JPS6214930B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は小型で大容量、かつ製造容易な積層
形半導体磁器コンデンサの製造方法に関するもの
である。

最近、μＦ以上の大容量コンデンサの要求が強
く、単板のコンデンサでこのような大容量のコン
デンサを得ようとすると、その形状は平面形状の
面積で３cm²と非常に大型化してしまい、コンデン
サの小型化という傾向に逆行するものである。

このようなμＦ以上のコンデンサとしては電解
コンデンサ、タンタルコンデンサがあることはよ
く知られているが、これらは極性があること、高
価なこと、温度特性に難点があることなど、種々
の欠点が見られる。また、このほかに積層形コン
デンサがあるが、内部電極として、白金、パラジ
ウムなどの貴金属材料を使用するため高価であ
り、また工程が複雑になるため、コスト高になる
という欠点があつた。

さらには半導体磁器コンデンサが小型で容量の
大きなコンデンサであることも知られているが、
面積容量はせいぜい400μＦ／cm²程度であり、ま
だ満足のゆく特性が得られていないのが現状であ
る。

したがつて、この発明は小型で大容量、かつ製
造が簡単で、低コストのコンデンサが得られる製
造方法を提供せんとするものである。

以下にこの発明を一実施例に従つて詳細に説明
する。

まず、帯状の粒界絶縁形半導体磁器板を用意す
る。これはすでに知られているように、チタン酸
バリウム系またはチタン酸ストロンチウム系の半
導体磁器の結晶粒界に、この結晶粒界を絶縁体化
させる金属酸化物を拡散させたものである。そし
て第１図に示すように、この帯状の半導体磁器板
１の対向主表面端部に、エポキシ樹脂などの熱硬
化性樹脂あるいは光硬化性樹脂などのメツキレジ
ストの膜２ａ，２ｂを対角位置にあるようにそれ
ぞれ付与した。このメツキレジストの膜２ａ，２
ｂを付与したあとに塩化パラジウム水溶液に浸漬
して活性化処理した。なお、メツキレジストの膜
２ａ，２ｂを付与する前に半導体磁器板１の表面
を活性化処理しておいてもよい。さらに第２図の
ように、対向主表面にニツケル、銅、銀、錫など
の無電解メツキ被膜３，４を施した。図示したも
のでは、無電解メツキ被膜３，４を施したのち、
メツキレジストの膜２ａ，２ｂを除去した状態を
示したものである。

こののち第２図において一点鎖線で示したよう
に、帯状の半導体磁器板１をその短辺に沿つて切
断し、第３図のように切断毎に半導体磁器が現わ
れたチツプ状の半導体磁器板１ａを得た。したが
つて積層コンデンサを構成したとき、内部電極と
なる電極３ａ，４ａが対向主表面および側面に形
成されたことになる。

このようにして得られた複数の半導体磁器板を
その対向主表面の無電解メツキ被膜を対向させて
積層し、積層体を形成した。第４図はその構成例
を示したもので、半導体磁器板１ａ〜１ｅのそれ
ぞれの内部電極３ａ〜３ｅおよび４ａ〜４ｅが積
層体の側面において一端現われており、積層体の
側面に形成した外部電極５ａ，５ｂと電気接続さ
れている。この外部電極５ａ，５ｂとしては、た
とえば半田付けした半田電極、導電ペーストを焼
き付けた焼き付け電極などがある。

なお、第４図において、積層体の半導体磁器板
間に隙間が見られるが、これは便宜上積層体を概
略的に示したにすぎず、内部電極となる無電解メ
ツキ被膜厚は0.5〜５μであり、各半導体磁器板
を密着させれば、外部電極を形成しても塵埃など
による短絡の発生は無視できるものである。もち
ろん、耐湿特性などを改善する目的のために、半
導体磁器板間の隙間に絶縁材料を印刷、塗布など
の手段で介在させてもよい。

また、第３図に示すように、半導体磁器板１ａ
の角部に切り欠き６を設けるなどして、位置検出
用の目印を付与すれば、方向性をもたせることが
でき、各半導体磁器板を積層する際、位置を検出
する目安となり、積層化処理のときに自動機械で
処理できる利点がある。

以上の実施例では、帯状の粒界絶縁形半導体磁
器板の対向主表面の対角位置にある端部のメツキ
レジストを除去する工程を経たのち、粒界絶縁型
半導体磁器板をその短辺に沿つて切断するように
したが、これとは逆に、あらかじめ粒界絶縁形半
導体磁器板をその短辺に沿つて切断し、そののち
メツキレジストの膜を除去してもよい。

また、上記した実施例では、無電解メツキ被膜
を施している帯状の粒界絶縁形半導体磁器板をそ
の短辺に沿つて切断したのち、半導体磁器板をそ
の対向主表面の無電解メツキ被膜が対向するよう
に積層した例を示したが、このほか帯状の粒界絶
縁形半導体磁器板をその対向主表面の無電解メツ
キ被膜が対向するように接着剤などであらかじめ
接着して積層体を作り、そののち帯状の粒界絶縁
形半導体磁器板をその短辺に沿つて切断するよう
にしてもよい。この場合比較的大きな帯状の半導
体磁器板を積層化処理したのち切断するため、取
り扱いが容易となり、処理作業の向上が図れると
いう利点を有する。

以上の説明から明らかなように、この発明によ
れば、帯状の粒界絶縁形半導体磁器板の対向主表
面の対角位置にある端部にメツキレジストを付与
する工程と、粒界絶縁形半導体磁器板に無電解メ
ツキ被膜を施す工程と、粒界絶縁形半導体磁器板
の対向主表面の対角位置にある端部に付与したメ
ツキレジストを除去する工程と、粒界絶縁形半導
体磁器板をその対向主表面の無電解メツキ被膜が
対向するように積層する工程と、帯状の粒界絶縁
形半導体磁器板をその短辺に沿つて切断する工程
と、切断されかつ積層された粒界絶縁形半導体磁
器板の積層体の側面に外部電極を形成する工程と
からなるものであり、簡単な製造工程により大容
量の積層形半導体磁器コンデンサが得られる。し
たがつて従来のように、セラミツクグリーンシー
トをあらかじめ積み重ね、粒界絶縁形の積層形半
導体磁器コンデンサを製造する場合にくらべて大
幅なコストダウンが図れる。また、積層体の側面
には内部電極の一部が現われており、外部電極と
の電気接続が容易であるという利点を有する。さ
らにまた、このコンデンサによれば、チツプタイ
プのみならず、外部電極にリード線を接続したリ
ードタイプのものも得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は帯状の粒界絶縁形半導体磁器板にメツ
キレジストを付与した状態を示す斜視図、第２図
は帯状の粒界絶縁形半導体磁器板に無電解メツキ
被膜を形成した状態を示す斜視図、第３図は内部
電極となる無電解メツキ被膜を形成したチツプ状
の粒界絶縁形半導体磁器板の斜視図、第４図はこ
の発明方法により得られた積層形半導体磁器コン
デンサの一例を示す概略断面図である。 １ａ〜１ｅ……粒界絶縁形半導体磁器板、３ａ
〜３ｅ，４ａ〜４ｅ……内部電極、５ａ，５ｂ…
…外部電極。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 帯状の粒界絶縁形半導体磁器板の対向主表面
   の対角位置にある端部にメツキレジストを付与す
   る工程と、 粒界絶縁形半導体磁器板に無電解メツキ被膜を
   施す工程と、 粒界絶縁形半導体磁器板の対向主表面の対角位
   置にある端部に付与したメツキレジストを除去す
   る工程と、 粒界絶縁形半導体磁器板をその対向主表面の無
   電解メツキ被膜が対向するように積層する工程
   と、 帯状の粒界絶縁形半導体磁器板をその短辺に沿
   つて切断する工程と、 切断されかつ積層された粒界絶縁形半導体磁器
   板の積層体の側面に外部電極を形成する工程と、 からなることを特徴とする積層形半導体磁器コン
   デンサの製造方法。 ２ 粒界絶縁形半導体磁器板の対向主表面の対角
   位置にある端部のメツキレジストを除去する工程
   を経たのち、帯状の粒界絶縁形半導体磁器板をそ
   の短辺に沿つて切断する工程に入ることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の積層形半導体磁
   器コンデンサの製造方法。 ３ 帯状の粒界絶縁形半導体磁器板をその短辺に
   沿つて切断する工程を経たのち、粒界絶縁形半導
   体磁器板の対向主表面の対角位置にある端部のメ
   ツキレジストを除去する工程に入ることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項項記載の積層形半導体
   磁器コンデンサの製造方法。 ４ あらかじめ無電解メツキ被膜を施している帯
   状の粒界絶縁形半導体磁器板をその短辺に沿つて
   切断する工程を経たのち、粒界絶縁形半導体磁器
   板をその対向主表面の無電解メツキ被膜が対向す
   るように積層する工程に入ることを特徴とする特
   許請求の範囲第１記載の積層形半導体磁器コンデ
   ンサの製造方法。 ５ あらかじめ無電解メツキ被膜を施している帯
   状の粒界絶縁形半導体磁器板をその対向主表面の
   無電解メツキ被膜が対向するように積層する工程
   を経たのち、帯状の粒界絶縁形半導体磁器板をそ
   の短辺に沿つて切断する工程に入ることを特徴と
   する特許請求の範囲第１記載の積層形半導体磁器
   コンデンサの製造方法。 ６ 粒界絶縁形半導体磁器板に位置検出用の目印
   が付与されていることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載の積層形半導体磁器コンデンサの製
   造方法。