JPS6214931B2 - - Google Patents
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- JPS6214931B2 JPS6214931B2 JP11817979A JP11817979A JPS6214931B2 JP S6214931 B2 JPS6214931 B2 JP S6214931B2 JP 11817979 A JP11817979 A JP 11817979A JP 11817979 A JP11817979 A JP 11817979A JP S6214931 B2 JPS6214931 B2 JP S6214931B2
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- boundary insulated
- electroless plating
- insulated semiconductor
- semiconductor porcelain
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- Expired
Links
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は小型で大容量、かつ製造容易な積層
形半導体磁器コンデンサの製造方法に関するもの
である。
形半導体磁器コンデンサの製造方法に関するもの
である。
最近、μＦ以上の大容量コンデンサの要求が強
く、単板のコンデンサでこのような大容量のコン
デンサを得ようとすると、その形状は平面形状の
面積で３cm2と非常に大型化してしまい、コンデン
サの小型化という傾向に逆行するものである。
く、単板のコンデンサでこのような大容量のコン
デンサを得ようとすると、その形状は平面形状の
面積で３cm2と非常に大型化してしまい、コンデン
サの小型化という傾向に逆行するものである。
このようなμＦ以上のコンデンサとしては電解
コンデンサ、タンタルコンデンサがあることはよ
く知られているが、これらは極性があること、高
価なこと、温度特性に難点があることなど、種々
の欠点が見られる。また、このほかに積層形コン
デンサがあるが、内部電極として、白金、パラジ
ウムなどの貴金属材料を使用するため高価であ
り、また工程が複雑になるため、コスト高になる
という欠点があつた。
コンデンサ、タンタルコンデンサがあることはよ
く知られているが、これらは極性があること、高
価なこと、温度特性に難点があることなど、種々
の欠点が見られる。また、このほかに積層形コン
デンサがあるが、内部電極として、白金、パラジ
ウムなどの貴金属材料を使用するため高価であ
り、また工程が複雑になるため、コスト高になる
という欠点があつた。
さらには半導体磁器コンデンサが小型で容量の
大きなコンデンサであることも知られているが、
面積容量はせいぜい400nF／cm2程度であり、まだ
満足のゆく特性が得られていないのが現状であ
る。
大きなコンデンサであることも知られているが、
面積容量はせいぜい400nF／cm2程度であり、まだ
満足のゆく特性が得られていないのが現状であ
る。
したがつて、この発明は小型で大容量、かつ製
造が簡単で低コストのコンデンサが得られる製造
方法を提供せんとするものである。
造が簡単で低コストのコンデンサが得られる製造
方法を提供せんとするものである。
以下にこの発明を一実施例に従つて詳細に説明
する。
する。
まず、帯状の粒界絶縁形半導体磁器板を用意す
る。これはすでに知られているように、チタン酸
バリウム系またはチタン酸ストロンチウム系の半
導体磁器の結晶粒界に、この結晶粒界を絶縁体化
させる金属酸化物を拡散させたものである。そし
て第１図に示すように、この帯状の半導体磁器板
１の表面にニツケル、銅、銀、錫などの無電解メ
ツキ被膜２を形成した。さらに第１図において一
点鎖線で示したように、帯状の半導体磁器板１を
その短辺に沿つて切断し、第２図のように切断面
に半導体磁器が現われたチツプ状の半導体磁器板
１ａを得た。
る。これはすでに知られているように、チタン酸
バリウム系またはチタン酸ストロンチウム系の半
導体磁器の結晶粒界に、この結晶粒界を絶縁体化
させる金属酸化物を拡散させたものである。そし
て第１図に示すように、この帯状の半導体磁器板
１の表面にニツケル、銅、銀、錫などの無電解メ
ツキ被膜２を形成した。さらに第１図において一
点鎖線で示したように、帯状の半導体磁器板１を
その短辺に沿つて切断し、第２図のように切断面
に半導体磁器が現われたチツプ状の半導体磁器板
１ａを得た。
こののち半導体磁器板１ａの対向主表面端部の
無電解メツキ被膜２を研磨などでその対角位置の
部分について除去し、積層コンデンサを構成した
とき内部電極となるように、それぞれ電極３ａ，
４ａを形成した。
無電解メツキ被膜２を研磨などでその対角位置の
部分について除去し、積層コンデンサを構成した
とき内部電極となるように、それぞれ電極３ａ，
４ａを形成した。
このようにして得られた複数の半導体磁器板を
その対向主表面の無電解メツキ被膜を対向させて
積層し、積層体を形成した。第４図はその構成例
を示したもので、半導体磁器板１ａ〜１ｅのそれ
ぞれの内部電極３ａ〜３ｅおよび４ａ〜４ｅが積
層体の側面において一部現われており、積層体の
側面に形成した外部電極５ａ，５ｂと電気接続さ
れている。この外部電極５ａ，５ｂとしては、た
とえば半田付けした半田電極、導電ペーストを焼
き付けた焼き付け電極などがある。
その対向主表面の無電解メツキ被膜を対向させて
積層し、積層体を形成した。第４図はその構成例
を示したもので、半導体磁器板１ａ〜１ｅのそれ
ぞれの内部電極３ａ〜３ｅおよび４ａ〜４ｅが積
層体の側面において一部現われており、積層体の
側面に形成した外部電極５ａ，５ｂと電気接続さ
れている。この外部電極５ａ，５ｂとしては、た
とえば半田付けした半田電極、導電ペーストを焼
き付けた焼き付け電極などがある。
なお、第４図において、積層体の半導体磁器板
間に隙間が見られるが、これは便宜上積層体を概
略的に示したにすぎず、内部電極となる無電解メ
ツキ被膜厚は0.5〜５μであり、各半導体磁器板
を密着させれば、外部電極を形成しても短絡の発
生は無視できるものである。もちろん、耐湿性な
どを向上させるため、半導体磁器板間の隙間に絶
縁材を介在させてもよい。
間に隙間が見られるが、これは便宜上積層体を概
略的に示したにすぎず、内部電極となる無電解メ
ツキ被膜厚は0.5〜５μであり、各半導体磁器板
を密着させれば、外部電極を形成しても短絡の発
生は無視できるものである。もちろん、耐湿性な
どを向上させるため、半導体磁器板間の隙間に絶
縁材を介在させてもよい。
また、第３図に示すように、半導体磁器板１ａ
の角部に切り欠き６を設けるなどして、位置検出
用の目印を付与すれば、方向性をもたせることが
でき、各半導体磁器板を積層する際、位置を検出
する目安となり、積層化処理のときに自動機械で
処理できる利点がある。
の角部に切り欠き６を設けるなどして、位置検出
用の目印を付与すれば、方向性をもたせることが
でき、各半導体磁器板を積層する際、位置を検出
する目安となり、積層化処理のときに自動機械で
処理できる利点がある。
以上の実施例では、帯状の粒界絶縁形半導体磁
器板をその短辺に沿つて切断する工程を経たの
ち、粒界絶縁形半導体磁器板の対向主表面の対角
位置にある端部の無電解メツキ被膜を除去し、さ
らに対向主表面の無電解メツキ被膜を対向するよ
うに半導体磁器板を積層するようにしたが、この
ほか、あらかじめ対向主表面の対角位置にある端
部の無電解メツキ被膜を除去し、こののち粒界絶
縁形半導体磁器板をその短辺に沿つて切断し、さ
らに切断された半導体磁器板をその対向主表面の
無電解メツキ被膜が対向するように積層するよう
にしてもよい。
器板をその短辺に沿つて切断する工程を経たの
ち、粒界絶縁形半導体磁器板の対向主表面の対角
位置にある端部の無電解メツキ被膜を除去し、さ
らに対向主表面の無電解メツキ被膜を対向するよ
うに半導体磁器板を積層するようにしたが、この
ほか、あらかじめ対向主表面の対角位置にある端
部の無電解メツキ被膜を除去し、こののち粒界絶
縁形半導体磁器板をその短辺に沿つて切断し、さ
らに切断された半導体磁器板をその対向主表面の
無電解メツキ被膜が対向するように積層するよう
にしてもよい。
これによれば内部電極を形成するための無電解
メツキ被膜の除去が簡単に行える。
メツキ被膜の除去が簡単に行える。
さらに、粒界絶縁形半導体磁器板の対向主表面
の対角位置にある端部の無電解メツキ被膜を除去
する工程を経たのち、半導体磁器板を接着剤など
でその対向主表面の無電解メツキ被膜が対向する
ように積層し、こののち半導体磁器板をその短辺
に沿つて切断するようにしてもよい。このような
工程順序によれば、比較的大きな半導体磁器板を
積層したのち、各チツプ状の積層体に切断するた
め、処理作業が簡単になるという利点を有する。
の対角位置にある端部の無電解メツキ被膜を除去
する工程を経たのち、半導体磁器板を接着剤など
でその対向主表面の無電解メツキ被膜が対向する
ように積層し、こののち半導体磁器板をその短辺
に沿つて切断するようにしてもよい。このような
工程順序によれば、比較的大きな半導体磁器板を
積層したのち、各チツプ状の積層体に切断するた
め、処理作業が簡単になるという利点を有する。
以上の説明から明らかなようにこの発明によれ
ば、帯状の粒界絶縁形半導体磁器板に無電解メツ
キ被膜を施す工程と、粒界絶縁形半導体磁器板の
対向主表面端部の無電解メツキ被膜を除去する工
程と、帯状の粒界絶縁形半導体磁器板をその短辺
に沿つて切断する工程と、粒界絶縁形半導体磁器
板をその対向主表面の無電解メツキ被膜が対向す
るように積層する工程と、積層されかつ切断され
た粒界絶縁形半導体磁器板の積層体の側面に外部
電極を形成する工程とからなるものであり、簡単
な製造工程により大容量の積層形半導体磁器コン
デンサが得られる。
ば、帯状の粒界絶縁形半導体磁器板に無電解メツ
キ被膜を施す工程と、粒界絶縁形半導体磁器板の
対向主表面端部の無電解メツキ被膜を除去する工
程と、帯状の粒界絶縁形半導体磁器板をその短辺
に沿つて切断する工程と、粒界絶縁形半導体磁器
板をその対向主表面の無電解メツキ被膜が対向す
るように積層する工程と、積層されかつ切断され
た粒界絶縁形半導体磁器板の積層体の側面に外部
電極を形成する工程とからなるものであり、簡単
な製造工程により大容量の積層形半導体磁器コン
デンサが得られる。
したがつて従来のように、セラミツクグリーン
シートをあらかじめ積み重ね、粒界絶縁形の積層
形半導体磁器コンデンサを製造する場合にくらべ
て大幅なコストダウンが図れる。また、積層体の
側面には内部電極の一部が現われており、外部電
極との電気接続が容易であるという利点を有す
る。さらにまた、このコンデンサによれば、チツ
プタイプのみならず、外部電極にリード線を接続
したリードタイプのものも得られる。
シートをあらかじめ積み重ね、粒界絶縁形の積層
形半導体磁器コンデンサを製造する場合にくらべ
て大幅なコストダウンが図れる。また、積層体の
側面には内部電極の一部が現われており、外部電
極との電気接続が容易であるという利点を有す
る。さらにまた、このコンデンサによれば、チツ
プタイプのみならず、外部電極にリード線を接続
したリードタイプのものも得られる。
第１図は表面に無電解メツキ被膜を形成した帯
状の粒界絶縁形半導体磁器板の縦断面図、第２図
はチツプ状の粒界絶縁形半導体磁器板の斜視図、
第３図は内部電極となるように無電解メツキ被膜
を除去した状態の斜視図、第４図はこの発明方法
により得られた積層形半導体磁器コンデンサの一
例を示す概略断面図である。 １ａ〜１ｅ……粒界絶縁形半導体磁器板、３ａ
〜３ｅ，４ａ〜４ｅ……内部電極、５ａ，５ｂ…
…外部電極。
状の粒界絶縁形半導体磁器板の縦断面図、第２図
はチツプ状の粒界絶縁形半導体磁器板の斜視図、
第３図は内部電極となるように無電解メツキ被膜
を除去した状態の斜視図、第４図はこの発明方法
により得られた積層形半導体磁器コンデンサの一
例を示す概略断面図である。 １ａ〜１ｅ……粒界絶縁形半導体磁器板、３ａ
〜３ｅ，４ａ〜４ｅ……内部電極、５ａ，５ｂ…
…外部電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 帯状の粒界絶縁形半導体磁器板に無電解メツ
キ被膜を施す工程と、 粒界絶縁形半導体磁器の対向主表面の対角位置
にある端部の無電解メツキ被膜を除去する工程
と、 帯状の粒界絶縁形半導体磁器板をその短辺に沿
つて切断する工程と、 粒界絶縁形半導体磁器板をその対向主表面の無
電解メツキ被膜が対向するように積層する工程
と、 積層されかつ切断された粒界絶縁形半導体磁器
板の積層体の側面に外部電極を形成する工程と、 からなることを特徴とする積層形半導体磁器コン
デンサの製造方法。 ２ 粒界絶縁形半導体磁器板の対向主表面の対角
位置にある端部の無電解メツキ被膜を除去する工
程を経たのち、帯状の粒界絶縁形半導体磁器板を
その短辺に沿つて切断する工程に入り、さらに切
断された粒界絶縁形半導体磁器板をその対向主表
面の無電解メツキ被膜が対向するように積層する
工程を経ることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の積層形半導体磁器コンデンサの製造方
法。 ３ 粒界絶縁形半導体磁器板の対向主表面の対角
位置にある端部の無電解メツキ被膜を除去する工
程を経たのち、粒界絶縁形半導体磁器板をその対
向主表面の無電解メツキ被膜が対向するように積
層する工程に入り、さらに積層された粒界絶縁形
半導体磁器板をその短辺に沿つて切断する工程を
経ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の積層形半導体磁器コンデンサの製造方法。 ４ 帯状の粒界絶縁形半導体磁器板をその短辺に
沿つて切断する工程を経たのち、粒界絶縁形半導
体磁器板の対向主表面の対角位置にある端部の無
電解メツキ被膜を除去する工程に入り、さらに切
断された粒界絶縁形半導体磁器板をその対向主表
面の無電解メツキ被膜が対向するように積層する
工程を経ることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の積層形半導体磁器コンデンサの製造方
法。 ５ 粒界絶縁形半導体磁器板に位置検出用の目印
が付与されていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の積層形半導体磁器コンデンサの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11817979A JPS5642327A (en) | 1979-09-13 | 1979-09-13 | Production of layerrbuilt semiconductor ceramic capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11817979A JPS5642327A (en) | 1979-09-13 | 1979-09-13 | Production of layerrbuilt semiconductor ceramic capacitor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5642327A JPS5642327A (en) | 1981-04-20 |
| JPS6214931B2 true JPS6214931B2 (ja) | 1987-04-04 |
Family
ID=14730088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11817979A Granted JPS5642327A (en) | 1979-09-13 | 1979-09-13 | Production of layerrbuilt semiconductor ceramic capacitor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5642327A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU6580700A (en) * | 1999-08-13 | 2001-03-13 | Cartesian Technologies, Inc. | Apparatus for liquid sample handling |
-
1979
- 1979-09-13 JP JP11817979A patent/JPS5642327A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5642327A (en) | 1981-04-20 |
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