JPS6217100A - ベリル単結晶の製造方法 - Google Patents
ベリル単結晶の製造方法Info
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- JPS6217100A JPS6217100A JP15573185A JP15573185A JPS6217100A JP S6217100 A JPS6217100 A JP S6217100A JP 15573185 A JP15573185 A JP 15573185A JP 15573185 A JP15573185 A JP 15573185A JP S6217100 A JPS6217100 A JP S6217100A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分針〕
本発明は、溶融塩（フラックス）法によるベリル単結晶
の補遺方法に関する。
の補遺方法に関する。
本発明は温度差法あるいは徐冷法でベリル単結範囲に制
御することにＬシ、共存鉱物の発生を抑え、得ら五る結
晶の品質を向上させたものである。
御することにＬシ、共存鉱物の発生を抑え、得ら五る結
晶の品質を向上させたものである。
（従来の技術〕 −
従来溶融塩法は、フラックス液面の温度がベリル育ｇｇ
の温度に対して１０℃以上低か２魁（発明が解決しよう
としている問題点及び目的〕しかし、前述の従来技術で
はフラックス液面が急激に冷える九め、エメラルドの微
結晶又は戸リストパライトが発生し易く、ベリルの生成
量を低下させｉす、又育成時に包有物として堰り込まれ
透明度を低下させるなど品質に重大な影響を与えていた
という問題点を有する。
の温度に対して１０℃以上低か２魁（発明が解決しよう
としている問題点及び目的〕しかし、前述の従来技術で
はフラックス液面が急激に冷える九め、エメラルドの微
結晶又は戸リストパライトが発生し易く、ベリルの生成
量を低下させｉす、又育成時に包有物として堰り込まれ
透明度を低下させるなど品質に重大な影響を与えていた
という問題点を有する。
本発明は以上の問題点を解決するもので、その目的とす
るところはベリル単結晶の収量を増大させ、品質にも優
れｔベリル単結晶の製造方法を提供するところにある。
るところはベリル単結晶の収量を増大させ、品質にも優
れｔベリル単結晶の製造方法を提供するところにある。
（問題点を解決する九めの手段〕
本発明のベリル単結晶製造方法は、フラックス〔実施例
〕 以下に本発明の方法を実施例に基づいて説明する。
〕 以下に本発明の方法を実施例に基づいて説明する。
〔実施例−１〕
（１）＃剤（フラックス）
’／２０ｓ トＬ ｉ ０Ｈｆｊ２０ ： １（７）’
ｊＬｆ＆テＩＫ＃用いる。
ｊＬｆ＆テＩＫ＃用いる。
（２） 溶解方法
Φ ｐｔルツボとルツボ炉を用い、上記フラックス１１
０００℃で溶解する。
０００℃で溶解する。
■ ベリル育成部の温度がルツボ底部の温度より５℃低
くなるように制御し、さらにフラックス液面とベリル育
［部ｔ−第１表に示し７？：３種類の温度差にｙ！ｉｆ
御する。
くなるように制御し、さらにフラックス液面とベリル育
［部ｔ−第１表に示し７？：３種類の温度差にｙ！ｉｆ
御する。
■ Ａｔ、Ｏ３２７ｔとＢｅ０１０ｆの混合焼結体を投
入し溶解する。
入し溶解する。
■ ３日後、Ａｔ！ ０３とＢｏｏの溶解１ｉｔ’に発
光分光分析装置ｌｌ用いてチェックする。
光分光分析装置ｌｌ用いてチェックする。
各成分ともに亀和溶″ｓｉの８０チ以上溶解しているこ
とを分析確認する。
とを分析確認する。
■ ドープ剤としてＣ，、ｒ！ｏｓ焼結体を１．１ｆ（
重量比でＡｔ、０３の４．１チ）投入し溶解する。
重量比でＡｔ、０３の４．１チ）投入し溶解する。
■ ８１０．（水晶）を５５ｐ投入し溶解する。
′ ■ ２日後、各原材料物質が飽和しているか発光分
光分析装置を用いてチェックする６６放分ともに飽和溶
解量の８０ｅＩ６以上溶解していることを分析確認する
。
光分析装置を用いてチェックする６６放分ともに飽和溶
解量の８０ｅＩ６以上溶解していることを分析確認する
。
（３） ベリルの育成
■ 改良確認用のベリル結晶片ｔ−２日間投入する。
成長状況と共存鉱物の生成の有無をチェ・−ツクする。
■ 育成用のベリル種子結晶片を投入する。
■ フラックスの温度１５℃上げ、２４時間保持し種子
結晶表面をエツチングする。
結晶表面をエツチングする。
■ もとのｍ度まで４℃／ ｄ ａ、 ｙの徐冷速度で
徐冷する。
徐冷する。
■ 徐冷が終了しｔらＡｔ、ａｍとＢａＯの混合焼結体
（Ａｚｌｏ３ とＢ ｃ、 Ｏの比が重量比で３＝１に
なる工うにし次混合体）、Ｃｒ１０３の焼結体、水晶ｔ
−７日ごとに追加し６０日間育成させる。（追加する原
材、 料物質の量は発光分光分析装置により、その都
度分析して決定する。） １７ｊ、比較例としてフラックスの液面とベリル育成部
の温度差が上述の範囲外であるものを２橿頌用意し、同
じ二うに育成する。
（Ａｚｌｏ３ とＢ ｃ、 Ｏの比が重量比で３＝１に
なる工うにし次混合体）、Ｃｒ１０３の焼結体、水晶ｔ
−７日ごとに追加し６０日間育成させる。（追加する原
材、 料物質の量は発光分光分析装置により、その都
度分析して決定する。） １７ｊ、比較例としてフラックスの液面とベリル育成部
の温度差が上述の範囲外であるものを２橿頌用意し、同
じ二うに育成する。
（４） 品質チェック
種子結晶の成長量のチェック及び、種子表面に共存鉱物
を包有していないか詞ぺる。
を包有していないか詞ぺる。
（結果）
結晶の成長量、′及び品質評価を下記の第１表に示す。
なお、フラックス液面の温度をベリル育成部の温度に対
して何度変化させ友かを第１表ではΔでとして表わす。
して何度変化させ友かを第１表ではΔでとして表わす。
第１表
第１表から明らかな如く、本発明の請求の範囲内では共
存鉱物を全く包有していない極めて良質の一すル単結晶
が得られ友。
存鉱物を全く包有していない極めて良質の一すル単結晶
が得られ友。
これに対し、上述の範囲外である比較例１．２は、１に
ついては共存鉱物の包有がみられ、又２についてはベリ
ルが非常にわずかしか成長しないため実用的でない。
ついては共存鉱物の包有がみられ、又２についてはベリ
ルが非常にわずかしか成長しないため実用的でない。
〔実施例−２〕
（１）溶剤（フラックス）
実施例−１と同じ。
（２） 溶解方法
実施例−１と同じ。
（３） ベリルの育成
実施例−１■〜■と同じ。
■ 徐冷速度４℃／ ｄ ａ ｙで１００℃徐冷する。
ま几比較例としてフラックスの液面とベリル育成部の温
度差が、上述の範冊外であるものを２種類用意し、同じ
ように育成する。
度差が、上述の範冊外であるものを２種類用意し、同じ
ように育成する。
（４） 品質チェック
実施例−１と同じ。
（結果）
結晶の成長ｔ、及び品質評価を下記の！ｇｇ２表に示す
。なお、フラックス液面の温度をベリル育成部のｍ度に
対して何度変化させ友かを第２表ではΔＴとして表わす
。
。なお、フラックス液面の温度をベリル育成部のｍ度に
対して何度変化させ友かを第２表ではΔＴとして表わす
。
Ｍ２表
第２表から明らかな如く、本発明の請求の範囲内では共
存鉱物を全く包有していない極めて良質のベリル単結晶
が得られ比。
存鉱物を全く包有していない極めて良質のベリル単結晶
が得られ比。
これに対し、上述の範囲外である比較例１．２は、１に
ついては共存鉱物の包有がみられ、又２についてはベリ
ルが非常にわずかしか成長しないため実用的でない。
ついては共存鉱物の包有がみられ、又２についてはベリ
ルが非常にわずかしか成長しないため実用的でない。
〔実Ｉ壱例−３〕
（１）溶剤（７ラツクス）
Ｌ１２ＭＯＯ４とＭｏ０３ｉ１：１の割合で１〜用いる
。
。
（２） 溶解方法
■ 溶ｉ＃ｓ温度９００℃で上６己フラックスを溶解す
る。装置、治具は実施例−１と同じ。
る。装置、治具は実施例−１と同じ。
■ フラックス液面の温度とベリル育成部の温度を第３
表に示しｔ３種類の温度差に制御する。
表に示しｔ３種類の温度差に制御する。
■ Ａｔ、０３１５ｆとＢｅ０８ｆの混合焼結体を投入
し溶解する。
し溶解する。
■ ３日後、＊ｔ２ ｏ３ とＢｅＯの溶解量を発光分
光分析装ｅ＋用いてチェックする。
光分析装ｅ＋用いてチェックする。
各成分ともに胞頗溶解着の８０％以上溶解していること
を分析確認する。
を分析確認する。
■ ドープ剤としてＣｒ２Ｏ３焼結体をα７を投入し溶
解する。
解する。
■ ８１０！（水晶）ｔ−３５ｆ投入し溶解する。
■ ２日後、各原材料物質が飽和しているか
：発光分光分析装置を用いてチェックする。
：発光分光分析装置を用いてチェックする。
各成分ともに飽和溶解量の８０優以上溶解していること
を分析確認する。
を分析確認する。
（３）ベリルの育成
実施例−１と同じ
（４） 品質チェック
実施例−１と同じ
（結果）
結晶の成長量、及び品質評価を下記の第３表に示す。な
お、フラックス液面の温度をベリル育成部の温度に対し
て何度変化させ次かを第３表ではΔＴとして表わす。
お、フラックス液面の温度をベリル育成部の温度に対し
て何度変化させ次かを第３表ではΔＴとして表わす。
第３表
第５表から明らかな如く、本発明の請求の範囲内では共
存鉱物を全く包有していない極めて良質のベリル単結晶
が得られ几。
存鉱物を全く包有していない極めて良質のベリル単結晶
が得られ几。
これに対し、上述の範囲外である比較例１．２は、１に
ついては共存鉱物の包Ｍがみられ、又２についてはベリ
ルが非常にわずかしか成長しない九め実用的でない。
ついては共存鉱物の包Ｍがみられ、又２についてはベリ
ルが非常にわずかしか成長しない九め実用的でない。
以上述べ友ように、本発明のベリル単結晶の製ることに
エリ、共存鉱物の発生を抑えることができ、収率の増大
、品質の向上が図れる。
エリ、共存鉱物の発生を抑えることができ、収率の増大
、品質の向上が図れる。
本発明は人工ベリル単結晶の合成方法として、多大な効
果を育するものである。
果を育するものである。
以 上
Claims (1)
- 五酸化バナジウム、モリブデン酸リチウム、モリブデン
酸ナトリウム、モリブデン酸カリウム、三酸化モリブデ
ン、酸化リチウムの中から選ばれた１種又は２種以上を
溶剤（フラックス）として用い、この中にベリル成分と
なる酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、酸化アルミニウム（Ａ
ｌ＿２Ｏ＿３）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ＿２）、および
着色剤として酸化クロム（Ｃｒ＿２Ｏ＿３）等を溶解し
て温度差法あるいは徐冷法でベリル単結晶を成長させる
方法において、フラックス液面の温度をベリル育成部の
温度に対して−６℃〜２℃の範囲に制御することを特徴
とするベリル単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15573185A JPS6217100A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | ベリル単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15573185A JPS6217100A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | ベリル単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6217100A true JPS6217100A (ja) | 1987-01-26 |
Family
ID=15612218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15573185A Pending JPS6217100A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | ベリル単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6217100A (ja) |
-
1985
- 1985-07-15 JP JP15573185A patent/JPS6217100A/ja active Pending
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