JPS6214935B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6214935B2 JPS6214935B2 JP54129985A JP12998579A JPS6214935B2 JP S6214935 B2 JPS6214935 B2 JP S6214935B2 JP 54129985 A JP54129985 A JP 54129985A JP 12998579 A JP12998579 A JP 12998579A JP S6214935 B2 JPS6214935 B2 JP S6214935B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- pattern
- mask
- component
- top surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体集積回路を製造する工程の中
の、ウエハ上に多層の微細パタンを形成する際の
高精度位置合せ露光の方法に関するものであり、
特に本発明は発散光束を用いる近接露光であつ
て、マスクとウエハの間隙を制御することで、パ
タンの転写倍率を微小に変えることができること
を利用した位置合せ露光法に関するものである。
の、ウエハ上に多層の微細パタンを形成する際の
高精度位置合せ露光の方法に関するものであり、
特に本発明は発散光束を用いる近接露光であつ
て、マスクとウエハの間隙を制御することで、パ
タンの転写倍率を微小に変えることができること
を利用した位置合せ露光法に関するものである。
半導体集積回路の製造工程において、ウエハ上
に種々の微細パタンを多層に形成するリソグラフ
イ工程では、微細なパタンを解像することと、多
層のパタン相互の位置を精密に合せることが必要
である。半導体集積回路の製造では、生産性を高
くし、製造コストと下げるため、一方では回路パ
タンをより微細化して集積度を下げ、他方ではウ
エハ径をより大きくしてウエハ１枚当りの回路数
を増やしてきた。
に種々の微細パタンを多層に形成するリソグラフ
イ工程では、微細なパタンを解像することと、多
層のパタン相互の位置を精密に合せることが必要
である。半導体集積回路の製造では、生産性を高
くし、製造コストと下げるため、一方では回路パ
タンをより微細化して集積度を下げ、他方ではウ
エハ径をより大きくしてウエハ１枚当りの回路数
を増やしてきた。
これに応じて、リソグラフイ工程では、解像力
を上げるために、従来の紫外線に代つて波長のよ
り短い軟Ｘ線を用い、またマスクの寿命を延し、
ウエハの歩留りを上げるために、密着露光法に代
つて近接露光法が用いられるようになつてきた。
軟Ｘ線を用いると近接露光法でも、例えば線幅１
μｍ以下のような微細な回路パタンの解像が可能
である。しかしながら、回路パタンの微細化に伴
つて多層のパタン間の位置合せ精度には益々厳し
いものが要求され、例えば前記の線幅１μｍ以下
のパタンでは合せ精度として±0.1μｍ程度が要
求される。
を上げるために、従来の紫外線に代つて波長のよ
り短い軟Ｘ線を用い、またマスクの寿命を延し、
ウエハの歩留りを上げるために、密着露光法に代
つて近接露光法が用いられるようになつてきた。
軟Ｘ線を用いると近接露光法でも、例えば線幅１
μｍ以下のような微細な回路パタンの解像が可能
である。しかしながら、回路パタンの微細化に伴
つて多層のパタン間の位置合せ精度には益々厳し
いものが要求され、例えば前記の線幅１μｍ以下
のパタンでは合せ精度として±0.1μｍ程度が要
求される。
一方、その上に集積回路を形成するSiウエハ
は、多層のパタン形成の間のプロセスで、金属蒸
着膜の形成、酸化膜の付着、高温処理などが施さ
れると伸縮することは避けられない。伸縮量は微
小であるが、ウエハの径が大きくなり、かつ、前
記のようなオーダの位置合せとなると無視できな
い量となる。
は、多層のパタン形成の間のプロセスで、金属蒸
着膜の形成、酸化膜の付着、高温処理などが施さ
れると伸縮することは避けられない。伸縮量は微
小であるが、ウエハの径が大きくなり、かつ、前
記のようなオーダの位置合せとなると無視できな
い量となる。
従来の露光法においては、Siウエハの伸縮はそ
のまま回路パタンの位置合せ誤差となり、除去す
ることはできなかつた。また、発散光を用いるＸ
線露光において、Ｘ線源とマスク面の間の距離を
変えることによつて、ウエハの伸縮による位置ず
れを補償する方法が特開昭53−18970号に開示さ
れている。ところが、同方法により補償できる位
置ずれは、第５図に示すように径方向に半径に比
例した大きさの位置ずれ、即ちウエハが一様に伸
縮した時に発生する位置ずれであつて、第６図に
示すようにギヤツプの傾きに起因する不均一な位
置ずれはウエハ全面に亘つて補正できなかつた。
なお第５図、第６図において、矢印は位置ずれの
方向と大きさを示し、破線は投影されたパタンを
示す。
のまま回路パタンの位置合せ誤差となり、除去す
ることはできなかつた。また、発散光を用いるＸ
線露光において、Ｘ線源とマスク面の間の距離を
変えることによつて、ウエハの伸縮による位置ず
れを補償する方法が特開昭53−18970号に開示さ
れている。ところが、同方法により補償できる位
置ずれは、第５図に示すように径方向に半径に比
例した大きさの位置ずれ、即ちウエハが一様に伸
縮した時に発生する位置ずれであつて、第６図に
示すようにギヤツプの傾きに起因する不均一な位
置ずれはウエハ全面に亘つて補正できなかつた。
なお第５図、第６図において、矢印は位置ずれの
方向と大きさを示し、破線は投影されたパタンを
示す。
本発明は、このような欠点を除去するためにな
されたものであり、露光すべきパタンＡを有する
マスクを、基準となるパタンＢが既に焼き込まれ
たウエハと近接対向させ、マスク上方の点光源か
らの発散光束を用いてパタンＢの上にパタンＡを
重ねて焼き付けるＸ線露光法を用いて、パタンＡ
とパタンＢを位置合せして露光するさい、次の手
順を行うことにより、パタンＢ焼き付け後のウエ
ハの伸縮に起因するパタン相互の位置ずれをウエ
ハ全面にわたつて補正することによりパタンＡと
パタンＢの位置合せを行うものである。なお以
下、対応する実施例中の記号を付して説明の便宜
を図る。
されたものであり、露光すべきパタンＡを有する
マスクを、基準となるパタンＢが既に焼き込まれ
たウエハと近接対向させ、マスク上方の点光源か
らの発散光束を用いてパタンＢの上にパタンＡを
重ねて焼き付けるＸ線露光法を用いて、パタンＡ
とパタンＢを位置合せして露光するさい、次の手
順を行うことにより、パタンＢ焼き付け後のウエ
ハの伸縮に起因するパタン相互の位置ずれをウエ
ハ全面にわたつて補正することによりパタンＡと
パタンＢの位置合せを行うものである。なお以
下、対応する実施例中の記号を付して説明の便宜
を図る。
ウエハ上面に少なくとも３つの任意の点P1，
P2，P3を設定する。
P2，P3を設定する。
試し露光を行つた後、この各点においてウエ
ハ上面におけるパタンＡとパタンＢとのずれの
直交座標系による成分（Δx1、Δy1）（Δx2、
Δy2）（Δx3、Δy3）を測定する。
ハ上面におけるパタンＡとパタンＢとのずれの
直交座標系による成分（Δx1、Δy1）（Δx2、
Δy2）（Δx3、Δy3）を測定する。
上記の測定されたずれの成分と上記の各点の
位置の成分（R1、θ１）（R2、θ２）（R3、θ
３）とを用いて、ウエハに対するマスクのずれ
の位置決め軸抱向の成分、即ちウエハ上面に対
する平行ずれ成分ΔＸ、ΔＹ、ウエハ上面に対
する回転ずれ成分Δθ、ウエハ上面に対する距
離のずれ成分ΔＳ及びウエハ上面に対する傾き
成分Δα、Δβを算出する。
位置の成分（R1、θ１）（R2、θ２）（R3、θ
３）とを用いて、ウエハに対するマスクのずれ
の位置決め軸抱向の成分、即ちウエハ上面に対
する平行ずれ成分ΔＸ、ΔＹ、ウエハ上面に対
する回転ずれ成分Δθ、ウエハ上面に対する距
離のずれ成分ΔＳ及びウエハ上面に対する傾き
成分Δα、Δβを算出する。
これらの成分は、例えば実施例の説明中の式
(3)に示すように、各点の位置及び各点における
ずれの成分により、一義的に決定される。した
がつて式(3)のような幾何学的関係式を解くこと
により、各点の位置及び各点におけるずれの成
分から、ウエハに対するマスクのずれの成分が
算出される。
(3)に示すように、各点の位置及び各点における
ずれの成分により、一義的に決定される。した
がつて式(3)のような幾何学的関係式を解くこと
により、各点の位置及び各点におけるずれの成
分から、ウエハに対するマスクのずれの成分が
算出される。
算出された各成分に基づいてマスクの位置を
修正し、パタンＡ及びＢの位置ずれをウエハ全
面にわたつて補正する。
修正し、パタンＡ及びＢの位置ずれをウエハ全
面にわたつて補正する。
以下本発明の実施例を図面により詳細に説明す
る。
る。
第１図は点光源による近接露光法の原理図で、
１は光源、２はマスク、３はウエハである。そし
て露光すべきマスク２上のパタン４は、既にウエ
ハ３上に焼き込まれているパタン５に位置合せさ
れた後、パタン４′の位置に転写される。即ち本
実施例では、パタン４′がパタン５の中心に挾み
込まれる場合を示す。
１は光源、２はマスク、３はウエハである。そし
て露光すべきマスク２上のパタン４は、既にウエ
ハ３上に焼き込まれているパタン５に位置合せさ
れた後、パタン４′の位置に転写される。即ち本
実施例では、パタン４′がパタン５の中心に挾み
込まれる場合を示す。
今、マスク２とウエハ３の間隔をＳ、光源１と
ウエハ３の距離をＤとすると、半径Ｒの位置にあ
るマスク２上のパタン４は、放射状の光束によつ
て径方向にＳ、Ｄ、Ｒで決まる量だけシフトした
パタン４′の位置に投影される。換言すると、発
散光を用いる近接露光では、ウエハ上に転写され
たパタンは、マスクのパタンに対して、回路形成
上は無視できる程度の微小な倍率（第１図におい
て例えばＤ＝120mm、Ｓ＝20μｍとすると1.00017
倍）で拡大されている。一方、ウエハ３上に既に
焼き込まれているパタン５は、ウエハ３の伸縮に
従つて径方向に位置が変化する。
ウエハ３の距離をＤとすると、半径Ｒの位置にあ
るマスク２上のパタン４は、放射状の光束によつ
て径方向にＳ、Ｄ、Ｒで決まる量だけシフトした
パタン４′の位置に投影される。換言すると、発
散光を用いる近接露光では、ウエハ上に転写され
たパタンは、マスクのパタンに対して、回路形成
上は無視できる程度の微小な倍率（第１図におい
て例えばＤ＝120mm、Ｓ＝20μｍとすると1.00017
倍）で拡大されている。一方、ウエハ３上に既に
焼き込まれているパタン５は、ウエハ３の伸縮に
従つて径方向に位置が変化する。
本発明は、上記の露光法の特徴である微小な倍
率のかかつた転写という性質を、ウエハ伸縮に起
因するパタンの位置ずれ補正に利用しようとする
ものである。
率のかかつた転写という性質を、ウエハ伸縮に起
因するパタンの位置ずれ補正に利用しようとする
ものである。
以下、補正量の求め方を幾何学的に詳細に説明
する。第２図に示すように、ウエハ３の中心を原
点とする座標系で、極座標位置（Ｒ、θ）で表わ
される点Ｐにおいて、ウエハ３上のパタン５とパ
タン４の投影像パタン４′との間にの位置ずれを
詳細に描いたのが第３図である。第３図のＰ点に
おけるΔｘ、Δｙには、それぞれマスク２とウエ
ハ３の直交軸方向の相対的な位置ずれΔｘ、Δ
ｙ、マスク、ウエハの相対的回転誤差Δθおよび
マスク、ウエハの間隙の変化ΔＳ、または光源、
ウエハ間の距離変化ΔＤとウエハの伸縮にもとづ
く径方向の位置シフトの各直線位置方向の成分が
含まれている。ここでマスク・ウエハの間隙Ｓ
は、ウエハ面に対してマスク面が平行から傾いて
いると、ウエハ上の位置によつて間隙が変化し、
ウエハ面を基準としてマスク面は、鉛直方向の平
行移動ΔＳと、Ｘ・Ｙ直交軸のまわりの傾き誤差
Δα、Δβで表わすことができる。
する。第２図に示すように、ウエハ３の中心を原
点とする座標系で、極座標位置（Ｒ、θ）で表わ
される点Ｐにおいて、ウエハ３上のパタン５とパ
タン４の投影像パタン４′との間にの位置ずれを
詳細に描いたのが第３図である。第３図のＰ点に
おけるΔｘ、Δｙには、それぞれマスク２とウエ
ハ３の直交軸方向の相対的な位置ずれΔｘ、Δ
ｙ、マスク、ウエハの相対的回転誤差Δθおよび
マスク、ウエハの間隙の変化ΔＳ、または光源、
ウエハ間の距離変化ΔＤとウエハの伸縮にもとづ
く径方向の位置シフトの各直線位置方向の成分が
含まれている。ここでマスク・ウエハの間隙Ｓ
は、ウエハ面に対してマスク面が平行から傾いて
いると、ウエハ上の位置によつて間隙が変化し、
ウエハ面を基準としてマスク面は、鉛直方向の平
行移動ΔＳと、Ｘ・Ｙ直交軸のまわりの傾き誤差
Δα、Δβで表わすことができる。
以上の誤差成分をまとめると、Δｘ、Δｙは幾
何学的に次のような式で表わすことができる。
何学的に次のような式で表わすことができる。
Δｘ＝ΔＸ−Rsinθ・Δθ＋Ｒ／Ｄcosθ・ΔＳ＋Ｒ２／Ｄsinθcosθ・Δα＋Ｒ２／Ｄcos2・Δβ ……(1)
Δｙ＝ΔＹ＋Rcosθ・Δθ＋Ｒ／Ｄsinθ・ΔＳ＋Ｒ２／Ｄsin2θ・Δα＋Ｒ２／Ｄsinθcosθ・Δβ ……(2)
上式において、右辺第３項以降の誤差成分は点
光源を用いる近接露光特有のものであり、その位
置ずれの方向がウエハの伸縮と同じ径方向であ
る。従つて、これを有効に利用することでウエハ
の伸縮があつても、ウエハ全体にわたつて、ウエ
ハ上のパタンとマスクパタンの投影像の位置合せ
を行うことが可能である。この(1)式と(2)式の右辺
には、６個の誤差成分ΔＸ、ΔＹ、Δθ、ΔＳ、
Δα、Δβが含まれており、Δｘ、Δｙとして６
個のデータ、即ち３つの位置におけるＸ、Ｙ方向
の転写パタンの相対的位置ずれが測定できれば、
６元連立方程式を解くことで、６つの誤成分を求
めることができる。
光源を用いる近接露光特有のものであり、その位
置ずれの方向がウエハの伸縮と同じ径方向であ
る。従つて、これを有効に利用することでウエハ
の伸縮があつても、ウエハ全体にわたつて、ウエ
ハ上のパタンとマスクパタンの投影像の位置合せ
を行うことが可能である。この(1)式と(2)式の右辺
には、６個の誤差成分ΔＸ、ΔＹ、Δθ、ΔＳ、
Δα、Δβが含まれており、Δｘ、Δｙとして６
個のデータ、即ち３つの位置におけるＸ、Ｙ方向
の転写パタンの相対的位置ずれが測定できれば、
６元連立方程式を解くことで、６つの誤成分を求
めることができる。
そこで、例えばあるマスク・ウエハの間隙Ｓで
別に設けたマークを精密に位置合せした後、試し
の露光、現像を行い、ウエハ上の少なくとも３ケ
所以上でＸ、Ｙ方向の位置ずれを測定する。例え
ば第３図のようなパタンでは、図のａ，ｂ，ｃ，
ｄを測ることにより、パタン４′のパタン５に対
する位置ずれを、Δｘ＝ａ−ｂ／２、Δｙ＝ｄ−ｃ／２
とし て求めることができる。第４図に示すように、ウ
エハ３上の３点、P1（R1，θ１），P2（R2，θ
２），P3（R3，θ３）におけるｘ、ｙ方向の位置
ずれ（Δx1、Δy1）（Δx2、Δy2）（Δx3、Δy3）
を測定し、次式(3)を解いて６つの誤差成分ΔＸ、
ΔＹ、Δθ、Δα、Δβを求める。なお、式(3)
は、式(1)、式(2)をマトリツクス表現に直したもの
にすぎない。
別に設けたマークを精密に位置合せした後、試し
の露光、現像を行い、ウエハ上の少なくとも３ケ
所以上でＸ、Ｙ方向の位置ずれを測定する。例え
ば第３図のようなパタンでは、図のａ，ｂ，ｃ，
ｄを測ることにより、パタン４′のパタン５に対
する位置ずれを、Δｘ＝ａ−ｂ／２、Δｙ＝ｄ−ｃ／２
とし て求めることができる。第４図に示すように、ウ
エハ３上の３点、P1（R1，θ１），P2（R2，θ
２），P3（R3，θ３）におけるｘ、ｙ方向の位置
ずれ（Δx1、Δy1）（Δx2、Δy2）（Δx3、Δy3）
を測定し、次式(3)を解いて６つの誤差成分ΔＸ、
ΔＹ、Δθ、Δα、Δβを求める。なお、式(3)
は、式(1)、式(2)をマトリツクス表現に直したもの
にすぎない。
この結果をもとに、本露光の時にはマスク、ウ
エハの間隙をＳ−ΔＳに、平行面から−Δα、−
Δβだけ傾けて設定し、別に設けたマークで精密
に位置合せした後、−ΔＸ、−ΔＹ、−Δθの補正
を加えて露光する。ΔＸ、ΔＹ、Δθの補正は、
本発明の本質には関係しない。ウエハのプロセス
による伸縮の補正はΔＳ、Δα、Δβに依つてい
る。即ち、これまでの記述で明らかなように、ウ
エハの伸縮による位置ずれ誤差は、マスク、ウエ
ハの間隙を変えることにより、ウエハ全面にわた
つて除去することができる。
エハの間隙をＳ−ΔＳに、平行面から−Δα、−
Δβだけ傾けて設定し、別に設けたマークで精密
に位置合せした後、−ΔＸ、−ΔＹ、−Δθの補正
を加えて露光する。ΔＸ、ΔＹ、Δθの補正は、
本発明の本質には関係しない。ウエハのプロセス
による伸縮の補正はΔＳ、Δα、Δβに依つてい
る。即ち、これまでの記述で明らかなように、ウ
エハの伸縮による位置ずれ誤差は、マスク、ウエ
ハの間隙を変えることにより、ウエハ全面にわた
つて除去することができる。
なお、通常ウエハは一様に伸縮する量が不均一
に伸縮する量よりも大きいと考えられるが、不均
一な要因に存在することも確かである。また、も
し先行する露光が、ギヤツプが傾いた状況で行な
われていると、位置ずれは第６図に示すように不
均一な分布をしている。
に伸縮する量よりも大きいと考えられるが、不均
一な要因に存在することも確かである。また、も
し先行する露光が、ギヤツプが傾いた状況で行な
われていると、位置ずれは第６図に示すように不
均一な分布をしている。
以上詳細に説明したように、本発明方法によれ
ば点光源からの放射光束を用いる露光法におい
て、例えウエハの伸縮及びマスク．ウエハのギヤ
ツプの傾きがあつてもマスクとウエハの間隙を計
算で求めた量だけ補正することによつてウエハ全
面にわたつて位置合せを行うことができる極めて
大きな効果がある。
ば点光源からの放射光束を用いる露光法におい
て、例えウエハの伸縮及びマスク．ウエハのギヤ
ツプの傾きがあつてもマスクとウエハの間隙を計
算で求めた量だけ補正することによつてウエハ全
面にわたつて位置合せを行うことができる極めて
大きな効果がある。
第１図は点光源による近接露光法の原理図、第
２図、第３図、第４図は本発明位置合せ露光法の
一実施例を示す補正量の計算法の説明図、第５
図、第６図はウエハ上のパタンの位置ずれの例を
示す説明図である。 １……光源、２……マスク、３……ウエハ、４
……マスク２上の露光すべきパタン、４′……パ
タン４のウエハ５上への投影パタン、５……ウエ
ハ３上に既に焼き込まれているパタン、６……マ
スクパタン、ウエハパタンの位置ずれ測定素子。
２図、第３図、第４図は本発明位置合せ露光法の
一実施例を示す補正量の計算法の説明図、第５
図、第６図はウエハ上のパタンの位置ずれの例を
示す説明図である。 １……光源、２……マスク、３……ウエハ、４
……マスク２上の露光すべきパタン、４′……パ
タン４のウエハ５上への投影パタン、５……ウエ
ハ３上に既に焼き込まれているパタン、６……マ
スクパタン、ウエハパタンの位置ずれ測定素子。
Claims (1)
- １ 露光すべきパタンＡを有するマスクを、基準
となるパタンＢが既に焼き込まれたウエハと近接
対向させ、マスク上方の点光源からの発散光束を
用いてパタンＢの上にパタンＡを重ねて焼き付け
るＸ線露光法を用いて、パタンＡとパタンＢを位
置合せして露光するさい、ウエハ上面に少なくと
も３つの任意の点を設定し、試し露光を行つた
後、この各点においてウエハ上面におけるパタン
ＡとパタンＢとのずれの直交座標系による成分を
測定し、上記の測定されたずれの成分とウエハ上
面における上記の各点の位置の成分とを用いて、
これらの成分により一義的に決定されるウエハに
対するマスクの位置決め軸方向のずれの成分、即
ちウエハ上面に対する平行ずれ成分、ウエハ上面
に対する回転ずれ成分、ウエハ上面に対する距離
のずれ成分及びウエハ上面に対する傾き成分を算
出し、算出された各成分に基づいてマスクの位置
を修正し、パタン相互の位置ずれをウエハ全面に
わたつて補正することによりパタンＡとパタンＢ
の位置合せを行うことを特徴とする位置合せ露光
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12998579A JPS5655041A (en) | 1979-10-11 | 1979-10-11 | Positioning exposure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12998579A JPS5655041A (en) | 1979-10-11 | 1979-10-11 | Positioning exposure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5655041A JPS5655041A (en) | 1981-05-15 |
| JPS6214935B2 true JPS6214935B2 (ja) | 1987-04-04 |
Family
ID=15023299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12998579A Granted JPS5655041A (en) | 1979-10-11 | 1979-10-11 | Positioning exposure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5655041A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2538923A1 (fr) * | 1982-12-30 | 1984-07-06 | Thomson Csf | Procede et dispositif d'alignement optique de motifs dans deux plans rapproches dans un appareil d'exposition comprenant une source de rayonnement divergent |
| JP2644692B2 (ja) * | 1995-01-30 | 1997-08-25 | キヤノン株式会社 | Ｘ線転写装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51140488A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-03 | Hitachi Ltd | Mask alignment device |
| JPS524177A (en) * | 1975-06-27 | 1977-01-13 | Toshiba Corp | Automatic mask aligning method |
| DE2635275C2 (de) * | 1976-08-05 | 1984-09-06 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur Justierung eines scheibenförmigen Substrates relativ zu einer Fotomaske in einem Röntgenstrahlbelichtungsgerät |
| BE846198A (fr) * | 1976-09-15 | 1977-03-15 | Arme de chasse perfectionnee |
-
1979
- 1979-10-11 JP JP12998579A patent/JPS5655041A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5655041A (en) | 1981-05-15 |
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