JPS62169044A - 塩素イオン選択電極 - Google Patents
塩素イオン選択電極Info
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- JPS62169044A JPS62169044A JP61011243A JP1124386A JPS62169044A JP S62169044 A JPS62169044 A JP S62169044A JP 61011243 A JP61011243 A JP 61011243A JP 1124386 A JP1124386 A JP 1124386A JP S62169044 A JPS62169044 A JP S62169044A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/28—Electrolytic cell components
- G01N27/30—Electrodes, e.g. test electrodes; Half-cells
- G01N27/333—Ion-selective electrodes or membranes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[従来技術]
銀層、塩化1!層、および塩素イオン選択膜をこの順に
積層してなり塩素イオン選択膜に疎水性有機高分子を結
合剤として含む塩素イオン選択電極はよく知られ、例え
ば米国特許3,591,482号に記載されている。
積層してなり塩素イオン選択膜に疎水性有機高分子を結
合剤として含む塩素イオン選択電極はよく知られ、例え
ば米国特許3,591,482号に記載されている。
塩素イオン選択膜は一般に四級アンモニウム塩(例えば
^1drich Chen+1ea1社製“八l 1q
uat336”)と結合剤としての疎水性有機高分子か
らなる。イオン選択膜に結合剤として用いられる疎水性
有機高分子としては特開昭58−158848号の記載
のごとき塩化ビニル共重合体が知られている。 しかし
この重合体は電位側定時初期のドリフトが大きいほか、
共存する臭素イオンの干渉を受ける欠点がある。前記公
開特許出願以前からよく知られているポリ塩化ビニルで
も同様であった。電位側定時初期のドリフトが大きいと
、試料液と電極の接触後一定時間後に測定される電位の
再現性、従って求められる塩素イオン濃度の再現性が悪
くなる。
^1drich Chen+1ea1社製“八l 1q
uat336”)と結合剤としての疎水性有機高分子か
らなる。イオン選択膜に結合剤として用いられる疎水性
有機高分子としては特開昭58−158848号の記載
のごとき塩化ビニル共重合体が知られている。 しかし
この重合体は電位側定時初期のドリフトが大きいほか、
共存する臭素イオンの干渉を受ける欠点がある。前記公
開特許出願以前からよく知られているポリ塩化ビニルで
も同様であった。電位側定時初期のドリフトが大きいと
、試料液と電極の接触後一定時間後に測定される電位の
再現性、従って求められる塩素イオン濃度の再現性が悪
くなる。
[発明の目的コ
本発明の目的は、電位測定時、特に初期のドリフトが小
さく、従って電位測定により求められる塩素イオン濃度
の再現性が良く、かつ臭素イオンの干渉が防止された塩
素イオン選択電極の提供にある。
さく、従って電位測定により求められる塩素イオン濃度
の再現性が良く、かつ臭素イオンの干渉が防止された塩
素イオン選択電極の提供にある。
[発明の構成コ
上記の目的は、銀層、塩化銀層、および塩素イオン選択
膜をこの順に積層してなり、塩素イオン選択膜に疎水性
有機高分子を結合剤として含む塩素イオン選択電極にお
いて、前記疎水性有機高分子がビニルアセクール類重合
体またはビニルアセタール類と共重合しうる単量体との
共重合体であることを特徴とする塩素イオン選択電極に
よって達成された。
膜をこの順に積層してなり、塩素イオン選択膜に疎水性
有機高分子を結合剤として含む塩素イオン選択電極にお
いて、前記疎水性有機高分子がビニルアセクール類重合
体またはビニルアセタール類と共重合しうる単量体との
共重合体であることを特徴とする塩素イオン選択電極に
よって達成された。
「具体的な構成」
銀層、塩化銀層は公知の色々な方法で作ることが出来る
が、特開昭56−33537.同57−186163号
の記載のような方法は好ましい。銀層の電解酸化や塩化
銀の蒸着によって銀層の上に塩化銀層を生成させること
もできる。
が、特開昭56−33537.同57−186163号
の記載のような方法は好ましい。銀層の電解酸化や塩化
銀の蒸着によって銀層の上に塩化銀層を生成させること
もできる。
イオン選択膜の成分としてよく知られている四級アンモ
ニウム塩としては、長鎖アルキル基を有するテトラアル
キルアンモニウム塩、例えばトリオクチルメチルアンモ
ニウム塩化物を用いることができる(例えば^1dri
cl+ Chemica1社製“^l 1quaL33
6°° )。
ニウム塩としては、長鎖アルキル基を有するテトラアル
キルアンモニウム塩、例えばトリオクチルメチルアンモ
ニウム塩化物を用いることができる(例えば^1dri
cl+ Chemica1社製“^l 1quaL33
6°° )。
イオン選択膜を形成させるには四級アンモニウム塩と結
合剤となる高分子化合物の両者を比較的良く溶解する溶
媒で適宜の濃度の溶液とし、塩化銀層の上に塗布または
散布して乾燥すればよい。
合剤となる高分子化合物の両者を比較的良く溶解する溶
媒で適宜の濃度の溶液とし、塩化銀層の上に塗布または
散布して乾燥すればよい。
ビニルアセクール類としては
ビニルホルマール
ビニルアセタール
ビニルブチラール
などを用いることができるが、ビニルブチラールが好ま
しい。有機高分子としてビニルアセタール類の羊独重合
体を用いてもよいが、共重合しろる他の単量体との共重
合体でもよい。例えばビニルブチラールとビニルアルコ
ール ビニルブチラールと酢酸ビニル ビニルブチラールとビニルアルコールと酢酸ビニル ビニルブチラールとビニルアルコールと酢酸ビニルとビ
ニルメチルエーテル などの共重合体も用いることができる。
しい。有機高分子としてビニルアセタール類の羊独重合
体を用いてもよいが、共重合しろる他の単量体との共重
合体でもよい。例えばビニルブチラールとビニルアルコ
ール ビニルブチラールと酢酸ビニル ビニルブチラールとビニルアルコールと酢酸ビニル ビニルブチラールとビニルアルコールと酢酸ビニルとビ
ニルメチルエーテル などの共重合体も用いることができる。
共重合比は特に限定されないが、ビニルブチラールが5
0モル%以上であることが好ましい。
0モル%以上であることが好ましい。
塩化ビニルとの共重合体を用いることもできるが、塩化
ビニルの含量が40モル%以上のものは好ましくない。
ビニルの含量が40モル%以上のものは好ましくない。
ポリビニルブチラールの場合、溶媒としてはエタノール
が適当である。
が適当である。
[実施例]
特開昭58−156848号に記載のフィルム状銀/塩
化銀電極の塩化銀層および切り込み部分の全面にわたっ
て、下記組成<a)の溶液を塗布し、乾燥膜厚で11μ
mの塩素イオン選択膜をもうけな。
化銀電極の塩化銀層および切り込み部分の全面にわたっ
て、下記組成<a)の溶液を塗布し、乾燥膜厚で11μ
mの塩素イオン選択膜をもうけな。
(a)
ポリビニルブチラール 1.Og(電気化学工業
株式会社製2000−L )トリオクチルメチルアシモ
ニスウムクロリド 1.Og(^Idri
ch Chea+1ca1社製“^l1quat336
” )界面活性剤KF945 (信越化学工業株式会社製) 0.4m11018
EK* 溶液 エタノール 7.0g*メチルエチル
ケトン こうして得られた長尺電極フィルムを幅約61に切断し
、糸ブリッジ(特開昭58−156848号記載を参照
)を用いて、オリオン社製 マイクロプロセッサ−イオ
ナライザー モデル901により、電位の測定を行った
。結果は第1表の通りであった。ここで標準液としては
Ca1ibraLe (GeneralDiagnos
tics社製)を用い、第1表に示す3水準の塩素イオ
ン濃度になるように調製した。電位の値は各レベルにお
いて20回測定した平均値、である。
株式会社製2000−L )トリオクチルメチルアシモ
ニスウムクロリド 1.Og(^Idri
ch Chea+1ca1社製“^l1quat336
” )界面活性剤KF945 (信越化学工業株式会社製) 0.4m11018
EK* 溶液 エタノール 7.0g*メチルエチル
ケトン こうして得られた長尺電極フィルムを幅約61に切断し
、糸ブリッジ(特開昭58−156848号記載を参照
)を用いて、オリオン社製 マイクロプロセッサ−イオ
ナライザー モデル901により、電位の測定を行った
。結果は第1表の通りであった。ここで標準液としては
Ca1ibraLe (GeneralDiagnos
tics社製)を用い、第1表に示す3水準の塩素イオ
ン濃度になるように調製した。電位の値は各レベルにお
いて20回測定した平均値、である。
・−しみ −
塩素イオン濃度 72 96 133(mel
) 電位(mV) +6.6 +0.2 −
6.7CV % 0.68 0.56
0.68第1表に示すように、塩素イオン濃度の対数
と電位の間に再現性よく、良好な直線関係が得られた。
) 電位(mV) +6.6 +0.2 −
6.7CV % 0.68 0.56
0.68第1表に示すように、塩素イオン濃度の対数
と電位の間に再現性よく、良好な直線関係が得られた。
比較のために下記組成(b)の溶液を実施例と同様にし
て銀/塩化銀電極上に塗布した塩素イオン選択電極を用
いて、電位を測定した結果は第2表の通りであった9 (b) 塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体 重合比90:10 t、og(Lln
ion Carbide社製”VYNS” ントリオク
チルメチルアンモニウムクロリド O
,ag(八Idrich Chemica1社製“′^
l 1quat33B” )エタノール
7.0g第2表 塩素イオン濃度 72 96 133(me
q/I) CV X 1.89 2.06 2.
05さらに下記組成(c)の溶液を用いて同様にしてイ
オン選択電極を作り電位を測定した。その結果は第3表
の通りであった。
て銀/塩化銀電極上に塗布した塩素イオン選択電極を用
いて、電位を測定した結果は第2表の通りであった9 (b) 塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体 重合比90:10 t、og(Lln
ion Carbide社製”VYNS” ントリオク
チルメチルアンモニウムクロリド O
,ag(八Idrich Chemica1社製“′^
l 1quat33B” )エタノール
7.0g第2表 塩素イオン濃度 72 96 133(me
q/I) CV X 1.89 2.06 2.
05さらに下記組成(c)の溶液を用いて同様にしてイ
オン選択電極を作り電位を測定した。その結果は第3表
の通りであった。
(c)
ポリ塩化ビニル 1.Ogトリオクチル
メナルア〉モニウム2aリド 1
.0g(^Idrich Chemica1社製“八日
quat336°°)界面活性剤KF945 (信越化学工業株式会社製) 0.4m110%
MEに 溶液 THF* 13g*テトラヒド
ロフラン 第3 − 塩素イオン濃度 72 98 133(me
q/ I ) CV 丁) 1.86 1.45 0
.99前記3種のイオン選択電極を用い、塩素イオン濃
度96meq/Iの場合につき、液点着より30゜60
.90,120秒後における電位差を測定した。その結
果を第11表に示す。
メナルア〉モニウム2aリド 1
.0g(^Idrich Chemica1社製“八日
quat336°°)界面活性剤KF945 (信越化学工業株式会社製) 0.4m110%
MEに 溶液 THF* 13g*テトラヒド
ロフラン 第3 − 塩素イオン濃度 72 98 133(me
q/ I ) CV 丁) 1.86 1.45 0
.99前記3種のイオン選択電極を用い、塩素イオン濃
度96meq/Iの場合につき、液点着より30゜60
.90,120秒後における電位差を測定した。その結
果を第11表に示す。
ポリビニルブチテール −0,1−0,2−0,2−
0,2(mV)VYNS −5,6−0,6+0
.9 ÷1.0ポリ、話 ビニル +1.9
−0.2 −0.4 0.0ポリビニルブチ
ラールを用いた本発明の電極は他の三者に比べ、発生電
位の時間的変化が少なく、安定化に要する時間も短い、
すなわち、電位のドリフトが小さい。
0,2(mV)VYNS −5,6−0,6+0
.9 ÷1.0ポリ、話 ビニル +1.9
−0.2 −0.4 0.0ポリビニルブチ
ラールを用いた本発明の電極は他の三者に比べ、発生電
位の時間的変化が少なく、安定化に要する時間も短い、
すなわち、電位のドリフトが小さい。
前記3種のイオン選択電極につき、さらに被測定液中に
一定量の臭化ナトリウムを加えて、臭素イオンの干渉の
評価をおこなった。第5表に示した通り、3 meq/
lの臭素イオン濃度では、疎水性高分子として共重合
体VYNSまたはポリ塩化ビニルを用いた場合に電位が
大きくシフトするのに対して、ポリビニルブチラールを
用いた場合には、実用上問題になる影響は見られなかっ
た。電位は5回の測定の平均値である。
一定量の臭化ナトリウムを加えて、臭素イオンの干渉の
評価をおこなった。第5表に示した通り、3 meq/
lの臭素イオン濃度では、疎水性高分子として共重合
体VYNSまたはポリ塩化ビニルを用いた場合に電位が
大きくシフトするのに対して、ポリビニルブチラールを
用いた場合には、実用上問題になる影響は見られなかっ
た。電位は5回の測定の平均値である。
5表
塩素イオン濃度 −< 96meq/ l > −
臭素イオン濃度 Omeq/l 3meq/1
ボリビニルブチファル +0.2
−0.6V Y N S
+0.7 −18.8ポリ塩f
ビニル +0.1 −9.6出願人 富士
写真フィルム株式会社 昭和t/年弱月Z[I
臭素イオン濃度 Omeq/l 3meq/1
ボリビニルブチファル +0.2
−0.6V Y N S
+0.7 −18.8ポリ塩f
ビニル +0.1 −9.6出願人 富士
写真フィルム株式会社 昭和t/年弱月Z[I
Claims (2)
- (1)銀層、塩化銀層、および塩素イオン選択膜をこの
順に積層してなり塩素イオン選択膜は疎水性有機高分子
を結合剤として含む塩素イオン選択電極において前記疎
水性有機高分子がビニルアセタール類重合体またはビニ
ルアセタール類と共重合しうる単量体との共重合体であ
ることを特徴とする塩素イオン選択電極 - (2)ビニルアセタール類がビニルブチラールである特
許請求の範囲(1)の塩素イオン選択電極
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61011243A JPS62169044A (ja) | 1986-01-22 | 1986-01-22 | 塩素イオン選択電極 |
| DE19873701819 DE3701819A1 (de) | 1986-01-22 | 1987-01-22 | Eine fuer chlorionen selektive elektrode |
| US07/110,565 US4773969A (en) | 1986-01-22 | 1987-10-19 | Chlorine ion-selective electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61011243A JPS62169044A (ja) | 1986-01-22 | 1986-01-22 | 塩素イオン選択電極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62169044A true JPS62169044A (ja) | 1987-07-25 |
| JPH0551101B2 JPH0551101B2 (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=11772493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61011243A Granted JPS62169044A (ja) | 1986-01-22 | 1986-01-22 | 塩素イオン選択電極 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4773969A (ja) |
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