JPS62174373A - クロムタ−ゲツト材及びその製造方法 - Google Patents

クロムタ−ゲツト材及びその製造方法

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JPS62174373A
JPS62174373A JP23220486A JP23220486A JPS62174373A JP S62174373 A JPS62174373 A JP S62174373A JP 23220486 A JP23220486 A JP 23220486A JP 23220486 A JP23220486 A JP 23220486A JP S62174373 A JPS62174373 A JP S62174373A
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy

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  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は乾式クロム蒸着被覆に使用する素材及びその製
造方法、いわゆるスパッタリング、イオン蒸着などのタ
ーゲツト材及びその製造方法に関するものである。
〔従来の技術〕
エレクトロニクス産業において、クロム蒸着薄膜はLS
I製造時のマスキング用、磁気ハードディスクの基盤コ
ーティング用などにスパッタリング法、イオンブレーテ
ィング法などにより製作し、盛んに利用されている。
このクロムターゲット材はその要求特性として高純度の
もの、少なくとも、99.5%以上のものが要求されて
おり、それぞれの用途、装置に応じて99.9%以上、
99.99%以上などの基準のものもある。
このような高純度クロムの製造法としては、クロム酸溶
液の電気分解法、クロム酸溶液から不純物の有機溶媒抽
出による精製クロム酸化物の水素還元法、電気分解相ク
ロムを沃素化し、これを熱分解する沃素法、または金属
カルシウム蒸気によるCa還元法などがある。電解クロ
ムは酸素、水素などのガス含有量が多い。沃素法は、8
00℃付近で沃素と反応させ、生成沃化物を昇華させて
1100〜1300℃のフィラメント上に熱分解させる
法でC10、Nなどの非金属元素をとくに低くすること
ができる。Ca還元法は高真空容器内で金属Caと粗ク
ロムとを1000℃前後に加熱するとCaが蒸発し、蒸
気圧20nwnl(gとなり、粗クロムを還元する。一
方、この蒸気は反応管中の低温域に蒸着する。このよう
にしてCa蒸気と接することによりクロム中の酸素を還
元するものであるがCaOなどが混在する。
このようにして得られた高純度クロムは粒状。
板状、粉状であり、ターゲット用として使用するときは
溶解鋳造、圧縮、焼結などによって成形する必要があり
、それぞれ次のような問題点がある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
クロムを溶解するには真空中または不活性ガス雰囲気中
で1880℃以上の高温加熱をする必要がある。酸素と
の反応性が強いため、高級ルツボ材、たとえばジルコニ
ア質、アルミナ質でなげねばならず、それでもなお酸素
を取り込む。すなわちルツボ材により汚染される結果と
なる。また、他方溶解鋳造は凝固収縮を生ずるため押湯
は不可欠であり、総じて全部の歩留は70%以下である
さらに紡造品は鋳造結晶粒が粗大化しやすく、そのまま
では熱間、温間、冷間の塑性加工は不可能であり、鋼製
またはステンレス製のカプセルにて包み、これと−緒に
塑性加工をおこなえば、小物についてはどうにか塑性加
工が可能であるが、鋳造インゴット肉厚が70Il11
1程度以上になると非常に困難である。このため、従来
はターゲツト材の製品は、鋳造インゴットそのものから
切出していたために必然的に歩留は相当劣るものであっ
た。
他方圧縮成形後、焼結する方法も提案されている。圧縮
成形をおこなう場合、潤滑剤などに起因する汚染防止、
さらに1500℃以上にもおよぶ焼結温度に起因する酸
化防止のための高純度水素の利用、および還元ガス中に
生ずる水蒸気の急速な排出法が必要である。すなわち雰
囲気中の水蒸気分圧の厳重な調整を必要とする。
かくして得られた焼結晶はなお焼結粒間に若干の細孔が
残り、顕微鏡下でamされる。そのために熱間、温間、
冷間の塑性加工が回連であり、前述のようにステンレス
などのカプセルに収納して熱間加工をしてもカプセル中
で破砕し、加工は不可能に近いものであった。さらにか
かる圧縮成形−水素気流中焼結という方法では、圧縮成
形の際残留応力の不均一のために変形、亀裂などの問題
が発生するため、等方加圧法ラバープレスなどの利用も
報告されている(特公昭60−4241号)が、この場
合も焼結後焼結粒間に細孔が残り、ターゲット部品を作
製する場合は塑性加工が不可能なため焼結晶より直接切
出し1機械加工仕上に依らざるを得なかった。
更に以上のような問題点を解決する高クロム合金材の製
造法として特開昭55−154551号に、特定条件下
で原料粉末をカプセルに封入し、次いで熱間等方静水圧
成形、熱間加工する発明が開示されている。
本発明者らは1以上の公知技術を基に研究を行なった結
果、クロムターゲット材として最適の製造方法、および
蒸着性の優れたクロムターゲット材の発明に至ったもの
である。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、純度99.5%以下で、炭素、窒素をそれぞ
れ0.05%以下、残部不可避的不純物よりなり、粒度
20メツシュ以下が90%、残部10メツシュ以下であ
る高純度金属クロム粉末を熱間等方静水圧成形したこと
を特徴とするクロムターゲット材、および純度99.5
%以上で炭素、窒素をそれぞれ0.05%以下、残部不
可避的不純物よりなり、粒度20メツシュ以下が90%
、残部10メツシュ以下である高純度金属クロム粉末を
鋼またはステンレス鋼カプセルに充填し、 110−3
nnH以下で真空密封したのち、1000℃以上、50
0kgf/cm2以上の圧力で30分以上熱間等方静水
圧成形することを特徴とするクロムターゲット材の製造
方法である。なお、本願発明方法において前記熱間等方
静水圧成形後に700−1200℃の温度範囲で熱間加
工をする、更に引き続いて50%以下の加工率で塑性加
工、望ましくは250℃以上で温間加工をし、最終的に
600〜1100℃の範囲で20分以上加熱処理して焼
なまし処理する態様で実施することが望ましい。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
まず、ターゲツト材について説明する。
純度を99.5%以上としたのは、これ以下の純度では
ターゲツト材としては不向であるためである。
また、C,Nの濃度を500PPo+以下としたのはC
1Nはクロムの延伸性に関係深く、含有量が多くなると
硬さも高くなり脆化して来る。このため、蒸着薄膜の剥
離がおこる。そのために500PPmを越えることは好
ましくない。
また、使用する高純度金属クロム粉末の粒度を20メツ
シュ以下90%以上、残部10メツシュ以下としたのは
、それ以上の粗粒が混じると熱間加工時に破砕するため
である。
次に本発明ターゲツト材の製造方法について説明する。
使用する高純度金属クロム粉末については上述の通りで
ある。
前記高純度金属クロム粉末を鋼またはステンレス製カプ
セルに10’ nn11g以下の真空条件下で密封する
が、これは10すmm1gを越えると、原料粉末に付着
しているガスや水分等の除去が十分に行なわれないため
である。この際カプセルの肉厚は4mm以下が望ましい
次に高純度金属クロム粉末を充填したこのカプセルを熱
間等方静水圧圧密装置i!(HIP)により、1000
℃以上で圧力500kgf/adで0.5時間以上圧密
する。
この方法によるとたとえば200 mmφ程度の素材の
中心にても十分圧密効果が及んでおり、顕微鏡観察によ
っても、粒子間に細孔は検知されない。
また密度もほぼ理論密度に到達している。
かくして得られた圧密品をカプセルのまま850〜11
50℃で熱間加工を行なえば容易に板状のもの。
棒状のものを作り得る。加熱温度を850〜1150℃
とするのは、850℃未満では加工時割れが生ずる危険
があり、また1150℃を越えると熱間加工が困難なた
めである。
このように850〜1150℃にて熱間加工を行なえば
その後さらに塑性加工が可能となる。特に、加工率50
%以下、250℃以上の温間にて加工すると、結晶粒が
繊細になり、靭性が向上し、このため研削などの機械加
工が容易となる。さらにカプセルの肉厚の検知を可能に
し、目標寸法に精度よく仕上げることができるようにな
る。そのため製品歩留が向上する。
この温間加工前の焼なましは必ずしも必要でなく、加工
率、硬さなどにより決める。
最終的には、結晶粒を微細化させない温度域、時間で焼
なましを行なう。
以上の工程が終了したら最終的にはカプセル部は除去さ
れる。カプセル部を研削除去して、希望とする寸法のも
のに作ることができ、塩酸または王水でエッチすればク
ロム質と容易に区別することができる。
このようにして作ったターゲツト材は使用中にガスを発
生することもなく、蒸着クロムの厚さの不均一、またタ
ーゲツト板の肌荒れ、消耗の不均一などの欠陥は全くな
い。鋳造のままのターゲツト材では結晶粒の粗大不揃い
のためにピット発生、また焼結晶ターゲットではガス気
孔に由来すると考えられるピット発生のトラブルが発生
して再研磨は不可避であったが、I(IPmによるター
ゲツト材ではこれらはなくなった。なお、最終時の焼な
ましは残留応力の除去のためで、これが残留すると機械
加工後、またはスパッタリング使用時変形を起こすため
である。
〔実施例〕
実施例1 純度99.6%、C120ppm、 N 80ppm、
 0400ppmの純クロム粉末で、90%以上が48
メツシュ以下で残部10メツシュ以下の粒度のものを鋼
製のカプセル(径60φ、長さ280mm、肉厚2 r
m )に10−’ +mHgの真空下で密封した。これ
を1180℃で100100O/airの圧力で1時間
HI Pにて圧密した。圧密化後の純度、C,N、O量
は粉末時と変動がなかった(以下の実施例も同様)。こ
れより直径10mmφ、長10nwnの鍛造試験片を切
出し、鍛造試験機により高温で衝撃エネルギーを加えて
変形率と亀裂の発生の有無を調べた。結果を図に示す。
700〜1050℃の範囲では35〜45%の変形率ま
で亀裂のないことがわかった。
変形率とは、(Ql−Q□)xtOO/Q□で表わす。
Q□、Q2は鍛造前後の長さを示す。
実施例2 純度99.99%、C18ppm、 N 10ppm、
 030ppmの沃化物分解法によって製造した純クロ
ム粒を粉砕し90%以上を28メツシュ以下、残部10
メツシュ以下として、これを5US304ステンレス製
のカプセル(内径240nwnφ、高さ40nvn、肉
厚3m)に充填し、10’ n+mHgにて真空吸引し
て密封した。このカプセルをHIPにて1200℃、1
00100O/a+fにて1時間圧密したのち、カプセ
ルに包んだまま950〜1150℃の範囲にて熱間加工
し、全体を12mの板にしたのち、ステンレスカプセル
を取除いて9mmのクロム板を作った。950℃にて1
時間加熱徐冷して焼なまししたのち、スパッタリング用
ターゲットに切削加工仕上した。
スパッタリング性の評価をおこなったが、作業は安定し
ていて、結晶粒間ピッティングも少なく。
使用中も肌荒れなどなく蒸着膜も均等であり良好な膜が
得られた。鋳造品、焼結晶の切出法によるターゲツト材
では、50時間のスパッタ一時間毎に平面研削が必要で
あるのに対し、本ターゲットでは肌荒れもなく、研削も
不必要であった。
実施例3 Cr純度99.7%、C800ppm、 N 500p
pmの純Cr粉を−28メツシュ95%に粉砕し、 S
US304mカプセル(180x40nm)に10−s
mmHgの真空下で充填し、これを1180℃1010
00)c/dの圧力下で圧密した。次いでこれを実施例
2と同様な方法で圧延し、153φX8++w++tの
ターゲットを作った。
スパッタリング方式により、1200人の薄膜を作製し
てフレメンステストにより剥離性を比較した。
50g荷重で実施した結果、剥離が生じた。一方。
実施例2のターゲットから得られた薄膜では1200人
にて60gの荷重にても全く剥離は認められなかった・ 実施例4 実施例2と同様にして全体を12nwaの板とし、さら
に880℃にて1時間加熱焼なましをしたのち、600
°Cにて温間加工を行ない、10nwnの板厚とした。
これを850℃で30分焼なまししたのち、カプセルを
削除して8.4冊のクロム板を作った。組織は、細長く
伸びた結晶粒と一部再結晶した混合組織となっており、
硬さはt(v150であった。ターゲツト材に機械加工
したが、edgeの欠けなどのトラブルがなく、靭性が
高く取扱い易いものであった6実施例5 Cr純度990g%、C170ppm、 N 330p
pm、 0400ppmの水素還元法で得られたクロム
を粉砕し、28メツシュ以下のものを95%、残部10
メツシュ以下として、これを内径1601wwφ、高さ
40++w++のステンレス製カプセルに充填し、10
’ nwHHの真空中で密封し、これを1200℃、1
000気圧にて1.5時間、HIP!@にて圧密した。
これをステンレス製カプセルのまま850〜1050℃
の範囲内にて熱間加工して20mm板厚とした。さらに
これを冷間で16mmの板厚まで加工し、850℃にて
1時間焼なましをおこない、冷間で13mmの板厚に仕
上げた。途中カプセルの亀裂、その他のトラブルはなか
った。さらに850℃にて焼なまししたのち、カプセル
を切削除去して9■厚の純クロム製スパッタリングター
ゲットを作製した。スパッタリング性の評価、蒸着膜の
耐剥離性などをおこない、満足すべき結果が得られた。
〔発明の効果〕
以上説明のように本発明によれば、蒸着性の良好なりロ
ムターゲットを高歩留で製造することが可能であり工業
上有益である。
【図面の簡単な説明】
第り図は実施例1における鍛造試験結果である。各温度
において、亀裂の発生をみない変形率の限度を示したも
のである。これにより区域Aは亀裂の発生しない範囲を
示すものである。 第 l 図 加M温泉℃

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 純度99.5%以上で炭素、窒素をそれぞれ0.0
    5%以下、残部不可避的不純物からなり、粒度20メッ
    シュ以下が90%以上、残部10メッシュ以下である高
    純度金属クロム粉末を熱間等方静水圧成形したことを特
    徴とするクロムターゲット材。 2 純度99.5%以上で炭素、窒素をそれぞれ0.0
    5%以下、残部不可避的不純物からなり、粒度20メッ
    シュ以下が90%以上、残部10メッシュ以下である高
    純度金属クロム粉末を鋼またはステンレス鋼カプセルに
    充填し、10^−^3mmHg以下で真空密封したのち
    1000℃以上、500kgf/cm^2以上の圧力で
    30分以上熱間等方静水圧成形することを特徴とするク
    ロムターゲット材の製造方法。 3 熱間等方静水圧成形後、700〜1200℃の温度
    範囲で熱間加工する特許請求の範囲第2項記載のクロム
    ターゲット材の製造方法。 4 熱間等方静水圧成形後、700〜1200℃の温度
    範囲で熱間加工し、さらに50%以下の加工率で塑性加
    工を行なう特許請求の範囲第2項記載のクロムターゲッ
    ト材の製造方法。 5 塑性加工が50%以下の加工率、250℃以上の温
    度で実施される特許請求の範囲第4項記載のクロムター
    ゲット材の製造方法。 6 塑性加工後、600〜1100℃の範囲で20分以
    上加熱して焼なまし処理する特許請求の範囲第4項ない
    し第5項のいずれかに記載のクロムターゲット材の製造
    方法。
JP23220486A 1985-10-04 1986-09-30 クロムタ−ゲツト材及びその製造方法 Granted JPS62174373A (ja)

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