JPS60246013A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS60246013A JPS60246013A JP10131784A JP10131784A JPS60246013A JP S60246013 A JPS60246013 A JP S60246013A JP 10131784 A JP10131784 A JP 10131784A JP 10131784 A JP10131784 A JP 10131784A JP S60246013 A JPS60246013 A JP S60246013A
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- JP
- Japan
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- pattern
- layer
- coil conductor
- frame
- conductor layer
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法に係り、特にコイル
導体層を分厚く形成して、記録電流発生のための増幅器
の出力インピーダンスが小さく、かつ高周波領域で駆動
可能な薄膜磁気へ・ノドの製造方法に関する。
導体層を分厚く形成して、記録電流発生のための増幅器
の出力インピーダンスが小さく、かつ高周波領域で駆動
可能な薄膜磁気へ・ノドの製造方法に関する。
（ｂｌ 技術の背景
最近、磁気ヘッドは高記録密度化、高能率化を図るため
小型化、かつ高精度化が要求されており、このような条
件を充たす磁気ヘッドとして、記録に寄与する磁界分布
が急峻で高密度な記録ができ、一括生産によって低価格
化と特性の均一化が図れる小型な薄膜磁気ヘッドが既に
種々提案されている。
小型化、かつ高精度化が要求されており、このような条
件を充たす磁気ヘッドとして、記録に寄与する磁界分布
が急峻で高密度な記録ができ、一括生産によって低価格
化と特性の均一化が図れる小型な薄膜磁気ヘッドが既に
種々提案されている。
（Ｃ１従来技術と問題点
上記した薄膜磁気ヘッドは、第１図の平面図、および第
１図をｒ−ｎ線に沿って切断した第２図の要部断面図に
示すように、例えばフォトセラム等よりなる基板１上に
パーマロイ （Ｎｉ−Ｆｅ）からなる下部磁性体層２が
形成され、その下部磁性層２の上面に、二酸化シリコン
（ＳｉＯ２）等のギヤ・ノブ形成膜３八が形成され、こ
のギャップ形成膜３八を含んだ形でホトレジストＦＪの
樹脂絶縁膜３が形成されている。更にその表面に銅（Ｃ
ｕ）等よりなるコイル導体Ｎ４が形成され、コイル導体
層４を含む樹脂絶縁ＩＩ＊３上に樹脂絶縁膜５が形成さ
れ、更に上部磁性Ｍ６が形成されて、前記下部磁性層２
と上部磁性層６とが磁気回路的にギャップ形成膜３Ａを
介してＵ字形に形成された薄膜磁気ヘッドが構築されて
いる。
１図をｒ−ｎ線に沿って切断した第２図の要部断面図に
示すように、例えばフォトセラム等よりなる基板１上に
パーマロイ （Ｎｉ−Ｆｅ）からなる下部磁性体層２が
形成され、その下部磁性層２の上面に、二酸化シリコン
（ＳｉＯ２）等のギヤ・ノブ形成膜３八が形成され、こ
のギャップ形成膜３八を含んだ形でホトレジストＦＪの
樹脂絶縁膜３が形成されている。更にその表面に銅（Ｃ
ｕ）等よりなるコイル導体Ｎ４が形成され、コイル導体
層４を含む樹脂絶縁ＩＩ＊３上に樹脂絶縁膜５が形成さ
れ、更に上部磁性Ｍ６が形成されて、前記下部磁性層２
と上部磁性層６とが磁気回路的にギャップ形成膜３Ａを
介してＵ字形に形成された薄膜磁気ヘッドが構築されて
いる。
このような薄膜磁気ヘッドの特にコイル導体層の従来の
製造方法について第３図乃至第８図を用いながら説明す
る。まず第３図に示すように、フォトセ与ム等よりなる
基板１１上にスパッタ法等によりパーマロイの磁性膜を
形成後、ホトリソグラフィおよびイオンエツチング法を
用いて所定のパターンの下部磁性層１２を形成する。次
いで蒸着またはスパッタ法によりギャップ層形成用の５
ｉ０２膜１３＾を形成し、更に下部磁性層とその上に後
の工程で形成するコイル導体層間を絶縁するためのホト
レジスト膜を塗布後、加熱硬化せしめて樹脂絶縁膜１３
を形成する。次いでその上にコイル導体層を形成するた
めの下地となる下地Ｆｆ１４を、Ｃｕを蒸着、またはス
パッタすることで形成する。
製造方法について第３図乃至第８図を用いながら説明す
る。まず第３図に示すように、フォトセ与ム等よりなる
基板１１上にスパッタ法等によりパーマロイの磁性膜を
形成後、ホトリソグラフィおよびイオンエツチング法を
用いて所定のパターンの下部磁性層１２を形成する。次
いで蒸着またはスパッタ法によりギャップ層形成用の５
ｉ０２膜１３＾を形成し、更に下部磁性層とその上に後
の工程で形成するコイル導体層間を絶縁するためのホト
レジスト膜を塗布後、加熱硬化せしめて樹脂絶縁膜１３
を形成する。次いでその上にコイル導体層を形成するた
めの下地となる下地Ｆｆ１４を、Ｃｕを蒸着、またはス
パッタすることで形成する。
次いで第４Ｆ！ｇＪに示すように該基板１１上にホトレ
ジスト膜を塗布し、このホトレジスト膜をホトリソグラ
フィ法により所定のパターンに蝕刻成形し、形成すべき
コイル導体層の反転パターン形状のパターンとなるよう
にしてコイル導体層形成用の枠状パターン１５を形成す
る。
ジスト膜を塗布し、このホトレジスト膜をホトリソグラ
フィ法により所定のパターンに蝕刻成形し、形成すべき
コイル導体層の反転パターン形状のパターンとなるよう
にしてコイル導体層形成用の枠状パターン１５を形成す
る。
次いで第５図に示すように、この枠状パターン１５をマ
スクとしてマスクメッキ法によりＣｕの導体層コイル１
６を形成する。
スクとしてマスクメッキ法によりＣｕの導体層コイル１
６を形成する。
次いで第６図に示すように、アセトンのようなホトレジ
スト膜除去剤により枠状パターン１５のホトレジスト膜
を除去する。
スト膜除去剤により枠状パターン１５のホトレジスト膜
を除去する。
更に第７図に示すようにコイル導体ＩＷ１６が形成され
ている以外の領域の下地層１４をイオンエソヂング等に
より除去した後、第８図に示すようにホトレジスト膜を
コイル導体層１６の上に塗布してから、加熱硬化せしめ
て樹脂絶縁膜１７を形成し、さらにその上にスパッタ法
によりパーマロイの磁性体膜を形成する。次いでこの磁
性体膜をホトリソグラフィ法、およびイオンエツチング
法等を用いて所定のパターンに成形して上部磁性体層１
８を形成することで薄膜磁気ヘッドを完成する。
ている以外の領域の下地層１４をイオンエソヂング等に
より除去した後、第８図に示すようにホトレジスト膜を
コイル導体層１６の上に塗布してから、加熱硬化せしめ
て樹脂絶縁膜１７を形成し、さらにその上にスパッタ法
によりパーマロイの磁性体膜を形成する。次いでこの磁
性体膜をホトリソグラフィ法、およびイオンエツチング
法等を用いて所定のパターンに成形して上部磁性体層１
８を形成することで薄膜磁気ヘッドを完成する。
然し、このような方法ではコイル断面積を出来る丈、大
きくする目的でメッキ時間を長くすると、第９図に示す
ようにメッキ枠となる枠状パターン１５の上を張り出し
て銅のコイル導体層１６が形成され、各コイル導体層間
が接続短絡したりする不都合を生じる。特にコイル導体
層を樹脂絶縁膜を介して多層構造に積層形成する時は、
これらコイル導体層が形成された領域上の樹脂絶縁膜は
、下部磁性層パターンの上と、そのパターンのない部分
の上では段差があるため、平坦に形成され難く、従って
その上に形成する棒状パターン１５の高さが均一に形成
されないので、この傾向が一層強（なる。そこでメッキ
枠となる枠状バクーン１５形成用のホトレジスト膜を分
厚く塗布形成することも考えられるが、このようにする
と高精度にホトレジスト膜をパターンニングすることが
困難であるという問題がある。
きくする目的でメッキ時間を長くすると、第９図に示す
ようにメッキ枠となる枠状パターン１５の上を張り出し
て銅のコイル導体層１６が形成され、各コイル導体層間
が接続短絡したりする不都合を生じる。特にコイル導体
層を樹脂絶縁膜を介して多層構造に積層形成する時は、
これらコイル導体層が形成された領域上の樹脂絶縁膜は
、下部磁性層パターンの上と、そのパターンのない部分
の上では段差があるため、平坦に形成され難く、従って
その上に形成する棒状パターン１５の高さが均一に形成
されないので、この傾向が一層強（なる。そこでメッキ
枠となる枠状バクーン１５形成用のホトレジスト膜を分
厚く塗布形成することも考えられるが、このようにする
と高精度にホトレジスト膜をパターンニングすることが
困難であるという問題がある。
（ｄｌ 発明の目的
本発明は上記した問題点を解決するもので、コイル導体
層を分厚（形成し、コイルの抵抗を下げ、記録電流発生
のための増幅器の出力インピーダンスが低くて、かつ高
周波で駆動し得る新規な薄膜磁気ヘッドの製造方法の提
供を目的とするものである。
層を分厚（形成し、コイルの抵抗を下げ、記録電流発生
のための増幅器の出力インピーダンスが低くて、かつ高
周波で駆動し得る新規な薄膜磁気ヘッドの製造方法の提
供を目的とするものである。
＋ＩＪ 発明の構成
上記目的は、基板上に下部磁性層を所定パターンに被着
形成後、該下部磁性層上にギヤツブ層、および絶縁層を
介してコイル導体層、絶縁層、上部磁性層を順次積層形
成し、更に該磁性層を所定パターンにパターンニングす
る薄膜磁気ヘッドの製造方法に於いて、前記コイル導体
層の形成工程が、下部磁性層上に絶縁膜を介してホＩ・
レジスト欣を塗布後、該ホトレジスト膜を所定パターン
に蝕刻成形して第１の枠状パターンを形成し、該第１の
枠状パターンの高さより低い寸法で前記第１の枠状パタ
ーンをマスクとしてコイル導体層を形成した後、前記基
板を加熱処理して前記第１の枠状パターンを硬化せしめ
、次いで前記第１の枠状パターンに対応したパターンの
ホトレジスト膜を被着形成して第２の枠状パターンを形
成し、次いで該第２の棒状パターンの高さより低い寸法
で前記第１．第２の棒状パターンをマスクとしてコイル
導体層を形成する工程よりなる本発明の薄膜磁気ヘッド
の製造方法によって達成される。
形成後、該下部磁性層上にギヤツブ層、および絶縁層を
介してコイル導体層、絶縁層、上部磁性層を順次積層形
成し、更に該磁性層を所定パターンにパターンニングす
る薄膜磁気ヘッドの製造方法に於いて、前記コイル導体
層の形成工程が、下部磁性層上に絶縁膜を介してホＩ・
レジスト欣を塗布後、該ホトレジスト膜を所定パターン
に蝕刻成形して第１の枠状パターンを形成し、該第１の
枠状パターンの高さより低い寸法で前記第１の枠状パタ
ーンをマスクとしてコイル導体層を形成した後、前記基
板を加熱処理して前記第１の枠状パターンを硬化せしめ
、次いで前記第１の枠状パターンに対応したパターンの
ホトレジスト膜を被着形成して第２の枠状パターンを形
成し、次いで該第２の棒状パターンの高さより低い寸法
で前記第１．第２の棒状パターンをマスクとしてコイル
導体層を形成する工程よりなる本発明の薄膜磁気ヘッド
の製造方法によって達成される。
Ｉｆ） 発明の実施例
Ｊｕ下、図面を用いながら本発明の一実施例につき詳細
に説明する。
に説明する。
第１０図乃至第１２図は本発明の薄膜磁気ヘッドの製造
方法の工程を示す断面図である。
方法の工程を示す断面図である。
まず第１０図を参照して、フォトセラ″ムよりなる基板
１１上に下部磁性体層１２を所定のパターンに形成し、
その上にコイルギャップ層を形成するためのＳｉＯ２股
１３Ａ 、およびホトレジスト膜による樹脂絶縁膜１３
を形成し、更に銅の下地層１４を蒸着またはスパッタ法
により形成し、更にホトレジスト膜を所定のパターンに
形成して枠状パターン１５を形成し、更にこの棒状パタ
ーンをマスクとしてマスクメッキ法により銅のコイル導
体層を形成する工程までは従来の方法と同一である。
１１上に下部磁性体層１２を所定のパターンに形成し、
その上にコイルギャップ層を形成するためのＳｉＯ２股
１３Ａ 、およびホトレジスト膜による樹脂絶縁膜１３
を形成し、更に銅の下地層１４を蒸着またはスパッタ法
により形成し、更にホトレジスト膜を所定のパターンに
形成して枠状パターン１５を形成し、更にこの棒状パタ
ーンをマスクとしてマスクメッキ法により銅のコイル導
体層を形成する工程までは従来の方法と同一である。
次いでこのように形成した基板を２００〜３００℃の温
度で１時間以上ベーキングしてホトレジスト膜の枠状パ
ターン１５を加熱硬化させることにより、次工程に於け
るこの上へのホトレジスト膜を塗布する際にホトレジス
トの溶剤で熔解しない状態にする。
度で１時間以上ベーキングしてホトレジスト膜の枠状パ
ターン１５を加熱硬化させることにより、次工程に於け
るこの上へのホトレジスト膜を塗布する際にホトレジス
トの溶剤で熔解しない状態にする。
更に該基板上にホトレジスト膜を塗布後、前記棒状パタ
ーン枠１５を形成した時に用いたのと同一のマスクを用
いてホトリソグラフィ法により、前記枠状バクーン１５
上に、この枠状パターン１５と同様なパターンのホトレ
ジスト膜を形成して第２の枠状パターン２１を形成する
。
ーン枠１５を形成した時に用いたのと同一のマスクを用
いてホトリソグラフィ法により、前記枠状バクーン１５
上に、この枠状パターン１５と同様なパターンのホトレ
ジスト膜を形成して第２の枠状パターン２１を形成する
。
次いで第１１図に示すように、枠状パターン１５、およ
び２１をマスクとして更にマスクメッキを行い、前記形
成した銅のコイル導体層１６の上に更に銅のコイル導体
層２２を積層形成する。この後、ホトレジストｌｆｆの
第２の枠状パターン２１をアセトンにて、またその下の
熱硬化した枠状パターン１５を酸素ガスを反応ガスとし
て用いた酸素プラズマエツチング法によりエツチング除
去する。次いでイオンミリング法により前記第１の棒状
パターン１５と第２の棒状パターン２１下にあったメッ
キ成膜したコイルパターンをマスクとして上記下地層１
４をエツチング除去する。上記下地層１４は非常に薄い
ので、この時、コイル１６の膜厚の減少は実用上無視で
きる。
び２１をマスクとして更にマスクメッキを行い、前記形
成した銅のコイル導体層１６の上に更に銅のコイル導体
層２２を積層形成する。この後、ホトレジストｌｆｆの
第２の枠状パターン２１をアセトンにて、またその下の
熱硬化した枠状パターン１５を酸素ガスを反応ガスとし
て用いた酸素プラズマエツチング法によりエツチング除
去する。次いでイオンミリング法により前記第１の棒状
パターン１５と第２の棒状パターン２１下にあったメッ
キ成膜したコイルパターンをマスクとして上記下地層１
４をエツチング除去する。上記下地層１４は非常に薄い
ので、この時、コイル１６の膜厚の減少は実用上無視で
きる。
このようにすることで第１２図に示すように厚さの分厚
い銅のコイル導体層２３が所定のパターンに形成される
。その後、前記した第８図に示すようにホトレジスト膜
を塗布して絶縁膜１７を形成し、その上に磁性体層を形
成してから、所定の上部磁性体層１８のパターンに成形
すれば、所望の薄膜磁気ヘッドが完成する。
い銅のコイル導体層２３が所定のパターンに形成される
。その後、前記した第８図に示すようにホトレジスト膜
を塗布して絶縁膜１７を形成し、その上に磁性体層を形
成してから、所定の上部磁性体層１８のパターンに成形
すれば、所望の薄膜磁気ヘッドが完成する。
このような、厚さの分厚いコイル導体層を有する磁気ヘ
ッドでは、コイル導体層の抵抗値が低くなり、記録電流
発生のための増幅器の出力インピーダンスを小さくでき
る。
ッドでは、コイル導体層の抵抗値が低くなり、記録電流
発生のための増幅器の出力インピーダンスを小さくでき
る。
なお、以上の実施例に於いては、図を簡単にするために
コイル導体層を一層にした場合について述べたが、本発
明の方法はコイル導体層を多層構造に形成する場合に、
特に幼果的である。
コイル導体層を一層にした場合について述べたが、本発
明の方法はコイル導体層を多層構造に形成する場合に、
特に幼果的である。
（川 発明の効果
以上述べたように本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法に
よれば、コイル導体層の厚い″ｍｌ！ｌｍｌへノドが容
易に得られ、記録電流発生のための増幅器の出力インピ
ーダンスが小さく、かつ高周波数で駆動する薄膜磁気ヘ
ッドが得られる効果を生じる。
よれば、コイル導体層の厚い″ｍｌ！ｌｍｌへノドが容
易に得られ、記録電流発生のための増幅器の出力インピ
ーダンスが小さく、かつ高周波数で駆動する薄膜磁気ヘ
ッドが得られる効果を生じる。
第１図は一般的な薄膜磁気ヘッドの平面図、第２図は第
１図をＩ−Ｉｆ線に沿って切断した断面図、第３図乃至
第８図は薄膜磁気ヘッドの従来の製造方法を、工程順で
示す断面図、第９図は従来の方法で形成した薄膜磁気ヘ
ッドの不具合を説明するための断面図、第１０図乃至第
１２図は本発明の薄膜磁気ヘットの製造方法を、工程順
で示す断面図である。 図に於いて、１１は基板、１２は下部磁性体層、１３゜
１議は絶縁膜、Ｉ４は下地層、１５．２１は枠状パター
ン、１６，２２．２３はコイル導体層を示す。 第１図 第２図 第３図 第６図 第８図
１図をＩ−Ｉｆ線に沿って切断した断面図、第３図乃至
第８図は薄膜磁気ヘッドの従来の製造方法を、工程順で
示す断面図、第９図は従来の方法で形成した薄膜磁気ヘ
ッドの不具合を説明するための断面図、第１０図乃至第
１２図は本発明の薄膜磁気ヘットの製造方法を、工程順
で示す断面図である。 図に於いて、１１は基板、１２は下部磁性体層、１３゜
１議は絶縁膜、Ｉ４は下地層、１５．２１は枠状パター
ン、１６，２２．２３はコイル導体層を示す。 第１図 第２図 第３図 第６図 第８図
Claims (1)
- 基板上に下部磁性層を所定パターンに被着形成後、該下
部磁性層上にギヤ・７プ層、および絶縁層を介してコイ
ル導体層、絶縁層、上部磁性層を順次積層形成し、更に
該磁性層を所定パターンにパターンニングする薄膜磁気
ヘッドの製造方法に於いて、前記コイル導体層の形成工
程が、下部磁性層上に絶縁膜を介してホトレジスト膜を
塗布後、該ホトレジスト膜を所定パターンに蝕刻成形し
て第１の枠状パターンを形成し、該第１の棒状パターン
の高さより低い寸法で前記第１の枠状パターンをマスク
としてコイル導体層を形成した後、前記基板を加熱処理
して前記第１の棒状パターンを硬化せしめ、次いで前記
第１の枠状パターンに対応したパターンのホトレジスト
膜を被着形成して第２の枠状パターンを形成し、次いで
該第２の枠状パターンの高さより低い寸法で前記第１．
第２の枠状パターンをマスクとしてコイル導体層を形成
する工程よりなることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10131784A JPS60246013A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10131784A JPS60246013A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60246013A true JPS60246013A (ja) | 1985-12-05 |
Family
ID=14297432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10131784A Pending JPS60246013A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60246013A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03154214A (ja) * | 1989-11-10 | 1991-07-02 | Fujitsu Ltd | 導体パターン形成方法と磁気ヘッドの製造方法 |
-
1984
- 1984-05-18 JP JP10131784A patent/JPS60246013A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03154214A (ja) * | 1989-11-10 | 1991-07-02 | Fujitsu Ltd | 導体パターン形成方法と磁気ヘッドの製造方法 |
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