーコイル又はリー
ルツーリール方式と呼ばれる）とエツチングによ
つて形成したリードフレームや打抜きによつて形
成した後に短尺にしてめつきを行なう方法の２種
類がある。前記両方法ともにリードフレームを１
枚々マスキング治具に載置する（コイルツーコイ
ルの方法の場合はＬ／F1枚分をマスキングする）
為に非常に非能率的である。第１図は従来技術を
示すもので、アクリル又は塩ビ板６を被着したマ
スキング治具５を裏面の全面および表面の一部に
設け、内部リード３の先端上および半導体素子接
着領域１上に金めつき４を行つたものである。
は、打抜きによつて形成したリードフレームをコ
イル状で行なう方法（コイルツーコイル又はリー
ルツーリール方式と呼ばれる）とエツチングによ
つて形成したリードフレームや打抜きによつて形
成した後に短尺にしてめつきを行なう方法の２種
類がある。前記両方法ともにリードフレームを１
枚々マスキング治具に載置する（コイルツーコイ
ルの方法の場合はＬ／F1枚分をマスキングする）
為に非常に非能率的である。第１図は従来技術を
示すもので、アクリル又は塩ビ板６を被着したマ
スキング治具５を裏面の全面および表面の一部に
設け、内部リード３の先端上および半導体素子接
着領域１上に金めつき４を行つたものである。
本発明は従来の部分めつき方法の能率を向上さ
せた、たとえば半導体装置用リードフレームの有
効なめつき方法を提供することを目的とする。
せた、たとえば半導体装置用リードフレームの有
効なめつき方法を提供することを目的とする。
本発明の特徴は、めつきを施こすべき領域を露
出して他を覆うマスキング治具を用いて部分的に
めつきを行なう片面部分めつき方法に於いて、複
数の被めつき物双方の裏面に絶縁物を介して重ね
合せることにより、一度で複数の被めつき物へ被
膜形成する部分めつき方法にある。
出して他を覆うマスキング治具を用いて部分的に
めつきを行なう片面部分めつき方法に於いて、複
数の被めつき物双方の裏面に絶縁物を介して重ね
合せることにより、一度で複数の被めつき物へ被
膜形成する部分めつき方法にある。
以下に本発明の実施例を第２図乃至第５図を用
いて説明する。尚、第２図乃至第５図で第１図と
同じ機能のところは同一の符号で示している。第
２図、第３図は本発明の部分めつき方法をリード
フレームに実施した場合の断面図である。この実
施例で使用したものは鉄・ニツケル合金板を打抜
きによつて形成した短尺のリードフレームであ
る。まず通常のめつき前処理である有機溶剤で脱
脂及び乾燥した後にアルカリ脱脂、洗浄（市水流
水洗浄→純水流水洗浄）した後にエチルアルコー
ル浸漬、乾燥を施こす。以上のめつき前処理を施
こしたリードフレームの裏面にレジスト２をコー
テイングする。その後に半導体接着領域１と内部
リード３（金属細線ボンデイング領域）が同時に
露出するマスキング治具５を用いてリードフレー
ムのレシーストのコーデイング被面２重ね合せて
ジエツト噴流による部分金めつき４を施こした後
にレジストコーテイング膜除去及び一般的に行な
われているめつき後処理を実施した。
いて説明する。尚、第２図乃至第５図で第１図と
同じ機能のところは同一の符号で示している。第
２図、第３図は本発明の部分めつき方法をリード
フレームに実施した場合の断面図である。この実
施例で使用したものは鉄・ニツケル合金板を打抜
きによつて形成した短尺のリードフレームであ
る。まず通常のめつき前処理である有機溶剤で脱
脂及び乾燥した後にアルカリ脱脂、洗浄（市水流
水洗浄→純水流水洗浄）した後にエチルアルコー
ル浸漬、乾燥を施こす。以上のめつき前処理を施
こしたリードフレームの裏面にレジスト２をコー
テイングする。その後に半導体接着領域１と内部
リード３（金属細線ボンデイング領域）が同時に
露出するマスキング治具５を用いてリードフレー
ムのレシーストのコーデイング被面２重ね合せて
ジエツト噴流による部分金めつき４を施こした後
にレジストコーテイング膜除去及び一般的に行な
われているめつき後処理を実施した。
尚、レジストをコーテイングする目的としては
コーテイングをしないで２つのリードフレームを
重ね合せてめつきを施した場合は、第５図に示す
ように双方ともにめつき膜４が付着して取り外し
が出来なくなる。その対策としてリードフレーム
の裏面へレジストをコーテイングしたものであ
る。このコーテイング膜の厚さはリードフレーム
へ必要とするめつき被膜の厚さ以上の膜厚でない
と目的を達成出来ない。又、レジストコーテイン
グ膜の替りにシリコンゴムとかネオプレンゴム等
の絶縁物であれば目的を達成出来る。
コーテイングをしないで２つのリードフレームを
重ね合せてめつきを施した場合は、第５図に示す
ように双方ともにめつき膜４が付着して取り外し
が出来なくなる。その対策としてリードフレーム
の裏面へレジストをコーテイングしたものであ
る。このコーテイング膜の厚さはリードフレーム
へ必要とするめつき被膜の厚さ以上の膜厚でない
と目的を達成出来ない。又、レジストコーテイン
グ膜の替りにシリコンゴムとかネオプレンゴム等
の絶縁物であれば目的を達成出来る。
以上の様な方法（２枚のリードフレームを同時
にめつきする）でめつきする事により従来の方法
（第１図）よりも能率のよくめつきが出来、たと
えば第４図に示す、部分めつき４をほどこした半
導体装置用のリードフレームが能率よく得られ
る。
にめつきする）でめつきする事により従来の方法
（第１図）よりも能率のよくめつきが出来、たと
えば第４図に示す、部分めつき４をほどこした半
導体装置用のリードフレームが能率よく得られ
る。
上記実施例は金の部分メツキについて説明した
が本発明の方法は銀、ニツケル、その他の金属め
つきにも適用できるものである。
が本発明の方法は銀、ニツケル、その他の金属め
つきにも適用できるものである。
第１図は従来の方法によるリードフレームへの
部分めつきを説明する断面図である。第２図およ
び第３図はそれぞれ本発明の実施例による部分め
つき方法を示す断面図である。第４図Ａは部分め
つきがほどこされた半導体リードフレームを示す
平面図であり、第４図Ｂは第４図ＡのＸ−X′部
の断面図である。第５図はレジスト（絶縁物）を
裏面にコーテイングしないでめつきを施こした場
合を示す断面図である。 尚、図において、１……半導体素子接着領域、
２……コーテイング被膜、３……内部リード（金
属細線接着領域）、４……金めつき被膜、５……
マスキング治具、６……アクリル又は塩ビ板であ
る。
部分めつきを説明する断面図である。第２図およ
び第３図はそれぞれ本発明の実施例による部分め
つき方法を示す断面図である。第４図Ａは部分め
つきがほどこされた半導体リードフレームを示す
平面図であり、第４図Ｂは第４図ＡのＸ−X′部
の断面図である。第５図はレジスト（絶縁物）を
裏面にコーテイングしないでめつきを施こした場
合を示す断面図である。 尚、図において、１……半導体素子接着領域、
２……コーテイング被膜、３……内部リード（金
属細線接着領域）、４……金めつき被膜、５……
マスキング治具、６……アクリル又は塩ビ板であ
る。
Claims (1)
- １ めつきを施こすべき領域を露出して他を覆う
マスキング治具を用いて部分的にめつきを行なう
片面部分めつき方法に於いて、複数の被めつき物
双方の裏面に絶縁物を介して重ね合せることによ
り、一度で複数の被めつき物へめつき被膜形成す
ることを特徴とする部分めつき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23741283A JPS60128284A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 部分めつき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23741283A JPS60128284A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 部分めつき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60128284A JPS60128284A (ja) | 1985-07-09 |
| JPS6330995B2 true JPS6330995B2 (ja) | 1988-06-21 |
Family
ID=17014982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23741283A Granted JPS60128284A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 部分めつき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60128284A (ja) |
-
1983
- 1983-12-16 JP JP23741283A patent/JPS60128284A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60128284A (ja) | 1985-07-09 |
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