JPS6217097A - 液相エピタキシヤル成長法 - Google Patents
液相エピタキシヤル成長法Info
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- JPS6217097A JPS6217097A JP15234085A JP15234085A JPS6217097A JP S6217097 A JPS6217097 A JP S6217097A JP 15234085 A JP15234085 A JP 15234085A JP 15234085 A JP15234085 A JP 15234085A JP S6217097 A JPS6217097 A JP S6217097A
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- Japan
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- meltback
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- growth
- temperature
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はスライドボート法による液相エピタキシャル成
長法に係り、特にエピタキシャル成長前に先立って行な
われる基板表面のメルトバックの改良に関する。
長法に係り、特にエピタキシャル成長前に先立って行な
われる基板表面のメルトバックの改良に関する。
［従来の技術］
エピタキシャル成長させるための基板のなかで半絶縁性
基板や混晶基板は、そのまま基板表面にエピタキシャル
成長させることが難しい。
基板や混晶基板は、そのまま基板表面にエピタキシャル
成長させることが難しい。
半絶縁性基板の場合には、エピタキシャル成長前に基板
が高温になるため、表面が熱劣化を起こして比抵抗が下
がってしまうからである。また、ＧａＡｆＡｓなどの酸
化性の強い混晶基板の場合には、空気に晒しただけで表
面が酸化するため、そのままエピタキシャル成長させた
のでは島状に成長したりして、きれいなエピタキシャル
表面が得られないからである。
が高温になるため、表面が熱劣化を起こして比抵抗が下
がってしまうからである。また、ＧａＡｆＡｓなどの酸
化性の強い混晶基板の場合には、空気に晒しただけで表
面が酸化するため、そのままエピタキシャル成長させた
のでは島状に成長したりして、きれいなエピタキシャル
表面が得られないからである。
そこで、それらの欠点を解消するためにメルドパツク法
が考えられた。即ち、第４図に示すごとり、基板１をス
ライダ２ごとスライドさせて、溶液収容部３に形成した
メルトバック用溶液溜め４のメルトバック用溶液５を、
成長用溶液溜め６の成長用溶液７に先立って接触させる
ように構成したスライドボート装置を炉内に挿入して用
いる。
が考えられた。即ち、第４図に示すごとり、基板１をス
ライダ２ごとスライドさせて、溶液収容部３に形成した
メルトバック用溶液溜め４のメルトバック用溶液５を、
成長用溶液溜め６の成長用溶液７に先立って接触させる
ように構成したスライドボート装置を炉内に挿入して用
いる。
作業順序しては、先ず第４図の状態で炉内を成長温度ま
で昇温する。次に第５図に示すように、Ｒ間りで徐冷降
温を始め、時間１で基板１をスライドして溶質が溶媒に
充分溶けていない未飽和メルトバック用溶液５と時間ｊ
まで接触させ、基板表面層を溶かして取り去る。メルト
バックを終了する時間ｊで再び基板１をスライドさせ成
長用溶液７の下に移動しエピタキシャル層の成長を開始
する。そして時間ｋになったら基板１をスライドさせて
成長を終了する。
で昇温する。次に第５図に示すように、Ｒ間りで徐冷降
温を始め、時間１で基板１をスライドして溶質が溶媒に
充分溶けていない未飽和メルトバック用溶液５と時間ｊ
まで接触させ、基板表面層を溶かして取り去る。メルト
バックを終了する時間ｊで再び基板１をスライドさせ成
長用溶液７の下に移動しエピタキシャル層の成長を開始
する。そして時間ｋになったら基板１をスライドさせて
成長を終了する。
基板表面層を溶かして取り去るための未飽和溶液を得る
ために、成長温度下で溶媒に対して飽和するのに不充分
な量となる溶質を厳格に秤量していた。
ために、成長温度下で溶媒に対して飽和するのに不充分
な量となる溶質を厳格に秤量していた。
［発明が解決しようとする問題点］
ところが、上述したメルトバック法における溶媒に対す
る溶質を厳格に秤量することは難しく、また温度制御に
も厳格さが要求されるため、未飽和度を精度良く制御す
ることができなかった。このため、メルトバック量に再
現性がないと共に、不均一なメルトバックが起るため鏡
面状のエピタキシャル層を再現性良く得ることが困難で
あった。
る溶質を厳格に秤量することは難しく、また温度制御に
も厳格さが要求されるため、未飽和度を精度良く制御す
ることができなかった。このため、メルトバック量に再
現性がないと共に、不均一なメルトバックが起るため鏡
面状のエピタキシャル層を再現性良く得ることが困難で
あった。
［発明の目的］
本発明の目的は上記従来の問題点を解消して、エピタキ
シャル成長前に行なうメルトバックを制御性よく、且つ
容易に行なうことが可能な液相エピタキシャル成長法を
提供することである。
シャル成長前に行なうメルトバックを制御性よく、且つ
容易に行なうことが可能な液相エピタキシャル成長法を
提供することである。
［発明の概要］
上記目的に沿う本発明は、分配方式を用いるスライドボ
ート法において、未飽和メルトバック用溶液を準備する
ために降温開始温度より低い温度でメルトバラ用溶液の
分配操作を行なうことに特徴がある。
ート法において、未飽和メルトバック用溶液を準備する
ために降温開始温度より低い温度でメルトバラ用溶液の
分配操作を行なうことに特徴がある。
これを実ｔＭ＠に対応する第１図〜第２図に基づいて説
明する。
明する。
最初に、メルトバック用溶液溜め１２内に溶媒と過剰気
味の溶質とを入れる。ここで過剰気味とは後述するメル
トバック温度でメルトバック用溶液１７が飽和溶液にな
るために十分な曇という意味である。
味の溶質とを入れる。ここで過剰気味とは後述するメル
トバック温度でメルトバック用溶液１７が飽和溶液にな
るために十分な曇という意味である。
次に、炉の昇温を開始し、昇温途中のメルトバック温度
Ｔ１になるとこの温度を保持し、メルトバック用溶液溜
め１２内の溶媒中に溶質を飽和するまで溶かしく第１図
（ａ））、その後、溶媒から遊離している過剰な溶質分
を除いた飽和メルトバック用溶液１７を分配用溶液溜め
１４内に分配する（第１図（ｂ））。
Ｔ１になるとこの温度を保持し、メルトバック用溶液溜
め１２内の溶媒中に溶質を飽和するまで溶かしく第１図
（ａ））、その後、溶媒から遊離している過剰な溶質分
を除いた飽和メルトバック用溶液１７を分配用溶液溜め
１４内に分配する（第１図（ｂ））。
この分配後、メルトバック温度Ｔｓよりも大きな成長温
度Ｔ２まで更に昇温してメルトバック用溶液１７を未飽
和状態となしく第１図（Ｃ）。
度Ｔ２まで更に昇温してメルトバック用溶液１７を未飽
和状態となしく第１図（Ｃ）。
（ｄ））、次いで成長温度Ｔ２より徐冷降温して行き、
メルトバック用溶液１７が所定の未飽和度（−ΔＴ２
）に達したらこれに所定時間ｔｔ、３％板１９を接触し
て基板表面をメルトバックさせる。
メルトバック用溶液１７が所定の未飽和度（−ΔＴ２
）に達したらこれに所定時間ｔｔ、３％板１９を接触し
て基板表面をメルトバックさせる。
しかる後に過冷却状態にある成長用溶液１８と基板１９
を接触させることにより、エピタキシャル層が基板１９
上に成長する。
を接触させることにより、エピタキシャル層が基板１９
上に成長する。
従って、メルトバック用溶液の未飽和度−ΔＴ２と接触
時間ｔ１とを決めることにより、メルトバック最の制御
が可能となる。この場合において、本工程では、従来の
ように遊離した溶質がある限り温度が上昇してもメルト
バック用溶液が飽和状態を維持するものと異なり、メル
トバック用溶液溜め１２から分配用溶液溜め１４にメル
トバック温度Ｔｉ下で飽和したメルトバック用溶液１７
を一旦移し換え、新たな溶質の供給を断つようにし、メ
ルトバック’ＩＡ ａ Ｔ ｔを超えるとメルトバック
用溶液１７が未飽和状態となるようにしたことにより、
当初溶媒に対して過剰気味に溶質を入れておけばよいの
で、溶媒と溶質の母を高い精度で秤量する必要も、温度
の絶対値を正しく制御する必要もない。
時間ｔ１とを決めることにより、メルトバック最の制御
が可能となる。この場合において、本工程では、従来の
ように遊離した溶質がある限り温度が上昇してもメルト
バック用溶液が飽和状態を維持するものと異なり、メル
トバック用溶液溜め１２から分配用溶液溜め１４にメル
トバック温度Ｔｉ下で飽和したメルトバック用溶液１７
を一旦移し換え、新たな溶質の供給を断つようにし、メ
ルトバック’ＩＡ ａ Ｔ ｔを超えるとメルトバック
用溶液１７が未飽和状態となるようにしたことにより、
当初溶媒に対して過剰気味に溶質を入れておけばよいの
で、溶媒と溶質の母を高い精度で秤量する必要も、温度
の絶対値を正しく制御する必要もない。
本発明は、半絶縁性基板やＧａＡβＡＳなどの酸化性の
強い混晶基板などエピタキシャル成長前に基板表面をメ
ルトバックする必要のあるすべての液相エピタキシャル
成長に適用できる。
強い混晶基板などエピタキシャル成長前に基板表面をメ
ルトバックする必要のあるすべての液相エピタキシャル
成長に適用できる。
［実施例］
本発明の実施例を第１図〜第３図に基づいて説明すれば
以下の通りである。
以下の通りである。
第１図は本発明を実施するためのスライドボート装＠１
０の工程図を示す。同図において、１１はメルトバック
用溶液溜め１２及び成長用溶液溜め１３を有する成長用
溶液ホルダであり、２つの分配用溶液溜め１４．１５を
有する分配用溶液ホルダ１６上にスライド自在に設けら
れる。通常は、成長用溶液ホルダ１１をスライドさせる
と分配用溶液溜め１４．１５への分配が一度にできるよ
うになっているが、メルトバック用溶液溜め１２及び成
長用溶液溜め１３内の各メルトバック用溶液１７、成長
用溶液１８を分配用溶液溜め１４．１５にスライド暦に
応じてそれぞれ別個に分配できるようになっている。
０の工程図を示す。同図において、１１はメルトバック
用溶液溜め１２及び成長用溶液溜め１３を有する成長用
溶液ホルダであり、２つの分配用溶液溜め１４．１５を
有する分配用溶液ホルダ１６上にスライド自在に設けら
れる。通常は、成長用溶液ホルダ１１をスライドさせる
と分配用溶液溜め１４．１５への分配が一度にできるよ
うになっているが、メルトバック用溶液溜め１２及び成
長用溶液溜め１３内の各メルトバック用溶液１７、成長
用溶液１８を分配用溶液溜め１４．１５にスライド暦に
応じてそれぞれ別個に分配できるようになっている。
分配用溶液ホルダ１５の下部には、基板１つを保持する
スライダ２０が設けられ、そのスライダ２０はボー１−
２１上にスライド自在に設けられ、そのスライドにより
分配用溶液溜め１４．１５内の各メルトバック用溶液１
７．成長用溶液１８と基板１９を順次接触するようにス
ライドボート装置１０は構成されている。
スライダ２０が設けられ、そのスライダ２０はボー１−
２１上にスライド自在に設けられ、そのスライドにより
分配用溶液溜め１４．１５内の各メルトバック用溶液１
７．成長用溶液１８と基板１９を順次接触するようにス
ライドボート装置１０は構成されている。
さて、上記のような構成における作業順序について説明
する。ここでは、ＧａＡＳ半絶縁性基板上へのＧａＡＳ
のエピタキシャル成長を例にとって述べる。
する。ここでは、ＧａＡＳ半絶縁性基板上へのＧａＡＳ
のエピタキシャル成長を例にとって述べる。
最初に、スライダ２０に基板１９をセットし、メルトバ
ック用溶液溜め１２と成長用溶液溜め１３に、共に溶媒
となるＱａと溶質となるＱａ Ａｓ多結晶を入れる。Ｑ
ａに対するＱａ Ａｓ多結晶の量は、後述する成長温度
において飽和溶液となるのに充分過剰な吊、即ち飽和量
以上の暦を用意する。飽和量以上であるから秤量には、
それ程精度を必要としない。そして、スライドボート装
置１０は第１図（ａ ）の状態で図示しない反応炉に挿
入する。
ック用溶液溜め１２と成長用溶液溜め１３に、共に溶媒
となるＱａと溶質となるＱａ Ａｓ多結晶を入れる。Ｑ
ａに対するＱａ Ａｓ多結晶の量は、後述する成長温度
において飽和溶液となるのに充分過剰な吊、即ち飽和量
以上の暦を用意する。飽和量以上であるから秤量には、
それ程精度を必要としない。そして、スライドボート装
置１０は第１図（ａ ）の状態で図示しない反応炉に挿
入する。
次に、スライドボート装置１０を挿入した炉を第２図に
示す如く、メルトバック温度Ｔ！まで昇温し、その温度
を時間ａからｂまで保持し、原料であるＧａ ＡＳをＱ
ａ溶液中に飽和するまで溶かす（第１図（ａ））。Ｑａ
ＡＳを過剰気味に入れであるので非溶解の遊離ＧａＡ
Ｓが存在することになるが、この遊離Ｑａ Ａｓは生成
されたメルトバック用溶液１７及び成長用溶液１８の上
層に溜り、下層には遊離Ｑａ Ａｓは存在しない。
示す如く、メルトバック温度Ｔ！まで昇温し、その温度
を時間ａからｂまで保持し、原料であるＧａ ＡＳをＱ
ａ溶液中に飽和するまで溶かす（第１図（ａ））。Ｑａ
ＡＳを過剰気味に入れであるので非溶解の遊離ＧａＡ
Ｓが存在することになるが、この遊離Ｑａ Ａｓは生成
されたメルトバック用溶液１７及び成長用溶液１８の上
層に溜り、下層には遊離Ｑａ Ａｓは存在しない。
Ｑａ ＡＳがＱａ溶液中に飽和するまで溶けたら、成長
用溶液ホルダ１１をスライドしてメルトバック用溶液１
７を第１の分配用溶液溜め１４に落として分配する（第
１図（ｂ））。この第１の分配用溶液溜め１４への分配
はメルトバック用溶液１７の下層について行なわれるの
で、分配用溶液溜め１４には遊離している過剰Ｑａ Ａ
Ｓ分が除かれた飽和溶液が入ることになる。
用溶液ホルダ１１をスライドしてメルトバック用溶液１
７を第１の分配用溶液溜め１４に落として分配する（第
１図（ｂ））。この第１の分配用溶液溜め１４への分配
はメルトバック用溶液１７の下層について行なわれるの
で、分配用溶液溜め１４には遊離している過剰Ｑａ Ａ
Ｓ分が除かれた飽和溶液が入ることになる。
このようにして十分な量の飽和メルトバック用溶液１７
が分配用溶液溜め１４に入ったら、更に成長用溶液ホル
ダ１１をスライドしてメルトバック用溶液溜め１２と第
１の分配用溶液溜め１２との連通を断つ一方、今度は成
長用溶液溜め１３と第２の分配用溶液溜め１５とを連通
して成長用溶液１８を分配する（第１図（Ｃ））。
が分配用溶液溜め１４に入ったら、更に成長用溶液ホル
ダ１１をスライドしてメルトバック用溶液溜め１２と第
１の分配用溶液溜め１２との連通を断つ一方、今度は成
長用溶液溜め１３と第２の分配用溶液溜め１５とを連通
して成長用溶液１８を分配する（第１図（Ｃ））。
この状態で炉の温度をメルトバック温度Ｔｌから成長温
度下２まで昇温し、この成長温度を時間Ｃからｄまで保
持する。成長温度Ｔ２に保持することにより、第２の分
配用溶液溜め１５内の成長用溶液１８はＭ離Ｇａ Ａｓ
のない飽和溶液となる。
度下２まで昇温し、この成長温度を時間Ｃからｄまで保
持する。成長温度Ｔ２に保持することにより、第２の分
配用溶液溜め１５内の成長用溶液１８はＭ離Ｇａ Ａｓ
のない飽和溶液となる。
また、このとき第１の分配用溶液溜め１４内に閉じ込め
られたメルトバック用溶液１７は新たに溶解すべきＱａ
Ａｓの供給が断たれているため、Ｔ２−Ｔｔの温度だ
け未飽和状態となる。ここで成長用溶液ホルダ１１を更
にスライドしてメルトバック用溶液１７と成長用溶液１
８の分配操作を終了する（第１図（ｄ））。
られたメルトバック用溶液１７は新たに溶解すべきＱａ
Ａｓの供給が断たれているため、Ｔ２−Ｔｔの温度だ
け未飽和状態となる。ここで成長用溶液ホルダ１１を更
にスライドしてメルトバック用溶液１７と成長用溶液１
８の分配操作を終了する（第１図（ｄ））。
そして、これらの分配操作終了後の時間ｄで成長温度Ｔ
２を徐冷降温する。この徐冷降温は所定の緩い温度勾配
で行なう。成長温度Ｔ２より低くくメルトバック温度Ｔ
１より高い所定温度下３となる時間ｅで、スライダ２０
をスライドさせメルドパツク用溶液１７と基板１つを接
触させる。このとき、メルトバック用溶液１７は一ΔＴ
２ ＝Ｔｒ−Ｔ３だけ確実に未飽和状態となっている。
２を徐冷降温する。この徐冷降温は所定の緩い温度勾配
で行なう。成長温度Ｔ２より低くくメルトバック温度Ｔ
１より高い所定温度下３となる時間ｅで、スライダ２０
をスライドさせメルドパツク用溶液１７と基板１つを接
触させる。このとき、メルトバック用溶液１７は一ΔＴ
２ ＝Ｔｒ−Ｔ３だけ確実に未飽和状態となっている。
時間ｔ１の間メルトバックして基板の表面変成層を取り
除くと共に、第２の分配用溶液溜め１５内の成長用溶液
１８が△Ｔ１だけ過冷却状態となる時間ｆで、スライダ
２０を再びスライドさせ、表面の変成層を取り除いたい
た基板１９を成長用溶液１８と接触させる。時間ｆから
ｇのｔ２時間の間、この接触を保ってエピタキシセル層
を基板１つ上に成長させる。
除くと共に、第２の分配用溶液溜め１５内の成長用溶液
１８が△Ｔ１だけ過冷却状態となる時間ｆで、スライダ
２０を再びスライドさせ、表面の変成層を取り除いたい
た基板１９を成長用溶液１８と接触させる。時間ｆから
ｇのｔ２時間の間、この接触を保ってエピタキシセル層
を基板１つ上に成長させる。
ここで、メルトバック量は、メルトバック用溶液の未飽
和度−ΔＴ２と、接触時間［Ｌとにより決まるが、その
精度は±１０％まで制御可能である。
和度−ΔＴ２と、接触時間［Ｌとにより決まるが、その
精度は±１０％まで制御可能である。
降温開始温度８００℃又はその付近という条件下で、鏡
面状態にメルトバックを行なうためには、−ΔＴ２は２
〜１５℃以内が適しており、一方、メルトバック時間ｔ
１は変成層の厚さにもよるが、１〜３０秒程度程度面を
得るのに適している。メルトバック量を精度良く制御で
きるから、変成層を取り除くのにメルトバック用溶液が
最低限の量で済む。
面状態にメルトバックを行なうためには、−ΔＴ２は２
〜１５℃以内が適しており、一方、メルトバック時間ｔ
１は変成層の厚さにもよるが、１〜３０秒程度程度面を
得るのに適している。メルトバック量を精度良く制御で
きるから、変成層を取り除くのにメルトバック用溶液が
最低限の量で済む。
第３図は第１図の実施例の変形例を示すもので、第１図
と異なる点は、成長用溶液ホルダ１１ａにはメルトバッ
ク用溶液溜め１２ａしか設けず、分配用溶液ホルダ１６
の第１の分配用溶液溜め１４にメルトバック用溶液１７
を分配操作するけれども第２の分配用溶液溜め１５には
当初から成長用溶液１８が入るようになって分配操作を
行なわないようにした点で、このようにしても基板表面
のメルトバックは均一に行なわれる。
と異なる点は、成長用溶液ホルダ１１ａにはメルトバッ
ク用溶液溜め１２ａしか設けず、分配用溶液ホルダ１６
の第１の分配用溶液溜め１４にメルトバック用溶液１７
を分配操作するけれども第２の分配用溶液溜め１５には
当初から成長用溶液１８が入るようになって分配操作を
行なわないようにした点で、このようにしても基板表面
のメルトバックは均一に行なわれる。
なお、上記実施例ではメルトバック後１層成長させる場
合について述べたが、メルトバック後多層成長させるこ
とも可能である。また、Ｑａ Ａｓ半絶縁性基板ではな
く、ＧａＡρＡｓなどの混晶基板をメルトバックさせる
場合には、メルトバック用溶液としてＧａとＱａ ＡＳ
多結晶の他に、Ａβを加えてもよい。
合について述べたが、メルトバック後多層成長させるこ
とも可能である。また、Ｑａ Ａｓ半絶縁性基板ではな
く、ＧａＡρＡｓなどの混晶基板をメルトバックさせる
場合には、メルトバック用溶液としてＧａとＱａ ＡＳ
多結晶の他に、Ａβを加えてもよい。
［発明の効果１
以上図するに本発明によれば次のような優れた効果を発
揮する。
揮する。
（１） メルトバック温度下で過剰溶質を除去した飽
和メルトバック用溶液を分配用溶液溜め内に分配するこ
とにより、メルトバック温度に対するこれよりも高い温
度を特定（所定温度）するだけで、基板と接触させるメ
ルトバック用溶液の未飽和度を精度良く制御できるので
、メルトバック用溶液の未飽和度と接触時間とから決ま
るメルトバック量を正確なものとすることができる。し
たがって、メルトバック■の再現性がきわめて良好とな
ると共に、基板表面を均一にメルトバックすることがで
き、鏡面状のエピタキシャル層を再現性よく得ることが
できる。
和メルトバック用溶液を分配用溶液溜め内に分配するこ
とにより、メルトバック温度に対するこれよりも高い温
度を特定（所定温度）するだけで、基板と接触させるメ
ルトバック用溶液の未飽和度を精度良く制御できるので
、メルトバック用溶液の未飽和度と接触時間とから決ま
るメルトバック量を正確なものとすることができる。し
たがって、メルトバック■の再現性がきわめて良好とな
ると共に、基板表面を均一にメルトバックすることがで
き、鏡面状のエピタキシャル層を再現性よく得ることが
できる。
（２） 溶質に対して過剰気味の溶質を入れるだけで
良いので、従来のような溶媒、溶質の高精度の秤量を必
要としなくなり、作業がきわめて容易となる。
良いので、従来のような溶媒、溶質の高精度の秤量を必
要としなくなり、作業がきわめて容易となる。
第１図は本発明の一実施例の工程図、第２図は第１図の
工程における温度プログラムを示す線図、第３図は第１
図の変形例を示す一工程図、第４図は従来の液相エピタ
キシャル成長装置の断面図、第５図は第４図の装置によ
る工程を実施する温度プログラムである。 図中、１２はメルトバック用溶液溜め、１４は分配用溶
液溜め、１７はメルトバック用溶液、１８は成長用溶液
、１９は基板、Ｔ１はメルトバック温度、Ｔ２は成長温
度、＝ΔＴ２は所定の未飽和度、ｔｌは所定時間である
。 特許出願人 日立電線株式会社 代理人弁理士 絹 谷 信 雄図面の浄招−
（内容に変更なし） １２：ノルトノ昏−７用）に々ｆめ Ｔ１：メル
Ｆハ゛・７７（シ支１４：令配帛遵袴錨） Ｔ
２１対ｉ践度１７：メルトｊ〜７弔蒜 −ΔＴ２
ニア’ｒ６Ｌｑ滲皮旧：バ長用叙 ｔド亡
震Ｉ群間１９：幕１− 第１図 第３図 第５図 手続ネ…正書く方式） ％式％ １、事件の表示 特願昭６０−１５２３４０号２、
発明の名称 液相エピタキシャル成長法３、補正を
する者 事件との関係 特許出願人 （５１２）日立電線株式会社 ４、代理人 郵便番号 １０５ 東京都港区愛宕１丁目６番７号 愛宕山弁護士ビル ５、補正命令の日付 昭和６０年１０月２９日 （発送日） ６、補正の対象 図 面 ７、補正の内容 （１） 別紙のごとりｌＩ墨を用いて作成した図面を
提出する。 （但し、内容を変更せず） ８、添付書類の目録
工程における温度プログラムを示す線図、第３図は第１
図の変形例を示す一工程図、第４図は従来の液相エピタ
キシャル成長装置の断面図、第５図は第４図の装置によ
る工程を実施する温度プログラムである。 図中、１２はメルトバック用溶液溜め、１４は分配用溶
液溜め、１７はメルトバック用溶液、１８は成長用溶液
、１９は基板、Ｔ１はメルトバック温度、Ｔ２は成長温
度、＝ΔＴ２は所定の未飽和度、ｔｌは所定時間である
。 特許出願人 日立電線株式会社 代理人弁理士 絹 谷 信 雄図面の浄招−
（内容に変更なし） １２：ノルトノ昏−７用）に々ｆめ Ｔ１：メル
Ｆハ゛・７７（シ支１４：令配帛遵袴錨） Ｔ
２１対ｉ践度１７：メルトｊ〜７弔蒜 −ΔＴ２
ニア’ｒ６Ｌｑ滲皮旧：バ長用叙 ｔド亡
震Ｉ群間１９：幕１− 第１図 第３図 第５図 手続ネ…正書く方式） ％式％ １、事件の表示 特願昭６０−１５２３４０号２、
発明の名称 液相エピタキシャル成長法３、補正を
する者 事件との関係 特許出願人 （５１２）日立電線株式会社 ４、代理人 郵便番号 １０５ 東京都港区愛宕１丁目６番７号 愛宕山弁護士ビル ５、補正命令の日付 昭和６０年１０月２９日 （発送日） ６、補正の対象 図 面 ７、補正の内容 （１） 別紙のごとりｌＩ墨を用いて作成した図面を
提出する。 （但し、内容を変更せず） ８、添付書類の目録
Claims (1)
- 基板表面をメルトバックしてからエピタキシャル層を基
板上に成長させるスライドボート法による液相エピタキ
シャル成長法において、メルトバック用溶液溜め内に溶
媒と、過剰気味の溶質とを入れ、昇温途中のメルトバッ
ク温度下で溶媒中に溶質を飽和するまで溶かした後、溶
媒から遊離している過剰溶質分を除いた飽和メルトバッ
ク用溶液を分配用溶液溜め内に分配し、次いでメルトバ
ック温度よりも大きな成長温度まで昇温してメルトバッ
ク用溶液を未飽和状態となし、その後成長温度より徐冷
降温を開始し、所定の未飽和度に達したメルトバック用
溶液に所定時間基板を接触して基板表面をメルトバック
させ、しかる後に過冷却の成長用溶液と基板を接触させ
ることによりエピタキシャル層を基板上に成長させるこ
とを特徴とする液相エピタキシャル成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15234085A JPS6217097A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 液相エピタキシヤル成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15234085A JPS6217097A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 液相エピタキシヤル成長法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6217097A true JPS6217097A (ja) | 1987-01-26 |
| JPH0566353B2 JPH0566353B2 (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=15538396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15234085A Granted JPS6217097A (ja) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | 液相エピタキシヤル成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6217097A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55154398A (en) * | 1979-05-16 | 1980-12-01 | Fujitsu Ltd | Growing method and apparatus for liquid phase multi- layered membrane of semiconductor |
| JPS56114897A (en) * | 1980-02-07 | 1981-09-09 | Mitsubishi Electric Corp | Method for liquid-phase epitaxial growth |
-
1985
- 1985-07-12 JP JP15234085A patent/JPS6217097A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55154398A (en) * | 1979-05-16 | 1980-12-01 | Fujitsu Ltd | Growing method and apparatus for liquid phase multi- layered membrane of semiconductor |
| JPS56114897A (en) * | 1980-02-07 | 1981-09-09 | Mitsubishi Electric Corp | Method for liquid-phase epitaxial growth |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0566353B2 (ja) | 1993-09-21 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |