JPS6235501A - 高分子正温度特性抵抗体の製造法 - Google Patents
高分子正温度特性抵抗体の製造法Info
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- JPS6235501A JPS6235501A JP17326485A JP17326485A JPS6235501A JP S6235501 A JPS6235501 A JP S6235501A JP 17326485 A JP17326485 A JP 17326485A JP 17326485 A JP17326485 A JP 17326485A JP S6235501 A JPS6235501 A JP S6235501A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、高分子正温度特性抵抗体の製造法に関し、更
に詳しくは、電極と正温度特性を有する成形体との相互
密着強度が大きくて接触抵抗が小さく、かつヒートショ
ックに対する耐性が大きな高分子正温度特性抵抗体の製
造法に関する。
に詳しくは、電極と正温度特性を有する成形体との相互
密着強度が大きくて接触抵抗が小さく、かつヒートショ
ックに対する耐性が大きな高分子正温度特性抵抗体の製
造法に関する。
［従来の技術及び発明が解決しようとする問題点］電気
、電子機器部品に付帯して使用される正温度特性素子と
して、最近、基材が高分子からなっていて正温度特性を
有する高分子抵抗体が賞用されている。
、電子機器部品に付帯して使用される正温度特性素子と
して、最近、基材が高分子からなっていて正温度特性を
有する高分子抵抗体が賞用されている。
このような抵抗体は、通常、正温度特性を具備する高分
子成形体とその表裏面に取付けられた電極とから構成さ
れている。
子成形体とその表裏面に取付けられた電極とから構成さ
れている。
これら高分子抵抗体の中には、例えばＵＳＰ−４４２８
１３３３号公報に開示されているように、正温度特性を
有する成形体の表裏面に電極として金属箔を圧着して一
体化したものや、特開昭５５−１５９０７号公報に開示
されているように、正温度特性を有する成形体の表裏面
に電極として網状金属を熱融着して一体化したものが知
られている。
１３３３号公報に開示されているように、正温度特性を
有する成形体の表裏面に電極として金属箔を圧着して一
体化したものや、特開昭５５−１５９０７号公報に開示
されているように、正温度特性を有する成形体の表裏面
に電極として網状金属を熱融着して一体化したものが知
られている。
しかしながら、このように金属箔や網状金属を高分子成
形体に取付けた高分子抵抗体においては、電極−成形体
間の接触抵抗を十分に低減することが困難である。
形体に取付けた高分子抵抗体においては、電極−成形体
間の接触抵抗を十分に低減することが困難である。
また、高分子正温度特性抵抗体の電極を成形体の表面に
金属メッキを施すことによって形成する方法が知られて
いる（特開昭８０−３８８１号）。
金属メッキを施すことによって形成する方法が知られて
いる（特開昭８０−３８８１号）。
しかしながら、この場合、メッキ皮膜と成形体の密着強
度が充分ではなく、しかもヒートシカ。ツタに対する耐
性が十分ではないという問題がある。
度が充分ではなく、しかもヒートシカ。ツタに対する耐
性が十分ではないという問題がある。
本発明は、上記した問題点を解消し、電極と正温度特性
を有する成形体との相互密着強度が大きくて接触抵抗の
小さく、かつヒートシ冒ツクに対する耐性が大きな高分
子正温度特性抵抗体の製造法の提供を目的とする。
を有する成形体との相互密着強度が大きくて接触抵抗の
小さく、かつヒートシ冒ツクに対する耐性が大きな高分
子正温度特性抵抗体の製造法の提供を目的とする。
［問題点を解決するための手段及び作用］本発明の高分
子正温度特性抵抗体の製造方法は、結晶性高分子重合体
４０〜８０重量％と導電性充填材１０〜６０重量％との
混線組成物の成形体に、導電体を該導電体の一部が該成
形体の表面から露出するように圧着により埋め込み、つ
いで、該導電体の一部が露出している成形体表面にメッ
キ処理を施すことを特徴とする。
子正温度特性抵抗体の製造方法は、結晶性高分子重合体
４０〜８０重量％と導電性充填材１０〜６０重量％との
混線組成物の成形体に、導電体を該導電体の一部が該成
形体の表面から露出するように圧着により埋め込み、つ
いで、該導電体の一部が露出している成形体表面にメッ
キ処理を施すことを特徴とする。
まず、本発明で使用される正温度特性を有する成形体は
、結晶性高分子重合体と導電性充填材とからなる。
、結晶性高分子重合体と導電性充填材とからなる。
成形体の構成要件の１つである結晶性高分子重合体とし
ては、ポリエチレン、ポリプロピレン：エチレン共重合
体、ポリアミド、フッ素系重合体などがあげられる。
ては、ポリエチレン、ポリプロピレン：エチレン共重合
体、ポリアミド、フッ素系重合体などがあげられる。
また、他の要件である導電性充填材としては、ファーネ
スブラック、サーマルブラック、アセチレンブラックな
どのカーボンブラックが好ましく、その低粒径２０ル以
下のグラファイト粉末、金属粒子：長さｌｌ１１１以下
でアスペクト比１０以上の炭素繊維、金属繊維；などが
あげられ、また、これらの混合物であってもよい。
スブラック、サーマルブラック、アセチレンブラックな
どのカーボンブラックが好ましく、その低粒径２０ル以
下のグラファイト粉末、金属粒子：長さｌｌ１１１以下
でアスペクト比１０以上の炭素繊維、金属繊維；などが
あげられ、また、これらの混合物であってもよい。
正温度特性を有する成形体は、上記した結晶性高分子重
合体と導電性充填材とを配合して溶融混練したのち、常
法により成形することにより得られる。
合体と導電性充填材とを配合して溶融混練したのち、常
法により成形することにより得られる。
結晶性高分子重合体と導電性充填材の配合割合は、前者
４０〜９０重量％、後者１０〜６０重量％に設定する。
４０〜９０重量％、後者１０〜６０重量％に設定する。
導電性充填材の配合量がｌＯ重量％未歯の場合（したが
って結晶性高分子重合体９０重量％以上）には、得られ
た成形体に正温度特性が発現せず、また、６０重量％を
超えると混線が困難になる。
って結晶性高分子重合体９０重量％以上）には、得られ
た成形体に正温度特性が発現せず、また、６０重量％を
超えると混線が困難になる。
溶融混練は、通常の溶融混練機例えばバンバリーミキサ
−１２本又は３本ロールを用いそ、温度：１２０〜２５
０℃９時間： ５〜４０分間の条件で行なえばよい、ま
た、溶融混線の際、２．５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ
−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３のような周知の架橋
剤を添加して架橋を行なってもよい。
−１２本又は３本ロールを用いそ、温度：１２０〜２５
０℃９時間： ５〜４０分間の条件で行なえばよい、ま
た、溶融混線の際、２．５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ
−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３のような周知の架橋
剤を添加して架橋を行なってもよい。
本発明は、以上のようにして得られた成形体に、導電体
を圧着してさらにその上にメッキ処理を施すことに最大
の特徴を有する。
を圧着してさらにその上にメッキ処理を施すことに最大
の特徴を有する。
用いられる導電体としては、金属例えばＮｉ。
Ｃｕ、Ｆｅ、Ａ文、黄銅などの網状物、細線、粉末。
薄片、不織布、または炭素繊維の不織布、繊維粉などが
あげられる。
あげられる。
導電体を成形体表面に圧着する際、導電体の大部分が成
形体中に埋め込まれかつ導電体の一部が成形体表面から
露出する程度に圧着を行なう必要がある。を形体への導
電体の埋め込み部分が少ない場合には、成形体と導電体
との密着強度が弱くなり、導電体を完全に成形体中に埋
設した場合には、後述するメッキ処理により形成される
メッキ皮膜と導電体との接触が得難くしたがって成形体
とメッキ皮膜との充分な密着強度が得られない。
形体中に埋め込まれかつ導電体の一部が成形体表面から
露出する程度に圧着を行なう必要がある。を形体への導
電体の埋め込み部分が少ない場合には、成形体と導電体
との密着強度が弱くなり、導電体を完全に成形体中に埋
設した場合には、後述するメッキ処理により形成される
メッキ皮膜と導電体との接触が得難くしたがって成形体
とメッキ皮膜との充分な密着強度が得られない。
上記した程度に圧着する際の印加圧力は、用いる導電体
の種類及び成形体の組成などによって異なるが、通常２
〜１００ｋｇ／ｃｔｄ −Ｇ好ましくは５〜５０ ｋｇ
／ＣｒＡ−Ｇの範囲内である。
の種類及び成形体の組成などによって異なるが、通常２
〜１００ｋｇ／ｃｔｄ −Ｇ好ましくは５〜５０ ｋｇ
／ＣｒＡ−Ｇの範囲内である。
この圧着工程においては、該成形体を結晶性高分子重合
体の結晶化温度以上に加熱することが必要である。この
結晶化温度以上に成形体を加熱しない場合には、成形体
と導電体の密着強度が不十分となる０以上の圧着工程は
、熱プレス成形機や熱ロール成形機を用いて行なうこと
ができる。
体の結晶化温度以上に加熱することが必要である。この
結晶化温度以上に成形体を加熱しない場合には、成形体
と導電体の密着強度が不十分となる０以上の圧着工程は
、熱プレス成形機や熱ロール成形機を用いて行なうこと
ができる。
圧着工程が終了したのち、ついで、導電体の一部が露出
している成形体表面にメッキ処理を施す、このメッキ処
理の前処理としてエッチング処理を成形体に施す。
している成形体表面にメッキ処理を施す、このメッキ処
理の前処理としてエッチング処理を成形体に施す。
エツチング処理法としては、クロム混酸液、熱パラキシ
レン溶液等を用いる方法、サンドブラスト等の如く機械
的に表面を粗面化する方法があげられる。
レン溶液等を用いる方法、サンドブラスト等の如く機械
的に表面を粗面化する方法があげられる。
次に、エツチング処理が施された高分子成形体の表面に
メッキ処理を施す、メッキ処理法としては、電気メツキ
法と無電解メッキ法のいずれもが適用できる。
メッキ処理を施す、メッキ処理法としては、電気メツキ
法と無電解メッキ法のいずれもが適用できる。
電気メツキ法においては、金属塩を含むメッキ浴中にこ
の成形体を陰極、金属、黒鉛などを陽極として浸漬して
行なう、メッキ処理に際しては、電流密度０．０５〜Ｉ
ＯＡ／ｄｍ２．メッキ浴温度ｌＯ〜１００°Ｃの条件下
でメッキ液を攪拌しながら行なう。
の成形体を陰極、金属、黒鉛などを陽極として浸漬して
行なう、メッキ処理に際しては、電流密度０．０５〜Ｉ
ＯＡ／ｄｍ２．メッキ浴温度ｌＯ〜１００°Ｃの条件下
でメッキ液を攪拌しながら行なう。
無電解メッキ法においては、メッキ処理の前処理として
通常のプラスチックメッキ法に採用されているセンシタ
イジング・アクチベーション法や、キャタリスト・アク
セレーター法で、成形体表面を活性化させたのち、常法
の無電解メッキを施すとよい、また、無電解メッキを行
なった後に、所定膜厚のメッキ皮膜を得るために、更に
電気メッキを施してもよい。
通常のプラスチックメッキ法に採用されているセンシタ
イジング・アクチベーション法や、キャタリスト・アク
セレーター法で、成形体表面を活性化させたのち、常法
の無電解メッキを施すとよい、また、無電解メッキを行
なった後に、所定膜厚のメッキ皮膜を得るために、更に
電気メッキを施してもよい。
また、メッキ皮膜を構成する金属としては、ニッケル、
銅、スズ、クロム、銀、コバルトなどが好ましい。
銅、スズ、クロム、銀、コバルトなどが好ましい。
また、メッキ皮膜の膜厚が０．１戸以上となるようにメ
ッキ処理時間や通電量を調節することが好ましい。
ッキ処理時間や通電量を調節することが好ましい。
［発明の実施例］
実施例１
結晶性高分子重合体として高密度ポリエチレン（出光石
油化学■製：出光ポリエチレン’Ｉ ５４０Ｂ）１００
重量部に対し、平均粒径４３ｍｇのカーボンブラック（
三菱化成工業■製：ダイアブラック０Ｅ）７５重量部を
配合し、これをバンバリーミキサ−により溶融混練した
後、架橋剤として、２．５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ
−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３を １重量部添加し
、架橋させて樹脂組成物を得た。つぎに、この組成物を
熱プレス機により肉厚１ｍｍのシートに成形し、このシ
ートから縦５Ｃ■。
油化学■製：出光ポリエチレン’Ｉ ５４０Ｂ）１００
重量部に対し、平均粒径４３ｍｇのカーボンブラック（
三菱化成工業■製：ダイアブラック０Ｅ）７５重量部を
配合し、これをバンバリーミキサ−により溶融混練した
後、架橋剤として、２．５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ
−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３を １重量部添加し
、架橋させて樹脂組成物を得た。つぎに、この組成物を
熱プレス機により肉厚１ｍｍのシートに成形し、このシ
ートから縦５Ｃ■。
横１０ｃｍの試験片を切り出した。
得られた試験片の両面にニッケルメッキが施された銅製
−の網 （５０メツシユ）を配して、熱プレス成形機に
より、 １３５℃で１０ ｋｇ／ＣｒＡ＠Ｇの圧力をか
けて５分間圧着処理を施した。その結果、網の大部分が
シート中に埋設されその一部分がシート表面に露出した
状態の試験片が得られた。
−の網 （５０メツシユ）を配して、熱プレス成形機に
より、 １３５℃で１０ ｋｇ／ＣｒＡ＠Ｇの圧力をか
けて５分間圧着処理を施した。その結果、網の大部分が
シート中に埋設されその一部分がシート表面に露出した
状態の試験片が得られた。
上記圧着処理が施された試験片をクロム酸混液（ハイク
ロム混酸）中に浸漬して、６０℃で１０分間エツチング
処理した。ついで、試験片を水洗後、硫酸ニッケル２９
０ｇ／見、塩化ニッケル５０ｇ１文、ホウ酸４０ｇ／ｌ
含有する水溶液からなるメッキ浴に浸漬し、この試験片
を陰極とし、ニッケル板を陽極として電気メッキを施し
た。電気メッキは４２℃において、陰極電流密度 ＩＡ
／ｄｍ２＊電気量１θ００クローンであった働 このようにして得られたニッケルメッキ片より、ｌｃ＋
ａ四方の試験片を取り出し、その表裏のニッケルメッキ
皮膜間の電気抵抗をデジタルボルトメーターを用いて四
端子法により測定した。
ロム混酸）中に浸漬して、６０℃で１０分間エツチング
処理した。ついで、試験片を水洗後、硫酸ニッケル２９
０ｇ／見、塩化ニッケル５０ｇ１文、ホウ酸４０ｇ／ｌ
含有する水溶液からなるメッキ浴に浸漬し、この試験片
を陰極とし、ニッケル板を陽極として電気メッキを施し
た。電気メッキは４２℃において、陰極電流密度 ＩＡ
／ｄｍ２＊電気量１θ００クローンであった働 このようにして得られたニッケルメッキ片より、ｌｃ＋
ａ四方の試験片を取り出し、その表裏のニッケルメッキ
皮膜間の電気抵抗をデジタルボルトメーターを用いて四
端子法により測定した。
この結果、室温における電気抵抗値は０．０８Ωであり
、 １５０℃に昇温したときの抵抗値と室温にお４．３ ける抵抗値の比（抵抗増大倍率）は１０ であった
。
、 １５０℃に昇温したときの抵抗値と室温にお４．３ ける抵抗値の比（抵抗増大倍率）は１０ であった
。
また、ニッケルメッキ皮膜の剥離強度（ＪＩＳ−に−８
８５４に準拠）の測定を試みたがＶ、着力が大で測定で
きなかった。さらに、２３０℃から２０℃への熱ショッ
クを与えた後のニッケル皮膜の剥離の有無をみたところ
、全く剥離はなく良好であった。
８５４に準拠）の測定を試みたがＶ、着力が大で測定で
きなかった。さらに、２３０℃から２０℃への熱ショッ
クを与えた後のニッケル皮膜の剥離の有無をみたところ
、全く剥離はなく良好であった。
実施例２
導電体としてニッケルメッキした銅製の網に代え、炭素
繊維の不織布の薄片を用い、かつ電気メツキ時の電気量
を１２００クローンとした外は、実施例１と同様に試験
片を製造した。この結果、電極に用いるニッケルメッキ
皮膜間の電気抵抗値が０．１１Ωであり、また １５０
℃に昇温したときの４．３ 抵抗増大倍率は１０ であった、さらに、２３０℃
から２０℃への熱ショックを与えた後でもニッケルメッ
キ皮膜が剥離することはなかった。
繊維の不織布の薄片を用い、かつ電気メツキ時の電気量
を１２００クローンとした外は、実施例１と同様に試験
片を製造した。この結果、電極に用いるニッケルメッキ
皮膜間の電気抵抗値が０．１１Ωであり、また １５０
℃に昇温したときの４．３ 抵抗増大倍率は１０ であった、さらに、２３０℃
から２０℃への熱ショックを与えた後でもニッケルメッ
キ皮膜が剥離することはなかった。
比較例１
実施例１におけるニッケルメッキを省略したものについ
て、１ｃｍ四方の試験片を取り出して、表裏の銅網電極
間の電気抵抗値を測定した。その結果、電気抵抗値が４
．７８Ωと大きい値であった。
て、１ｃｍ四方の試験片を取り出して、表裏の銅網電極
間の電気抵抗値を測定した。その結果、電気抵抗値が４
．７８Ωと大きい値であった。
比較例２
実施例１で得られた成形体に導電体を埋設することなく
、成形体表面上に直接実施例１と同様のメッキ処理を施
したものを用意した。この場合、Ｉｃｍ四方の試験片の
ニッケル皮膜間の電気抵抗値は０．１３Ωと良好であっ
たが、ニッケルメッキ皮膜の剥離強度が０．１８ｋｇ／
ｃ腸と弱く、 ２３０℃から２０℃への熱ショックによ
ってメッキ皮膜の一部が剥離した。
、成形体表面上に直接実施例１と同様のメッキ処理を施
したものを用意した。この場合、Ｉｃｍ四方の試験片の
ニッケル皮膜間の電気抵抗値は０．１３Ωと良好であっ
たが、ニッケルメッキ皮膜の剥離強度が０．１８ｋｇ／
ｃ腸と弱く、 ２３０℃から２０℃への熱ショックによ
ってメッキ皮膜の一部が剥離した。
［発明の効果］
以上、説明した如く、本発明の方法で得られた高分子正
温度特性抵抗体は、電極と成形体との相互密着強度が大
きくて接触抵抗が小さく、かつヒートショックに対する
耐性が大きい。
温度特性抵抗体は、電極と成形体との相互密着強度が大
きくて接触抵抗が小さく、かつヒートショックに対する
耐性が大きい。
したがって、本発明の製造法は、電気・電子機器などに
使用される正温度特性抵抗体２発熱体の製造に適用して
有効である。
使用される正温度特性抵抗体２発熱体の製造に適用して
有効である。
Claims (1)
- 結晶性高分子重合体４０〜９０重量％と導電性充填材
１０〜６０重量％との混練組成物の成形体に、導電体を
該導電体の一部が該成形体の表面から露出するように圧
着により埋め込み、ついで、該導電体の一部が露出して
いる成形体表面にメッキ処理を施すことを特徴とする高
分子正温度特性抵抗体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17326485A JPS6235501A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 高分子正温度特性抵抗体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17326485A JPS6235501A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 高分子正温度特性抵抗体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6235501A true JPS6235501A (ja) | 1987-02-16 |
| JPH0426521B2 JPH0426521B2 (ja) | 1992-05-07 |
Family
ID=15957223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17326485A Granted JPS6235501A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 高分子正温度特性抵抗体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6235501A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62155501A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-10 | 株式会社村田製作所 | 有機正特性サ−ミスタ素子の製造方法 |
| JPS63312601A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-21 | Tdk Corp | 導電性重合体ｐｔｃ抵抗素子及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-08-08 JP JP17326485A patent/JPS6235501A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62155501A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-10 | 株式会社村田製作所 | 有機正特性サ−ミスタ素子の製造方法 |
| JPS63312601A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-21 | Tdk Corp | 導電性重合体ｐｔｃ抵抗素子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0426521B2 (ja) | 1992-05-07 |
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