JPS62169321A - 真空蒸着用蒸発源 - Google Patents
真空蒸着用蒸発源Info
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- JPS62169321A JPS62169321A JP61010516A JP1051686A JPS62169321A JP S62169321 A JPS62169321 A JP S62169321A JP 61010516 A JP61010516 A JP 61010516A JP 1051686 A JP1051686 A JP 1051686A JP S62169321 A JPS62169321 A JP S62169321A
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- JP
- Japan
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- heater
- crucible
- opening
- evaporation
- outer periphery
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
- F27D99/0001—Heating elements or systems
- F27D99/0006—Electric heating elements or system
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/62—Heating elements specially adapted for furnaces
- H05B3/64—Heating elements specially adapted for furnaces using ribbon, rod, or wire heater
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
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- F27D99/0001—Heating elements or systems
- F27D99/0006—Electric heating elements or system
- F27D2099/0008—Resistor heating
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- Materials Engineering (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、分子線エピタキシ成長装置などに用いる真空
蒸着用蒸発源に関するものである。
蒸着用蒸発源に関するものである。
真空蒸着用蒸発源の基本的構造は、第９図に示されるよ
うに、溶融金属であるソース物質１を入れたルツボ２が
支柱４で下方から支持され、ルツボ２の外周に抵抗加熱
手段や高周波誘導加熱手段などの加熱源６が周設され、
加熱源６の外周囲および下部には輻射熱シールド板７，
８が配置され、その周りを外壁９が取り囲む構造となっ
ている。
うに、溶融金属であるソース物質１を入れたルツボ２が
支柱４で下方から支持され、ルツボ２の外周に抵抗加熱
手段や高周波誘導加熱手段などの加熱源６が周設され、
加熱源６の外周囲および下部には輻射熱シールド板７，
８が配置され、その周りを外壁９が取り囲む構造となっ
ている。
なお、符号３はルツボ２の温度をＨＩＱ定するための熱
電対、符号７Ａ、８Ａは、シールド板７，８をそれぞれ
支持するための支持部材である。
電対、符号７Ａ、８Ａは、シールド板７，８をそれぞれ
支持するための支持部材である。
このような構造の真空蒸着用蒸発源において、加熱源６
によって加熱されたソース物質１−は、分子線状となっ
であるものは直接噴射口であるルツボ開口部２Ａより飛
び出し、あるものはルツボ壁面２Ｂに付着し、再Ｊσそ
の場所から再蒸発する。
によって加熱されたソース物質１−は、分子線状となっ
であるものは直接噴射口であるルツボ開口部２Ａより飛
び出し、あるものはルツボ壁面２Ｂに付着し、再Ｊσそ
の場所から再蒸発する。
このときルツボ壁面２Ｂの温度がソース物質１の蒸発温
度よりも低い場合には、ソース物質１はルツボ壁面２Ｂ
に付着堆積する。この壁面２Ｂに付着したソース物質が
落下すると、ソース物質が粒子状で飛び出すという突沸
現象を起こし、これが蒸着薄膜に付着すると膜の欠陥原
因となる。
度よりも低い場合には、ソース物質１はルツボ壁面２Ｂ
に付着堆積する。この壁面２Ｂに付着したソース物質が
落下すると、ソース物質が粒子状で飛び出すという突沸
現象を起こし、これが蒸着薄膜に付着すると膜の欠陥原
因となる。
このような欠陥を防ぐために、従来では、第１０図に示
されるように、ルツボ開口部２Ａに小孔１２Ａを有する
ふた１２を設けたり、第１１図に示されるように、ルツ
ボ２の壁面に仕切り板１４を突設して粒子状のソース物
質がルツボ外に飛び出すの多防止するようにしていた。
されるように、ルツボ開口部２Ａに小孔１２Ａを有する
ふた１２を設けたり、第１１図に示されるように、ルツ
ボ２の壁面に仕切り板１４を突設して粒子状のソース物
質がルツボ外に飛び出すの多防止するようにしていた。
ところが、ふた１２や仕切り板１４の壁面温度がソース
物質１の蒸発温度よりも低い場合には、前述したように
ソース物質がそれらに付着堆積し、ソース物質飛び出し
路である小孔１２Ａや仕切り板１４．１４間の隙き間を
狭ばめ、均一な蒸発量を得られなくなって蒸発膜の膜質
低下にもつながる。
物質１の蒸発温度よりも低い場合には、前述したように
ソース物質がそれらに付着堆積し、ソース物質飛び出し
路である小孔１２Ａや仕切り板１４．１４間の隙き間を
狭ばめ、均一な蒸発量を得られなくなって蒸発膜の膜質
低下にもつながる。
このような現象を防止するために、従来では、第１２図
および第１３図に示されろように、ルツボ２開口部２Ａ
部分の温度を他の部位より高くする技術が知られている
。第１２図、第１３図は、加熱源６として抵抗加熱手段
を用いる場合であり、第１２図は特公昭５９−１５３７
９号に係る技術で、ルツボ開口部２Ａ付近のヒータ６Ａ
をルツボ内下方部位のヒータ６Ｂよりも密に巻くことに
よリルツボ開口部２Ａにおける温度の低下を防ぐように
なっており、第１３図に示す技術では、縦方向（上下方
向）にヒータを複数個（６Ｃ〜６Ｅ）に分け、それぞれ
のヒータ（６Ｃ〜６Ｅ）に流す電流を調節することによ
り、ルツボ開口部２Ａ付近における温度の低下を防止す
るようになっている。
および第１３図に示されろように、ルツボ２開口部２Ａ
部分の温度を他の部位より高くする技術が知られている
。第１２図、第１３図は、加熱源６として抵抗加熱手段
を用いる場合であり、第１２図は特公昭５９−１５３７
９号に係る技術で、ルツボ開口部２Ａ付近のヒータ６Ａ
をルツボ内下方部位のヒータ６Ｂよりも密に巻くことに
よリルツボ開口部２Ａにおける温度の低下を防ぐように
なっており、第１３図に示す技術では、縦方向（上下方
向）にヒータを複数個（６Ｃ〜６Ｅ）に分け、それぞれ
のヒータ（６Ｃ〜６Ｅ）に流す電流を調節することによ
り、ルツボ開口部２Ａ付近における温度の低下を防止す
るようになっている。
また、第１４図は加熱源６として高周波誘導加熱手段を
用いる場合であり、ルツボ壁の厚さを縦方向（上下方向
）に変化させ、すなわちルツボ底からルツボ開口部２Δ
付近に近づくほど壁の厚さを薄くすることにより、ルツ
ボ開口部２Ａ付近の温度の低下を防止するようになって
いる。
用いる場合であり、ルツボ壁の厚さを縦方向（上下方向
）に変化させ、すなわちルツボ底からルツボ開口部２Δ
付近に近づくほど壁の厚さを薄くすることにより、ルツ
ボ開口部２Ａ付近の温度の低下を防止するようになって
いる。
しかし、前記したような従来技術では、次のような問題
点を有している。
点を有している。
まず、第１２図に示すヒータ線を密に巻く技術では、隣
接ヒータ同士の接触のおそれがあるため。
接ヒータ同士の接触のおそれがあるため。
ヒータを密に巻くことには限度があり、望むような温度
分布を得ることは這しい。これは現状では高温下で脱ガ
スの少ない絶縁材料がないことも不利な点である。また
、第１３図に係る技術では、望むような温度分布を自由
に実現できるが、各ヒータ（６Ｃ〜６Ｅ）を制御する制
御機器がそれぞれ必要で、非常に高価な装置となる。ま
た、第１４図に示す高周波誘導加熱手段を用いた技術で
は、ルツボ２が金属製でなければ目的とする温度分布を
得ることはできない。特に現在ＭＢＥ装置の分子線源と
して用いられるルツボには、ＰＢＮ製のものが用いられ
ており、誘導加熱手段では適切な温度分布を得ることは
できない。
分布を得ることは這しい。これは現状では高温下で脱ガ
スの少ない絶縁材料がないことも不利な点である。また
、第１３図に係る技術では、望むような温度分布を自由
に実現できるが、各ヒータ（６Ｃ〜６Ｅ）を制御する制
御機器がそれぞれ必要で、非常に高価な装置となる。ま
た、第１４図に示す高周波誘導加熱手段を用いた技術で
は、ルツボ２が金属製でなければ目的とする温度分布を
得ることはできない。特に現在ＭＢＥ装置の分子線源と
して用いられるルツボには、ＰＢＮ製のものが用いられ
ており、誘導加熱手段では適切な温度分布を得ることは
できない。
本発明は、前記従来技術の問題点に鑑みなされたもので
、そのＩ］的は、ルツボの開口部における著しい温度低
下を抑制することにより、ルツボ内の温度分布を均一化
して突沸現象がなく、噴射分子線量を均一化することに
より、蒸着膜の膜質の向上を図ることにある。
、そのＩ］的は、ルツボの開口部における著しい温度低
下を抑制することにより、ルツボ内の温度分布を均一化
して突沸現象がなく、噴射分子線量を均一化することに
より、蒸着膜の膜質の向上を図ることにある。
次に、実施例を示す図面の一部（第１図〜第４図、第７
図〜第８図）を参照して本発明を説明する。
図〜第８図）を参照して本発明を説明する。
蒸発金属を入れるルツボ２の外周囲にヒータを配設した
真空蒸着用蒸発源において、ヒータ１２（２２，３２）
をつづら折り形状とし、その直線部をルツボ縦方向に一
致するように配置し、かっルツボ開口部２Ａ外周位置に
てヒータの上端蛇行部１２Ａを半径方向外方に折り曲げ
る。
真空蒸着用蒸発源において、ヒータ１２（２２，３２）
をつづら折り形状とし、その直線部をルツボ縦方向に一
致するように配置し、かっルツボ開口部２Ａ外周位置に
てヒータの上端蛇行部１２Ａを半径方向外方に折り曲げ
る。
また。ルツボ開口部２Ａ外周位置にてヒータを半径方向
外方に折り曲げるとともに、下方に折り返し、ルツボ開
口部２Ａ外周囲をヒータが二重に取り囲むようにする（
第３図、第４図参照）。
外方に折り曲げるとともに、下方に折り返し、ルツボ開
口部２Ａ外周囲をヒータが二重に取り囲むようにする（
第３図、第４図参照）。
さらに、ヒータの二重配置部を内側ヒータ３２Ｂ１と外
側ヒータ３２Ｂ２とが互いに重ならない構造とする（第
７図、第８図参照）。
側ヒータ３２Ｂ２とが互いに重ならない構造とする（第
７図、第８図参照）。
ルツボ開口部２Ａ外周囲のヒータによる加熱量は、ルツ
ボ底部外周囲のヒータによる加熱量よ：Ｉも大きいので
、ルツボ開口部２Ａでの著しい温度の低下がない。
ボ底部外周囲のヒータによる加熱量よ：Ｉも大きいので
、ルツボ開口部２Ａでの著しい温度の低下がない。
次に１本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図および第２図は本発明の第１の実施例を示すもの
である。
である。
符号２は溶融金属であるソース物質１を入れるためのル
ツボで、このルツボ２の外周囲には第５図に示されるよ
うなつづら折り形状に形成された箔ヒータ１２が直線部
が上下方向となるように配置されている。箔ヒータ１２
の上端蛇行部１２Ａは、半径方向外方に折り曲げられて
、ルツボ２の開口部２Ａ外周に形成されている鍔部２Ｃ
下面に沿って放射状にのびている。真空蒸着用蒸発源を
構成するその他の部分は、従来の基本構造（第９図参照
）と同一であるため、その説明は省略する。
ツボで、このルツボ２の外周囲には第５図に示されるよ
うなつづら折り形状に形成された箔ヒータ１２が直線部
が上下方向となるように配置されている。箔ヒータ１２
の上端蛇行部１２Ａは、半径方向外方に折り曲げられて
、ルツボ２の開口部２Ａ外周に形成されている鍔部２Ｃ
下面に沿って放射状にのびている。真空蒸着用蒸発源を
構成するその他の部分は、従来の基本構造（第９図参照
）と同一であるため、その説明は省略する。
ルツボ２の開口部２Ａ付近は、ルツボ２内の他の部分に
比へて温度が低くなっていることは、従来技術の中で既
に説明しているが、ルツボ２には鍔２Ｃが設けられてい
ることが一般的であり、従来はこの鍔２Ｃを特に加熱す
るヒータが設けられていないのが普通である。したがっ
て、ルツボ２に鍔２Ｃがあることは、ルツボ開口部２Ａ
付近の温度を一層下げろ要因ともなっている。しかし、
本実施例では、ヒータ１２を上端部で折り曲げて鍔２Ｃ
に沿って配設するようにしたので、鍔２Ｃの加熱も行わ
れ、ルツボ開口部２Ａ付近での極端な温度低下が抑制さ
れ、ルツボ２内の温度分布を良好なものにすることがで
きる。
比へて温度が低くなっていることは、従来技術の中で既
に説明しているが、ルツボ２には鍔２Ｃが設けられてい
ることが一般的であり、従来はこの鍔２Ｃを特に加熱す
るヒータが設けられていないのが普通である。したがっ
て、ルツボ２に鍔２Ｃがあることは、ルツボ開口部２Ａ
付近の温度を一層下げろ要因ともなっている。しかし、
本実施例では、ヒータ１２を上端部で折り曲げて鍔２Ｃ
に沿って配設するようにしたので、鍔２Ｃの加熱も行わ
れ、ルツボ開口部２Ａ付近での極端な温度低下が抑制さ
れ、ルツボ２内の温度分布を良好なものにすることがで
きる。
第３図、第４図、第５図は、本発明の第２の実施例を示
すものである。
すものである。
これらの図において、この第２の実施例に用いられてい
るヒータ２２は、前記第１の実施例のヒータ１２と同様
につづら折り形状に形成されるとともに、上端蛇行部２
２Ａを第５図Ｐ３位置で外方に折り曲げるとともに、さ
らにＰ２位置で下方に折り曲げてヒータ２２上端部を第
４図に示すように折り返した構造となっており、ヒータ
２２は鍔部２Ｃに下面沿って延びるとともに、ルツボ開
口部２Ａの外周囲を二重に取り囲むように配置されてい
る。
るヒータ２２は、前記第１の実施例のヒータ１２と同様
につづら折り形状に形成されるとともに、上端蛇行部２
２Ａを第５図Ｐ３位置で外方に折り曲げるとともに、さ
らにＰ２位置で下方に折り曲げてヒータ２２上端部を第
４図に示すように折り返した構造となっており、ヒータ
２２は鍔部２Ｃに下面沿って延びるとともに、ルツボ開
口部２Ａの外周囲を二重に取り囲むように配置されてい
る。
本実施例によれば、前記第１の実施例よりもルツボ開口
部２Ａにおける温度の低下を抑えるうえで効果がある。
部２Ａにおける温度の低下を抑えるうえで効果がある。
第６図、第７図、第８図は、本発明の第３の実施例を示
すものである。
すものである。
この第３の実施例に用いられているヒータ３２は、前記
第２の実施例に用いた箔ヒータ２２と同様のつづら折り
形状の箔ヒータであって、上端蛇行部３２Ａが第８図符
号Ｐ３、Ｐ４位置で折り曲げられて折り返された構造と
なっているが、直線部３２Ｂは折り曲げ部Ｐ３、Ｐ４位
置で屈曲（屈曲部は符号３２Ｂ′で示す）しており、す
なわちヒータは折り返し部でルツボ外周囲周方向（第８
図左右方向）に変位し、第７図に示すようにヒータの内
側直線部３２Ｂえと外側直線部３２Ｂ、とは放射方向に
互いに重ならないようになっている。
第２の実施例に用いた箔ヒータ２２と同様のつづら折り
形状の箔ヒータであって、上端蛇行部３２Ａが第８図符
号Ｐ３、Ｐ４位置で折り曲げられて折り返された構造と
なっているが、直線部３２Ｂは折り曲げ部Ｐ３、Ｐ４位
置で屈曲（屈曲部は符号３２Ｂ′で示す）しており、す
なわちヒータは折り返し部でルツボ外周囲周方向（第８
図左右方向）に変位し、第７図に示すようにヒータの内
側直線部３２Ｂえと外側直線部３２Ｂ、とは放射方向に
互いに重ならないようになっている。
この第３の実施例では、前記第２の実施例よりもルツボ
開口部２Ａの温度の低下を抑制するうえでさらに一層の
効果がある。特に、内外ヒータ３２Ｂ□、３２Ｂ２は放
射方向にほとんど重ならないので、ヒータ効率の向上が
期待できる。したがって、ヒータ表面の温度をそれだけ
下げることができるので、膜質に有毒なガスのヒータ表
面からの放出を抑制でき、膜質の向上も図ることができ
る。
開口部２Ａの温度の低下を抑制するうえでさらに一層の
効果がある。特に、内外ヒータ３２Ｂ□、３２Ｂ２は放
射方向にほとんど重ならないので、ヒータ効率の向上が
期待できる。したがって、ヒータ表面の温度をそれだけ
下げることができるので、膜質に有毒なガスのヒータ表
面からの放出を抑制でき、膜質の向上も図ることができ
る。
なお、前記第１〜第３の実施例では、いずれも薄板状の
箔ヒータを用いているが、箔ヒータに代えて線ヒータと
してもよい。また、前記第１〜第３の実施例では、ヒー
タ上端蛇行部１２Ａ、２２Ａ、３２Ａを略直角状態に折
り曲げるようになっているが、円孤状に折り曲げるよう
に構成してもよい。〔発明の効果〕 以上の説明から明らかなように１本発明によれば、ルツ
ボ開口部付近の温度の低下を抑制することができるので
、ルツボ開口部内周壁へのソース物質の付着堆積がなく
なり、均一なソース物質の噴射を行うことができ、その
結果蒸着膜の膜質を向上することができる。
箔ヒータを用いているが、箔ヒータに代えて線ヒータと
してもよい。また、前記第１〜第３の実施例では、ヒー
タ上端蛇行部１２Ａ、２２Ａ、３２Ａを略直角状態に折
り曲げるようになっているが、円孤状に折り曲げるよう
に構成してもよい。〔発明の効果〕 以上の説明から明らかなように１本発明によれば、ルツ
ボ開口部付近の温度の低下を抑制することができるので
、ルツボ開口部内周壁へのソース物質の付着堆積がなく
なり、均一なソース物質の噴射を行うことができ、その
結果蒸着膜の膜質を向上することができる。
第１図は本発明の第１の実施例の要部縦断面図、第２図
はその斜視図、第３図は本発明の第２の実施例の要部縦
断面図、第４図はその一部拡大図、第５図は第２の実施
例に用いられるヒータの展開図、第６図は本発明の第３
の実施例の要部縦断面図、第７図は第６図に示す線断−
店に沿う断面図、第８図は第３の実施例に用いられるヒ
ータの展開図、第９図は従来の真空蒸着用蒸発源の基本
構造を示す縦断面図、第１０〜第１４図は従来の真空蒸
着用蒸発源の要部縦断面図である。 １・・・溶融全屈であるソース物質、 ２・・・ルツボ、２Ａ・・・噴射口であるルツボ開口部
、２Ｃ・・・鍔、 １２，２２，３２・・・箔状
ヒータ、１２Ａ、２２Ａ、３２Ａ・・・ヒータの上端蛇
行部、１２Ｂ、２２Ｂ、３２Ｂ・・・ヒータの直線部、
：３２Ｂ工・・内側ヒータ、 ３２【３□・・外側ヒ
ータ、１） ＋、 、 ｐ ２． ｐ 、 、 ｐ 、
、・・折り曲げ部。
はその斜視図、第３図は本発明の第２の実施例の要部縦
断面図、第４図はその一部拡大図、第５図は第２の実施
例に用いられるヒータの展開図、第６図は本発明の第３
の実施例の要部縦断面図、第７図は第６図に示す線断−
店に沿う断面図、第８図は第３の実施例に用いられるヒ
ータの展開図、第９図は従来の真空蒸着用蒸発源の基本
構造を示す縦断面図、第１０〜第１４図は従来の真空蒸
着用蒸発源の要部縦断面図である。 １・・・溶融全屈であるソース物質、 ２・・・ルツボ、２Ａ・・・噴射口であるルツボ開口部
、２Ｃ・・・鍔、 １２，２２，３２・・・箔状
ヒータ、１２Ａ、２２Ａ、３２Ａ・・・ヒータの上端蛇
行部、１２Ｂ、２２Ｂ、３２Ｂ・・・ヒータの直線部、
：３２Ｂ工・・内側ヒータ、 ３２【３□・・外側ヒ
ータ、１） ＋、 、 ｐ ２． ｐ 、 、 ｐ 、
、・・折り曲げ部。
Claims (3)
- （１）蒸発金属を入れるルツボの外周囲にヒータを配設
した真空蒸着用蒸発源において、前記ヒータはつづら折
り形状とされるとともに、つづら折り形状直線部がルツ
ボ縦方向となるように配置され、かつルツボ開口部外周
位置にてヒータが外方に折り曲げられていることを特徴
とする真空蒸着用蒸発源。 - （２）前記ヒータはルツボ開口部外周位置にて外方へ折
り曲げられるとともに、折り返されてルツボ開口部外周
囲をヒータが二重に取り囲んでいることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の真空蒸着用蒸発源。 - （３）前記ヒータの二重配置部は、内側ヒータと外側ヒ
ータの直線部が互いに周方向にオフセット配置されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の真空蒸
着用蒸発源。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61010516A JPS62169321A (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 真空蒸着用蒸発源 |
| GB8700146A GB2186169B (en) | 1986-01-21 | 1987-01-06 | Molecular beam source |
| FR878700597A FR2593344B1 (fr) | 1986-01-21 | 1987-01-20 | Source de faisceaux moleculaires |
| US07/005,846 US4748315A (en) | 1986-01-21 | 1987-01-21 | Molecular beam source |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61010516A JPS62169321A (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 真空蒸着用蒸発源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62169321A true JPS62169321A (ja) | 1987-07-25 |
| JPH0443414B2 JPH0443414B2 (ja) | 1992-07-16 |
Family
ID=11752388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61010516A Granted JPS62169321A (ja) | 1986-01-21 | 1986-01-21 | 真空蒸着用蒸発源 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4748315A (ja) |
| JP (1) | JPS62169321A (ja) |
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| JPH0443414B2 (ja) | 1992-07-16 |
| FR2593344B1 (fr) | 1989-06-23 |
| FR2593344A1 (fr) | 1987-07-24 |
| GB2186169B (en) | 1989-11-01 |
| GB8700146D0 (en) | 1987-02-11 |
| US4748315A (en) | 1988-05-31 |
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