JPS5924234A - 湿度センサ−及びその製造方法 - Google Patents
湿度センサ−及びその製造方法Info
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- JPS5924234A JPS5924234A JP13431082A JP13431082A JPS5924234A JP S5924234 A JPS5924234 A JP S5924234A JP 13431082 A JP13431082 A JP 13431082A JP 13431082 A JP13431082 A JP 13431082A JP S5924234 A JPS5924234 A JP S5924234A
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- JP
- Japan
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- humidity sensor
- thin film
- plasma
- film
- polymer thin
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N5/00—Analysing materials by weighing, e.g. weighing small particles separated from a gas or liquid
- G01N5/02—Analysing materials by weighing, e.g. weighing small particles separated from a gas or liquid by absorbing or adsorbing components of a material and determining change of weight of the adsorbent, e.g. determining moisture content
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- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、湿度センサーに関する。さらに詳しくは、
耐水性、耐薬品性が良く、応答性も良好で安定な性能を
有しておりかつ簡便に製造できる 、湿度センサー
に関する。
耐水性、耐薬品性が良く、応答性も良好で安定な性能を
有しておりかつ簡便に製造できる 、湿度センサー
に関する。
従来、湿度センサーにはセラミック、金属酸化物等を利
用したものがあるが、−分子電解質を感湿物質とした湿
度センサーは感度及び応答速度に優れている。ことに水
晶発振子等の圧′＃Ｌ累子に高分子電解質を感湿物質と
して造膜し、該高分子電解質の湿気との相互作用（主に
吸湿作用）に基づく水晶発振子の発振周波数変化を指標
として湿度を決定する湿度センサーが種々提案されてい
る。
用したものがあるが、−分子電解質を感湿物質とした湿
度センサーは感度及び応答速度に優れている。ことに水
晶発振子等の圧′＃Ｌ累子に高分子電解質を感湿物質と
して造膜し、該高分子電解質の湿気との相互作用（主に
吸湿作用）に基づく水晶発振子の発振周波数変化を指標
として湿度を決定する湿度センサーが種々提案されてい
る。
かような湿度センサーは、通常、圧電素子上に蒸着によ
って一対の導電性材料、例えば金や銀からなる電極を被
覆形成し、さらにこれらの電極上に予め作製された高分
子電解質（例えば、スチレン−ジビニルベンゼン共重合
体スルホン化物、ポリスチレンスルホン化物、ポリスチ
レンスルホン化物とポリビニルアルコールとの混合物、
ポリビニルアルコールとメチルセルローススルホン化物
との混合物等）を刷毛塗りやスピンナーコーティング等
の手法によル塗布して造膜することによ勺作製されてい
る。
って一対の導電性材料、例えば金や銀からなる電極を被
覆形成し、さらにこれらの電極上に予め作製された高分
子電解質（例えば、スチレン−ジビニルベンゼン共重合
体スルホン化物、ポリスチレンスルホン化物、ポリスチ
レンスルホン化物とポリビニルアルコールとの混合物、
ポリビニルアルコールとメチルセルローススルホン化物
との混合物等）を刷毛塗りやスピンナーコーティング等
の手法によル塗布して造膜することによ勺作製されてい
る。
しかしかような方法で得られた湿度センサーはＭ！、混
層すなわち高分子電解質被覆層が塗布形成されているた
め、電解面との密着性が不充分で感湿性能が不安定であ
りかつ応答性も不充分であった。
層すなわち高分子電解質被覆層が塗布形成されているた
め、電解面との密着性が不充分で感湿性能が不安定であ
りかつ応答性も不充分であった。
さらに被覆層の耐水性や耐薬品性にも難があシ使用条件
が制限されるという問題点があり、加えて被覆層の厚み
の制御も困難であるという製造上の問題点もめった。
が制限されるという問題点があり、加えて被覆層の厚み
の制御も困難であるという製造上の問題点もめった。
この発明は、かような従来の問題点を解消すべくなされ
たものである。この発明の発明者らは、鋭意研究の結果
、上記高分子電解質被覆層の形成を、プラズマ重合によ
って行なうことによシミ極面との密着性の優れた感湿膜
が得られ、さらに従来の問題点が解消される事実を見出
しこの発明に到達した。
たものである。この発明の発明者らは、鋭意研究の結果
、上記高分子電解質被覆層の形成を、プラズマ重合によ
って行なうことによシミ極面との密着性の優れた感湿膜
が得られ、さらに従来の問題点が解消される事実を見出
しこの発明に到達した。
て密着形成してなる湿度センサーが提供される。
この発明の最も特徴とする点は、圧電素子上の電極上の
感Ｍ膜の基材となる高分子物質がその場で対応する七ツ
マ−から重合形成されておシ、かつその高分子物質自体
、従来に比して架橋度が極めて高いものであるというこ
とである。さらに他とである。このような構成からなる
ため、電極面と感ｉｉ膜との密着性が優れてお如、さら
に耐薬品性、耐水性、応答性が良好であるものと信じら
れる。ただし、親水性基が導入されてなくても感湿効果
が得られる場合があり、少なくとも感ｉｓがプラズマ重
合高分子薄膜から構成されておればよい。
感Ｍ膜の基材となる高分子物質がその場で対応する七ツ
マ−から重合形成されておシ、かつその高分子物質自体
、従来に比して架橋度が極めて高いものであるというこ
とである。さらに他とである。このような構成からなる
ため、電極面と感ｉｉ膜との密着性が優れてお如、さら
に耐薬品性、耐水性、応答性が良好であるものと信じら
れる。ただし、親水性基が導入されてなくても感湿効果
が得られる場合があり、少なくとも感ｉｓがプラズマ重
合高分子薄膜から構成されておればよい。
３−
この発明に使用する圧電素子としては、当該分野で圧電
特性を示す物質として知られたものが種々使用可能であ
シ、具体的には水晶発振子、電気石、ロツシエル塩、チ
タン酸バリウム、酸化要鉛等が挙げられる。
特性を示す物質として知られたものが種々使用可能であ
シ、具体的には水晶発振子、電気石、ロツシエル塩、チ
タン酸バリウム、酸化要鉛等が挙げられる。
また、この発明の薄膜電極としては導電性材料であれば
使用可能であシ、具体的には金、銀等の腐食性の少ない
金属類を用いるのが好適である。
使用可能であシ、具体的には金、銀等の腐食性の少ない
金属類を用いるのが好適である。
一方、表層に親水性基が導入された一対のプラズマ重合
高分子薄膜は、後述するモノマーからプ、 ２ズマ重
合によって得られる高分子薄膜の表面を処理することに
よって得られる。通常、親水性基としては水酸基やイオ
ン交換基が挙げられ折胴イオン交換樹脂の分野で知られ
たイオン交換基を適用することができ、具体的には、ス
ルホネート基、第四級７ンモニ９五基、ホスホネート基
等が挙げられる。従って、これらの親水性基ｔ−導入す
るプラズマ重合高分子薄膜は、基本的にかような親水性
基を簡便に付加しうるものが適している。通常、ポリス
チレン、ステレンージビニμベンゼン共重４− 合体、スチレン−ビニルアルコール共重合体等のビニル
芳香族系重＆体やビニルアルコール−メチルセルロース
共重合体などが適当であり、ビニル芳香族系重合体が好
ましい。ただし、ビニル基の如き官能性基を有さないモ
ノマーであっても、プラズマ重合によって重合可能であ
り、従って例えばポリベンゼンやボリパ″ｙフィン等も
適用可能であシ、少なくともプラズマ重合によ〕作製さ
れた高分子薄膜が感応膜の基材として用いられておれば
よい。
高分子薄膜は、後述するモノマーからプ、 ２ズマ重
合によって得られる高分子薄膜の表面を処理することに
よって得られる。通常、親水性基としては水酸基やイオ
ン交換基が挙げられ折胴イオン交換樹脂の分野で知られ
たイオン交換基を適用することができ、具体的には、ス
ルホネート基、第四級７ンモニ９五基、ホスホネート基
等が挙げられる。従って、これらの親水性基ｔ−導入す
るプラズマ重合高分子薄膜は、基本的にかような親水性
基を簡便に付加しうるものが適している。通常、ポリス
チレン、ステレンージビニμベンゼン共重４− 合体、スチレン−ビニルアルコール共重合体等のビニル
芳香族系重＆体やビニルアルコール−メチルセルロース
共重合体などが適当であり、ビニル芳香族系重合体が好
ましい。ただし、ビニル基の如き官能性基を有さないモ
ノマーであっても、プラズマ重合によって重合可能であ
り、従って例えばポリベンゼンやボリパ″ｙフィン等も
適用可能であシ、少なくともプラズマ重合によ〕作製さ
れた高分子薄膜が感応膜の基材として用いられておれば
よい。
このようなこの発明の高分子薄膜は高い架橋度を有し、
分子構造がプラズマ重合を行なわ、ない通常の方法によ
るものと比べ全＜Ａなるので一般に有機溶剤に非常に繻
解し難いため、従来の高分子電解質被覆層とこの点で充
分に区別し得るものである。
分子構造がプラズマ重合を行なわ、ない通常の方法によ
るものと比べ全＜Ａなるので一般に有機溶剤に非常に繻
解し難いため、従来の高分子電解質被覆層とこの点で充
分に区別し得るものである。
この発明の湿度センサーの具体例を第１図及び第２図に
示す。図において、この発明の湿度センサー（１）は、
円盤状の水晶発振子（２）の両面に、表層にナトリウム
スルホネート基が導入された−対のプラズマ重合ポリス
チレン薄膜（”） ＋ （３９をそれぞれ金蒸着膜から
なる円形の電極（４）ｌ（４’）を介して密着形成して
なる。そして電極（４）ｔ（４つの端部から端子（す、
（５りを通じて二本のリード線（６）。
示す。図において、この発明の湿度センサー（１）は、
円盤状の水晶発振子（２）の両面に、表層にナトリウム
スルホネート基が導入された−対のプラズマ重合ポリス
チレン薄膜（”） ＋ （３９をそれぞれ金蒸着膜から
なる円形の電極（４）ｌ（４’）を介して密着形成して
なる。そして電極（４）ｔ（４つの端部から端子（す、
（５りを通じて二本のリード線（６）。
（６りが接続されてふ・シ、リード線（６）Ｉ（６つは
周波数測定器及び湿度変換指示器（図中、省略）に接続
されている。上記Ｍ度センサー（１）’ｔ、測定対象Ｍ
にボリスナレン薄＃（３Ｌ（３つが露出するよう位置さ
せ、その際の水晶発振子（２）の周波数の変化を周波数
測定器で検出することによシ、湿度変換指示計を通じて
湿度が鋭敏にかつ安定に測定される。
周波数測定器及び湿度変換指示器（図中、省略）に接続
されている。上記Ｍ度センサー（１）’ｔ、測定対象Ｍ
にボリスナレン薄＃（３Ｌ（３つが露出するよう位置さ
せ、その際の水晶発振子（２）の周波数の変化を周波数
測定器で検出することによシ、湿度変換指示計を通じて
湿度が鋭敏にかつ安定に測定される。
なお、上記具体例において、電極（４）＋（４９の膜厚
は約０．１〜１０２ｍ１プラズマ重合ポリスチレンの膜
厚は約０．０１〜１μｍであるのが適当である。
は約０．１〜１０２ｍ１プラズマ重合ポリスチレンの膜
厚は約０．０１〜１μｍであるのが適当である。
この発明の湿度センサーは、通常、圧電素子の両面に金
や銀等の導電性材料からなる一対の電極全蒸着によシ密
着形成し、これら電極を放電極とするプラズマ重合にそ
れぞれ付して各電極面上に所望のプラズマ重合高分子薄
＊を密着形成した後、各高分子簿膜の表層にイオン交換
基などの親水性基’ｔｔｓ入することによシ作製するこ
とができる。
や銀等の導電性材料からなる一対の電極全蒸着によシ密
着形成し、これら電極を放電極とするプラズマ重合にそ
れぞれ付して各電極面上に所望のプラズマ重合高分子薄
＊を密着形成した後、各高分子簿膜の表層にイオン交換
基などの親水性基’ｔｔｓ入することによシ作製するこ
とができる。
上記、電極の蒸着条件は公知の条件を任意に選択できる
。一方、プラズマ重合の方法も、種々の方法が適用でき
、通常、高真空下の七ツマー雰囲気中、上記電極を放電
極としてグロー放電を行なう所Ｍ低温プラズマ重合条佇
に付すのが適当である。
。一方、プラズマ重合の方法も、種々の方法が適用でき
、通常、高真空下の七ツマー雰囲気中、上記電極を放電
極としてグロー放電を行なう所Ｍ低温プラズマ重合条佇
に付すのが適当である。
この低温プラズマ重合条件のうち、低周波放電プラズマ
重合で重合を行なうことが高分子の構造、組成及び膜の
均一性の点で好ましい。７ラズマ重合の放電時間を適宜
調整することにより、高分子薄膜の膜厚を任意に高精度
で制御することができ、従来の塗布法による薄膜の膜厚
のバラツキを解消することができる。なお、プラズマ重
合に用いる七ツマ−としては、重合性官能基を有さない
通常、不活性のものも適用可能であるが、一般的にスチ
レン、メチルスチレン、クロルスチレン、ジビ二μベン
ゼン等のビニル芳香族系化合物や、ビニルアルコ−μ、
メチｐセμロース等が好適であり、もちろんこれらのモ
ノマーは混合物として用いて７− もよい。
重合で重合を行なうことが高分子の構造、組成及び膜の
均一性の点で好ましい。７ラズマ重合の放電時間を適宜
調整することにより、高分子薄膜の膜厚を任意に高精度
で制御することができ、従来の塗布法による薄膜の膜厚
のバラツキを解消することができる。なお、プラズマ重
合に用いる七ツマ−としては、重合性官能基を有さない
通常、不活性のものも適用可能であるが、一般的にスチ
レン、メチルスチレン、クロルスチレン、ジビ二μベン
ゼン等のビニル芳香族系化合物や、ビニルアルコ−μ、
メチｐセμロース等が好適であり、もちろんこれらのモ
ノマーは混合物として用いて７− もよい。
上記プラズマ重合高分子薄膜の表層への親水性基の導入
は、通常の湿式処理や乾式処理等種々の方法が適用でき
る。
は、通常の湿式処理や乾式処理等種々の方法が適用でき
る。
例えばスルホネート基を導入する場合、発煙硫酸からの
硫酸ガスを高分子薄膜の表面に接触させることによって
行なうのが簡便である。ただしこの際、処理系を充分に
乾燥させておくことが、硫酸ンストの生成を防止し高分
子薄膜の劣化や他の機材の腐食が防止できる点好ましい
。ことに処理系内を高真空としガス接触処理を行なうの
がよシ好ましく、この際、前記プラズマ重合と同様に放
電処理を行なってスルホネート基の高分子薄膜への導入
をより迅速化させることもできる。なお、硫酸ガスによ
如導入されたイオン交換基は、スルホン酸基であシ、通
常、ガス処理後、塩化ナトリウム水溶液等の塩類水溶液
中に浸漬処理して金属イオンを有するスルホネート基に
イオン交換した形態としておくことが適当である。
硫酸ガスを高分子薄膜の表面に接触させることによって
行なうのが簡便である。ただしこの際、処理系を充分に
乾燥させておくことが、硫酸ンストの生成を防止し高分
子薄膜の劣化や他の機材の腐食が防止できる点好ましい
。ことに処理系内を高真空としガス接触処理を行なうの
がよシ好ましく、この際、前記プラズマ重合と同様に放
電処理を行なってスルホネート基の高分子薄膜への導入
をより迅速化させることもできる。なお、硫酸ガスによ
如導入されたイオン交換基は、スルホン酸基であシ、通
常、ガス処理後、塩化ナトリウム水溶液等の塩類水溶液
中に浸漬処理して金属イオンを有するスルホネート基に
イオン交換した形態としておくことが適当である。
このようにして得られたこの発明の湿度センサ８−
−は、湿度に対する応答性がよくかつ安定であシ、さら
に高分子薄膜の架橋性が高く、特に耐水性、耐薬品性に
優れておシその使用対象が拡大されるという点極めて有
用である。さらにこの発明の湿度センサーは、従来のよ
うに予め感湿物質を用意しておくことはなく、かつ塗布
処理を行なう必要もなく短時間で簡便に製造することが
できコスト低減にも結びつき有利である。
に高分子薄膜の架橋性が高く、特に耐水性、耐薬品性に
優れておシその使用対象が拡大されるという点極めて有
用である。さらにこの発明の湿度センサーは、従来のよ
うに予め感湿物質を用意しておくことはなく、かつ塗布
処理を行なう必要もなく短時間で簡便に製造することが
できコスト低減にも結びつき有利である。
以下、この発明ｔ−実施例によってよシ詳しく説明する
。
。
実施例１゜
厚さ０．６ｍ１ｍ、直径１４鰭の円盤状水晶発振子の両
面中央部に、蒸着によって直径８１１１１の金薄ｊ１ｍ
（膜厚的１μｍ）からなる一対の電極を密着形成させた
。
面中央部に、蒸着によって直径８１１１１の金薄ｊ１ｍ
（膜厚的１μｍ）からなる一対の電極を密着形成させた
。
この発振子の発振周波数は約９ ＭＨｚである。
上記発振子を、プラズマ重合用密閉容器にセットした。
プラズマ重合装置の構成を第３図に示した。図において
、（７）はアルミニウムからなる放電極、（８）は同様
に放電対極、（９）は七ツマー吹出口、（ｌＯ）はＲ，
Ｆ電源、（１１）は真空ポンプへの接続管、（１２）は
スチレンモノマー容器、（１３）はシール、（１４）は
密閉容器をそれぞれ示す。上記発振子（２）は密着した
円状の金電極両面上に直径６ａｇφのポリスチレン薄膜
が形成されるようアルシミニウム製の押え板（７つでそ
の周辺がマスクされている。この際押え板（７つと金電
極とは充分に導通がなされている。これにより金電極は
放電極の一部として働く。この構成において下記条件に
よシプラズマ重合を行ない、金電極両面上に一挙に約０
．４μｍの均一な膜厚のポリスチレン薄膜を密着形成さ
せた。
、（７）はアルミニウムからなる放電極、（８）は同様
に放電対極、（９）は七ツマー吹出口、（ｌＯ）はＲ，
Ｆ電源、（１１）は真空ポンプへの接続管、（１２）は
スチレンモノマー容器、（１３）はシール、（１４）は
密閉容器をそれぞれ示す。上記発振子（２）は密着した
円状の金電極両面上に直径６ａｇφのポリスチレン薄膜
が形成されるようアルシミニウム製の押え板（７つでそ
の周辺がマスクされている。この際押え板（７つと金電
極とは充分に導通がなされている。これにより金電極は
放電極の一部として働く。この構成において下記条件に
よシプラズマ重合を行ない、金電極両面上に一挙に約０
．４μｍの均一な膜厚のポリスチレン薄膜を密着形成さ
せた。
（放電条件）
圧力； ｌ Ｔｏｒｒ
温度；２５℃
放電極大きさｉ５Ｘ５ｃｍ
化ツマー流量； ０．２５ ｍ／分
放電周波数＋ ｌ Ｋ１１ｚ 、 ｌ Ｗ放電時間；
６０秒 このようにして両面に金電極を介してそれぞれプラズマ
亘合ポリスチレン薄展を密着形成させた後、発振子をス
ルホン化槽に固定し、該槽に硫酸ガスを導入してスルホ
ン化を行なった。スルホン化装置の構成を第４図に示す
。図において、Ｎ２ボンベ（１９）から流量ｏ、１詔／
分でＮ２を流す。Ｎ２は常温でＳＯ，（発煙硫酸）溶液
（１８）中全バブリングして飽和８０３としバッファ一
槽（１７）に入る。ここで硫酸ミストが除去され′ｆｔ
Ｌ酸ガスのみがスルホン化槽（１５）に導入される。ス
ルホン化Ｍ （１５）内にはステンレス製の基板（１６
）が設けられておシ、この基板上の金具によって、水晶
発振子が固定されている。このようにして硫酸ガスを水
晶発振子上のポリスチレン薄膜表面に接触させることに
よ如、ポリスチレン薄膜の表層にスルホン酸基が導入さ
れる。なお、接触時間は約１０分とした。
６０秒 このようにして両面に金電極を介してそれぞれプラズマ
亘合ポリスチレン薄展を密着形成させた後、発振子をス
ルホン化槽に固定し、該槽に硫酸ガスを導入してスルホ
ン化を行なった。スルホン化装置の構成を第４図に示す
。図において、Ｎ２ボンベ（１９）から流量ｏ、１詔／
分でＮ２を流す。Ｎ２は常温でＳＯ，（発煙硫酸）溶液
（１８）中全バブリングして飽和８０３としバッファ一
槽（１７）に入る。ここで硫酸ミストが除去され′ｆｔ
Ｌ酸ガスのみがスルホン化槽（１５）に導入される。ス
ルホン化Ｍ （１５）内にはステンレス製の基板（１６
）が設けられておシ、この基板上の金具によって、水晶
発振子が固定されている。このようにして硫酸ガスを水
晶発振子上のポリスチレン薄膜表面に接触させることに
よ如、ポリスチレン薄膜の表層にスルホン酸基が導入さ
れる。なお、接触時間は約１０分とした。
次いで発振子ｔ−ＬＮ−塩化ナトリウム溶液中に約３０
分間浸漬してスルホン酸基全ナトリウムスルホネすト基
に変換させた。さらに、余剰の塩化ナトリウムｔ−除去
するため、純水中に３回浸漬させ、風乾することによシ
、第１図に糸す如きこの発明の湿度センサーを得た。
分間浸漬してスルホン酸基全ナトリウムスルホネすト基
に変換させた。さらに、余剰の塩化ナトリウムｔ−除去
するため、純水中に３回浸漬させ、風乾することによシ
、第１図に糸す如きこの発明の湿度センサーを得た。
ｌｌ−
との温度センサーを用いて湿度と発振周波数との関係を
調べた結果を第５図に示す。
調べた結果を第５図に示す。
第１図及び第２図はこの発明の湿度センサーの具体例を
示す平面図及び側面図、第３図及び第４図はこの発明の
温度センサー作製時の一工程をそれぞれ説明する構成説
明図、第５図は、この発明の湿度センサーのＷ＆混効果
の一例を示すグラフである。 （１）・・・・・湿度センサー、（２）・・・・・水晶
発振子、（３）、（３つ・・・・・プラズマ重合ポリス
チレン薄膜、（４）ｌ（４’）・・・・・電極、（５）
＋（５つ・・・・・端子、（６）。 （６す・・・・・ リード線、（２）・・・・・放電極
、（７′）・・・・・押え板、（８）・・・・・放電対
極、（９）・・・・・七ツマー吹出口、（ｌＯ）・・・
・・Ｒ，Ｆ電源、（１１）・・・・・接続管、 （１
２）・・・・・スチレンモノマー賽８、（１３）・°・
・・シール、（１４）・・・・・’ＪＢ閉賽Ｈ１（１５
）・・・・・スルホン化４１ｆ、（１６）・・・・・Ｍ
板、 （１７）・・・・・バッファー４１、（１８）
・・・・・ＳＯｓ溶液、（１９）・・・・・Ｎ８ボンベ
。 １２− 第１図 第２図 第３図 ４ ８ ２ ３１３ ζ−
示す平面図及び側面図、第３図及び第４図はこの発明の
温度センサー作製時の一工程をそれぞれ説明する構成説
明図、第５図は、この発明の湿度センサーのＷ＆混効果
の一例を示すグラフである。 （１）・・・・・湿度センサー、（２）・・・・・水晶
発振子、（３）、（３つ・・・・・プラズマ重合ポリス
チレン薄膜、（４）ｌ（４’）・・・・・電極、（５）
＋（５つ・・・・・端子、（６）。 （６す・・・・・ リード線、（２）・・・・・放電極
、（７′）・・・・・押え板、（８）・・・・・放電対
極、（９）・・・・・七ツマー吹出口、（ｌＯ）・・・
・・Ｒ，Ｆ電源、（１１）・・・・・接続管、 （１
２）・・・・・スチレンモノマー賽８、（１３）・°・
・・シール、（１４）・・・・・’ＪＢ閉賽Ｈ１（１５
）・・・・・スルホン化４１ｆ、（１６）・・・・・Ｍ
板、 （１７）・・・・・バッファー４１、（１８）
・・・・・ＳＯｓ溶液、（１９）・・・・・Ｎ８ボンベ
。 １２− 第１図 第２図 第３図 ４ ８ ２ ３１３ ζ−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）圧電素子上に、プラズマ重合高分子薄膜からなる
感湿膜を薄膜Ｘ極を介して密着形成してなる湿度センサ
ー。 （２）薄膜電極が一対であり、それぞれにプラズマ重合
高分子＃膜からなる感湿膜が密着形成されてなる特許請
求の範囲第１項記載の湿度センサー。 （８）Ｗ＆湿膜が、表層に親水性基が導入されたプラズ
マ重合高分子薄膜からなる特許請求の範囲第１項又は第
２項記載の湿度センサー。 （４）プラズマ重合高分子薄膜が、低周波プラズマ重合
によって形成されてなる特許請求の範囲第１項又は第２
項記載の湿度センサー。 （５）圧電素子に導電性材料からなる一対の電極を蒸着
により密着形成し、これをモノマーの存在下プラズマ重
合に付して各電極面上に高分子薄膜を形成した後、各高
分子薄膜に親水性基を導入することを特徴とする湿度セ
ンサーの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13431082A JPS5924234A (ja) | 1982-07-31 | 1982-07-31 | 湿度センサ−及びその製造方法 |
| US06/516,959 US4562725A (en) | 1982-07-31 | 1983-07-25 | Moisture sensor and a process for the production thereof |
| EP83304392A EP0100661B1 (en) | 1982-07-31 | 1983-07-29 | Moisture sensor and a process for the production thereof |
| DE8383304392T DE3375829D1 (en) | 1982-07-31 | 1983-07-29 | Moisture sensor and a process for the production thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13431082A JPS5924234A (ja) | 1982-07-31 | 1982-07-31 | 湿度センサ−及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5924234A true JPS5924234A (ja) | 1984-02-07 |
| JPS6218856B2 JPS6218856B2 (ja) | 1987-04-24 |
Family
ID=15125301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13431082A Granted JPS5924234A (ja) | 1982-07-31 | 1982-07-31 | 湿度センサ−及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5924234A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61286802A (ja) * | 1985-06-13 | 1986-12-17 | Tokai Rika Co Ltd | 防曇鏡 |
| JPS61290351A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-20 | Nok Corp | 高分子薄膜感湿素子 |
| JPS6216455U (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-31 | ||
| JPS63137491A (ja) * | 1986-11-29 | 1988-06-09 | Shimadzu Corp | 圧電素子型センサ |
| US5122237A (en) * | 1990-07-27 | 1992-06-16 | Korea Institute Of Science And Technology | High molecular humidity sensor and manufacturing method thereof by electrochemical method |
-
1982
- 1982-07-31 JP JP13431082A patent/JPS5924234A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61286802A (ja) * | 1985-06-13 | 1986-12-17 | Tokai Rika Co Ltd | 防曇鏡 |
| JPS61290351A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-20 | Nok Corp | 高分子薄膜感湿素子 |
| JPS6216455U (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-31 | ||
| JPS63137491A (ja) * | 1986-11-29 | 1988-06-09 | Shimadzu Corp | 圧電素子型センサ |
| US5122237A (en) * | 1990-07-27 | 1992-06-16 | Korea Institute Of Science And Technology | High molecular humidity sensor and manufacturing method thereof by electrochemical method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6218856B2 (ja) | 1987-04-24 |
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