JPS62169155A - ネガ型フオトレジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ネガ型フォトレジスト組成物、詳しくハ、特
定のＮ−（ヒドロキシフェニル）マレイミド共重合体と
特定のアジド化合物とからなるネガ型フォトレジスト組
成物に関するもので、本発明のネガ型フォトレジスト組
成物は、ＩＣやＬＳＩ等の集積回路の製作を初め、シャ
ドーマスク、プリント配線板、ｐｓ平版の製作等、写真
工業、印刷工業、電子工業等の分野において広範囲に使
用することができる。

〔従来の技術〕

通常、フォトレジストは、写真工業、印刷工業、電子工
業等の分野において、例えば、プリント配線用銅張積層
板の製作、ＩＣやＬＳＩ等の集積回路の製作に利用され
ている。上記集積回路の製作においては高集積化に伴う
微細化により、１μｍ以下のパターン形成可能なフォト
レジストが要求されつつある。

一般に、上記の用途に用いられるネガ型フォトレジスト
としては、アジド基を有する化合物と環化ゴムとを組み
合わせたもの、又は最近これらに更にポリヒドロキシス
チレンを組み合わせたものが用いられている。

一方、ポジ型フォトレジストとしては、ナフトキノンジ
アジド化合物とノボラック樹脂とを主成分とするものが
、解像力が優れていることから、集積回路の製作に広く
用いられている。

また更に、ポリヒドロキシスチレンを用いたネガ型フォ
トレジストも知られている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

前記の従来公知の環化ゴム系ネガ型フォトレジストは、
現像を有機溶媒で行う必要があるため、膨潤が避けられ
ず、解像力が劣り、微細パターンを得ることが困難であ
る等の問題がある。

また、前記の従来公知のポジ型フォトレジストは、基板
との密着性が乏しく、且つレジスト皮膜がかたくて脆い
ために柔軟で微細な薄膜を得ることが困難であり、また
、ノボラック樹脂の分子量及び分子量分布のコントロー
ルが難しく、レジスト性能においてバラツキを生じたり
、耐熱性を低下させたりする問題がある。

また、前記の従来公知のポリヒドロキシスチレンを用い
たネガ型フォトレジストは、基板への密着性、耐熱性、
耐ドライエツチング性、解像性等がまだ十分に満足し得
るものではない。

従うて、本発明の目的は、高感度及び高解像度で耐ドラ
イエツチング性が高く、且つ耐熱性、薄膜性、及び基板
への密着性に優れ、高精度の微細パターンを形成し得る
フォトレジストを提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明者等は、ポジ型フォトレジストに比べて、例えば
下地反射光の影響による解像度の低下が少ない等の優れ
た特性を有するネガ型フォトレジストにおいて、特にそ
の感度、解像度、耐熱性、薄膜性、基板への密着性等を
改良するために鋭意検討した結果、特定のＮ−（ヒドロ
キシフェニル）マレイミド共重合体と特定のアジド化合
物とを組み合わせることにより、前記目的を達成するネ
ガ型フォトレジスト組成物が得られることを知見した。

本発明は、上記知見に基づきなされたもので、（式中、
ＲＩはアリール基、１〜１６個の炭素原子を有するアル
キル基又はシクロアルキル基であり、Ｒオは水素又は低
級アルキル基である。また、ｎと（１＋ｍ）との割合及
びｌと（１＋ｍ）との割合は、それぞれ １　＋ｍ　　　　　　　　　　　ｌ　＋ｍである。） で示される構成単位を有するＮ−（ヒドロキシフェニル
）マレイミド共重合体と、感光性芳香族アジド化合物と
を含むネガ型フォトレジスト組成物を提供するものであ
る。

以下に本発明のネガ型フォトレジスト組成物について詳
述する。

本発明のネガ型フォトレジスト組成物を構成するＮ−（
ヒドロキシフェニル）マレイミド共重合体は、 （式中、Ｒ１はアリール基、１〜１６個の炭素原子を有
するアルキル基又はシクロアルキル基であり、Ｒ２は水
素又は低級アルキル基である。また、ｎと（ｌ＋ｍ）と
の割合及びｌと（１＋ｍ）との割合は、それぞれ １　＋ｍ　　　　　　　　　　１　＋ｍ好ましくは １　＋ｍ　　　　　　　　　　１　＋ｍである。） で示される構成単位を有する共重合体であり、上記式（
Ｉｆｆ）で示される構成単位を構成する適当な不飽和炭
化水素化合物の例としては、イソブチレン、３−メチル
ブテン−１、ヘキセン−１，スチレン、α−メチルスチ
レン、ビニルトルエン、ビニルナフタレン、ビニルシク
ロヘキセン、ビニルシクロヘキサン等が挙げられる。

上記Ｎ−（ヒドロキシフェニル）マレイミド共重合体は
、上記不飽和炭化水素化合物がアリール基を有するもの
よりもアルキル基のみを有するものの方が、柔軟性に優
れた薄膜が得られ易く、且つ基板への密着性も優れてい
るため好ましい。

上記Ｎ−（ヒドロキシフェニル）マレイミド共重合体は
、ｎと（＃＋ｍ）との割合（ｎ／（ｆｆｉ＋ｍ））が１
０を超えると、アルカリ溶解性が低下し、またｎと（１
＋ｍ）との割合が余り小さくなると、皮膜が弱くなった
り脆（なったりするので適当ではない、また、ｌと（ｊ
！＋ｍ）との割合（ｊ！／（ｆｆｉ＋ｍ））が０．１以
下であると、フォトレジストにおいて照射部分と非照射
部分のアルカリ溶解性にあまり差がなく適当でない。

また、上記Ｎ−（ヒドロキシフェニル）マレイミド共重
合体は、式（１）で示される構成単位の占める割合、即
ちｌと（ｊ！＋ｍ＋ｎ）との割合が２０＜４！／　（Ｉ
ｌ＋ｍ＋ｎ）＜８０、特に２５〈ｌ／　（ｊ！＋ｍ＋ｎ
）＜６０であるものが好ましい。

また、上記Ｎ−（ヒドロキシフェニル）マレイミド共重
合体としては、単分散ポリエステルを標準としてゲルバ
ーミニ−シランクロマト法（ＯＰＣ法）により求めた数
平均分子ｆｆｉ　（Ｍｎ）が１，０００〜ｓｏｏ、ｏｏ
ｏ　、特に４．０００〜ｉｏｏ、ｏｏのものを用いるの
が、感度、解像度、耐熱性、成膜性等に特に優れたフォ
トレジストが得られるため好ましい。

また、上記Ｎ−（ヒドロキシフェニル）マレイミド共重
合体としては、ガラス転移温度（Ｔｇ）が１６０〜２６
０℃、特に１７０〜２５０℃であるものを用いるのが好
ましい。

上記Ｎ−（ヒドロキシフェニル）マレイミド共重合体は
、例えば、無水マレイン酸と上記の不飽和炭化水素化合
物とを共重合して得られた共重合体と、アミノフェノー
ルとを有機溶媒中で反応させて、無水マレイン酸成分の
一部又は全部をＮ−（ヒドロキシフェニル）マレアミッ
ク酸成分に変化させた後、環化脱水反応を行う方法によ
り製造することができる。また、高分子化学、第２６巻
５９８頁（１９６９年）に示されるように、水酸基がエ
ステル化されたマレイミドを経て、エステル交換反応に
より合成されたＮ　−（ｐ−ヒドロキシフェニル）マレ
イミドモノマーと、スチレンとを共重合することによっ
ても、Ｎ−（ｐ−ヒドロキシフェニル）マレイミド−ス
チレン共重合体を製造することができる。

また、本発明のネガ型フォトレジストｍ成物を構成する
感光性芳香族アジド化合物としては、１分子中に少なく
とも１個の芳香族アジド基を有するものが好ましく、具
体的には、４−アジドベンザルアセトフェノン、４−ア
ジドベンザル−４゛−メトキシアセトフェノン、４−ア
ジドベンザルアセトン、３−　（４−（ｐ−アジドフェ
ニル）−１，３−ブタジェニル）−５，５−ジメチル−
２−シクロヘキセン−１−オン、アジドピレン、４゜４
°−ジアジドカルコン、２．６−ビス（４°　−アジド
ベンザル）シクロヘキサノン、１．３−ビス（４°−ア
ジドヘンザル）−２−プロパノン、１、　３−ビス（４
“−アジドベンザル）−２−プロパノン−２°−スルホ
ン［１，２，６−ビス（４°−アジドスチリル）−４−
メチルシクロヘキサノン、２．６−ビス（４°　−アジ
ドスチリル）−４−ｔ−ブチルシクロヘキサノン、４．
４’　　−ジアジドジフェニルメタン、４，４゛　−ジ
アジドジフェニルエーテル、４，４°　−ジアジドベン
ゾフェノン、４．４°　−ジアジドジフェニルスルフィ
ド、４．４”　−ジアジドジフェニルジスルフィド、４
．４’−ジアジドジフェニルスルホン、３゜３°−ジア
ジドジフェニルスルホン、２．２°　−ジアジドスチル
ベン等を挙げることができる。

上記感光性芳香族アジド化合物の、前記Ｎ−（ヒドロキ
シフェニル）マレイミド共重合体に対する混合割合は、
該アジド化合物及び前記Ｎ−（ヒドロキシフェニル）マ
レイミド共重合体の種類や組み合わせによっても異なる
が、概ね１〜５０重量％、特に１０〜４０重量％の範囲
内にするのが好ましい。

上記感光性芳香族アジド化合物の混合割合が１重世％よ
り少ないと、硬化性が充分でなく、また５０重世％より
多いと、塗膜物性が低下し、好ましくない。

本発明のネガ型フォトレジスト組成物は、有機溶媒可溶
性であり、集積回路の製作等に使用する場合、一般に、
有ｍ溶媒に１〜５０重量％、好ましくは５〜３０重量％
の割合で溶解した溶液（レジスト溶液）として用いられ
る。この有機溶媒としては、本発明のネガ型フォトレジ
スト組成物の各構成成分を均一に溶解し、且つシリコン
、アルミニウム等の基板表面に塗布後、該有機溶媒を蒸
発させることにより、均一で平滑な塗膜が得られるもの
が好ましく、具体的には、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノン等のケトン系ン容媒、メチルセロ
ソルフ゛、エチールセロソルフ゛、フ゛チルセロソルブ
、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセ
テート等のセロソルブ系溶媒等が挙げられる。上記有機
溶媒は、単独で用いても２種以上併用しても良い。

上記レジスト溶液は、常温での回転粘度が５〜５０セン
チボイズ、特にｌＯ〜３０センチボイズ程度にすること
が好ましい。

また、上記レジスト溶液には、必要に応じて、可塑剤、
染料、その他の樹脂、各種防止剤、密着性向上剤等を添
加することができる。

本発明のネガ型フォトレジスト組成物によれば、前記の
如くレジスト溶液を調製することにより、例えば、次の
ようにしてパターン状に形成されている光硬化膜を得る
ことができる。

即ち、先ず、前記のレジスト溶液を基板に塗布し、これ
を乾燥して有機溶媒を除去する。基板への塗布は、例え
ばスピンコード（回転塗布）等により行うことができる
。また、塗膜の乾燥は、熱風乾燥、遠赤外線乾燥、及び
熱板上での乾燥等の方法により、好ましくは１２０℃以
下、より好ましくは１００℃以下で行うとよい、この際
減圧はしてもしなくてもよい。

乾燥後、塗膜上にマスクを密着させ、例えば超高圧水銀
灯、低圧水銀灯等を用いて光線を照射する。

次いで、これを、現像溶媒をスプレーするか現像溶媒に
浸漬する等の方法により現像し、非露光部分を溶解除去
して、パターン状に形成されている光硬化膜を得る。上
記現像溶媒としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、メタケイ酸ソーダ、テトラメチルアンモニウムハイ
ドロオキサイド等の例えば５重量％以下の濃度の弱アル
カリ水溶液を用いることができる。

〔実施例〕

以下に本発明のネガ型フォトレジスト組成物の構成成分
であるＮ−（ヒドロキシフェニル）マレイミド共重合体
の合成例、及び本発明のネガ型フォトレジスト組成物を
用いてフォトレジストパターンを形成した場合の実施例
を挙げ、本発明を更に詳細に説明する。

合成例１〜７ 下記第１表にそれぞれ示す、無水マレイン酸共重合体と
アミノフェノールとを脱水ジメチルホルムアミド５０ｍ
１に溶解し、８０℃で反応させて、Ｎ−（ヒドロキシフ
ェニル）マレアミック酸共重合体を生成させた後、触媒
としてトリーｎ−ブチルアミン７ｇ（但し、合成例５及
び６の場合は３゜１ｇとした）、及び共沸溶媒としてト
ルエン２５ｍ１を添加して、１４０℃で環化脱水反応を
行った。

反応終了後、エチルエーテルにてポリマーを析出させ、
テトラヒドロフラン溶解−エチルエーテル析出により精
製し、１００℃で２４時間真空乾燥させて、下記第１表
に示す物性を有するＮ−（ヒドロキシフェニル）マレイ
ミド共重合体をそれぞれ得た。

注〕（ａ）クラレイソプレンケミカル社製、商品名イソ
パン−０４（共重合比１　：　１） ｆｂｌ川原油化社製、商品名ＳＭＡ−１０００（共重合
比ｌ：１） ［０）川原油化社製、商品名ＳＭＡ−２０００（共重合
比１：２） （ｄｌ無水マレイン酸とα−メチルスチレンとをアブビ
スイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）により６０℃で重合
して得られたもの ｔｅ＋無水マレイン酸共重合体中の無水マレイン酸成分
のＮ−（ヒドロキシフェニル）マレイミドへの変性率で
ある。この変性率は、元素分析の窒素含量を求め、無水
マレイン酸共重合体中の無水マレイン酸成分に対する割
合 〔即ち、−Ｘ　１００　）で示した。

１１＋ｍ ｆｆ１数平均分子ｆｆｉ（Ｍｎ）、及び重量平均分子量
と数平均分子量との比（Ｍｗ／Ｆｎ）は、それぞれ単分
散ポリスチレンを標準とするＧＰＣ法により、求めた。

（ｇｌガラス転移温度（Ｔｇ）はデュポン９９０熱分析
装置ＤＳＣにより測定した。

実施例１ 合成例１で得られたＮ−（ｐ−ヒドロキシフェニル）マ
レイミド−イソブチレン共重合体４重量部と４−アジド
ベンザルアセトフェノン１重量部とからなる本発明のネ
ガ型フォトレジスト組成物をシクロヘキサノン１６重量
部に熔解し、レジスト溶液を調製した。

このレジスト溶液をシリコンウェーハ上に１５０ｏｒ、
ρ、−０で回転塗布し、８０℃で２０分間乾燥して、膜
厚約１μｍの塗膜を得た０次いで、上記塗膜上にパター
ンを有するクロムマスクを密着させ、２５０Ｗの超高圧
水銀灯を用いて波長３００〜５００ｎ−の光（ＵＶ光）
を上記クロムマスクを介して塗膜に照射し、５秒間露光
した。これをテトラメチルアンモニウムハイドロオキサ
イドの１％水溶液で現像し、非露光部分を溶解除去して
、パターン状に形成されている光硬化膜を得た。

現像後のパターン状の光硬化膜は、電子顕微鏡で観察し
たところ、１．０μｍのライン／スペースの繰り返しパ
ターンが精度よく形成されており、また、基板への密着
性も良好で、ひび割れやピンホールのない優れた皮膜特
性を有していた。

また、使用した本発明のネガ型フォトレジスト組成物に
ついて、ＵＶ光に対する解像度及び感度を次のようにし
て測定した。その結果を下記第２表に示す。

・解像度： 本発明のネガ型フォトレジスト組成物からなる塗膜を前
記の如くして作成し、この塗膜を露光し、現像する。光
線の照射量を種々変えて、光線の照射量と現像後のレジ
スト膜厚く正規化残存＋１ｓＩ　＋”！　）との関係を
測定する。測定結果から、横軸に光線の照射量（対数）
、縦軸に残膜率（塗膜の膜厚に対する現像後のレジスト
膜厚の割合）をとったときの、曲線の立ち上がり部分の
勾配を示す数値（γ値）を求め、解像度とした。

・感度： 上記解像度の測定において、残膜率が０．５（４１０％
）の時の照射ｆ！ｋ（Ｄｇ’°Ｓ）をもって感度とした
。

実施例２ 合成例２で得られたＮ−（ｐ−ヒドロキシフェニル）マ
レイミド−無水マレイン酸−イソブチレン共重合体４重
量部と４．４°　−ジアジドジフェニルメタン１重量部
とからなる本発明のネガ型フォトレジスト組成物をシク
ロへキサノン１６重量部に溶解し、レジスト溶液を調製
した。

このレジスト溶液をシリコンウェーハ上に１５０　Ｏｒ
、ｐ、ｍ、で回転塗布し、８０℃で２０分間乾燥して、
膜厚約０．８μｍの塗膜を得た０次いで、上記塗膜上に
パターンを有するクロムマスクを密着させ、ＩＯＷの低
圧水銀灯を用いて波長２５４ｎＩｌの光（Ｄｅｅｐ　Ｕ
　Ｖ光）を上記クロムマスクを介して塗膜に照射し、２
０秒間露光した。これをテトラメチルアンモニウムハイ
ドロオキサイドの１％水溶液で現像し、非露光部分を溶
解除去して、パターン状に形成されている光硬化膜を得
た。

現像後のパターン状の光硬化膜は、電子顕微鏡で観察し
たところ、０．７５μｍのライン／スペースの繰り返し
パターンが精度よく形成されており、また、基板への密
着性も良好で、ひび割れやピンボールのない優れた皮膜
特性を有していた。

また゛、使用した本発明のネガ型フォトレジスト組成物
について、ＤｅｅｐＵＶ光に対する解像度（γ値）及び
感度（Ｄｇ”）を実施例１の場合に準じて測定した。そ
の結果を下記第２表に示す。

実施例３ 合成例３で得られたＮ−（ｍ−ヒドロキシフェニル）マ
レイミド−無水マレイン酸−イソブチレン共重合体４重
量部と１−アジドピレン１重量部とからなる本発明のネ
ガ型フォトレジスト組成物をシクロヘキサノン１６重量
部に溶解し、レジスト溶液を調製した。

このレジスト溶液をシリコンウェーハ上に１５００ｒ、
ｐ、ｍ、で回転塗布し、８０℃で２０分間乾燥して、膜
厚約１μｍの塗膜を得た０次いで、上記塗膜上にパター
ンを有するクロムマスクを密着させ、実施例１と同一の
水銀灯を用いて、５秒間露光した。これをテトラメチル
アンモニウムハイドロオキサイドの１％水溶液で現像し
、非露光部分を１容解除去して、パターン状に形成され
ている光硬化１９を得た。

現像後のパターン状の光硬化膜は、電子ｗ４微鏡で観察
したところ、１．　Ｏｐ　ｍのライン／スペースの繰り
返しパターンが精度よく形成されており、また、基板へ
の密着性も良好で、ひび割れやピンホールのない優れた
皮膜特性を有していた。

また、使用した本発明のネガ型フォトレジスト組成物に
ついて、ＵＶ光に対する解像度（γ値）及び感度（Ｄｇ
Ｏ・Ｓ）を実施例１の場合に準じて測定した。その結果
を下記第２表に示す。

実施例４ 合成例４で得られたＮ−（ｏ−ヒドロキシフェニル）マ
レイミド−イソブチレン共重合体４重量部と４，４°　
−ジアジドジフェニルメタン１重量部とからなる本発明
のネガ型フォトレジスト組成物をシクロへキサノン１６
重量部に溶解し、レジスト溶液を調製した。

このレジスト溶液をシリコンウェーハ上に１５０　Ｏｒ
、ｐ、ｍ、で回転塗布し、８０℃で２０分間乾燥して、
膜厚約１μｍの塗膜を得た０次いで、上記塗膜上にパタ
ーンを有するクロムマスクを密着させ、実施例２と同一
の水銀灯を用いて、２０秒間露光した。これをテトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイドの２％水溶液で現
像し、非露光部分を溶解除去して、パターン状に形成さ
れている光硬化膜を得た。

現像後のパターン状の光硬化膜は、電子顕微鏡で観察し
たところ、１．０μｍのライン／スペースの繰り返しパ
ターンが精度よく形成されており、また、基板への密着
性も良好で、ひび割れやピンホールのない優れた皮膜特
性を有していた。

また、使用した本発明のネガ型フォトレジスト組成物に
ついて、Ｄｅｅｐ（ＪＶ光に対する解像度（γ値）及び
感度（Ｄ　ｇ　１１・Ｓ）を実施例１の場合に準じて測
定した。その結果を下記第２表に示す。

実施例５ 合成例５で得られたＮ−（ｐ−ヒドロキシフェニル）マ
レイミド−スチレン共重合体４重量部と１−アジドピレ
ン１重量部とからなる本発明のネガ型フォトレジスト組
成物をシクロヘキサノン１６重量部に溶解し、レジスト
溶液を調製した。

このレジスト溶液をシリコンウェーハ上に１５００ｒ、
ｐ、ｍ、で回転塗布し、８０℃で２０分間乾燥して、膜
厚約１μｍの塗膜を得た０次いで、上記塗膜上にパター
ンを有するクロムマスクを密着させ、実施例１と同一の
水銀灯を用いて、５秒間露光した。これをテトラメチル
アンモニウムハイドロオキサイドの１％水溶液で現像し
、非露光部分・を溶解除去して、パターン状に形成され
ている光硬化膜を得た。

現像後のパターン状の光硬化膜は、電子顕微鏡で観察し
たところ、１．０μｍのライン／スペースの繰り返しパ
ターンが精度よく形成されており、また、基板への密着
性も良好で、ひび割れやピンホールのない優れた皮膜特
性を有していた。

また、使用した本発明のネガ型フォトレジスト組成物に
ついて、ＵＶ光に対する解像度（γ値）及び感度（Ｄ　
ｇ　Ｏ・５）を実施例１の場合に準じて測定した。その
結果を下記第２表に示す。

実施例６ 合成例６で得られたＮ　−（ｍ−ヒドロキシフェニル）
マレイミド−無水マレイン酸−スチレン共重合体４重量
部と４，４°　−ジアジドジフェニルメタン１重量部と
からなる本発明のネガ型フォトレジスト組成物をシクロ
ヘキサノン】６重量部に熔解し、レジスト溶液を調製し
た。

このレジスト溶液をシリコンウェーハ上に１５００ｒ、
ｐ、ｍ、で回転塗布し、８０℃で２０分間乾燥して、膜
厚約０．９μｍの塗膜を得た０次いで、上記塗膜上にパ
ターンを有するクロムマスクを密着させ、実施例２と同
一の水銀灯を用いて、２０秒間露光した。これをテトラ
メチルアンモニウムハイドロオキサイドの１％水溶液で
現像し、非露光部分を溶解除去して、パターン状に形成
されている光硬化膜を得た。　・ 現像後のパターン状の光硬化膜は、電子顕微鏡で観察し
たところ、１．０μｍのライン／スペースの繰り返しパ
ターンが精度よく形成されており、また、基板への密着
性も良好で、ひび割れやピンホールのない優れた皮膜特
性を存していた。

また、使用した本発明のネガ型フォトレジスト組成物に
ついて、ＤｅｅｐＵＶ光に対する解像度（γ値）及び感
度（Ｄｇ’・ゝ）を実施例１の場合に準じて測定した。

その結果を下記第２表に示す。

実施例７ 合成例７で得られたＮ−（ｐ−ヒドロキシフェニル）マ
レイミド−スチレン共重合体３重量部と３．３”　−ジ
アジドジフェニルスルホン１重量部とからなる本発明の
ネガ型フォトレジスト組成物をシクロへキサノン１３重
量部に溶解し、レジスト溶液を調製した。

このレジスト溶液をシリコンウェーハ上に１５０　Ｏｒ
、ｐ、ｍ、で回転塗布し、８０℃で２０分間乾燥して、
膜ｊ７約１μｍの塗膜を得た０次いで、上記塗膜上にパ
ターンを有するクロムマスクを密着させ、実施例２と同
一の水銀灯を用いて、２０秒間露光した。これをテトラ
メチルアンモニウムハイドロオキサイドの２％水溶液で
現像し、非露光部分を溶解除去して、パターン状に形成
されている光硬化膜を得た。

現像後のパターン状の光硬化膜は、電、子顕微鏡で観察
したところ、１．０μｍのライン／スペースの繰り返し
パターンが精度よく形成されており、また、基板への密
着性も良好で、ひび割れやピンホールのない優れた皮膜
特性を存していた。

また、使用した本発明のネガ型フォトレジスト組成物に
ついて、Ｄｅｔ３ＵＶ光に対する解像度（γ値）及び感
度（Ｄｇ’・Ｓ）を実施例１の場合に準じて測定した。

その結果を下記第２表に示す。

実施例８ 合成例８で得られたＮ−（ｐ−ヒドロキシフェニル）マ
レイミド−α−メチルスチレン共重合体４重量部と４−
アジドベンザルアセトフェノン１重量部とからなる本発
明のネガ型フォトレジスト組成物をシクロへキサノン１
６重量部に溶解し、レジスト溶液を調製した。

このレジストン容？ｆｌをシリコンウェーハ上に１５０
０ｒ、ｐ、ｍ、で回転塗布し、８０℃で２０分間乾燥し
て、膜厚約１μｍの塗膜を得た。次いで、上記塗膜上に
パターンを存するクロムマスクを密着させ、実施例１と
同一の水銀灯を用いて、５秒間露光した。これをテトラ
メチルアンモニウムハイドロオキサイドの２％水溶液で
現像し、非露光部分を溶解除去して、パターン状に形成
されている光硬化膜を得た。

現像後のパターン状の光硬化膜は、電子″ｊＩＸ微鏡で
観察したところ、０，７５μｍのライン／スペースの繰
り返しパターンが精度よく形成されており、また、基板
への密着性も良好で、ひび割れやピンホールのない優れ
た皮膜特性を有していた。

また、使用した本発明のネガ型フォトレジスト組成物に
ついて、ＵＶ光に対する解像度（γ値）及び感度（Ｄｇ
＋１・Ｓ）を実施例１の場合に準じて測定した。その結
果を下記第２表に示す。

〔発明の効果〕 本発明のネガ型フォトレジスト組成物は、高感度及び高
解像度で耐ドライエツチング性が高く、且つ耐熱性、薄
膜性、及び基板への密着性に優れしかもアルカリ水溶液
で現像し得るため膨潤する惧れがなく、高精度の微細な
フォトレジストパターンを形成することができ、１μｍ
前後あるいはそれ以下の微細パターンを必要とするＩＣ
やＬＳＩ等の集積回路の製作を初め、シャドーマスク、
プリント配線板、ＰＳ平版の製作等、写真工業、印刷工
業、電子工業等の分野において広範囲に使用することが
できる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 式（ I ）▲数式、化学式、表等があります▼ 式（II）▲数式、化学式、表等があります▼ 及び式（III）▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１はアリール基、１〜１６個の炭素原子を
   有するアルキル基又はシクロアルキル基であり、Ｒ＿２
   は水素又は低級アルキル基である。また、ｎと（ｌ＋ｍ
   ）との割合及びｌと（ｌ＋ｍ）との割合は、それぞれ ０．０１＜ｎ／（ｌ＋ｍ）≦１０及び０．１＜ｌ／（ｌ
   ＋ｍ）≦１である。） で示される構成単位を有するＮ−（ヒドロキシフェニル
   ）マレイミド共重合体と、感光性芳香族アジド化合物と
   からなるネガ型フォトレジスト組成物。