JPS6216593A - 光電子素子および光増幅器 - Google Patents
光電子素子および光増幅器Info
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- JPS6216593A JPS6216593A JP61129030A JP12903086A JPS6216593A JP S6216593 A JPS6216593 A JP S6216593A JP 61129030 A JP61129030 A JP 61129030A JP 12903086 A JP12903086 A JP 12903086A JP S6216593 A JPS6216593 A JP S6216593A
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- JP
- Japan
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- optoelectronic device
- coating
- intermediate layer
- thickness
- effective
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/84—Coatings, e.g. passivation layers or antireflective coatings
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
- G02B1/113—Anti-reflection coatings using inorganic layer materials only
- G02B1/115—Multilayers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
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- Electromagnetism (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光電子素子に関する。特に、レーザ素子の端面
に反射防止被膜を設けた構造の光増幅器に関する。
に反射防止被膜を設けた構造の光増幅器に関する。
本発明は、端面に反射防止被膜が設けられた光電子素子
において、 反射防止被膜と光電子素子との間に化学的融和性を高め
るための中間層を設けることにより、反射防止被膜の効
果を高めるものである。
において、 反射防止被膜と光電子素子との間に化学的融和性を高め
るための中間層を設けることにより、反射防止被膜の効
果を高めるものである。
半導体レーザ素子は発光素子としてよく知られている。
その動作は、素子で発生して再びこの素子に入射する反
射光に依存している。「レーザ素子」はまた、受信光信
号を増幅する素子としても用いられる。この場合には、
素子を受信信号にだけ応答させる必要があり、このため
には、素子に戻る反射光をできるだけ除去する必要があ
る。
射光に依存している。「レーザ素子」はまた、受信光信
号を増幅する素子としても用いられる。この場合には、
素子を受信信号にだけ応答させる必要があり、このため
には、素子に戻る反射光をできるだけ除去する必要があ
る。
反射光を除去するために、端面に反射防止被膜を設けた
レーザ素子が用いられる。このような反射防止被膜の材
質として多種多様の金属酸化物、例えば酸化アルミニウ
ムＣＡ１ｔ ０３ ） 、三酸化スカンジウム（Ｓｃ、
Ｏ３） 、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ□）および二酸
化セシウム（ＣｅＯｔ）等が提案されている０本出願人
は、英国特許出願第８４１４４５４号を基礎とした出願
、カナダ国 特許出願第４０３３３２号、ヨーロッパ
特許出願第８５３０４０２９号、公開第１６８１６５
号、 日本国 特願昭６０−１２３４６７号、特開昭６１
−７６８３号、 アメリカ合衆国 特許出願第７４１８６７号（出願臼は
すべて１９８５年６月６日）において、イツトリウム（
Ｙ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ニオジム（Ｎｄ）および
ランタン（Ｌａ）から選択された一以上の金属の酸化物
を主成分とする被膜が特に良好であることを開示した。
レーザ素子が用いられる。このような反射防止被膜の材
質として多種多様の金属酸化物、例えば酸化アルミニウ
ムＣＡ１ｔ ０３ ） 、三酸化スカンジウム（Ｓｃ、
Ｏ３） 、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ□）および二酸
化セシウム（ＣｅＯｔ）等が提案されている０本出願人
は、英国特許出願第８４１４４５４号を基礎とした出願
、カナダ国 特許出願第４０３３３２号、ヨーロッパ
特許出願第８５３０４０２９号、公開第１６８１６５
号、 日本国 特願昭６０−１２３４６７号、特開昭６１
−７６８３号、 アメリカ合衆国 特許出願第７４１８６７号（出願臼は
すべて１９８５年６月６日）において、イツトリウム（
Ｙ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ニオジム（Ｎｄ）および
ランタン（Ｌａ）から選択された一以上の金属の酸化物
を主成分とする被膜が特に良好であることを開示した。
しかし、ある種の金属酸化物被膜では、反射防止被膜と
しての性質が十分には示されない。
しての性質が十分には示されない。
本発明は、金属酸化物被膜の反射防止効果を十分に引き
出すことを目的とし、さらに、光信号の増幅に適した光
電子素子を提供することを目的とする。
出すことを目的とし、さらに、光信号の増幅に適した光
電子素子を提供することを目的とする。
本発明の光電子素子は、少なくとも一つの端面に化合物
被膜が設けられた光電子素子において、上記化合物被膜
は、反射率を削減する実効被膜と、この実効被膜と上記
端面との化学的融和性（Ｃｈｅｍｉ−ｃａｌ ｃｏｍｐ
ａｔｉｂｉｌｉｔｙ）を高める中間層とを含むことを特
徴とする。
被膜が設けられた光電子素子において、上記化合物被膜
は、反射率を削減する実効被膜と、この実効被膜と上記
端面との化学的融和性（Ｃｈｅｍｉ−ｃａｌ ｃｏｍｐ
ａｔｉｂｉｌｉｔｙ）を高める中間層とを含むことを特
徴とする。
本発明は、実効被膜がイツトリウム（Ｙ）、ガドリニウ
ム（Ｇｄ）、ニオジム（Ｎｄ）またはランタン（Ｙ）の
酸化物で形成され、基板がインジウムガリウム・ヒ素リ
ン等のレーザ素子である場合に、特に適している。この
場合には、中間層として酸化アルミニウム（ＡｌｚＯｌ
）が適していることがわかった。中間層の厚さは、１０
ｎｍないし３０ｎｎ＋が望ましく、特に１５ｎ＋ｍない
し２５ｎｍがより望ましい。また、相対的には、実効被
膜の厚さの５％ないし１５％、例えば約ｌＯ％が望まし
い。
ム（Ｇｄ）、ニオジム（Ｎｄ）またはランタン（Ｙ）の
酸化物で形成され、基板がインジウムガリウム・ヒ素リ
ン等のレーザ素子である場合に、特に適している。この
場合には、中間層として酸化アルミニウム（ＡｌｚＯｌ
）が適していることがわかった。中間層の厚さは、１０
ｎｍないし３０ｎｎ＋が望ましく、特に１５ｎ＋ｍない
し２５ｎｍがより望ましい。また、相対的には、実効被
膜の厚さの５％ないし１５％、例えば約ｌＯ％が望まし
い。
本発明の光電子素子は、端面に設けられた被膜が、実効
被膜と中間層との二層構造をもつ。中間層は、レーザ素
子と実効被膜との間を完全に覆うが、それ自身は被膜が
施された素子の光学的特性に対してほとんどまたは全く
影響しない。また、中間層に用いる金属は、実効被膜に
比較して反射防止被膜としての効果は小さい。このよう
な薄い層でも実質的な効果が生じる。
被膜と中間層との二層構造をもつ。中間層は、レーザ素
子と実効被膜との間を完全に覆うが、それ自身は被膜が
施された素子の光学的特性に対してほとんどまたは全く
影響しない。また、中間層に用いる金属は、実効被膜に
比較して反射防止被膜としての効果は小さい。このよう
な薄い層でも実質的な効果が生じる。
第１図は光電子素子の端面に被膜を施す装置を示す。こ
こでは、通常のインジウムガリウム・ヒ素リン・レーザ
素子の端面に酸化アルミニウム（Ａ ｌ ｚ Ｏｘ ）
の薄い中間層を設け、さらにその表面に三酸化ニガトリ
ニウム（ＧｄｔＯｓ）の実効被膜を設ける例を説明する
。
こでは、通常のインジウムガリウム・ヒ素リン・レーザ
素子の端面に酸化アルミニウム（Ａ ｌ ｚ Ｏｘ ）
の薄い中間層を設け、さらにその表面に三酸化ニガトリ
ニウム（ＧｄｔＯｓ）の実効被膜を設ける例を説明する
。
第１図に示した装置は真空槽１０を備え、この真空槽１
０内には被膜を形成するための器具を備える。
０内には被膜を形成するための器具を備える。
使用時にはこの真空槽１０内の圧力をＩ Ｘ １０−’
ｔｏｒｒ（１３３マイクロパスカル）に排気する。真空
槽１０はこのような真空に耐える構造に作られている。
ｔｏｒｒ（１３３マイクロパスカル）に排気する。真空
槽１０はこのような真空に耐える構造に作られている。
図示していないが、公知技術を用いて、制御用の信号線
および電力線がこの真空槽１０内に導かれている。
および電力線がこの真空槽１０内に導かれている。
中間層の形成するための蒸発源としてＡｌｚＯｘを用い
、実効被膜を形成するための蒸発源としてＧｄ２Ｏ３を
用いる。これらの蒸発源を別々のるつぼ１２Ａ 、１２
Ｂに入れ、これらを回転可能な円形コンベア１１に載置
する。るつぼ１２Ａ 、 １２Ｂは銅製であり、真空槽
１０の外部から円形コンベア１１を制御することにより
、るつぼ１２Ａ 、 １２Ｂの位置を替えることができ
る。真空槽１０内にはさらに、るつぼ１２Ａ 、１２Ｂ
内の蒸発源に電子ビームを照射して加熱するための電子
銃１３を備える。電子ビームの照射位置はマグネットに
より制御できる。るつぼ１２＾、１２Ｂは、図示してい
ない手段により真空槽１０内に導入される。
、実効被膜を形成するための蒸発源としてＧｄ２Ｏ３を
用いる。これらの蒸発源を別々のるつぼ１２Ａ 、１２
Ｂに入れ、これらを回転可能な円形コンベア１１に載置
する。るつぼ１２Ａ 、 １２Ｂは銅製であり、真空槽
１０の外部から円形コンベア１１を制御することにより
、るつぼ１２Ａ 、 １２Ｂの位置を替えることができ
る。真空槽１０内にはさらに、るつぼ１２Ａ 、１２Ｂ
内の蒸発源に電子ビームを照射して加熱するための電子
銃１３を備える。電子ビームの照射位置はマグネットに
より制御できる。るつぼ１２＾、１２Ｂは、図示してい
ない手段により真空槽１０内に導入される。
真空槽１０内にはまた、ターゲットホルダ１４が設けら
れ、この中に、複数のターゲット１５Ａないし１５Ｘ（
ここではレーザ素子）を配置することができる。それぞ
れのターゲットは、被膜を形成しようとする端面が下向
きに配置され、他の端面が上 。
れ、この中に、複数のターゲット１５Ａないし１５Ｘ（
ここではレーザ素子）を配置することができる。それぞ
れのターゲットは、被膜を形成しようとする端面が下向
きに配置され、他の端面が上 。
向きに配置される。この上向きの端面には被膜が形成さ
れない。この装置は、約６０個のターゲットに対して均
一な被膜を形成させることができる。
れない。この装置は、約６０個のターゲットに対して均
一な被膜を形成させることができる。
すなわち、許容できる誤差範囲内で−バッチに６０個の
被膜を作成することができる。
被膜を作成することができる。
ターゲット１５Ａないし１５Ｘの近傍には、膜厚測定用
の水晶１６が配置される。また、真空槽１０の外から制
御可能なシャッタ１７が設けられ、蒸発ビームにシャフ
タ１７を挿入して、ターゲット１５Ａないし１５Ｘおよ
び水晶１６への蒸着を防ぐことができる。
の水晶１６が配置される。また、真空槽１０の外から制
御可能なシャッタ１７が設けられ、蒸発ビームにシャフ
タ１７を挿入して、ターゲット１５Ａないし１５Ｘおよ
び水晶１６への蒸着を防ぐことができる。
一つのターゲット、例えばターゲラｌ−１５Ａの上側の
端面の近傍には、この端面からの輻射を検出する位置に
輻射センサ１８が配置される。図示していないが、この
ターゲット１５Ａには励起手段が接続される。
端面の近傍には、この端面からの輻射を検出する位置に
輻射センサ１８が配置される。図示していないが、この
ターゲット１５Ａには励起手段が接続される。
この装置でインジウムガリウム・ヒ素リン・レーザ素子
の端面に被膜を形成するには、インジウムガリウム・ヒ
素リン・レーザ素子のターゲット１５＾ないし１５Ｘを
ホルダ１４に取り付け、るつぼ１２Ａおよび１２Ｂを所
定の位置に配置する。真空槽１０内を排気した後に、る
つぼ１２Ａ゛または１２Ｂ内の蒸発源に電子ビームを照
射する。最初にＡｌ２Ｏ２を蒸着することにより、すべ
てのターゲット１５Ａないし１５Ｘで中間層が形成され
る。このＡｌ２Ｏ２は水晶１６にも堆積する。水晶１６
による膜厚測定でＡｊｌｔＣｈの膜厚が２０ｎａ＋とな
ったときに（すべてのターゲット１５＾ないし１５Ｘに
対して）蒸着を終了し、るつぼ１２Ａ 、１２Ｂを交換
する。この後に、ＧｄｔＯｓに電子ビームを照射し、こ
の化合物を蒸着することにより実効被膜が形成される。
の端面に被膜を形成するには、インジウムガリウム・ヒ
素リン・レーザ素子のターゲット１５＾ないし１５Ｘを
ホルダ１４に取り付け、るつぼ１２Ａおよび１２Ｂを所
定の位置に配置する。真空槽１０内を排気した後に、る
つぼ１２Ａ゛または１２Ｂ内の蒸発源に電子ビームを照
射する。最初にＡｌ２Ｏ２を蒸着することにより、すべ
てのターゲット１５Ａないし１５Ｘで中間層が形成され
る。このＡｌ２Ｏ２は水晶１６にも堆積する。水晶１６
による膜厚測定でＡｊｌｔＣｈの膜厚が２０ｎａ＋とな
ったときに（すべてのターゲット１５＾ないし１５Ｘに
対して）蒸着を終了し、るつぼ１２Ａ 、１２Ｂを交換
する。この後に、ＧｄｔＯｓに電子ビームを照射し、こ
の化合物を蒸着することにより実効被膜が形成される。
実効被膜の形成の終了は、輻射センサ１８による監視に
基づき、最大の効果が得られた時点で行う。
基づき、最大の効果が得られた時点で行う。
次に、水晶１６および輻射センサ１８による膜厚の監視
について以下に説明する。
について以下に説明する。
水晶１６は発振素子として用いられ、その発振周波数を
真空槽１０の外部から監視する。水晶１６の表面にはる
つぼ１２Ａ 、１２Ｂからの蒸気が凝縮し、ターゲット
１５＾ないし１５Ｂに形成された被膜と同じ厚さの被膜
が形成される。この被膜のために水晶１６の発振周波数
が変化する。この発振周波数変化から、水晶１６の表面
に形成された被膜の厚さを測定することができる。水晶
１６の被膜の厚さ゛はターゲット１５Ａないし１５Ｘの
被膜の厚さと同じであり、ターゲット１５Ａないし１５
Ｘ上のＡｌ２Ｏ，被膜の厚さを２０ｎｍに制御できる。
真空槽１０の外部から監視する。水晶１６の表面にはる
つぼ１２Ａ 、１２Ｂからの蒸気が凝縮し、ターゲット
１５＾ないし１５Ｂに形成された被膜と同じ厚さの被膜
が形成される。この被膜のために水晶１６の発振周波数
が変化する。この発振周波数変化から、水晶１６の表面
に形成された被膜の厚さを測定することができる。水晶
１６の被膜の厚さ゛はターゲット１５Ａないし１５Ｘの
被膜の厚さと同じであり、ターゲット１５Ａないし１５
Ｘ上のＡｌ２Ｏ，被膜の厚さを２０ｎｍに制御できる。
輻射センサ１８は、ターゲット１５Ａないし１５Ｘの特
性に直接に関連する膜厚の制御に利用する。ターゲソ目
５Ａを一定のバイアスで励起すると、一定量の輻射が発
生する。この一定量の輻射は両端面を経由して放出され
る。実効被膜はこれが形成された端面で最大の放射量を
得るためのものであり、反対側の端面での放射量が最小
になることに対応する。
性に直接に関連する膜厚の制御に利用する。ターゲソ目
５Ａを一定のバイアスで励起すると、一定量の輻射が発
生する。この一定量の輻射は両端面を経由して放出され
る。実効被膜はこれが形成された端面で最大の放射量を
得るためのものであり、反対側の端面での放射量が最小
になることに対応する。
第２図は、Ｏないしλ／２の膜厚に被膜を形成したとき
に、一定の励起に対して輻射センサ１８が記録した放射
強度の値を示す。ここで、λは被膜の輻射波長である。
に、一定の励起に対して輻射センサ１８が記録した放射
強度の値を示す。ここで、λは被膜の輻射波長である。
図示したように、膜厚が非常に薄い場合には、その反対
側の端面で輻射センサ１８が記録する放射強度は一定値
である。膜厚の増加とともに放射強度が減少し、膜厚が
λ／４のときに放射強度が最小となる。さらに膜厚が増
加すると放射強度も増加し、膜厚がλ／２のときに放射
強度が極大となり、膜厚が０のときと同じ値となる。被
膜の最適な厚さはλ／４である。したがって、輻射セン
サ１８の検出した値が最小になるまでＧｄｚＯａを蒸着
し、最小になった時点で蒸着を終了させることが望まし
い。しかし、正確な最小値の検出は困難であり、確実に
最小にするために、無視できる程度の蒸着過多にするこ
とが望ましい。すなわち、放射強度が増加したことに気
がついたら、すぐに蒸着を終了させることが望ましい。
側の端面で輻射センサ１８が記録する放射強度は一定値
である。膜厚の増加とともに放射強度が減少し、膜厚が
λ／４のときに放射強度が最小となる。さらに膜厚が増
加すると放射強度も増加し、膜厚がλ／２のときに放射
強度が極大となり、膜厚が０のときと同じ値となる。被
膜の最適な厚さはλ／４である。したがって、輻射セン
サ１８の検出した値が最小になるまでＧｄｚＯａを蒸着
し、最小になった時点で蒸着を終了させることが望まし
い。しかし、正確な最小値の検出は困難であり、確実に
最小にするために、無視できる程度の蒸着過多にするこ
とが望ましい。すなわち、放射強度が増加したことに気
がついたら、すぐに蒸着を終了させることが望ましい。
通常の光検出器では、第２図に示した強度変化の範囲を
すべて検出することは困難である。これを解決するには
、放射強度が低下したときに励起電流を増加させる。励
起電流を段階的に増加させることが望ましい。
すべて検出することは困難である。これを解決するには
、放射強度が低下したときに励起電流を増加させる。励
起電流を段階的に増加させることが望ましい。
以上説明した技術を使用して、インジウムガリウム・ヒ
素リン・レーザ素子の端面に、膜厚２０ｎｍのＡｊ２２
０．中間層と、膜厚２００ｎｍのＧｄ２０３実効被膜と
を形成した。ＡｌｚＯｚの膜厚は水晶１６による測定に
より制御した。Ｇｄ２Ｏ，の膜厚は輻射センサ１８の検
出した放射強度が最小となるように制御した。
素リン・レーザ素子の端面に、膜厚２０ｎｍのＡｊ２２
０．中間層と、膜厚２００ｎｍのＧｄ２０３実効被膜と
を形成した。ＡｌｚＯｚの膜厚は水晶１６による測定に
より制御した。Ｇｄ２Ｏ，の膜厚は輻射センサ１８の検
出した放射強度が最小となるように制御した。
これにより得られた被膜はレーザ活性を抑制した。この
場合には、反射率の評価やレーザのしきい値の決定は不
要である。
場合には、反射率の評価やレーザのしきい値の決定は不
要である。
繰り返して被膜形成を行うには、実効被膜の膜１
厚制御にも水晶１６を用いた膜厚の監視を行うこ
とが望ましい。ただし、輻射センサ１８を用いて水晶１
６の測定を較正して、最小の反射率に対応する最適な膜
厚を得るように設定する。
厚制御にも水晶１６を用いた膜厚の監視を行うこ
とが望ましい。ただし、輻射センサ１８を用いて水晶１
６の測定を較正して、最小の反射率に対応する最適な膜
厚を得るように設定する。
以上説明したように、本発明の光電子素子は、それ自身
は素子の光学的特性にほとんどまたは全く影響しない薄
い中間層を設けて、実効被膜の反射防止特性を高めるこ
とができる。本発明は、特に半導体レーザ素子を用いた
光増幅素子に使用して、その特性を改善する効果がある
。
は素子の光学的特性にほとんどまたは全く影響しない薄
い中間層を設けて、実効被膜の反射防止特性を高めるこ
とができる。本発明は、特に半導体レーザ素子を用いた
光増幅素子に使用して、その特性を改善する効果がある
。
第１図は光電子素子の端面に被膜を施すための装置を示
す図。 第２図は膜厚に対する反対側の端面から放出された放射
強度を示す図。 １０・・・真空槽、１１・・・円形コンベア、１２Ａ
、１２Ｂ・・・るつぼ、１３・・・電子銃、１４・・・
ターゲットホルダ、１５Ａ〜１５Ｘターゲツト、１６・
・・水晶、１７・・・シャッタ、１８・・・輻射センサ
。
す図。 第２図は膜厚に対する反対側の端面から放出された放射
強度を示す図。 １０・・・真空槽、１１・・・円形コンベア、１２Ａ
、１２Ｂ・・・るつぼ、１３・・・電子銃、１４・・・
ターゲットホルダ、１５Ａ〜１５Ｘターゲツト、１６・
・・水晶、１７・・・シャッタ、１８・・・輻射センサ
。
Claims (12)
- （１）少なくとも一つの端面に化合物被膜が設けられた
光電子素子において、 上記化合物被膜は、 反射率を削減する実効被膜と、 この実効被膜と上記端面との化学的融和性を高める中間
層と を含む ことを特徴とする光電子素子。 - （２）中間層はその厚さが１０ｎｍないし３０ｎｍであ
る特許請求の範囲第（１）項に記載の光電子素子。 - （３）中間層はその厚さが１５ｎｍないし２５ｎｍであ
る特許請求の範囲第（２）項に記載の光電子素子。 - （４）中間層はその厚さが実効被膜の厚さの５％ないし
１５％である特許請求の範囲第（１）項ないし第（３）
項のいずれかに記載の光電子素子。 - （５）中間層はその厚さが実効被膜の厚さの１０％であ
る特許請求の範囲第（４）項に記載の光電子素子。 - （６）実効被膜は、イットリウム（Ｙ）、ガドリニウム
（Ｇｄ）、ニオジム（Ｎｄ）およびランタン（Ｌａ）か
らなる組より選択された一以上の金属の酸化物を含む特
許請求の範囲第（１）項ないし第（５）項のいずれかに
記載の光電子素子。 - （７）実効被膜は三酸化二ガドリニウム（Ｇｄ＿２Ｏ＿
３）を含む特許請求の範囲第（１）項に記載の光電子素
子。 - （８）中間層は酸化アルミニウム（Ａｌ＿２Ｏ＿３）を
含む特許請求の範囲第（６）項または第（７）項に記載
の光電子素子。 - （９）中間層はそれ自身では端面の反射率に実質的な効
果を生じない薄さの被膜である特許請求の範囲第（１）
項ないし第（８）項のいずれかに記載の光電子素子。 - （１０）実効被膜は反射率が実質的に最小になる厚さに
調整される特許請求の範囲第（１）項ないし第（９）項
のいずれかに記載の光電子素子。 - （１１）受光および発光のための二つの端面を含む半導
体レーザ素子を基板として備え、 上記二つの端面には、反射率を削減してレーザ発振を抑
制する化合物被膜が設けられた光増幅器において 上記化合物被膜は、 反射率を削減する実効被膜と、 この実効被膜と上記端面との化学的融和性を高める中間
層と を含む ことを特徴とする光増幅器。 - （１２）基板はインジウムガリウム・ヒ素リン・レーザ
素子である特許請求の範囲第（１１）項に記載の光増幅
器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8514051 | 1985-06-04 | ||
| GB858514051A GB8514051D0 (en) | 1985-06-04 | 1985-06-04 | Opto-electronic devices |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6216593A true JPS6216593A (ja) | 1987-01-24 |
Family
ID=10580141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61129030A Pending JPS6216593A (ja) | 1985-06-04 | 1986-06-03 | 光電子素子および光増幅器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4794607A (ja) |
| EP (1) | EP0204540A3 (ja) |
| JP (1) | JPS6216593A (ja) |
| CA (1) | CA1271830A (ja) |
| GB (1) | GB8514051D0 (ja) |
Families Citing this family (6)
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