JPS6216221A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS6216221A JPS6216221A JP15624685A JP15624685A JPS6216221A JP S6216221 A JPS6216221 A JP S6216221A JP 15624685 A JP15624685 A JP 15624685A JP 15624685 A JP15624685 A JP 15624685A JP S6216221 A JPS6216221 A JP S6216221A
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- layer
- insulating layer
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- Pending
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
（従来の技術）
従来用いられている薄膜磁気ヘッドの製造工程を第２図
（ａ）〜（ｊ）に示す。
（ａ）〜（ｊ）に示す。
第一に非磁性基板ｌ上に例えば頌−公からなる下部磁性
層２を成膜し、必要ならばこれをフォトリソグラフィー
技術などによりエツチングを行なう（第２図（ａ））。
層２を成膜し、必要ならばこれをフォトリソグラフィー
技術などによりエツチングを行なう（第２図（ａ））。
第二に磁気ギヤツブ長相当厚の例えばＳｉＯ，からなる
第１の絶縁層３を成膜する（第２図（ｂ））。
第１の絶縁層３を成膜する（第２図（ｂ））。
第三に例えばｈｌからなるコイルとなる導電層４を成膜
する（第２１図（Ｃ））。
する（第２１図（Ｃ））。
第四に該導電層４を所定パターンにエツチングして形成
する（第２図（ｄ））。
する（第２図（ｄ））。
第五に導電層４と後述する例えばＮ１−ｐｂからなる上
部磁１７！ｆ７．との絶縁のために例えば５ｊＯｔから
なる第２の絶縁層５を導電層４上に成膜する（第２図（
ｅ））。
部磁１７！ｆ７．との絶縁のために例えば５ｊＯｔから
なる第２の絶縁層５を導電層４上に成膜する（第２図（
ｅ））。
第六に後述する下部磁性層７の段差部での断線あるいは
後述する上部磁性層７と下部磁性層２との結合の悪さを
回避するために第２の絶縁層５の所定の端部にテーパエ
ツチングによりテーパ部５Ｃを形成する（第２図（ｆ）
）。
後述する上部磁性層７と下部磁性層２との結合の悪さを
回避するために第２の絶縁層５の所定の端部にテーパエ
ツチングによりテーパ部５Ｃを形成する（第２図（ｆ）
）。
第七に後述する上部磁性層７と下部磁性層２との連結部
にある第１の絶縁層３の一方の端部蕊をエツチングによ
り除去する（第２図（ｇ））。
にある第１の絶縁層３の一方の端部蕊をエツチングによ
り除去する（第２図（ｇ））。
第八に第２の絶縁層５上にフォトレジストを塗布し、フ
ォトレジスト被膜６を形成し、これを熱処理によりフォ
トレジスト被膜６の外形を第２の絶縁層５のテーパ部５
ｃに沿ってなだらかに形成する（第２図（ｈ））。
ォトレジスト被膜６を形成し、これを熱処理によりフォ
トレジスト被膜６の外形を第２の絶縁層５のテーパ部５
ｃに沿ってなだらかに形成する（第２図（ｈ））。
第九にフォトレジスト被膜６と第２の絶縁層５のエツチ
ング速度が等しくなるような条件でイオンビームエツチ
ングを行ない、第２の絶縁層５のテーパ部５ｃがフォト
レジスト被膜６のなだらかな外形に沿った第２の絶縁層
５のエツチング形状を１ 得る（第２図（ｉ）
）・ 第十に第２の絶縁層５上に上部磁性層７を所定パターン
に成膜・エッチングして形成し薄膜磁気ヘッドが完成す
る（第２図（ｊ））。
ング速度が等しくなるような条件でイオンビームエツチ
ングを行ない、第２の絶縁層５のテーパ部５ｃがフォト
レジスト被膜６のなだらかな外形に沿った第２の絶縁層
５のエツチング形状を１ 得る（第２図（ｉ）
）・ 第十に第２の絶縁層５上に上部磁性層７を所定パターン
に成膜・エッチングして形成し薄膜磁気ヘッドが完成す
る（第２図（ｊ））。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記の従来例ではフォトレジスト被膜６
を形成する以前に第２の絶縁層５の端部にテーパ部５ｃ
を付けているので、このテーノ（エツチングの工程、と
りわけテーパ部５Ｃの角度の精度管理が難しく、一様な
テーパ形状を得にくいたへ所定の形状・寸法の上部磁性
層が形成されず、磁気特性のばらつきの少ない安定な薄
膜磁気ヘッドが得られにくいという欠点があった。
を形成する以前に第２の絶縁層５の端部にテーパ部５ｃ
を付けているので、このテーノ（エツチングの工程、と
りわけテーパ部５Ｃの角度の精度管理が難しく、一様な
テーパ形状を得にくいたへ所定の形状・寸法の上部磁性
層が形成されず、磁気特性のばらつきの少ない安定な薄
膜磁気ヘッドが得られにくいという欠点があった。
（発明の目的）
本発明は上記欠点に鑑みなされたもので、第２の絶縁層
へのテーパエツチングの工程を経ずに、上部磁性層下の
絶縁層の形状を精度よくなだらかに形成することを目的
とする。
へのテーパエツチングの工程を経ずに、上部磁性層下の
絶縁層の形状を精度よくなだらかに形成することを目的
とする。
（実施例）
上記目的を達成するための実施例を以下図面に基づいて
説明する。その製造工程を第１図（ａｌ〜（ｉ）に示す
。
説明する。その製造工程を第１図（ａｌ〜（ｉ）に示す
。
第一の工程（第１図（ａ））から第四の工程（第１図（
ｄ））までは従来例（第２図（ａ）〜（ｄ））と同一で
ある。
ｄ））までは従来例（第２図（ａ）〜（ｄ））と同一で
ある。
そして、第五に下部磁性層２と後述する例えばＮｉ−Ｆ
ｅからなる上部磁性層７との連結を可能にするために、
その連結部となる第１の絶縁層３の一方の端部３ａをエ
ツチングにより除去する（第１図（ｅ））。
ｅからなる上部磁性層７との連結を可能にするために、
その連結部となる第１の絶縁層３の一方の端部３ａをエ
ツチングにより除去する（第１図（ｅ））。
第六に導電層４上に該導電層４と後述する上部磁性層７
との絶縁のための例えばＳｉｎ、からなる第２の絶縁層
５を成膜する（第１図（ｆ））。
との絶縁のための例えばＳｉｎ、からなる第２の絶縁層
５を成膜する（第１図（ｆ））。
第七に第２の絶縁層５上にフォトレジストを塗布し、フ
ォトレジスト被膜６を形成し、これを熱処理によりフォ
トレジスト被膜６の端部６ａをなだらかな丸みを帯びた
形状にし、ポストベーキングによりフォトレジスト中の
溶剤を押し出し焼き固める。この熱処理のとき、第２の
絶縁層５にはテーパを付けていないので、従来例のよう
に上部磁性層下の絶縁層のテーパ形状に沿ったフォトレ
ジスト被膜の塗布状態ではなく、第２の絶縁層５の端部
５ａ上でのみなだらかな丸みを帯びた形状となる（第１
図（ｇ））。
ォトレジスト被膜６を形成し、これを熱処理によりフォ
トレジスト被膜６の端部６ａをなだらかな丸みを帯びた
形状にし、ポストベーキングによりフォトレジスト中の
溶剤を押し出し焼き固める。この熱処理のとき、第２の
絶縁層５にはテーパを付けていないので、従来例のよう
に上部磁性層下の絶縁層のテーパ形状に沿ったフォトレ
ジスト被膜の塗布状態ではなく、第２の絶縁層５の端部
５ａ上でのみなだらかな丸みを帯びた形状となる（第１
図（ｇ））。
第八にフォトレジスト被膜６と第２の絶縁層５とのエツ
チング速度が等しくなるような条件でイオンビームエツ
チングを行なうことにより、フォトレジスト被膜６を含
む第２の絶縁層５の全面を徐々に除去し、フォトレジス
ト被膜６が除去された後の第２の絶縁層５の形状がエツ
チング前のフォトレジスト被膜６の形状と略同−にする
（第１図（ｈ））。尚、ここで用いる第２の絶縁層５の
材料は有機物質、無機物質のいずれでも使用可能である
。第２の絶縁層５が例えばポリイミド樹脂等からなる有
機物質の場合はその有機物質を塗布し、例えばｓｔｏｗ
あるいはＡ＆０．からなる無機物質の場合はその無機物
質をスパッタまたは蒸着により成膜する。
チング速度が等しくなるような条件でイオンビームエツ
チングを行なうことにより、フォトレジスト被膜６を含
む第２の絶縁層５の全面を徐々に除去し、フォトレジス
ト被膜６が除去された後の第２の絶縁層５の形状がエツ
チング前のフォトレジスト被膜６の形状と略同−にする
（第１図（ｈ））。尚、ここで用いる第２の絶縁層５の
材料は有機物質、無機物質のいずれでも使用可能である
。第２の絶縁層５が例えばポリイミド樹脂等からなる有
機物質の場合はその有機物質を塗布し、例えばｓｔｏｗ
あるいはＡ＆０．からなる無機物質の場合はその無機物
質をスパッタまたは蒸着により成膜する。
第九に端部５ｂがなだらかに丸みを帯びて形成された第
２の絶縁層５上に上部磁性層７を所定パターンに成膜・
エッチングして形成し、本発明の薄膜磁気ヘッドを得る
（第１図（ｉ））。
２の絶縁層５上に上部磁性層７を所定パターンに成膜・
エッチングして形成し、本発明の薄膜磁気ヘッドを得る
（第１図（ｉ））。
（発明の効果）
本発明は叙上の通り、上部磁性層下の絶縁層の形状をテ
ーバエツチングの工程を経ずになだらかなテーパ状に形
成する工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法なので、
磁気ギャップを形成する第１の絶縁層３の他方の端部３
ｂ上の上部磁性層７のエツジ部７ａの形状を精度よくな
だらかなテーバで一定膜厚の所定の寸法ｌ（第１図（ｉ
ｌ参照）が安定して得られることから磁気特性が向上・
安定するため、薄膜磁気ヘッドの性能を高めることがで
きる。
ーバエツチングの工程を経ずになだらかなテーパ状に形
成する工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法なので、
磁気ギャップを形成する第１の絶縁層３の他方の端部３
ｂ上の上部磁性層７のエツジ部７ａの形状を精度よくな
だらかなテーバで一定膜厚の所定の寸法ｌ（第１図（ｉ
ｌ参照）が安定して得られることから磁気特性が向上・
安定するため、薄膜磁気ヘッドの性能を高めることがで
きる。
第１図（ａ）〜ｆｉ）は本発明の薄膜磁気ヘッドの製造
工程を説明するため断面図、第２図（ａｌ〜（ｊ）は従
来の薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明するための断面図
である。 ｌ・・・非磁性基板 ２・・・下部磁性層 ３・・・絶縁層（磁気ギヤノブ形成絶縁層）４・・・導
電層 ５・・・絶縁層 ６・・・フォトレジスト被膜 ７・・・上部磁性層 ｌ・・・導電層４ａの端部からイオンビームエツチング
後の絶縁層５の端部５ｂまでの寸法特許出願人 アルプ
ス電気株式会社 第 １ 図 第２ 図 第 ２ 図
工程を説明するため断面図、第２図（ａｌ〜（ｊ）は従
来の薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明するための断面図
である。 ｌ・・・非磁性基板 ２・・・下部磁性層 ３・・・絶縁層（磁気ギヤノブ形成絶縁層）４・・・導
電層 ５・・・絶縁層 ６・・・フォトレジスト被膜 ７・・・上部磁性層 ｌ・・・導電層４ａの端部からイオンビームエツチング
後の絶縁層５の端部５ｂまでの寸法特許出願人 アルプ
ス電気株式会社 第 １ 図 第２ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- 非磁性基板上に下部磁性層を成膜により形成する第一の
工程と、該下部磁性層上に磁気ギャップ形成のための第
１の絶縁層を成膜する第二の工程と、該絶縁層上にコイ
ルとなる導電層を成膜・エッチングにより形成する第三
の工程と、上部・下部両磁性層の連結部形成のために前
記絶縁層をエッチングする第四の工程と、前記導電層上
に該導電層と上部磁性層との絶縁のための第２の絶縁層
を成膜する第五の工程と、該絶縁層上にフォトレジスト
被膜を成膜後、エッチングにより前記第２の絶縁層の形
状をなだらかなテーパ状に形成する第七の工程と、前記
第２の絶縁層上に上部磁性層を成膜・エッチングにより
形成する第７の工程とを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15624685A JPS6216221A (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15624685A JPS6216221A (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6216221A true JPS6216221A (ja) | 1987-01-24 |
Family
ID=15623573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15624685A Pending JPS6216221A (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6216221A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0192912A (ja) * | 1987-10-02 | 1989-04-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
-
1985
- 1985-07-16 JP JP15624685A patent/JPS6216221A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0192912A (ja) * | 1987-10-02 | 1989-04-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
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