JPS62170843A - 薄膜感湿素子の製造法 - Google Patents

薄膜感湿素子の製造法

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JPS62170843A
JPS62170843A JP1222686A JP1222686A JPS62170843A JP S62170843 A JPS62170843 A JP S62170843A JP 1222686 A JP1222686 A JP 1222686A JP 1222686 A JP1222686 A JP 1222686A JP S62170843 A JPS62170843 A JP S62170843A
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汪芳 白井
Tomosaku Imoto
井本 友三久
Takayasu Fujioka
藤岡 敬恭
Kazuyuki Ozaki
和行 尾崎
Kiwamu Ishimura
石村 究
Shigeo Akiyama
秋山 重雄
Hiroshi Tsuyuki
露木 宏
Minoru Koda
穣 幸田
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、薄膜感湿素子の製造法に関する。更に詳しく
は、水不溶性の高感度・高応答性薄膜感湿素子を製造す
る方法に関する。
〔従来の技術〕
空気中の相対湿度の制御は、精密工業、食品工業、繊維
工業、ビル管理上などで大変重要であり、それを検知す
る感湿素子としては、従来法のような材料を用いたもの
が知られている。
(1)Se%Ge、 Siなどの金属あるいは半導体(
2)Sn、 Fe、 Tiなどの金属の酸化物(3)A
f1203などの多孔質金属酸化物(4)LiCQなど
の電解質塩 (5)有機または無機材料からなる高分子膜しかしなが
ら、これらの各種材料を用いた感湿素子は、いずれも保
守が大変であったり、あるいは信頼性や応答性に問題が
あるなど、満足される状態にはない。
例えば、上記(2)の金属酸化物を用いる場合には、そ
れの成形にプレスや焼結が行われるが、均質なプレスが
困難であったりあるいは焼成時の割れなどの問題がみら
れる。また、工程上では問題なく成形されても、感湿素
子が水分の脱吸着に起因する抵抗変化を利用する性質上
、水分の影響で粒界から破壊が生ずるため、耐久性、換
言すれば信頼性にも問題がある。
また、上記(5)の高分子膜を用いた場合には、材料面
では廉価であるものの、溶剤などの薬品による劣化や信
頼性の低下などの問題がみられる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明者らは、こうした保守、信頼性、応答性などに問
題のみられる従来の感湿素子の代りに、感度および応答
性のいずれの点においてもすぐれている薄膜感湿素子を
求めて種々検討の結果、テトラカルボン酸型フタロシア
ニン−金属錯体が湿度に対して迅速に感応するという現
象を見出し、かかる現象を利用することにより、上記課
題を有効に解決することができた。
即ち、ここに提案された薄膜感湿素子は、絶縁性基板表
面に任意の順序で電極およびテトラカルボン酸型フタロ
シアニン−金属錯体薄膜を形成させることにより製造さ
れる。
ここで用いられるテトラカルボン酸型フタロシアニン−
金属錯体、例えばコバルト、銅、鉄、ニッケルなどの錯
体は、それから薄膜を形成させる際、これらの錯体がジ
メチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチル
スルホキサイド、テトラヒドロフランなどの非プロトン
性極性溶媒、メタノール、エタノール、プロパツールな
どの低級アルコール類、アセトン、メチルエチルケトン
などのケトン類、ピリジン、イミダゾール、N−メチル
イミダゾールなどの含窒素溶媒または水酸化ナトリウム
水溶液、水酸化カリウム水溶液、水酸化リチウム水溶液
などのアルカリ水溶液など多くの溶媒に可溶性であるの
で、それを溶液として用いることができる。
金属錯体は、これらの溶媒に約0.5〜10%程度の溶
液濃度になるように溶解させ、それをスピンコート、流
延、浸漬、噴霧、刷毛塗りなどの任意の塗布手段を用い
る溶液法、一般には水酸化アルカリ金属水溶液を用いる
スピンコート法によって、金属錯体の薄膜を形成させる
。溶媒として、水酸化カリウムなどの水酸化アルカリ金
属の水溶液が好んで用いられるのは、膜形成を容易にさ
せるだけではなく、形成された膜の導電性を高めること
にある。
しかるに、水酸化アルカリ金属水溶液を用いるスピンコ
ート法によって形成させた薄膜感湿素子は、水に溶は易
いという性質のあることが見出され、水蒸気の定量を目
的とする感湿素子として持続的に使用する上で障害のあ
ることが分った。
そこで、本発明者らはかかる構造を有する薄膜感湿素子
の錯体薄膜部分の水不溶性化を図った結果、錯体をアン
モニア水溶液の形でスピンコート法に供することにより
、かかる課題が効果的に解決されることを見出した。
〔問題点を解決するための手段〕および〔作用〕、従っ
て、本発明は薄膜感湿素子の製造法に係り、薄膜感湿素
子の製造は、絶縁性基板表面に任意の順序で電極および
テトラカルボン酸型フタロシアニン−金属錯体薄膜を形
成させるに際し、錯体のアンモニア水溶液を用いるスピ
ンコート法により薄膜を形成させることにより行われる
絶縁性基板表面に電極および金属錯体薄膜の順序で形成
させる態様にあっては、電極として導電性くし形電極な
どが用いられる。導電性くし形電極を用いた薄膜感湿素
子の一態様が、図面の第1図に平面図として示されてお
り、絶縁性基板1上に導電性くし形電極2,2′が形成
され、その表面を金属錯体薄膜3が覆っており、各取出
電極部分には半田付けあるいは銀ペースト4,4′によ
りリード線5,5′が取り付けられている。
絶縁性基板上への導電性くし形電極の形成は、従来の例
にならって行われる。即ち、ガラス、アルミナ、石英な
どの絶縁性基板上に、ステンレススチール、ハステロイ
C、インコネル、モネル、金、銀、銅、白金、アルミニ
ウム、鉄、コバルト、ニッケルなどの耐食性金属や電極
形成材料金属をスパッタリング法、イオンブレーティン
グ法などにより、約0.1〜0.5μm程度の厚さの薄
膜を形成させ、次にそこにフォトレジストパターンを形
成させる。
例えばアルミニウムの場合には、このようにして形成さ
れた電極形成材料金属薄膜へのフォトレシストパターン
の形成は、周知のフォトリソグラフ技術を適用すること
によって行われる。即ち、金属薄膜上にフォトレジスト
コーティングを行ない、そこにくし形電極のパターンの
陰画または陽画を焼付けたガラス乾板を重ね、光照射に
よる焼付けおよび現像によって行われる。この後、湿式
化学エツチングが行われるが、エツチング液としては、
リン酸−硫酸−無水クロム酸−水(重量比65:15 
: 5 : 15)混合液、BHF (フッ酸系)、塩
化第2鉄水溶液、硝酸、リン酸−硝酸混合液などが用い
られる。
このようにして絶縁性基板上に形成させた導電性くし形
電極の表面は、感湿特性にすぐれたテトラカルボン酸型
フタロシアニン−金属錯体薄膜によって覆われる。
テトラカルボン酸型フタロシアニン−金属錯体、例えば
4.4 ’ 、4” 、4”−テトラカルボン酸型フタ
ロシアニン−金属錯体 は、無水トリメリット酸、尿素および金属塩化物をモリ
ブデン酸アンモニウムなどの触媒の存在下にニトロベン
ゼンなどの溶媒下で反応させることにより、一旦4.4
’、4”、4”−テトラカルボキシアミドフタロシアニ
ン−金属錯体とした後、これを水酸化カリウム、水酸化
ナトリウムなどの水酸化アルカリ金属の水溶液中で加熱
し、加水分解することにより得られる。
このようにして得られるテトラカルボン酸型フタロシア
ニンの金属錯体、例えばコバルト、銅、鉄、ニッケル、
鉛などの錯体は、濃度約0.5〜29%のアンモニア水
溶液中に、例えば28%アンモニア水溶液の場合約0.
5〜10%程度の溶液濃度になるように溶解させ、それ
を用いるスピンコート法によって水溶液を塗布し、乾燥
させることによって薄膜状化させる。
本発明の他の態様、即ち絶縁性基板表面に錯体薄膜およ
び電極の順序で形成させる態様にあっては、例えば錯体
薄膜を被覆した絶縁性基板表面に蒸着法により電極を形
成させることが行われる。
かかる薄膜感湿素子の一態様が、図面の第2図に平面図
として示されており、絶縁性基板1上をスピンコート法
などにより被覆した錯体薄膜3の上に蒸着法などにより
金電極6,6′が形成されており、各取出電極部分には
銀ペースト4,4′などによりリード線5,5′が取り
付けられている。
〔発明の効果〕
本発明に係る薄膜感湿素子は、テトラカルボン酸型フタ
ロシアニン−金属錯体が湿度に対して迅速に感応すると
いう性質を有効に利用し、この金属錯体の水不溶性薄膜
を、絶縁性基板上の電極面上あるいは絶縁性基板と電極
との間に、錯体のアンモニア水溶液を用いるスピンコー
ト法によって形成させることによって構成され、高感度
で高応答性の湿度測定を可能とさせる。
〔実施例〕
次に、実施例について本発明を説明する。
実施例1 フタロシアニン−コバルト  のへ 無水トリメリット酸10 g (0,05モル)、尿素
30g(0,5モル)、塩化コバ/L/ ト(CoCD
 a) 3.9 g (0,03モル)、モリブデン酸
アンモニウム1 g (0,001モル)およびニトロ
ベンゼン150m Qの混合物を、攪拌下に150〜1
70℃で3時間反応させた後、反応生成物をメタノール
洗浄し、次いでベンゼンでニトロベンゼン臭がなくなる
迄洗浄し、60℃で48時間乾燥して、4.4’、4’
、4”−テトラカルボキシアミドフタロシアニン−コバ
ルト錯体7g(収率7o%)を得た。
この錯体5gを、100℃の50%水酸化カリウム水溶
液250g中で10時間処理し、カルボキシアミド基を
加水分解してカルボキシル基に変換させた。
この反応生成物を、4号ガラスフィルターで口過、洗浄
してから乾燥し、乾燥物をpH10,0の水酸化カリウ
ム水溶液中に溶解させた後、0.IN塩酸でpH2,0
とし、沈殿口過物を順次水、エタノール、エーテルで洗
浄、乾燥させる一連の工程を3回くり返して行ない、五
酸化リン上で48時間乾燥して、テトラカルボン酸型フ
タロシアニン−コバルト錯体4g(収率80%)を得た
フタロシアニン−コバルト  の有用 前述の如き方法により、ガラスプレートよりなる絶縁性
基板上に、電極幅500μm、電極間隔250μmのく
し彫金電極を形成させ、このくし形電極上に、上記テト
ラカルボン酸型フタロシアニン−コバルト錯体のアンモ
ニア水溶液(コバルト錯体1.5gを28%アンモニア
水溶液40mΩに溶解させ、遠心分離法により不溶分を
除いた溶液)を、初期500rpmで5秒間、次いで1
1000rpで15秒間スピンコート法により適用し、
70℃で15時間乾燥させてコバルト錯体薄膜を電極部
分に形成させ、被覆した。
得られた薄膜感湿素子は、これを室温の水中に168時
間浸漬しても、錯体薄膜の溶解はみられなかった。
このようにして構成された薄膜感湿素子を、温湿度試験
機に取り付け、電気抵抗測定器(LCRメーター)に接
続した後、周波数を一定(IKHz)に保ちながら、加
湿機の能力に応じて50〜100%の相対湿度に対する
電気伝導度の変化を40℃の温度で測定した。得られた
結果は、第3図のグラフに示され、この結果から、電気
伝導度により相対湿度を測定することができる感湿素子
としての有効性が確かめられた。
実施例2 実施例1のフタロシアニン−コバルト錯体の合成におい
て、塩化コバルトの代りに塩化ニッケル(NiCn 2
 )が同モル量用いられ、テトラカルボン酸型フタロシ
アニン−ニッケル錯体を合成した。
このテトラカルボン酸型フタロシアニン−ニッケル錯体
を用い、実施例1と同様にして、ニッケル錯体薄膜を電
極部分に形成させた薄膜感湿素子を製造した。得られた
薄膜感湿素子は、同様に水不溶性であった。
この薄膜感湿素子を用いて、実施例1と同様にして、相
対湿度に対する電気伝導度の変化を測定すると、第4図
のグラフに示されるような結果が得られ、この結果から
電気伝導度により相対湿度を測定することができる感湿
素子としての有効性が確められた。
【図面の簡単な説明】
第1図は2本発明に係る薄膜感湿素子の一態様の平面図
であり、第2図は他の態様の平面図である。また、第3
〜4図は、それぞれ実施例1〜2における相対湿度に対
する電気伝導度の変化を示すグラフである。 (符号の説明) 1・・・・・絶縁性基板 2・・・・・導電性くし形電極 3・・・・・金属錯体薄膜 6・・・・・金電極

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 1. 絶縁性基板表面に任意の順序で電極およびテトラ
    カルボン酸型フタロシアニン−金属錯体薄膜を形成させ
    るに際し、錯体のアンモニア水溶液を用いるスピンコー
    ト法により薄膜を形成させることを特徴とする薄膜感湿
    素子の製造法。
  2. 2. 導電性くし形電極を有する絶縁性基板表面に、電
    極部分を覆う錯体薄膜を形成させた特許請求の範囲第1
    項記載の薄膜感湿素子の製造法。
  3. 3. 錯体薄膜を被覆した絶縁性基板表面に、蒸着法に
    より電極を形成させた特許請求の範囲第1項記載の薄膜
    感湿素子の製造法。
JP1222686A 1986-01-24 1986-01-24 薄膜感湿素子の製造法 Expired - Lifetime JPH0623714B2 (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5079595A (en) * 1988-11-02 1992-01-07 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Organic thin film semiconductor device
JPH06109682A (ja) * 1992-02-28 1994-04-22 Ind Technol Res Inst ガスセンサーの製造方法及びその方法により製造されたガスセンサー

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5079595A (en) * 1988-11-02 1992-01-07 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Organic thin film semiconductor device
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