JPS62149482A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光記録媒体に関し、＃′？に赤外線レーザー
による光−）き込みに適した光記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

最近、オフィスオートメーションの中心的な存在として
光ディスクが注目を集めている。光ディスクは一枚のデ
ィスク中に大破の文占１文献等を記録保存できるため、
オフィスにおける文占等の整理、管理が効率よ〈実施で
きる。この光デイスク用の記録素子としては、各種のも
のが検討されているが、価格、製造の容易さから有機材
料を用いたものが注目されている。

このような記録素子用の有機材料として、ジアセチレン
誘導体化合物が知られており、該化合物の熱変色性に着
目し、レーザー記録素イとして用いる記録技術が特開昭
５［１−１４７８０υ）に開示されている。しかし、こ
の明細１１）中には、どのようなレーザーを用いたか、
あるいは用いるべきかの記載がなく、！Ｔｉにレーザー
を用いて記録を実施したとの記載に留まっている。

未発明者らは１種々のレーザーを用いてこのジアセチレ
ン誘導体化合物のレーザー記録につき検、：・Ｉした結
果、アルゴンレーザー笠の大型かつ高出力のレーザーを
用いれば熱変色記録かｌｊ）能なものの、小型で比較的
低出力の半導体レーザー（波長８００〜８５０ｎｍ）を
使用した場合にはレーザー記録が実施できないことを確
認した。しかし、光ディヌク等の実用的な記録媒体とし
ては、小型で低出力の半導体レーザーにより光書き込み
が可能なことが′）Ａ１情される。

一方、特開昭５８−１８１０５２号および特開昭５９−
６０４４３号には、クロコニックメチン染料が開示され
、これら染＃１を含有する有機被膜が半導体レーザー輻
射波長領域の輻射線を吸収し発熱するので、レーザーエ
ネルギーによりビットを形成するいわゆるヒートモード
記録が実施できることを開示している。しかし、記録媒
体の表面に物理的なピントを形成して記録を実施する場
合には、初期の記録層の表面が十分に平滑であると同時
に記録後においても記録媒体の表面に傷を付けないよう
十分な注意が必要となるとともに、高密度で高速記録を
実施することは比較的困難である。

また、これらの記録媒体の記録層は、ジアセチレン誘導
体化合物の微結晶あるいはクロコニックメチン染料等が
パインター中に分散してなるものであり、記録層内にお
けるこれら化合物の配向はランダムであり、そのため場
所によって光の吸収−Ｖや反射−（ぺが異ったり、化学
反応の程度が相違したりする現象が生じ、高密度の記録
には必ずしも適しているとはいえなかった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明はかかる従来技術の問題点を解決するためになさ
れたものであり、本発明の目的は小型軽星の゛ｈ導体レ
ーザーで光書き込みが可能な光記録媒体を提供すること
にある。

本発明の他の目的は、高密度、高感度で高速記録の可能
な光記録媒体を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、高品質な光記
録媒体を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

すなわち、本発明の光記録媒体は、少なくとも親木性部
位および疎水性部位を併有するジアセチレン誘導体化合
物の単分子膜またはその累積膜からなるＡ層と、クロコ
ニックメチン染料を含有してなる単分子膜またはその累
積膜からなるＢ層とが積層されてなり、かつＡ層とＢ層
との接合面を二以に有してなる記録層を有することを特
徴とする。

本発明に用いる親木性部位および疎水性部位を併有する
ジアセチレン誘導体化合物（以下。

ＯＡ化合物と略称する）とは、隣接する分子中のｃ＝ｃ
−ｃ＝ｃ官能基間において１．４−付加重合反応が可能
な化合物であり、代表的には下記一般式８式％） （式中、Ｘは、親木性部位を形成する親水性基であり、
ｍ、ｎは整数を表わす。） で表わされる化合物が挙げられる。

１；記ＤＡ化合物における親木性基Ｘとしては、例えば
カルポキシルツしアミン基、ヒドロキシ基。

二トリルノ、（、千オアルコール基、イミノ基、スルホ
７酸）、（、スルフィニル基またはその金属若しくはア
ミンｌｉ３が挙げられる。疎水性部位を形成するＨ（Ｏ
Ｈ２）ｍ表わされるアルキル基としては炭素原子数が　
１〜３０の長鎖アルキル基が好ましい。また。

ｍ＋ｎとしては１〜３０の整数が好ましい。

一方、本発明で用いるクロコニックメチン染料とは、下
記の基本構造 Ａム、Ａ２：芳香環及び／又は 複素環を含む置換基 を有する化合物（分子内塩をも含む）であって。

７５０〜９００　ｎｍに吸収ピークを有し、この波長の
赤外光により発熱する化合物である。このクロコニ２ク
メチン染料類としては１代表的には下記一般式［Ｉ］〜
［ＩＶ　］で示される染料が例示される。

一般式［Ｉ］ 一般式［ｍ］ 式中　Ｒ１およびＲ２は、アルキル基（例えば、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、１ｓｏ−プロピルノ＾
、ｎ−ブチル基、　５ｅｃ−ブチル基、ｌ５Ｏ−ブチル
基、ｔ−ブチル基、ｎ−アミル基、ｔ−７ミル基、ｎ−
ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｔ−オクチル基など）、
置換アルキル基（例えば２−ヒドロキシエチル基、３−
ヒドロキシプロピル基、４−ヒドロキシブチル基。

２−７セトキシエチル基、カルボキシメチル基、２−カ
ルホキシエチルＪ１（，３−カルボキシプロピル２−ス
ルホエチル基、３−スルホプロピル）、Ｌ．４−スルホ
エチル基１（、３−スルフェートブチルフ．（、４−ス
ルフェートブチル）、ｑ．　　Ｎ−（メチルスルホニル
）−力ルへミルメチル基、３−（アセチルスルファミル
）プロピル基、　４−（アセチルスルファミル）プチル
ノ，（など）、環式アルキル基（例えば、シクロヘキン
ル基など）、アリル基（Ｃ：Ｈ，＝ＣＨ−Ｃ：８７−）
　、アラルキル基（例えば、ベンジル基、フェネチルノ
．（、α−ナフチルメチル基，β−ナフチルメチル基な
ど）、置換アラルキル基．（（例えば、カルボキシベン
ジル基，スルホベンジル基、ヒドロキシベンジル基など
）、アリール基（例えば、フェニルノ．（など）または
置換アリール基（例えば、カルボキシフェニル基，スル
ホフェニルノＳ，ヒドロキシフェニル基など）を示す。

特に、本発明においては。

これらの有機残ノ＾のうち、疎水性のものが好ましい。

置換または未置換の複素環、例えば、チアゾール系列の
核（例えばチアゾール、４−メチルチアゾール、４−フ
ェニルチアゾール、５−メチルチアゾール、５−フェニ
ルチアゾール、４．５−ジメチルチアゾール、４．５−
ジフェニルチアゾール、４−（２−チェニル）−チアゾ
ールなど）、ベンゾチアゾール系列の核（例えばベンゾ
チアゾール、５−クロロベンゾチアゾール、５−メチル
ベンゾチアゾール、６−メチルベンゾチアゾール、５．
６−シミチルベンツチア・ゾール、５−ブロモベンゾチ
アゾール、５−フェニルベンゾチアゾール、５−メトキ
シベンゾチアゾール、６−メトキシベンゾチアゾール、
５．６−シミトキシベンゾチアゾール、５，６−シオキ
シミチレンベンンチアゾール、５−ヒドロキシベンゾチ
アゾール。

６−ヒドロキシベンゾチアゾール、４，５，８．７−チ
トラヒドロベンソチアゾールなど）、ナ２トチアゾール
系列の核（例えばナフｈ　［２．１−ｄ１チアゾール。

ナフ）　［１．２−ｄｌ　チアゾール、５−メトキシナ
フト［１．２−ｄｌ　チアゾール、５−エトキシナフト
［１　、２−ｄ］チアゾール、８−メトキシナフ）　［
２，１−ｄｌ　チアゾール、７−エトキシナフト［２，
ｌ−ｄｌ　チアゾールなど）、チオナフテン［７．６−
ｄ］チアゾール系列の核（例えば７−メドキシチオナフ
テン（７．８−ｄｌチアゾール）、オキサゾール系列の
核（例えば４−メチルオキサゾール、５−メチルオキサ
ゾール、４−フェニルオキサゾール、４．５−ジフェニ
ルオキサゾール、４−エチルオキサゾール、４．５−ジ
メチルオキサゾール、５−フェニルオキサゾール）、ベ
ンゾオキサゾール系列の核（例えばベンゾオキサゾール
、５−クロロベンゾチアゾール、５−メチルへンゾオキ
サゾール、５−フェニルヘンン才キサンール，６−メチ
ルペンンオキサゾール、５．６−シミチルベンンオキサ
ンール、５−メト−ｔ−シベンン才キサソール、６−メ
ドキンベンゾオキサゾール、５−ヒドロキンヘンソオキ
サゾール、６−ヒトロキシベンゾオキサンールなど）、
ナフトオキサゾール系列の核（例えばナフ）　［２，１
−ｄｌ　オキサゾール、ナフトＴ！、２−ｄｌ　　オキ
サゾールなど）、セレナゾール系列の核（例えば４−メ
チルセレナゾール、４−フェニルセレナソールなど）、
ベンゾセレナゾール系列の核（：例えばベンゾセレナゾ
ール、５−クロロベンンセレナンール、５−メチルベン
ツセレナゾール。

５．６−シミチルペンゾセレナゾール、５−メトキシベ
ンツセレナゾール、５−メチル−６−メトキシベンツセ
レナゾール、５．６−シオキシメチレンベンゾセレナゾ
ール、５−ヒドロキシベンゾセレナゾール、４．５，８
．７−チトラヒドロベンゾセレナソールなど）、ナフト
セレナゾール系列の核（例えばナフト（２，１−ｄｌ　
セレナゾール、ナフト［１，２−ｄｌ　セレナゾール）
、チアゾリン系列の核（例えばチアゾリン、４−メチル
チアゾリン、４−ヒドロキシメチル−４−メチルチアゾ
リン、４，４−ビスーヒドロギシメチルチアゾリンなと
）、オキサゾリン系列の核（例えばオキサンリン）、セ
レナゾリン系列の核（例えばセレナゾール）、２−キノ
リン系列の核（例えばキノリン、６−メチルキノリン、
６−クロロキノリン、６−メドキシキノリン、６−ニト
キシキノリン、６−ヒトロキシキノリン）、４−キノリ
ン系列の核（例えばキノリン、６−メドキシキノリン、
７−メチルキノリン、８−メチルキノリン）、１−イソ
キノリン系列の核（例えばインキノリン、３．４−ジヒ
ドロイソキノリン）、３−インキノリン系列の核（例え
ばインキノリン）　、　３．３−ジアルキルインドレニ
ン系列の核（例えば３．３−ジメチルインドレニン、３
．３−ジメチル−５−クロロイン−レニン、　３，３．
５−トリメチルインドレニン、３，３．７−　）ジメチ
ルインドレニン）、ピリジン系列の核（例えばピリジン
、５−メチルピリジン）、又はベンゾイミダゾール系列
の核（例えば１−エチル−５，６−シアノベンシイミグ
ゾール、ｌ−ヒドロキシエチル−５，６−シアノベンシ
イミグゾール、１−エチル−５−クロロベンツイミダゾ
ール、１−エチル−５，６−ジプロモベンゾイミタソー
ル、ｌ−エチル−５−フェニルベンゾイミダゾール、１
−エチル−５−フルオロベンゾイミダゾール、１−エチ
ル−５−シアノベンゾイミダゾール、１−（β−アセト
キシエチル）−５−シアノベンシイミグゾール５１−エ
チル−５−クロロ−６−シアノベンシイミグゾール、１
−エチル−５−フルオロ−６−ジアツベンソイミタゾー
ル、１−エチル−５−７セチルベンンイミタソール、ｌ
−エチル−５−カルポキシベンンイミタゾール、１−エ
チル−５−エトキシカルボニルベンツイミダツール、１
−エチル−５−スルファミルベンンイミタソール、ｌ−
エチル−５−Ｎ−エチルスルファミルヘンンイミダソー
ル、ｌ−エチル−５，６−シフルオロペンゾイミダンー
ル、１−エチル−５，６−シアノベンシイミグゾール、
ｌ−エチル−５−エチルスルホニルヘンソイミダンール
、１−エチル−５−メチルスルホニルベンゾイミタソー
ル、ｌ−エチル−５−トリフルオロメチルベンゾイミダ
ゾール、ｌ−エチル−５−トリフルオロメチルスルホニ
ルベンゾイミダゾール、ｌ−エチル−５−トリフルオロ
メチルスルフィニルベンゾイミダゾールなど）を完成す
るに必要な非金属原子群を表わす　Ｒ３およびＲ４は、
メチル、エチル、プロピル、ブチルなどのアルキル基を
示す、またＲ３と−で窒素原子とともにモルフォリノ、
ピペリジニル５　ピロリジノなどの環を形成するとこと
も出来る。Ｒ５，Ｒ６、Ｒ’／およびＲ１１は水素原子
、アルキルノ、（（メチル、エチル、プロピル、ブチル
など）、アルコキシ基（メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、ブトキシなど）又はヒト゛ロキシ基を示す、また　
Ｒ５とＲ６で結合してベンゼン環を形成することがでｊ
、さらにＲ５およびＲ６とＲ７およびＲＯがそれぞれ結
合してベンゼン環を形成することができる。

（→ Ｘ　は、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン
、ｉｌ！Ｓ塩素ｌｌ１１ｊ塩イオン、ベンゼンスルホン
酸塩イオン、ρ−トルエンスルホン酸塩イオン、メチル
硫酸塩イオン、エチル硫酸塩イオン、プロピル硫酸塩イ
オンなどの陰イオンを表わし、　Ｘ　はＲ１および（ま
たは）　Ｒ２自体が陰イオン基、例えば（→ 一５ｏ２−Ｎ−３ｏ２−を含みときには存在しない。

■ Ｎは、例えば水素陽イオン、ナトリウム陽イオン、アン
モニウム陽イオン、カリウム陽イオン、ピリジウム陽イ
オンなどの陽イオンを表わす、ｎおよびｍは、０又は１
である。

次に、本発明で用いるクロコニックメチン染料の代表例
を下記に列挙するが、便宜と、一般式［Ｉ］または［Ｉ
ＩＩ］のベタイン構造で表わす、しかし、これらの染料
の調製においては、ベタイン形や塩の形にある染料の混
合物が得られるので、一般的には混合物として使用され
ることが多い。

一般式［Ｉ］　、　［＋１］の代表例 ＣＩ　　　　　　　　　　　　　　　ＣＩ。

（２１）　　　　　　　　　　　　０θ（２３）　　　
　　　　　　　　　。θ（２４）　　　　　　　　　　
　　（３ｅ−Ｓｅ　　　　　ｌ　　　　　、Ｓｅ−乙、
（２Ｂ）　　　　　　　　　　　　ｏθＵＵ 一般式［ＩＩＩ］　、［ｒＶ］の代表例（３５）　　　
　　　　　　ｅ。

（３Ｂ）　　　　　　　　　　ｏ。

（３７）　　　　　　　　　　θ。

（３８）　　　　　　　　　　　ｅ。

（３９）　　　　　　　　　　　ｅ　□（４０）　　　
　　　　　　　　θ０ 上記（１）〜（４２）のクロコニックメチン染料は。

１Ｌｌｉ−に→ｊ↓９猛１・１μ釦Δ社イ田いスことが
できる。

本発明の光記録媒体の代表的な構成を第１図および第２
図に例示する。第１図の例では、基板１１−に前記クロ
コニンクメチン染＃＋　６を含有する小分（−ＩＩＡで
ある８層４が形成され、そのトに前記ＯＡ化合物の累積
度２の単分子累積膜からなるＡ層３がＪｔ１層され、ｙ
らにその１−にクロコニックメチン染料６を含有する単
分子膜の８層４が形成され、これら三層により記録層２
が構成されている。すなわち、この光記録媒体は、Ａ層
とＢ層との接合面を二つ有している。図において、５は
有機担体分子を示し、この有４ｊ１担体分子およびＤ＾
化合物中の矩形部分は疎水性部分、丸部分は親木性部分
を表わしている。第２図の例は、基板１ｈに、Ａ層３と
８層４との組み合せが五回綴り返して積層されて記録層
２が構成され、したがって。

記録層２はＡ層とＢ層との接合面を九つ有している。Ａ
層３と８層４との積層順序はこれらの図に示される態様
に限定されず、基板ｌとの接合面あるいは記録層２の表
面に存在する層は、Ａ層、Ｂ層のいづれであってもよい
、また、必要に応じて１例えば記録層２Ｆに透明な保護
層等の他の層を設けることもできる。

記録層２の膜厚は、特に限定されないが、Ａ層３および
８層４を併せた単分子層の累積度が２以上で４層０程度
までのものが実用Ｆ好ましい。

また各膜厚はＣＲ膜ＯＡ膜共に１００八〜２μｓ、好ま
しくは２００Ａ〜５０００　Ａである。

本発明の光記録媒体の基板ｌとしては、ガラス、アクリ
ル樹脂等のプラスチック板、ポリエステル等のプラスチ
ックフィルム、紙、金属等の各種の支持材料が使用でき
るが、基板側から輻射線を照射して記録を実施する場合
には、特定波長の記録用輻射線を透過するものを用いる
。

基板１Ｆに１県化合物の単分子膜または単分子累積膜か
らなるＡ層３を形成するには、例えば１、Ｌａｎｇ■ｕ
ｉｒらの開発したラングミュア・ブロジェット法（以下
、ＬＢ法と略）が用いられる。

ＬＢ法は１分子内に親木基と疎水基を有する構造の分子
において１両者のバランス（両親媒性のバランス）が適
度に保たれているとき、この分子は水面Ｊｌで親水ノＳ
を下に向けた単分子の層になることを利用して単分子膜
または単分子層の累積した膜を作成する方法である。水
面上の単分子層は二次元系の特徴をもつ０分子がまばら
に散開しているときは、一分子当り面８！ｌＡと表面圧
■との間に二次元理想気体の式、 ｎＡ＝ｋＴ が成すケち、“気体膜”となる、ここに、ｋはポルツマ
ン定数、Ｔは絶対温度である。Ａを十分小さくすれば分
子間相互作用が強まり二次元固体の°“凝縮膜（または
固体膜）°゛になる。凝縮膜はガラスなどの基板の表面
へ一層ずつ移すことができる。

この方法を用いて、ＯＡ化合物の単分子１漠またはｒｐ
分子累積膜は、例えば次のようにして製造される。まず
ＯＡ化合物をクロロホルム等の溶剤に溶解し、これを水
相りに展開し、これら化合物を１漠状にＭ開させた展開
層を形成する。次にこの展開層が水相１−を自由に拡散
して拡がりすぎないように仕切板（または浮子）をｊ（
ｔけてｊＪり閉居の面積を制限して口Ａ化合物の集合状
態を制御し、その集合状態に比例した表面圧ｎを得る。

この仕切板を動かし、展開面積を縮少して膜物質の集合
状態を制御し１表面圧を徐々に上昇させ、累積膜の製造
に適する表面圧ｎを設定することができる。この表面圧
を維持しながら静かに清浄な基板あるいは表面にＢ層が
形成された基板を垂直に上下させることにより、ＯＡ化
合物の単分子膜が基板上あるいはＢ層Ｅに移しとられる
。単分子膜はこのようにして製造されるが、単分子層累
ｙ１膜は、前記の操作を繰り返すことにより所望の累積
度の単分子層累積１１りが形成される。

単分子膜を基板−Ｈに移すには、Ｊ：述した昨直浸漬法
の他、水平付着法１回転円筒法などの方法が採用できる
。水平付着法は基板を水面に水平に接触させて移しとる
方法で、回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転さ
せて単分子層を基体表面に移しとる方法である。前述し
た爪立浸漬法では、水面を横切る方向に表面が親木性で
ある基板を水中から引きにげると、一層目はＤＡ化合物
の親水Ｘがノ、（板側に向いた単分子層が）＾板−ヒに
形成される。基板を上下させると、各行程ごとに一層ず
つ単分子膜が積層されていく。成膜分子の向きが引１ユ
げ行程と浸漬行程で逆になるので、この方法によると、
各層間は親木基と親木基、疎水基と疎水）５が向かい合
うＹ型膜が形成される。

これに対し、水平付着法は、基板を水面に水平に接触さ
せて移しとる方法で、ＯＡＡ合物の疎水基が基板側に向
いた単分子層が基板上に形成される。この方法では、累
積しても、ＯＡＡ合物の分子の向きの交代はなく全ての
層において、疎水基が基板側に向いたＸ型膜が形成され
る０反対に全ての層において親木基が基板側に向いた累
積膜はＺ型！漠と呼ばれる。

回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回転させて単分
子層を基体表面に移しとる方法である。

単分子層を基板上に移す方法は、これらに限定されるわ
けではなく、大面積基板を用いる時には、基板ロールか
ら水相中に基板を押し出していく方法などもとり得る。

また、前述した親木基、疎水基の基板への向きは原則で
あり、基板の表面処理等によって変えることもできる。

これらの単分子＋＋ｑの移し取り操作の詳細については
既に公知であり、例えば「新実験化学講座１８界面とコ
ロイド」４９８〜５０７頁、丸、”−ｒ４１、に記載さ
れている。

なお、ＤＡＡ合物の単分子膜または単分子累積膜からな
るＡ層３は、ＯＡ化化合物中上りなる膜であることが好
ましいが、少■の添加剤化合物を含む膜であってもよい
。

一方、クロコニックメチン染料６は両親媒性物質ではな
いので、中上ではＬＢ法によっては単分子膜を形成する
ことはできない。しかし、例えばステアリン酸、アラギ
ジン酸などの高級脂肪酸のような両親媒性のバランスの
適度に保たれた有機高分子を担体分子として任意の比率
で混合使用することによりＬＢ法を適用することができ
る。すなわち、少なくとも一つの化合物において両親媒
性のバランスが保たれていれば、水面ヒに単分子層が形
成され、他の化合物は両親媒性の化合物に挟持され、結
局全体として分子秩序性のある単分子層が形成されるか
らである。

したがって、クロコニックメチン染料６単独の単分子膜
またはその累積膜を形成することは困難であるが、クロ
コニックメチン染料６を含有する単分子膜またはその累
Ｕ膜である８層４は１両親媒性物質を併用することによ
りＬＢ法で容易に形成することができる。

この手法を採用することにより、Ａ層３と８層４が交互
に累積積層された膜はＬＢ法により容易に形成すること
ができ、このような累積膜は異種の分子の累積積層が含
まれるので、以下、ヘテロ累積膜と称する。

このようなヘテロ累積膜は、先に第１図および第２図に
も例示したが、例えば以下のような態様で形成すること
ができる。

■δ数番目の層がＤＡＡ合物の単分子膜で、偶数番１１
の層がクロコニックメチン染料を含有するｒＩｉ分子膜
であるヘテロ累積膜、 （シ）累積度２のＯＡＡ合物の単分子累積膜と累積度６
のクロコニックメチン染料を含有する単分子累積膜との
積層が交互に何回か繰り返されたヘテロ累積膜。

■ＯＡ化合物の単分子膜またはその累！１ｉ膜とクロコ
ニックメチン染料を含有する単分子膜またはその累ａＳ
とが任意な非周期的な順序で積層されたヘテロ累ａ膜、 このようにして、基板トに形成されるヘテロ累Ｊａ　Ｉ
Ｉ！２は、高密度で高度な秩序性を有しているので、場
所による光吸収のバラツキは極めて小さい、したがって
、このような膜によって記録層を構成することにより、
ＯＡＡ合物とクロコニックメチン染料との機部に応じた
光記録、熱的記録の可能な高密度、高解像度の記録機部
を有する記録媒体が得られる。

なお、ｈ述したようにして形成されたＯＡＡ合物の単分
子１１Ｑまたはその累積膜からなるＡ層３は、紫外線を
照射することにより、？ｉ分子＋ｔ！Ｊまたはその累積
膜として形成されたＯＡＡ合物が利金したものであって
もよい。

本発明の光記録媒体は、各種の方式の光記録を実施する
ことが＋ｉ）能であるが、以下に光や熱を加えることに
より、記録層の吸収波長が変化して見掛けの色が変化す
ることを利用する半導体レーザーによる記録の機構につ
き簡略に説明する。

ＯＡ化合物は、初期にはほぼ無色透明であるが、記録層
に紫外線を照射すると重合し、ポリアセチレン誘導体化
合物へと変化する。この重合は紫外線の照射等によって
起り、巾に熱エネルギーの印加のみによっては生じない
、この重合の結果、記録層は６２０〜ＢｆｉＯｒ＋層に
最大吸収波長を有するようになり、ｎ色乃至暗色へと変
化する。この重合に基づく色相の変化は不可逆変化であ
り、一度青色乃至暗色へ変化した記録層は無色透明膜へ
とは戻らない。また、この青色乃至暗色へ変化したポリ
アセチレン誘導体化合物を約５０℃以上に加熱すると今
度は約５４ｏｎ腸に最大吸収波長を有するようになり、
赤色膜へと変化する。この変化も不可逆変化である。

したがって、本発明の光記録媒体を用いた光記録は次の
ような機構により実施される。

先ず本発明の光記録媒体の記録層全体に紫外線を照射す
ると記録層中のＯＡ化合物が重合しポリアセチレン誘導
体化合物へ変化することにより、記録層２は青色乃至暗
色の膜へと変化する。次いで、この記録媒体の所定の位
置に情報信号に応じて点滅する波長８００〜８５０ｎ＋
ｓの半導体レーザービーム７を照射すると、ポリアセチ
レン誘導体化合物はこのレーザービーム７を吸収しない
が、第３ａ図に示されるように、８層４中のクロコニッ
クメチン染料６はこのレーザービーム７を吸収し発熱す
る（発熱部位を８で示した。）このクロコニックメチン
染料６の発熱が各層の接合面を介してＡ層３のポリアセ
チレン誘導体化合物に伝わり、赤色へと変化する。かく
して、第３ｂ図に示されるように、入力情報に応じて記
録層りの記録部位９の色変化による光記録が実施される
。

〔発明の効果〕

本発明の光記録媒体の効果を以下に列挙する。

（１）記録層中のＯＡ化合物およびクロコニックメチン
染料がそれぞれ単分子膜またはその累積膜で形成されて
いるので記録層は高密度で高度な秩序性を有しており、
したがって高密度で均質な記録が可能である。

（２）記Ｂ層が輻射線吸収層と感熱変色層との接合面を
二以ヒ有するヘテロ膜として形成されているので、伝熱
効率が高く極めて高感度である。

（３）大面積の支持体に対しても高度に均質な記録層を
安価に製造することが可能である。

（４）記録層が７５０〜８００ｎ■に吸収ピークを有す
るクロコニックメチン染料を含有しているので　、小型
軽ｌｉｔの老導体レーザーを用いた記録がｉｉｒ能であ
る。

（５）光照射による記録層の色相の変化を利用した記録
が可能なので、高速、高感度、高密度な光記録が実施で
きる。

〔実施例〕

以下１本発明を実施例に基づきより詳細に説明する。

実施例１ （ＯＡ化合物単分子膜の作製〕 一般式ＣＩ２　Ｉ２　Ｓ−Ｃミｃ−ｃ＝　ｃ−ｃ８Ｈ，
ｆ）−ｃｏｏ）Ｉで表わされるジアセチレン誘導体化合
物をクロロホルムにｌＸｌ０−３モル／ｌの濃度で溶解
した溶液を、ｐＨが８．５で塩化カドミニウム濃度がｌ
Ｘｌ０−３モル／ｌの水相トに展開した。溶媒のクロロ
ホルムを除去した後、表面圧を２０ｄｙｎｅ／ｃ＋＊ま
で高め、一定に保ちながら、十分に清節し、表面が親水
性となっているガラス基板（既にクロコニックメチン染
料を含有する単分子膜から構成される累ｆａ膜等が形成
されている場合を含む）を、水面を横切る方向に上下速
度　１．ＯＣ■／分で静かに所定の回数上下させ（途中
、乾燥工程を実施する）　、　ＯＡ化合物の単分子膜を
基板りに移しとり、単分子膜または中分子累積膜を形成
した。

〔クロコニックメチン染料を含有する単分子膜の作製〕

前記の染＃）　、４　（’３　）で表わされるクロコニ
ックメチン染料　１屯＋、）、Ｗとアラキシン酸２屯ｒ
ａ部をクロロホルムに　ｌＸｌ０−’モル／ｌの濃度で
溶解した溶液を、ｐＨが６．５で塩化カドミニウム濃度
が　ｌＸｌ０−３モル／ｌの水相上に展開した。溶媒の
クロロホルムを除去した後、表面圧を２０ｄ２ｎｅ／ｃ
ｍまで高め一定に保ちながら、十分に清炸し、表面が親
木性となっているガラス基板（既にＯＡ化合物の単分子
膜から構成される累積膜等が形成されている場合を含む
）を、水面を横切る方向に上下速度１．０ｃｍ／分で静
かに所定の回数上下させ（途中、乾燥工程を実施する）
、クロコニックメチン染料を含有する単分子膜を基板り
に移しとり、単分子膜または単分子累積膜を形成した。

〔ヘテロ累Ｊａ膜の作製〕

ヒ記した、ＯＡ化合物単分子膜およびクロコニックメチ
ン染料を含有する単分子１漠の作製プロセスを基本とし
て、これらの操作を適宜組合せて実施することにより　
８種のへテロ累積膜をガラス基板］二に作製した。この
ようにして作製したヘテロ累積１１！１！　（光記録媒
体）を第１表に示した。なお、光記録媒体の構成を示す
記号、番号の低味を下記に例示する。

■Ｇ　／　２０Ｃ：Ｒ／　８０ＤＡ／　２０ＣＲガラス
基板（Ｇ）　　ヒに、累積度２０のクロコニックメチン
染料を含有する単分子累積１１り→累積度６０のＯＡ化
合物の中分子累積膜→累積度２０のクロコニックメチン
染料を含有する単分子累積膜、の順で積層して構成され
た光記録媒体。

■Ｇ　／　ＩＯＸ　Ｃ２ＣＲ／　６ＤＡ）ガラス基板（
Ｇ）上に、累積度２のクロコニックメチン染料を含有す
る単分子累積膜と累積度６のＯＡ化合物の単分子累積膜
との積層の組合せが、１０回繰り返され積層して構成さ
れた光記録媒体。

比較例１ ガラス基板上にＤＡ化合物の４１層の単分子累積膜のみ
を形成した光記録媒体を作製した。

比較例２ ガラス基板上にスパッタリング法により、膜厚１５０〇
へのＧｄ＊Ｔｂ５Ｆｅによる輻射線吸収層を設けた。こ
の基板の輻射線吸収層とに、４１層の単分子累積膜を形
成した光記録媒体を作製した。

記録試験ｌ 実施例１および比較例１．２で作成した光記録媒体に２
５４ｎ■の紫外線を均一かつ十分に照射し。

記録層を青色膜にした０次に出力３ａ＋Ｗ、波長８３０
ｎｍ、ビーム径１−の半導体レーザービームを入力情報
にしたがい、各光記録媒体表面の所定位置に照射（照射
時間２００ｎｓ７１ビツト）し、ｉ’Ｆ色の記録層Ｈに
赤色の記録画像を形成した。

この記録結果の評価を第１表に示した。Ｊｔ価は画像解
像度および画像濃度の良否により判定し。

特に良好なものを＠、良好なものを０．記録ができない
釣るいは不良なものを×とした。また、記録感度は、同
じ出力でレーザービームの照射時間を変更したときに、
判読可能な変色記録を実施するのに必要な最小照射時間
で評価した。

第１表 ＣＲ：クロコニ、クメチン染料 ＯＡニジアセチレン誘導体含有層 Ｇ：カラス基板 比較例３ 前記の染料遂（３）で表わされるクロコニックメチン染
料１３　毛早部とニトロセルロース１屯贋部とを４１化
メチレン２０屯吊部に溶解した溶液を塗布液とし調整し
た。この塗布液をスピナー塗布機に装置１′シたガラス
製のディスク基板（厚さ　１．５＋ａｍ、直径２００■
）の中央部に少賃滴下した後、所定の回転数で所定の時
間スピナーを回転させ塗布し、常温で乾燥し、基板ヒの
乾燥後の塗膜の厚みが１００ＯＡの光記録媒体を作成し
た。

記録試験２ 比較例３の光記録媒体について、紫外線照射を実施せず
に直接半導体レーザービームを入力情報にしたがい、記
録試験ｌと同じ出力で記録媒体表面の所定位置に照射時
間を種々変更して記録層表面］二に照射（照射時間５０
０ｎｓ〜５ｇｓ／１ビット）シ、ピットを形成すること
による記録を実施した。顕微鏡で観察した結果、この光
記録媒体においては、一つのピットを明瞭に形成するに
は５　ｇｓ以りの照射時間を要することが判明した。

実施例２ 一般弐Ｃ、、Ｈ２，、−Ｃ三ｃ−ｃ＝　Ｃ−Ｃ３Ｈ＋　
６−　ＧＯＤＨで表わされるジアセチレン誘導体化合物
に代え、一般式ＣＩＩＨ１７０三〇−Ｃ＝Ｃ−Ｃ，）＋
４−Ｃ０ＯＨを用いたことを除いては実施例１と同様の
方法により光記録媒体を作成した。

実施例３〜１１ 染料Ａ（３）で表わされるクロコニックメチン染料に代
え、染料遂（１２）　、　（２３）　、　（２Ｂ）　、
　（３１）　。

（３Ｂ）　、　（３７）　、　（３９）　、　（４０）
および（４２）で表わされるクロコニックメチン染料を
それぞれ用いたことを除いては実施例１と同様の方法に
より資料番号８と同様の光記録媒体を作成した。

記録試験３ 実施例２〜１１で作成した光記録媒体を用いて、記録試
験ｌと同様にして記録試験を実施した。この記録結果の
評価を第２表に示した。

第　　２　　表

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、本発明の光記録媒体の構成を例
示する模式断面図である。第３ａ図および第３ｂ図は、
本発明の光記録媒体の記録の態様を示す模式断面図であ
る。 ｌ：基板　　　　　　２：記録層 ３：Ａ層（ジアセチレン誘導体化合物含有層）４：８層
（クロコニックメチン染料含有層）５：右ｍ担体分子 ６：クロコニックメチン染料 ７：レーザービーム ８：発熱部位 ９：赤色変色部位（記録部位） 特許出願人　　キャノン株式会社 代　　理　　人　　　若　　　林　　　　　忠粥　１ｌ
−１ｊ 床２　図 第３ａ　　：４’。 ！　　　　　１ 第３ｂ図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）少なくとも親水性部位および疎水性部位を併有する
   ジアセチレン誘導体化合物の単分子膜またはその累積膜
   からなるＡ層と、クロコニックメチン染料を含有してな
   る単分子膜またはその累積膜からなるＢ層とが積層され
   てなり、かつＡ層とＢ層との接合面を二以上有してなる
   記録層を有することを特徴とする光記録媒体。 ２）記録層が、Ａ層とＢ層とが周期的に積層されて構成
   されたものである特許請求の範囲第１項記載の光記録媒
   体。