JPH01143152U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH01143152U JPH01143152U JP3884888U JP3884888U JPH01143152U JP H01143152 U JPH01143152 U JP H01143152U JP 3884888 U JP3884888 U JP 3884888U JP 3884888 U JP3884888 U JP 3884888U JP H01143152 U JPH01143152 U JP H01143152U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- type region
- island
- regions
- region
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Description
第１図は実施例のフオトダイオードを示す断面
図、第２図は一般的なフオトダイオードを利用し
た例を示す回路図、第３図は第２図に示す回路に
おける応答時間特性図、第４図は従来例のフオト
ダイオードを示す断面図である。 ４……第１導電形基板、５，５１……空乏層、
６，６１……第２導電形領域、７，７１……電極
。
図、第２図は一般的なフオトダイオードを利用し
た例を示す回路図、第３図は第２図に示す回路に
おける応答時間特性図、第４図は従来例のフオト
ダイオードを示す断面図である。 ４……第１導電形基板、５，５１……空乏層、
６，６１……第２導電形領域、７，７１……電極
。
Claims (1)
- 第１導電形半導体基板に第２導電形領域を形成
し、この第２導電形領域内にさらに島状第１導電
形領域を複数形成し、この島状第１導電形領域を
前記第１導電形基板と接続したことを特徴とする
フオトダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3884888U JPH01143152U (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3884888U JPH01143152U (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01143152U true JPH01143152U (ja) | 1989-10-02 |
Family
ID=31265385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3884888U Pending JPH01143152U (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01143152U (ja) |
-
1988
- 1988-03-24 JP JP3884888U patent/JPH01143152U/ja active Pending