JPS62155501A - 有機正特性サ−ミスタ素子の製造方法 - Google Patents
有機正特性サ−ミスタ素子の製造方法Info
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- JPS62155501A JPS62155501A JP29814885A JP29814885A JPS62155501A JP S62155501 A JPS62155501 A JP S62155501A JP 29814885 A JP29814885 A JP 29814885A JP 29814885 A JP29814885 A JP 29814885A JP S62155501 A JPS62155501 A JP S62155501A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
皇呈上皇肌里分立
本発明は、例えば消磁電流の制御等に使用される有機正
特性サーミスタ素子の製造方法に関する。
特性サーミスタ素子の製造方法に関する。
ｌ米傅返止
従来、有機正特性サーミスタ素子は、導電性粒子を混入
した有機高分子材料をシート状に押出成形して第２図（
イ）に示すようなシート状成形体１となし、このシート
状成形体１の両面に金屈箔を熱圧着するか又は金属メッ
キを施すことによって第２図（ロ）に示すように電極層
２を形成し、その後、これをチップブレイクすることに
よっ゛ζ製造されていた。
した有機高分子材料をシート状に押出成形して第２図（
イ）に示すようなシート状成形体１となし、このシート
状成形体１の両面に金屈箔を熱圧着するか又は金属メッ
キを施すことによって第２図（ロ）に示すように電極層
２を形成し、その後、これをチップブレイクすることに
よっ゛ζ製造されていた。
）■が° しようとする間 占
しかしながら、上記のような製造方法では、第２図（イ
）に示すようにシート状成形体ｌの上下の表層部１１に
おいて導電性粒子３の密度が極端に低下し、いわば有機
高分子材料単独の被膜が形成されたような状態となる。
）に示すようにシート状成形体ｌの上下の表層部１１に
おいて導電性粒子３の密度が極端に低下し、いわば有機
高分子材料単独の被膜が形成されたような状態となる。
そのため、このようなシート状成形体１の両面に電極層
２を形成して得られる有機正特性サーミスタ素子は、表
層部１１の抵抗が増大して所期の抵抗値が得られなくな
り、また通電時に該表層部１１の発熱が大きくなって、
電極層２と該表層部１１との間に熱膨張差に基づく大き
いストレスを生じ、０Ｎ−ＯＦＦの繰返しによって短期
間のうちに抵抗値が大幅にアンプする等、信頼性の面で
問題があった。
２を形成して得られる有機正特性サーミスタ素子は、表
層部１１の抵抗が増大して所期の抵抗値が得られなくな
り、また通電時に該表層部１１の発熱が大きくなって、
電極層２と該表層部１１との間に熱膨張差に基づく大き
いストレスを生じ、０Ｎ−ＯＦＦの繰返しによって短期
間のうちに抵抗値が大幅にアンプする等、信頼性の面で
問題があった。
ロ 占を”ンするための
かかる問題を解決するため、本発明は、導重性粒子を混
入した有機高分子材料をシート状に成形し、このシート
状成形体の両面に電極層を形成したのちチップブレイク
する有機正特性サーミスタ素子の製造方法において、上
記電極層の形成時又は形成前に、上記シート状成形体の
表層部に導電性粒子を埋入することを要旨とするもので
ある。
入した有機高分子材料をシート状に成形し、このシート
状成形体の両面に電極層を形成したのちチップブレイク
する有機正特性サーミスタ素子の製造方法において、上
記電極層の形成時又は形成前に、上記シート状成形体の
表層部に導電性粒子を埋入することを要旨とするもので
ある。
光皿■作朋
このように導電性粒子を電極層の形成時又は形成前にシ
ート状成形体の表層部に埋入させると、表層部の導電性
粒子の密度が上がり、シート状成形体内部の密度とほぼ
同様となる。従って、シート状成形体表層部の抵抗増大
が抑制され、通電時の発熱量も少なくなる。
ート状成形体の表層部に埋入させると、表層部の導電性
粒子の密度が上がり、シート状成形体内部の密度とほぼ
同様となる。従って、シート状成形体表層部の抵抗増大
が抑制され、通電時の発熱量も少なくなる。
去ｉ皿
以下、実施例を挙げて本発明を詳述する。
第１図は本発明製造方法の一実施例の説明図であって、
この実施例によれば、まず、第１図（イ）に示すように
、導電性粒子を混入した有機高分子材料１ａが押出成形
機４の先端ダイスより押出され、シート状に成形される
。有機高分子材料としては１、例えばポリエチレン、ポ
リプロピレン、ポリブタジェン等の熱可塑性樹脂が使用
される。
この実施例によれば、まず、第１図（イ）に示すように
、導電性粒子を混入した有機高分子材料１ａが押出成形
機４の先端ダイスより押出され、シート状に成形される
。有機高分子材料としては１、例えばポリエチレン、ポ
リプロピレン、ポリブタジェン等の熱可塑性樹脂が使用
される。
また、導電性粒子としては、例えばカーボン粉末、グラ
ファイト粉末、金属粉末等が使用され、特に０．０１〜
０．２μｍ程度の粒径を有するものが好適に使用される
。かかる導電性粒子は、有機高分子材料１００部（重量
部、以下同様）に対し２０〜１５０部の割合で配合する
のが望ましい。
ファイト粉末、金属粉末等が使用され、特に０．０１〜
０．２μｍ程度の粒径を有するものが好適に使用される
。かかる導電性粒子は、有機高分子材料１００部（重量
部、以下同様）に対し２０〜１５０部の割合で配合する
のが望ましい。
このように押出成形されたシート状成形体１は正の抵抗
温度特性を有しており、第１図（ロ）に示すように、上
下の表層部１１における導電性粒子３の密度が極端に低
く、いわば有機高分子材料単独の被膜が形成されたよう
な状態となっている。
温度特性を有しており、第１図（ロ）に示すように、上
下の表層部１１における導電性粒子３の密度が極端に低
く、いわば有機高分子材料単独の被膜が形成されたよう
な状態となっている。
そこで、この実施例では、第１図（ハ）に示すようにシ
ート状成形体１の上下両面に導電性粒子３′を散布し、
第１図（ニ）に示すように上下から金属箔２ａ、２ａを
重ねて例えばホットプレス機等で熱圧着することによっ
て、第１図（ホ）に示すようにシート状成形体１の上下
両面に電極層２．２を形成すると同時に導電性粒子３′
をシート状成形体１の上下の表層部１１．１１に埋入す
る。この金属箔２ａ、２ａの熱圧着は、例えば１９０℃
前後の温度、１５０ ｋｇ／ａａ前後の圧力で、数回繰
り返し行うのが望ましい。このように散布した導電性粒
子３′を表層部１１に埋入すると、表層部１１の導電性
粒子の密度が増してシート状成形体１内部の密度とほぼ
同様となる。
ート状成形体１の上下両面に導電性粒子３′を散布し、
第１図（ニ）に示すように上下から金属箔２ａ、２ａを
重ねて例えばホットプレス機等で熱圧着することによっ
て、第１図（ホ）に示すようにシート状成形体１の上下
両面に電極層２．２を形成すると同時に導電性粒子３′
をシート状成形体１の上下の表層部１１．１１に埋入す
る。この金属箔２ａ、２ａの熱圧着は、例えば１９０℃
前後の温度、１５０ ｋｇ／ａａ前後の圧力で、数回繰
り返し行うのが望ましい。このように散布した導電性粒
子３′を表層部１１に埋入すると、表層部１１の導電性
粒子の密度が増してシート状成形体１内部の密度とほぼ
同様となる。
散布される導電性粒子３′としては、有機高分子材料混
入される前記の導電性粒子３と同様のものが使用され、
その散布量としては、例えばカーボン粉末を使用する場
合０．１〜１ｍｇ／ｃｎｌ程度とするのが望ましい。あ
まり多量に散布すると、シート状成形体ｌの表層部１１
における有機高分子材料の占める割合が少なくなって、
金属箔２ａの熱圧着性が低下する等の不都合を生じ、逆
に散布量が少なすぎると表層部１１の導電性粒子の密度
増加が不充分となって、抵抗の増大を満足に抑制できな
い等の不都合を生じるからである。また金属箔２ａとし
ては、例えばニッケル箔やアルミ箔や銅箔のようなオー
ミックな電極層を形成しうるものが好適に使用される。
入される前記の導電性粒子３と同様のものが使用され、
その散布量としては、例えばカーボン粉末を使用する場
合０．１〜１ｍｇ／ｃｎｌ程度とするのが望ましい。あ
まり多量に散布すると、シート状成形体ｌの表層部１１
における有機高分子材料の占める割合が少なくなって、
金属箔２ａの熱圧着性が低下する等の不都合を生じ、逆
に散布量が少なすぎると表層部１１の導電性粒子の密度
増加が不充分となって、抵抗の増大を満足に抑制できな
い等の不都合を生じるからである。また金属箔２ａとし
ては、例えばニッケル箔やアルミ箔や銅箔のようなオー
ミックな電極層を形成しうるものが好適に使用される。
このように電極Ｒ２，２の形成されたシート状成形体１
は所定の大きさにチップブレイクされ、目的とする有機
正特性サーミスタ素子が得られる。このようにして得ら
れた有機正特性サーミスタ素子Ｓは、例えば第１図（へ
）に示すように、その両面の電極層２．２に外部導出リ
ード５．５が半田付けされ、更に外装樹脂６でモールド
されて完成部品となる。
は所定の大きさにチップブレイクされ、目的とする有機
正特性サーミスタ素子が得られる。このようにして得ら
れた有機正特性サーミスタ素子Ｓは、例えば第１図（へ
）に示すように、その両面の電極層２．２に外部導出リ
ード５．５が半田付けされ、更に外装樹脂６でモールド
されて完成部品となる。
上記の実施例では、金５７ｆ３２ ａをシート状成形体
１の両面に熱圧着して電極層２を形成すると同時に導電
性粒子３′をシート状成形体１０表層部１１に埋入して
いるが、この導電性粒子３′の埋入は電極層２を形成す
る前に例えばホットプレス等で押圧することによって行
うようにしてもよい。このように電極層２の形成前に導
電性粒子３′を埋入する場合は、電極Ｒ２の形成手段と
して、前記実施例のような金属箔２ａの熱圧着手段の他
に、例えば金属メッキ等の手段も採用することができる
利点がある。
１の両面に熱圧着して電極層２を形成すると同時に導電
性粒子３′をシート状成形体１０表層部１１に埋入して
いるが、この導電性粒子３′の埋入は電極層２を形成す
る前に例えばホットプレス等で押圧することによって行
うようにしてもよい。このように電極層２の形成前に導
電性粒子３′を埋入する場合は、電極Ｒ２の形成手段と
して、前記実施例のような金属箔２ａの熱圧着手段の他
に、例えば金属メッキ等の手段も採用することができる
利点がある。
以上のような本発明製造方法によって得られる有機正特
性サーミスタ素子は、散布した導電性粒子３′がシート
状成形体１の表層部１１に埋入され、該表層部１１の導
電性粒子密度がシート状成形体１内部の導電性粒子密度
とほぼ同様となっているので、表層部１１における抵抗
増加が殆どない。従って、このような有機正特性サーミ
スタ素子は所期の小さな抵抗値を示し、また通電時にお
ける表層部１１の発熱量が少ないので、表層部１１と電
極層２の間の熱膨張差によるストレスも小さくなり、０
Ｎ−ＯＦＦ試験のような冷熱サイクルに対する安定性が
向上するといった利点がある。
性サーミスタ素子は、散布した導電性粒子３′がシート
状成形体１の表層部１１に埋入され、該表層部１１の導
電性粒子密度がシート状成形体１内部の導電性粒子密度
とほぼ同様となっているので、表層部１１における抵抗
増加が殆どない。従って、このような有機正特性サーミ
スタ素子は所期の小さな抵抗値を示し、また通電時にお
ける表層部１１の発熱量が少ないので、表層部１１と電
極層２の間の熱膨張差によるストレスも小さくなり、０
Ｎ−ＯＦＦ試験のような冷熱サイクルに対する安定性が
向上するといった利点がある。
次に実験例をあげて更に具体的に説明する。
（実験例）
ポリエチレン１００部に対しカーボン粉末（平均粒ｐＩ
！：０．０４３μｍ）を７５部の割合で混入した材料を
押出成形し、これをカットして２００Ｘ２００Ｘ０，５
ｍのシート状成形体を得た。このシート状成形体の両面
に上記のカーボン粉末を０．５■／ｃＩＡの割合で一様
に散布し、ニッケル箔を重ねて１９０℃、１５０ｋｇ／
ｃｎｌの条件で２分間の熱圧着を５回繰り返し、散布し
たカーボン粉末をシート状成形体の表層部に埋入すると
共に両面に電極層を形成した。そして、これをｌ０ＸＩ
ＯＸＱ、５ｍｍのサイズにチップブレイクして目的とす
る有機正特性サーミスタ素子Ａを得た。
！：０．０４３μｍ）を７５部の割合で混入した材料を
押出成形し、これをカットして２００Ｘ２００Ｘ０，５
ｍのシート状成形体を得た。このシート状成形体の両面
に上記のカーボン粉末を０．５■／ｃＩＡの割合で一様
に散布し、ニッケル箔を重ねて１９０℃、１５０ｋｇ／
ｃｎｌの条件で２分間の熱圧着を５回繰り返し、散布し
たカーボン粉末をシート状成形体の表層部に埋入すると
共に両面に電極層を形成した。そして、これをｌ０ＸＩ
ＯＸＱ、５ｍｍのサイズにチップブレイクして目的とす
る有機正特性サーミスタ素子Ａを得た。
比較のために、上記のシート状成形体の両面にカーボン
粉末を散布しないでニッケル箔を直接熱圧着し、同サイ
ズにチップブレイクして有機正特性サーミスタＢを得た
。
粉末を散布しないでニッケル箔を直接熱圧着し、同サイ
ズにチップブレイクして有機正特性サーミスタＢを得た
。
これらの有機正特性サーミスタ素子Ａ、Ｂについて抵抗
値を測定したところ、本発明装造方法によって得られた
有機正特性サーミスタ素子Ａは、その抵抗値が０．０７
Ωと低いのに対し、従来方法で得られた有機正特性サー
ミスタ素子Ｂは、その抵抗値がＯｏ・１２２Ωと大きか
った。
値を測定したところ、本発明装造方法によって得られた
有機正特性サーミスタ素子Ａは、その抵抗値が０．０７
Ωと低いのに対し、従来方法で得られた有機正特性サー
ミスタ素子Ｂは、その抵抗値がＯｏ・１２２Ωと大きか
った。
更に、これらの素子Ａ、Ｈについて、１分間ＯＮ、５分
間ＯＦＦの条件で０Ｎ−ＯＦＦ試験を行った結果、従来
方法でえられた素子Ｂは５００サイクルで１００％以上
の抵抗値増加を示したのに対し、本発明製造方法で得ら
れた上記素子Ａは５００サイクルで僅か３０％の抵抗値
増加を示しただけであり、安定性が良好であった。
間ＯＦＦの条件で０Ｎ−ＯＦＦ試験を行った結果、従来
方法でえられた素子Ｂは５００サイクルで１００％以上
の抵抗値増加を示したのに対し、本発明製造方法で得ら
れた上記素子Ａは５００サイクルで僅か３０％の抵抗値
増加を示しただけであり、安定性が良好であった。
光肌公立栗
以上の説明から明らかなように、本発明の製造方法では
、電極層の形成時又は形成前にシート状成形体の表面層
に導電性粒子を埋入して、該表層部の導電性粒子密度を
シート状成形体内部の導電性粒子密度とほぼ同様にする
ため、抵抗値が小さく且つ０Ｎ−ＯＦＦ試験のような冷
熱サイクルに対する安定性の高い有機正特性サーミスタ
素子を得ることができ、また、このように抵抗が少ない
と、素子をかなり小型化しても従来の素子と同程度の抵
抗値となるので、素子の小型化を図ることが可能となる
。しかも導電性粒子の埋入は、ホットプレス機等を用い
て、電極層の形成時又は形成前に容易に行うことができ
るので、特別な装置等を新たに設置する必要がなく、経
済的である。
、電極層の形成時又は形成前にシート状成形体の表面層
に導電性粒子を埋入して、該表層部の導電性粒子密度を
シート状成形体内部の導電性粒子密度とほぼ同様にする
ため、抵抗値が小さく且つ０Ｎ−ＯＦＦ試験のような冷
熱サイクルに対する安定性の高い有機正特性サーミスタ
素子を得ることができ、また、このように抵抗が少ない
と、素子をかなり小型化しても従来の素子と同程度の抵
抗値となるので、素子の小型化を図ることが可能となる
。しかも導電性粒子の埋入は、ホットプレス機等を用い
て、電極層の形成時又は形成前に容易に行うことができ
るので、特別な装置等を新たに設置する必要がなく、経
済的である。
第１図（イ）〜（へ）は本発明に係る有機正特性サーミ
スタ素子の製造方法の一実施例を順次説明する説明図、
第２図（イ）（ロ）は従来例の説明図である。 １ａ・・・有機高分子材料、１・・・シート状成形体、
２・・・電極層、３．３′・・・導電性粒子、１１・・
・表層部。 特許出願人 株式会社村田製作所 １ａ 第２図 １図
スタ素子の製造方法の一実施例を順次説明する説明図、
第２図（イ）（ロ）は従来例の説明図である。 １ａ・・・有機高分子材料、１・・・シート状成形体、
２・・・電極層、３．３′・・・導電性粒子、１１・・
・表層部。 特許出願人 株式会社村田製作所 １ａ 第２図 １図
Claims (1)
- （１）導電性粒子を混入した有機高分子材料をシート状
に成形し、このシート状成形体の両面に電極層を形成し
たのちチップブレイクする有機正特性サーミスタ素子の
製造方法において、上記電極層の形成時又は形成前に、
上記シート状成形体の表層部に導電性粒子を埋入するこ
とを特徴とする有機正特性サーミスタ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29814885A JPS62155501A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 有機正特性サ−ミスタ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29814885A JPS62155501A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 有機正特性サ−ミスタ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62155501A true JPS62155501A (ja) | 1987-07-10 |
| JPH0553041B2 JPH0553041B2 (ja) | 1993-08-09 |
Family
ID=17855815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29814885A Granted JPS62155501A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | 有機正特性サ−ミスタ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62155501A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7355504B2 (en) | 1992-07-09 | 2008-04-08 | Tyco Electronics Corporation | Electrical devices |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6235501A (ja) * | 1985-08-08 | 1987-02-16 | 出光興産株式会社 | 高分子正温度特性抵抗体の製造法 |
-
1985
- 1985-12-27 JP JP29814885A patent/JPS62155501A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6235501A (ja) * | 1985-08-08 | 1987-02-16 | 出光興産株式会社 | 高分子正温度特性抵抗体の製造法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7355504B2 (en) | 1992-07-09 | 2008-04-08 | Tyco Electronics Corporation | Electrical devices |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0553041B2 (ja) | 1993-08-09 |
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