JPH0337626A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH0337626A JPH0337626A JP17366289A JP17366289A JPH0337626A JP H0337626 A JPH0337626 A JP H0337626A JP 17366289 A JP17366289 A JP 17366289A JP 17366289 A JP17366289 A JP 17366289A JP H0337626 A JPH0337626 A JP H0337626A
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- liquid crystal
- display device
- crystal display
- insulating film
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、たとえば強誘電性液晶を使用した液晶表示装
置に関する。
置に関する。
従来の技断
近年、コンピュータを中心とする情報ｔｌ！ｌ器の発達
に伴い、情報の伝達手段としての表示装置の果たす役割
が重要になってきている。従来の表示装置として代表的
なものは、ＣＲＴ（陰極線管〉であるが、構成の小型化
および消費電力の低減が可能であるという点から、最近
では液晶表示装置が広く利用されている。さらに、大面
積か−）大容量の液晶表示装置に対する要求は強く、そ
の実現が強く望まれている。
に伴い、情報の伝達手段としての表示装置の果たす役割
が重要になってきている。従来の表示装置として代表的
なものは、ＣＲＴ（陰極線管〉であるが、構成の小型化
および消費電力の低減が可能であるという点から、最近
では液晶表示装置が広く利用されている。さらに、大面
積か−）大容量の液晶表示装置に対する要求は強く、そ
の実現が強く望まれている。
上記液晶表示装置を実現するものとして、強誘電性液晶
を使用した液晶表示装置が注目されている０強２１．電
性液晶には、通常力・ｆラルスメタテインク液晶が用い
られる。一般に、強誘電性液晶はカイラルスメタティッ
ク層では螺旋構造をとるが、薄いセルに注入すると界面
の影響でその螺旋ｉ造がほどけ、第８図（ａ）に示すよ
うに液晶分子１８がス、メタティック層法線１７から傾
き角＋θ１９だけ傾いたドメインと、逆方向に一θ２０
だけ傾いたドメインとが混在するようになる。これに電
圧を印加すると、第８図（ｂ）に示すように自発電極の
向きが揃った、すなわち分子配向が一定の状態であるド
メインが得られる。またこれに電圧を逆印加すると、第
８図（ｃ）に示すように分子配向が第８図（ｂ）とは逆
方向の一定の状態であるドメインが得られる。このよう
に電圧の印加および逆印加に伴い複屈折が変化するので
、偏光板を用いて液晶表示装置を形成することができる
。
を使用した液晶表示装置が注目されている０強２１．電
性液晶には、通常力・ｆラルスメタテインク液晶が用い
られる。一般に、強誘電性液晶はカイラルスメタティッ
ク層では螺旋構造をとるが、薄いセルに注入すると界面
の影響でその螺旋ｉ造がほどけ、第８図（ａ）に示すよ
うに液晶分子１８がス、メタティック層法線１７から傾
き角＋θ１９だけ傾いたドメインと、逆方向に一θ２０
だけ傾いたドメインとが混在するようになる。これに電
圧を印加すると、第８図（ｂ）に示すように自発電極の
向きが揃った、すなわち分子配向が一定の状態であるド
メインが得られる。またこれに電圧を逆印加すると、第
８図（ｃ）に示すように分子配向が第８図（ｂ）とは逆
方向の一定の状態であるドメインが得られる。このよう
に電圧の印加および逆印加に伴い複屈折が変化するので
、偏光板を用いて液晶表示装置を形成することができる
。
この液晶表示装置では、第８図く（１）で示すように電
界を切っても、界面の配向規制力によって電界を切る前
のその分子配向が維持され、高い記憶効果を得ることが
可能である。高いデユーティのマルチプレックス駆動表
示を行うＪ′％き、上記の記憶効果が非常に有効である
。このような電界を切った後も分子配向が維持される記
憶効果を傾き角セθと一部との２状態で得るためには、
上下透光性基板での配向規制力の差を少なくし、液晶分
子の配向非対称性を小さくして＋θ傾いたドメインと−
θ傾いたドメインとが混在するようにしなげｉしげなら
ない。
界を切っても、界面の配向規制力によって電界を切る前
のその分子配向が維持され、高い記憶効果を得ることが
可能である。高いデユーティのマルチプレックス駆動表
示を行うＪ′％き、上記の記憶効果が非常に有効である
。このような電界を切った後も分子配向が維持される記
憶効果を傾き角セθと一部との２状態で得るためには、
上下透光性基板での配向規制力の差を少なくし、液晶分
子の配向非対称性を小さくして＋θ傾いたドメインと−
θ傾いたドメインとが混在するようにしなげｉしげなら
ない。
典型的な先行技術を第７図を参照して説明する。
一対の透光性基板２１．２２の対向する表面にマトリッ
クス電極構造をなすストライブ状の透明電極２３，２４
が設置され、その上に絶縁Ｍ２Ｓ。
クス電極構造をなすストライブ状の透明電極２３，２４
が設置され、その上に絶縁Ｍ２Ｓ。
２６を介して配向ｐＡ２７，２８が形成される。透光性
基板２１．２２の間には強誘電性液晶２９が充填され、
透光性基板２１．２２の外方向側表面には偏光板３０．
３１が設置され、強誘電性液晶表示装置３２が構成され
る。
基板２１．２２の間には強誘電性液晶２９が充填され、
透光性基板２１．２２の外方向側表面には偏光板３０．
３１が設置され、強誘電性液晶表示装置３２が構成され
る。
この液晶表示装置では、＋θおよび−θの２状態の記憶
効果を得るために、液晶分子の配向の非対称性が小さく
なっている。
効果を得るために、液晶分子の配向の非対称性が小さく
なっている。
発明が解決すべき課題
このような先行技術の液晶表示装置では、透明電極の絵
素部以外の領域（非絵素部）では電圧が印加されず、ま
た配向の非対称性が小さいため、前述の＋θ傾いたドメ
インと−θ傾いたドメインとが混在している。このため
に第９図に示すように液晶表示装置の表示画面の非絵素
部１４では明るい領域と暗い領域（斜線を付して示す〉
とが混在し、表示画面がざらついているように見えて、
いわゆる均一な抜けが得られず、表示品位が下がるとい
う問題点があった。
素部以外の領域（非絵素部）では電圧が印加されず、ま
た配向の非対称性が小さいため、前述の＋θ傾いたドメ
インと−θ傾いたドメインとが混在している。このため
に第９図に示すように液晶表示装置の表示画面の非絵素
部１４では明るい領域と暗い領域（斜線を付して示す〉
とが混在し、表示画面がざらついているように見えて、
いわゆる均一な抜けが得られず、表示品位が下がるとい
う問題点があった。
本発明の目的は、上述の問題を解決し、絵素部での双安
定な記憶効果と非絵素部でのいわゆる均一な抜けとを実
現し表示品位の向上した液晶表示装置を提供することで
ある。
定な記憶効果と非絵素部でのいわゆる均一な抜けとを実
現し表示品位の向上した液晶表示装置を提供することで
ある。
課題を解決するための手段
本発明は、一対の透光性基板の対向し合う表面の一部に
それぞれ透明電極の絵素部を形成し、この絵素部と前記
透光性基板の残余の表面の非絵素部上にそれぞれ絶縁膜
を介して配向膜を形成し、前記透光性基板間に液晶を充
填する液晶表示装置において、 少なくとも前記一方の透光性基板では、前記絵素部と前
記非絵素部とに異なる素材の絶縁膜を形成し、または絵
素部にのみ絶縁膜を形成することを特徴とする液晶表示
装置である。
それぞれ透明電極の絵素部を形成し、この絵素部と前記
透光性基板の残余の表面の非絵素部上にそれぞれ絶縁膜
を介して配向膜を形成し、前記透光性基板間に液晶を充
填する液晶表示装置において、 少なくとも前記一方の透光性基板では、前記絵素部と前
記非絵素部とに異なる素材の絶縁膜を形成し、または絵
素部にのみ絶縁膜を形成することを特徴とする液晶表示
装置である。
作 用
本発明に従えば、絵素部、非Ｍ−木部に異なる絶縁膜を
形成することで、絵素部と非絵素部のそれぞれにおいて
、絶縁膜の極性差によると考えられる別々の分子配向特
性を得ることができる。その際、絵素部では配向の非対
称性が弱くなり、非絵素部では配向の非対称性が強くな
るように絶縁膜を組今わせれば、絵素部では双安定な記
憶効果を得ることができ、非絵素部では、十〇または一
部のいずれかに傾いた均一な分子配向を得ることができ
る。
形成することで、絵素部と非絵素部のそれぞれにおいて
、絶縁膜の極性差によると考えられる別々の分子配向特
性を得ることができる。その際、絵素部では配向の非対
称性が弱くなり、非絵素部では配向の非対称性が強くな
るように絶縁膜を組今わせれば、絵素部では双安定な記
憶効果を得ることができ、非絵素部では、十〇または一
部のいずれかに傾いた均一な分子配向を得ることができ
る。
絵素部にのみ絶縁膜を形成したＪ′％きも、絵素部では
双安定な記憶効果を得ることができ、非絵素部では＋θ
または−θいずれかに傾いた均一な分子配向を得ること
ができる。
双安定な記憶効果を得ることができ、非絵素部では＋θ
または−θいずれかに傾いた均一な分子配向を得ること
ができる。
実施例
第１図は、本発明の一実施例の概略化した断面図である
。第１ｔ２Ｉにおいて強誘電性液晶表示装置１は、ガラ
ス等の透光性基［２，３を有し、その間には強誘電性液
晶４が充填されている。透光性基板２．３の対向する表
面には、マトリクス構造を形成するストライブ状の透明
電極５．６が設置され、この透明電極および透光性基板
の残余の表面上には絶縁膜７，８．９および配向［１０
，１１がこの順に形成されている。透光性基板２．３の
外方向側表面には曙光板１２．１３が直交ニコルとなる
ように設置されている。
。第１ｔ２Ｉにおいて強誘電性液晶表示装置１は、ガラ
ス等の透光性基［２，３を有し、その間には強誘電性液
晶４が充填されている。透光性基板２．３の対向する表
面には、マトリクス構造を形成するストライブ状の透明
電極５．６が設置され、この透明電極および透光性基板
の残余の表面上には絶縁膜７，８．９および配向［１０
，１１がこの順に形成されている。透光性基板２．３の
外方向側表面には曙光板１２．１３が直交ニコルとなる
ように設置されている。
透光性基板３には、全面に絶縁Ｍ９としてＴ ａ２０５
がスパッタ法を用いて蒸着されている。透光性基板２に
は、絵素部には同じＴ ｃｔ ２０ ｓの絶縁膜７が形
成されているが、非絵素部には絶縁膜７の上に絶縁膜８
としてＳｉＯ２が形成されている。
がスパッタ法を用いて蒸着されている。透光性基板２に
は、絵素部には同じＴ ｃｔ ２０ ｓの絶縁膜７が形
成されているが、非絵素部には絶縁膜７の上に絶縁膜８
としてＳｉＯ２が形成されている。
第３（２ｆｆは、上記実施例の液晶表示装置において透
光性基板２に異なる絶縁膜を形１友’Ｊ−７ＪＬ程を１
した製造工程図である。まず、第３図（ａ ）に示すよ
うにストライプ状に透明電極５を形成した透光性基板２
上にＴ ＝ｔ ２０’ ｓの絶縁膜７をスパッタ法を用
いて形成する０次に第３図（ｂ）に示すように、その上
に絶縁ｌＩ！８としてＳ ｉ Ｏ２膜（商品名、ＯＣＤ
ＴＹＰＥ−ＩＩ：東京応化株式会社製）をスピンナ
塗布し、３５０℃で焼成する。さらに第３図（Ｃ）に示
すようにフォトレジスト１６を塗布し、９０℃で仮焼成
し、非電極形状に対応したフォトマスクを用い高圧水銀
灯で露光し、現像を行った後、１２０℃で本焼成する。
光性基板２に異なる絶縁膜を形１友’Ｊ−７ＪＬ程を１
した製造工程図である。まず、第３図（ａ ）に示すよ
うにストライプ状に透明電極５を形成した透光性基板２
上にＴ ＝ｔ ２０’ ｓの絶縁膜７をスパッタ法を用
いて形成する０次に第３図（ｂ）に示すように、その上
に絶縁ｌＩ！８としてＳ ｉ Ｏ２膜（商品名、ＯＣＤ
ＴＹＰＥ−ＩＩ：東京応化株式会社製）をスピンナ
塗布し、３５０℃で焼成する。さらに第３図（Ｃ）に示
すようにフォトレジスト１６を塗布し、９０℃で仮焼成
し、非電極形状に対応したフォトマスクを用い高圧水銀
灯で露光し、現像を行った後、１２０℃で本焼成する。
続いて第３図（に）に示すようにフッ酸と硝酸を１ ：
２００の混す比で混きした溶液を用いて２０秒間エツ
チングを行い、電極部のＳｉＯ□の絶ＡＩ！ｙｌＡ８を
剥離し、エチルセロソルブアセテートで、アセｌ−ンを
剥離する９ 第３図には示していないが、さらにその上にナイロン６
（商品名：東し株式会社製、１２６メタクレゾ一ルｉｇ
ｎ ＞を５００人の厚さにスピンナ塗布し、焼成して
配向膜１０を形成する。このようにして形成した透光性
基板２の配向膜１０と、全面にＴ ｃｔ ２０ ｓを絶
縁膜９として形成した透光性基板３の配向膜１１とに、
パラレルまたはアンチパラレルとなるようにラビングを
施し、セル厚２．Ｏμｒ０になるようにセル化し、強誘
電性液晶を注入し、封止して２枚の偏光板１２．ｊ３を
外方向側表面に設置して第１図に示す液晶表示装置を形
成する。
２００の混す比で混きした溶液を用いて２０秒間エツ
チングを行い、電極部のＳｉＯ□の絶ＡＩ！ｙｌＡ８を
剥離し、エチルセロソルブアセテートで、アセｌ−ンを
剥離する９ 第３図には示していないが、さらにその上にナイロン６
（商品名：東し株式会社製、１２６メタクレゾ一ルｉｇ
ｎ ＞を５００人の厚さにスピンナ塗布し、焼成して
配向膜１０を形成する。このようにして形成した透光性
基板２の配向膜１０と、全面にＴ ｃｔ ２０ ｓを絶
縁膜９として形成した透光性基板３の配向膜１１とに、
パラレルまたはアンチパラレルとなるようにラビングを
施し、セル厚２．Ｏμｒ０になるようにセル化し、強誘
電性液晶を注入し、封止して２枚の偏光板１２．ｊ３を
外方向側表面に設置して第１図に示す液晶表示装置を形
成する。
この液晶表示装置は、絵素部では良好な双安定記憶効果
が得られ、また非絵素部では第６図に示すようないわゆ
る均一な抜けを得ることができる。
が得られ、また非絵素部では第６図に示すようないわゆ
る均一な抜けを得ることができる。
本実施例では、Ｔａ、Ｏ７の代わりにＡｌ２Ｏゴ、Ｓ
ｉＮｘ、ＺｎＯ，ＹｚＯｚなどを用いても同様な結果が
得られる。
ｉＮｘ、ＺｎＯ，ＹｚＯｚなどを用いても同様な結果が
得られる。
絶縁膜上に形成する配向膜は、厚さは５００Å以下とな
るように薄く形成するほうが絶縁膜の極性差がより現れ
やすいと考えられ、抜けの均一性がより高くなる。
るように薄く形成するほうが絶縁膜の極性差がより現れ
やすいと考えられ、抜けの均一性がより高くなる。
第２図は、本発明の他の実施例の概略化した断面図であ
る。本実施例は前述の実施例に類似し対応する部分には
同一の参照符をｆすす、注目すべき点は、透光性基板３
にはＳ ｉ Ｏｚ絶縁膜９が形成され、他の透光性基板
３の絵素部にはＳ ｉ Ｏ２の絶縁膜７が形成されてい
るが、非絵素部には絶縁膜が形成されていない点である
。
る。本実施例は前述の実施例に類似し対応する部分には
同一の参照符をｆすす、注目すべき点は、透光性基板３
にはＳ ｉ Ｏｚ絶縁膜９が形成され、他の透光性基板
３の絵素部にはＳ ｉ Ｏ２の絶縁膜７が形成されてい
るが、非絵素部には絶縁膜が形成されていない点である
。
第４図（ａ）〜第４図（Ｃ）は、この実施例の液晶表示
装置において、絶縁膜の形成までを示す製造工程図であ
る。まず、第４図（ａ）に示すようにストライブ状に透
明電極５を形成した透光性基板２上にフォトレジスト１
６を塗布し、９０℃で仮焼成し、１Ｆ＠、種形状に対応
した７オト〜マスクを用いて高圧水銀灯で露光し、現像
を行った後、１２０℃で本焼成する。その上に第４ ＠
（’ ｂ ）に示すように絶縁膜としてＳ ｉ Ｏ２
ｖ、７ （商品名、ＯＣＤ ＴＹＰＥ−ＩＩ：東京応
化株式会社製〉をスピンナ塗布し、３５０’Ｃ’′ｃ焼
戊する。次に第４図（ｃ）に示すようにエチルセロンル
ブアセテートで超音波洗浄し、非絵素部上の絶縁膜を除
去する。
装置において、絶縁膜の形成までを示す製造工程図であ
る。まず、第４図（ａ）に示すようにストライブ状に透
明電極５を形成した透光性基板２上にフォトレジスト１
６を塗布し、９０℃で仮焼成し、１Ｆ＠、種形状に対応
した７オト〜マスクを用いて高圧水銀灯で露光し、現像
を行った後、１２０℃で本焼成する。その上に第４ ＠
（’ ｂ ）に示すように絶縁膜としてＳ ｉ Ｏ２
ｖ、７ （商品名、ＯＣＤ ＴＹＰＥ−ＩＩ：東京応
化株式会社製〉をスピンナ塗布し、３５０’Ｃ’′ｃ焼
戊する。次に第４図（ｃ）に示すようにエチルセロンル
ブアセテートで超音波洗浄し、非絵素部上の絶縁膜を除
去する。
第４図には示していないが、さらに前述の実施例と同様
にナイロン６（商品名二東し株式会社製、１％メタクレ
ゾール溶液）をスピンナ塗布し、焼成して配向Ｗｌｌｏ
を形成する。このようにして形成した透光性基板２と、
全面に５ｉｎ２膜（商品名、ＯＣＤ ＴＹＰＥ−ｎ：
東京応１ヒ株式会社製）を絶縁膜９として形成した透光
性基板３の配向膜１１とに、パラレルあるいはアンチパ
ラレルとなるようにラビングを施し、セル厚が２．０Ａ
ｔｒｎになるようにセル化し、強誘電性液晶を注入し、
封止し、２枚の偏光板１２．１３を外方向側表面に設置
して、第２図に示す液晶表示装置を形成す乙。
にナイロン６（商品名二東し株式会社製、１％メタクレ
ゾール溶液）をスピンナ塗布し、焼成して配向Ｗｌｌｏ
を形成する。このようにして形成した透光性基板２と、
全面に５ｉｎ２膜（商品名、ＯＣＤ ＴＹＰＥ−ｎ：
東京応１ヒ株式会社製）を絶縁膜９として形成した透光
性基板３の配向膜１１とに、パラレルあるいはアンチパ
ラレルとなるようにラビングを施し、セル厚が２．０Ａ
ｔｒｎになるようにセル化し、強誘電性液晶を注入し、
封止し、２枚の偏光板１２．１３を外方向側表面に設置
して、第２図に示す液晶表示装置を形成す乙。
この液晶表示装置は、絵素部では良好な双安定な記憶効
果が得られ、非絵素部では第６図に斜線を付して示すよ
うにいわゆる均一な抜けを得ることができる。
果が得られ、非絵素部では第６図に斜線を付して示すよ
うにいわゆる均一な抜けを得ることができる。
絶縁膜上に形成する配向膜は、５００Å以下となるよう
に薄く形成するほうが絶縁膜の極性差がより現れやすい
と考えられ、抜けの均一性がより高くなる。
に薄く形成するほうが絶縁膜の極性差がより現れやすい
と考えられ、抜けの均一性がより高くなる。
またＳｉｎ、の代わりにＴａ２ｅｓ、Ａ ｅ ２０３、
ＺｎＯ，Ｙ、Ｏ，などを用いても同様な結果が得られる
。
ＺｎＯ，Ｙ、Ｏ，などを用いても同様な結果が得られる
。
第５［２１は、第２Ｔｈ？Ｉに示した液晶表示装置の絶
縁膜形成までを示す製造工程図であり、前述の工程とは
異なる工程を用いている。
縁膜形成までを示す製造工程図であり、前述の工程とは
異なる工程を用いている。
第５図（ａ）に示すようにストライプ状に透明電ｆｉ５
を形成した透光性基板２上に絶縁膜７として５ｉｆｔ（
商品名、ＯＣＤ ＴＡＰＥ−４：東京応化株式会社製
）をスピンナ塗布し、３５０℃で焼成し、さらにフォト
レジスト１６を塗布し、９０℃で仮焼成し、絵素形状に
対応した斜線をｆすして示す絵素部に光を通さないフォ
トマスク３５を用いて高圧水銀灯で露光する０次に第５
［］（ｂ）に示すように現像を行った後、１２０℃で本
焼成する１次に第５図（（）に示すようにフッ酸と硝酸
の混合比が１ ： ２００になる溶液で２０秒間エツチ
ングを行い、非絵素部の５ｉｎ２を剥離し、エチルセロ
ソルブアセテートでフォトレジスト１６を剥離する。
を形成した透光性基板２上に絶縁膜７として５ｉｆｔ（
商品名、ＯＣＤ ＴＡＰＥ−４：東京応化株式会社製
）をスピンナ塗布し、３５０℃で焼成し、さらにフォト
レジスト１６を塗布し、９０℃で仮焼成し、絵素形状に
対応した斜線をｆすして示す絵素部に光を通さないフォ
トマスク３５を用いて高圧水銀灯で露光する０次に第５
［］（ｂ）に示すように現像を行った後、１２０℃で本
焼成する１次に第５図（（）に示すようにフッ酸と硝酸
の混合比が１ ： ２００になる溶液で２０秒間エツチ
ングを行い、非絵素部の５ｉｎ２を剥離し、エチルセロ
ソルブアセテートでフォトレジスト１６を剥離する。
第５（２１には示していないが、前述の実施例と同時に
さらにその上に、ナイロン６（商品名、東し株式会社製
、１％メタクレゾール溶液〉を５００人の厚さにスピン
ナ塗布し、焼成して配向膜■０を形成する。このように
して形成した透光性基板２と全面にＳｉＯ２を絶縁ｗＡ
９として形成した透光性基板３の配向［１１とに、パラ
レルあるいはアンチパラレルとなるようにラビングを施
し、セル厚が２．０μｍになるようにセル化し、強誘電
性液晶を注入し、封止し、２枚の偏光板１２．１３を外
方向側表面に設置して液晶表示装置を形成する。
さらにその上に、ナイロン６（商品名、東し株式会社製
、１％メタクレゾール溶液〉を５００人の厚さにスピン
ナ塗布し、焼成して配向膜■０を形成する。このように
して形成した透光性基板２と全面にＳｉＯ２を絶縁ｗＡ
９として形成した透光性基板３の配向［１１とに、パラ
レルあるいはアンチパラレルとなるようにラビングを施
し、セル厚が２．０μｍになるようにセル化し、強誘電
性液晶を注入し、封止し、２枚の偏光板１２．１３を外
方向側表面に設置して液晶表示装置を形成する。
本発明の液晶表示装置では、絵素部では良好な双安定な
記憶効果が得られ、非絵素部ではいわゆる均一な抜けを
得ることができる。
記憶効果が得られ、非絵素部ではいわゆる均一な抜けを
得ることができる。
絶縁膜上に形成する配向膜は、５００Å以下となるよう
に薄く形成するほうが絶縁膜の極性差がより現れやすい
と考えられ、抜けの均一性がより高くなる。
に薄く形成するほうが絶縁膜の極性差がより現れやすい
と考えられ、抜けの均一性がより高くなる。
またＳｉｎ、の代わりにＴ ａ ２０ ｓ、Ａ’ １
ｘ Ｏ３、ＺｎＯ，Ｙ、Ｏ，などを用いても、同様な結
果が得られる。
ｘ Ｏ３、ＺｎＯ，Ｙ、Ｏ，などを用いても、同様な結
果が得られる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、絵素部の液晶分子の配向
の非対称性を小さくし、非絵素部で液晶分子の配向の非
対称性を大きくして、絵素部では双安定な記憶効果を得
、非絵素部ではいわゆる均一な抜けを得ることができる
。
の非対称性を小さくし、非絵素部で液晶分子の配向の非
対称性を大きくして、絵素部では双安定な記憶効果を得
、非絵素部ではいわゆる均一な抜けを得ることができる
。
第１図は本発明の一実施例である液晶表示装置の断面図
、第２図は本発明の他の実施例である液晶表示装置の断
面図、第３図は本発明の一実施例の液晶表示装置におい
て絶縁膜の形成までを示す製造工程図、第４図は本発明
の池の実施例の液晶表示装置の絶縁膜の形成までを示す
製造工程図、第５図は本発明の他の実施例の液晶表示装
置において絶縁膜の形成までを示す製造工程図、第６図
は本発明の液晶表示装置の絵素部および非絵素部の表示
状態を示す平面図、第７Ｕｇは従来技術の液晶表示装置
の断面図、第８図は強誘電性液晶の動作を示す図、第９
図は従来技術の液晶表示装置における絵素部と非絵素部
の表示状態を示す図である。 １・・・強誘電性液晶表示装置、２．３・・・透光性基
板、４・・・強誘電性液晶、５．６・・・透明電極、７
８．９・・・絶縁膜、１０．１１・・・配向膜、１２，
１３・・・偏光板、１４・・・非絵素部、１５・・・絵
素部、１６・・・フォトレジスト、１７・・・スメタテ
ィック層法線、１８・・・液晶分子、１９．２０・・・
傾き角、３３・・・自発分極、３４・・・電界
、第２図は本発明の他の実施例である液晶表示装置の断
面図、第３図は本発明の一実施例の液晶表示装置におい
て絶縁膜の形成までを示す製造工程図、第４図は本発明
の池の実施例の液晶表示装置の絶縁膜の形成までを示す
製造工程図、第５図は本発明の他の実施例の液晶表示装
置において絶縁膜の形成までを示す製造工程図、第６図
は本発明の液晶表示装置の絵素部および非絵素部の表示
状態を示す平面図、第７Ｕｇは従来技術の液晶表示装置
の断面図、第８図は強誘電性液晶の動作を示す図、第９
図は従来技術の液晶表示装置における絵素部と非絵素部
の表示状態を示す図である。 １・・・強誘電性液晶表示装置、２．３・・・透光性基
板、４・・・強誘電性液晶、５．６・・・透明電極、７
８．９・・・絶縁膜、１０．１１・・・配向膜、１２，
１３・・・偏光板、１４・・・非絵素部、１５・・・絵
素部、１６・・・フォトレジスト、１７・・・スメタテ
ィック層法線、１８・・・液晶分子、１９．２０・・・
傾き角、３３・・・自発分極、３４・・・電界
Claims (1)
- 一対の透光性基板の対向し合う表面の一部にそれぞれ透
明電極の絵素部を形成し、この絵素部と前記透光性基板
の残余の表面の非絵素部上にそれぞれ絶縁膜を介して配
向膜を形成し、前記透光性基板間に液晶を充填する液晶
表示装置において、少なくとも前記一方の透光性基板で
は、前記絵素部と前記非絵素部とに異なる素材の絶縁膜
を形成し、または絵素部にのみ絶縁膜を形成することを
特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1173662A JP2535414B2 (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 液晶表示装置 |
| EP19900307293 EP0407164B1 (en) | 1989-07-04 | 1990-07-04 | Liquid crystal display device |
| DE1990619612 DE69019612T2 (de) | 1989-07-04 | 1990-07-04 | Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung. |
| US07/929,500 US5231526A (en) | 1989-07-04 | 1992-08-18 | Liquid crystal display device with two insulating films, the second in only non-pixel areas |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1173662A JP2535414B2 (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0337626A true JPH0337626A (ja) | 1991-02-19 |
| JP2535414B2 JP2535414B2 (ja) | 1996-09-18 |
Family
ID=15964776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1173662A Expired - Lifetime JP2535414B2 (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 液晶表示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0407164B1 (ja) |
| JP (1) | JP2535414B2 (ja) |
| DE (1) | DE69019612T2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0593912A (ja) * | 1991-10-03 | 1993-04-16 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JPH05241138A (ja) * | 1991-12-06 | 1993-09-21 | Canon Inc | 液晶光学素子 |
| DE69413624T2 (de) * | 1993-07-27 | 1999-05-06 | Sharp K.K., Osaka | Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung |
| JP4976816B2 (ja) | 2006-11-06 | 2012-07-18 | 住友化学株式会社 | 液晶表示装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5659220A (en) * | 1979-10-18 | 1981-05-22 | Sharp Corp | Production of liquid crystal display device |
| JPS6358320A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-14 | Hitachi Ltd | 液晶表示素子製造方法 |
| JPH0222622A (ja) * | 1988-07-11 | 1990-01-25 | Alps Electric Co Ltd | 液晶表示素子 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6262334A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-19 | Canon Inc | 液晶素子 |
| FR2618587B1 (fr) * | 1987-07-20 | 1992-04-24 | Commissariat Energie Atomique | Ecran a cristal liquide, a electrodes opacifiees dans la zone non commutable de l'ecran et procedes d'obtention d'espaceurs et de traitement de cet ecran |
| JP2770944B2 (ja) * | 1987-08-19 | 1998-07-02 | キヤノン株式会社 | 液晶素子 |
-
1989
- 1989-07-04 JP JP1173662A patent/JP2535414B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-07-04 DE DE1990619612 patent/DE69019612T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-07-04 EP EP19900307293 patent/EP0407164B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5659220A (en) * | 1979-10-18 | 1981-05-22 | Sharp Corp | Production of liquid crystal display device |
| JPS6358320A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-14 | Hitachi Ltd | 液晶表示素子製造方法 |
| JPH0222622A (ja) * | 1988-07-11 | 1990-01-25 | Alps Electric Co Ltd | 液晶表示素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0407164B1 (en) | 1995-05-24 |
| JP2535414B2 (ja) | 1996-09-18 |
| EP0407164A3 (en) | 1992-01-15 |
| EP0407164A2 (en) | 1991-01-09 |
| DE69019612D1 (de) | 1995-06-29 |
| DE69019612T2 (de) | 1995-12-21 |
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