JPS62174373A - クロムタ−ゲツト材及びその製造方法 - Google Patents
クロムタ−ゲツト材及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS62174373A JPS62174373A JP23220486A JP23220486A JPS62174373A JP S62174373 A JPS62174373 A JP S62174373A JP 23220486 A JP23220486 A JP 23220486A JP 23220486 A JP23220486 A JP 23220486A JP S62174373 A JPS62174373 A JP S62174373A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- less
- target material
- purity
- powder
- chromium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013077 target material Substances 0.000 title claims abstract description 23
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 38
- 239000011651 chromium Substances 0.000 title claims description 31
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 title claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000002775 capsule Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 10
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract 3
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 4
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 4
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 3
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001844 chromium Chemical class 0.000 description 1
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007596 consolidation process Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 238000005482 strain hardening Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004753 textile Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は乾式クロム蒸着被覆に使用する素材及びその製
造方法、いわゆるスパッタリング、イオン蒸着などのタ
ーゲツト材及びその製造方法に関するものである。
造方法、いわゆるスパッタリング、イオン蒸着などのタ
ーゲツト材及びその製造方法に関するものである。
エレクトロニクス産業において、クロム蒸着薄膜はLS
I製造時のマスキング用、磁気ハードディスクの基盤コ
ーティング用などにスパッタリング法、イオンブレーテ
ィング法などにより製作し、盛んに利用されている。
I製造時のマスキング用、磁気ハードディスクの基盤コ
ーティング用などにスパッタリング法、イオンブレーテ
ィング法などにより製作し、盛んに利用されている。
このクロムターゲット材はその要求特性として高純度の
もの、少なくとも、99.5%以上のものが要求されて
おり、それぞれの用途、装置に応じて99.9%以上、
99.99%以上などの基準のものもある。
もの、少なくとも、99.5%以上のものが要求されて
おり、それぞれの用途、装置に応じて99.9%以上、
99.99%以上などの基準のものもある。
このような高純度クロムの製造法としては、クロム酸溶
液の電気分解法、クロム酸溶液から不純物の有機溶媒抽
出による精製クロム酸化物の水素還元法、電気分解相ク
ロムを沃素化し、これを熱分解する沃素法、または金属
カルシウム蒸気によるCa還元法などがある。電解クロ
ムは酸素、水素などのガス含有量が多い。沃素法は、8
00℃付近で沃素と反応させ、生成沃化物を昇華させて
1100〜1300℃のフィラメント上に熱分解させる
法でC10、Nなどの非金属元素をとくに低くすること
ができる。Ca還元法は高真空容器内で金属Caと粗ク
ロムとを1000℃前後に加熱するとCaが蒸発し、蒸
気圧20nwnl(gとなり、粗クロムを還元する。一
方、この蒸気は反応管中の低温域に蒸着する。このよう
にしてCa蒸気と接することによりクロム中の酸素を還
元するものであるがCaOなどが混在する。
液の電気分解法、クロム酸溶液から不純物の有機溶媒抽
出による精製クロム酸化物の水素還元法、電気分解相ク
ロムを沃素化し、これを熱分解する沃素法、または金属
カルシウム蒸気によるCa還元法などがある。電解クロ
ムは酸素、水素などのガス含有量が多い。沃素法は、8
00℃付近で沃素と反応させ、生成沃化物を昇華させて
1100〜1300℃のフィラメント上に熱分解させる
法でC10、Nなどの非金属元素をとくに低くすること
ができる。Ca還元法は高真空容器内で金属Caと粗ク
ロムとを1000℃前後に加熱するとCaが蒸発し、蒸
気圧20nwnl(gとなり、粗クロムを還元する。一
方、この蒸気は反応管中の低温域に蒸着する。このよう
にしてCa蒸気と接することによりクロム中の酸素を還
元するものであるがCaOなどが混在する。
このようにして得られた高純度クロムは粒状。
板状、粉状であり、ターゲット用として使用するときは
溶解鋳造、圧縮、焼結などによって成形する必要があり
、それぞれ次のような問題点がある。
溶解鋳造、圧縮、焼結などによって成形する必要があり
、それぞれ次のような問題点がある。
クロムを溶解するには真空中または不活性ガス雰囲気中
で1880℃以上の高温加熱をする必要がある。酸素と
の反応性が強いため、高級ルツボ材、たとえばジルコニ
ア質、アルミナ質でなげねばならず、それでもなお酸素
を取り込む。すなわちルツボ材により汚染される結果と
なる。また、他方溶解鋳造は凝固収縮を生ずるため押湯
は不可欠であり、総じて全部の歩留は70%以下である
。
で1880℃以上の高温加熱をする必要がある。酸素と
の反応性が強いため、高級ルツボ材、たとえばジルコニ
ア質、アルミナ質でなげねばならず、それでもなお酸素
を取り込む。すなわちルツボ材により汚染される結果と
なる。また、他方溶解鋳造は凝固収縮を生ずるため押湯
は不可欠であり、総じて全部の歩留は70%以下である
。
さらに紡造品は鋳造結晶粒が粗大化しやすく、そのまま
では熱間、温間、冷間の塑性加工は不可能であり、鋼製
またはステンレス製のカプセルにて包み、これと−緒に
塑性加工をおこなえば、小物についてはどうにか塑性加
工が可能であるが、鋳造インゴット肉厚が70Il11
1程度以上になると非常に困難である。このため、従来
はターゲツト材の製品は、鋳造インゴットそのものから
切出していたために必然的に歩留は相当劣るものであっ
た。
では熱間、温間、冷間の塑性加工は不可能であり、鋼製
またはステンレス製のカプセルにて包み、これと−緒に
塑性加工をおこなえば、小物についてはどうにか塑性加
工が可能であるが、鋳造インゴット肉厚が70Il11
1程度以上になると非常に困難である。このため、従来
はターゲツト材の製品は、鋳造インゴットそのものから
切出していたために必然的に歩留は相当劣るものであっ
た。
他方圧縮成形後、焼結する方法も提案されている。圧縮
成形をおこなう場合、潤滑剤などに起因する汚染防止、
さらに1500℃以上にもおよぶ焼結温度に起因する酸
化防止のための高純度水素の利用、および還元ガス中に
生ずる水蒸気の急速な排出法が必要である。すなわち雰
囲気中の水蒸気分圧の厳重な調整を必要とする。
成形をおこなう場合、潤滑剤などに起因する汚染防止、
さらに1500℃以上にもおよぶ焼結温度に起因する酸
化防止のための高純度水素の利用、および還元ガス中に
生ずる水蒸気の急速な排出法が必要である。すなわち雰
囲気中の水蒸気分圧の厳重な調整を必要とする。
かくして得られた焼結晶はなお焼結粒間に若干の細孔が
残り、顕微鏡下でamされる。そのために熱間、温間、
冷間の塑性加工が回連であり、前述のようにステンレス
などのカプセルに収納して熱間加工をしてもカプセル中
で破砕し、加工は不可能に近いものであった。さらにか
かる圧縮成形−水素気流中焼結という方法では、圧縮成
形の際残留応力の不均一のために変形、亀裂などの問題
が発生するため、等方加圧法ラバープレスなどの利用も
報告されている(特公昭60−4241号)が、この場
合も焼結後焼結粒間に細孔が残り、ターゲット部品を作
製する場合は塑性加工が不可能なため焼結晶より直接切
出し1機械加工仕上に依らざるを得なかった。
残り、顕微鏡下でamされる。そのために熱間、温間、
冷間の塑性加工が回連であり、前述のようにステンレス
などのカプセルに収納して熱間加工をしてもカプセル中
で破砕し、加工は不可能に近いものであった。さらにか
かる圧縮成形−水素気流中焼結という方法では、圧縮成
形の際残留応力の不均一のために変形、亀裂などの問題
が発生するため、等方加圧法ラバープレスなどの利用も
報告されている(特公昭60−4241号)が、この場
合も焼結後焼結粒間に細孔が残り、ターゲット部品を作
製する場合は塑性加工が不可能なため焼結晶より直接切
出し1機械加工仕上に依らざるを得なかった。
更に以上のような問題点を解決する高クロム合金材の製
造法として特開昭55−154551号に、特定条件下
で原料粉末をカプセルに封入し、次いで熱間等方静水圧
成形、熱間加工する発明が開示されている。
造法として特開昭55−154551号に、特定条件下
で原料粉末をカプセルに封入し、次いで熱間等方静水圧
成形、熱間加工する発明が開示されている。
本発明者らは1以上の公知技術を基に研究を行なった結
果、クロムターゲット材として最適の製造方法、および
蒸着性の優れたクロムターゲット材の発明に至ったもの
である。
果、クロムターゲット材として最適の製造方法、および
蒸着性の優れたクロムターゲット材の発明に至ったもの
である。
本発明は、純度99.5%以下で、炭素、窒素をそれぞ
れ0.05%以下、残部不可避的不純物よりなり、粒度
20メツシュ以下が90%、残部10メツシュ以下であ
る高純度金属クロム粉末を熱間等方静水圧成形したこと
を特徴とするクロムターゲット材、および純度99.5
%以上で炭素、窒素をそれぞれ0.05%以下、残部不
可避的不純物よりなり、粒度20メツシュ以下が90%
、残部10メツシュ以下である高純度金属クロム粉末を
鋼またはステンレス鋼カプセルに充填し、 110−3
nnH以下で真空密封したのち、1000℃以上、50
0kgf/cm2以上の圧力で30分以上熱間等方静水
圧成形することを特徴とするクロムターゲット材の製造
方法である。なお、本願発明方法において前記熱間等方
静水圧成形後に700−1200℃の温度範囲で熱間加
工をする、更に引き続いて50%以下の加工率で塑性加
工、望ましくは250℃以上で温間加工をし、最終的に
600〜1100℃の範囲で20分以上加熱処理して焼
なまし処理する態様で実施することが望ましい。
れ0.05%以下、残部不可避的不純物よりなり、粒度
20メツシュ以下が90%、残部10メツシュ以下であ
る高純度金属クロム粉末を熱間等方静水圧成形したこと
を特徴とするクロムターゲット材、および純度99.5
%以上で炭素、窒素をそれぞれ0.05%以下、残部不
可避的不純物よりなり、粒度20メツシュ以下が90%
、残部10メツシュ以下である高純度金属クロム粉末を
鋼またはステンレス鋼カプセルに充填し、 110−3
nnH以下で真空密封したのち、1000℃以上、50
0kgf/cm2以上の圧力で30分以上熱間等方静水
圧成形することを特徴とするクロムターゲット材の製造
方法である。なお、本願発明方法において前記熱間等方
静水圧成形後に700−1200℃の温度範囲で熱間加
工をする、更に引き続いて50%以下の加工率で塑性加
工、望ましくは250℃以上で温間加工をし、最終的に
600〜1100℃の範囲で20分以上加熱処理して焼
なまし処理する態様で実施することが望ましい。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
まず、ターゲツト材について説明する。
純度を99.5%以上としたのは、これ以下の純度では
ターゲツト材としては不向であるためである。
ターゲツト材としては不向であるためである。
また、C,Nの濃度を500PPo+以下としたのはC
1Nはクロムの延伸性に関係深く、含有量が多くなると
硬さも高くなり脆化して来る。このため、蒸着薄膜の剥
離がおこる。そのために500PPmを越えることは好
ましくない。
1Nはクロムの延伸性に関係深く、含有量が多くなると
硬さも高くなり脆化して来る。このため、蒸着薄膜の剥
離がおこる。そのために500PPmを越えることは好
ましくない。
また、使用する高純度金属クロム粉末の粒度を20メツ
シュ以下90%以上、残部10メツシュ以下としたのは
、それ以上の粗粒が混じると熱間加工時に破砕するため
である。
シュ以下90%以上、残部10メツシュ以下としたのは
、それ以上の粗粒が混じると熱間加工時に破砕するため
である。
次に本発明ターゲツト材の製造方法について説明する。
使用する高純度金属クロム粉末については上述の通りで
ある。
ある。
前記高純度金属クロム粉末を鋼またはステンレス製カプ
セルに10’ nn11g以下の真空条件下で密封する
が、これは10すmm1gを越えると、原料粉末に付着
しているガスや水分等の除去が十分に行なわれないため
である。この際カプセルの肉厚は4mm以下が望ましい
。
セルに10’ nn11g以下の真空条件下で密封する
が、これは10すmm1gを越えると、原料粉末に付着
しているガスや水分等の除去が十分に行なわれないため
である。この際カプセルの肉厚は4mm以下が望ましい
。
次に高純度金属クロム粉末を充填したこのカプセルを熱
間等方静水圧圧密装置i!(HIP)により、1000
℃以上で圧力500kgf/adで0.5時間以上圧密
する。
間等方静水圧圧密装置i!(HIP)により、1000
℃以上で圧力500kgf/adで0.5時間以上圧密
する。
この方法によるとたとえば200 mmφ程度の素材の
中心にても十分圧密効果が及んでおり、顕微鏡観察によ
っても、粒子間に細孔は検知されない。
中心にても十分圧密効果が及んでおり、顕微鏡観察によ
っても、粒子間に細孔は検知されない。
また密度もほぼ理論密度に到達している。
かくして得られた圧密品をカプセルのまま850〜11
50℃で熱間加工を行なえば容易に板状のもの。
50℃で熱間加工を行なえば容易に板状のもの。
棒状のものを作り得る。加熱温度を850〜1150℃
とするのは、850℃未満では加工時割れが生ずる危険
があり、また1150℃を越えると熱間加工が困難なた
めである。
とするのは、850℃未満では加工時割れが生ずる危険
があり、また1150℃を越えると熱間加工が困難なた
めである。
このように850〜1150℃にて熱間加工を行なえば
。
。
その後さらに塑性加工が可能となる。特に、加工率50
%以下、250℃以上の温間にて加工すると、結晶粒が
繊細になり、靭性が向上し、このため研削などの機械加
工が容易となる。さらにカプセルの肉厚の検知を可能に
し、目標寸法に精度よく仕上げることができるようにな
る。そのため製品歩留が向上する。
%以下、250℃以上の温間にて加工すると、結晶粒が
繊細になり、靭性が向上し、このため研削などの機械加
工が容易となる。さらにカプセルの肉厚の検知を可能に
し、目標寸法に精度よく仕上げることができるようにな
る。そのため製品歩留が向上する。
この温間加工前の焼なましは必ずしも必要でなく、加工
率、硬さなどにより決める。
率、硬さなどにより決める。
最終的には、結晶粒を微細化させない温度域、時間で焼
なましを行なう。
なましを行なう。
以上の工程が終了したら最終的にはカプセル部は除去さ
れる。カプセル部を研削除去して、希望とする寸法のも
のに作ることができ、塩酸または王水でエッチすればク
ロム質と容易に区別することができる。
れる。カプセル部を研削除去して、希望とする寸法のも
のに作ることができ、塩酸または王水でエッチすればク
ロム質と容易に区別することができる。
このようにして作ったターゲツト材は使用中にガスを発
生することもなく、蒸着クロムの厚さの不均一、またタ
ーゲツト板の肌荒れ、消耗の不均一などの欠陥は全くな
い。鋳造のままのターゲツト材では結晶粒の粗大不揃い
のためにピット発生、また焼結晶ターゲットではガス気
孔に由来すると考えられるピット発生のトラブルが発生
して再研磨は不可避であったが、I(IPmによるター
ゲツト材ではこれらはなくなった。なお、最終時の焼な
ましは残留応力の除去のためで、これが残留すると機械
加工後、またはスパッタリング使用時変形を起こすため
である。
生することもなく、蒸着クロムの厚さの不均一、またタ
ーゲツト板の肌荒れ、消耗の不均一などの欠陥は全くな
い。鋳造のままのターゲツト材では結晶粒の粗大不揃い
のためにピット発生、また焼結晶ターゲットではガス気
孔に由来すると考えられるピット発生のトラブルが発生
して再研磨は不可避であったが、I(IPmによるター
ゲツト材ではこれらはなくなった。なお、最終時の焼な
ましは残留応力の除去のためで、これが残留すると機械
加工後、またはスパッタリング使用時変形を起こすため
である。
実施例1
純度99.6%、C120ppm、 N 80ppm、
0400ppmの純クロム粉末で、90%以上が48
メツシュ以下で残部10メツシュ以下の粒度のものを鋼
製のカプセル(径60φ、長さ280mm、肉厚2 r
m )に10−’ +mHgの真空下で密封した。これ
を1180℃で100100O/airの圧力で1時間
HI Pにて圧密した。圧密化後の純度、C,N、O量
は粉末時と変動がなかった(以下の実施例も同様)。こ
れより直径10mmφ、長10nwnの鍛造試験片を切
出し、鍛造試験機により高温で衝撃エネルギーを加えて
変形率と亀裂の発生の有無を調べた。結果を図に示す。
0400ppmの純クロム粉末で、90%以上が48
メツシュ以下で残部10メツシュ以下の粒度のものを鋼
製のカプセル(径60φ、長さ280mm、肉厚2 r
m )に10−’ +mHgの真空下で密封した。これ
を1180℃で100100O/airの圧力で1時間
HI Pにて圧密した。圧密化後の純度、C,N、O量
は粉末時と変動がなかった(以下の実施例も同様)。こ
れより直径10mmφ、長10nwnの鍛造試験片を切
出し、鍛造試験機により高温で衝撃エネルギーを加えて
変形率と亀裂の発生の有無を調べた。結果を図に示す。
700〜1050℃の範囲では35〜45%の変形率ま
で亀裂のないことがわかった。
で亀裂のないことがわかった。
変形率とは、(Ql−Q□)xtOO/Q□で表わす。
Q□、Q2は鍛造前後の長さを示す。
実施例2
純度99.99%、C18ppm、 N 10ppm、
030ppmの沃化物分解法によって製造した純クロ
ム粒を粉砕し90%以上を28メツシュ以下、残部10
メツシュ以下として、これを5US304ステンレス製
のカプセル(内径240nwnφ、高さ40nvn、肉
厚3m)に充填し、10’ n+mHgにて真空吸引し
て密封した。このカプセルをHIPにて1200℃、1
00100O/a+fにて1時間圧密したのち、カプセ
ルに包んだまま950〜1150℃の範囲にて熱間加工
し、全体を12mの板にしたのち、ステンレスカプセル
を取除いて9mmのクロム板を作った。950℃にて1
時間加熱徐冷して焼なまししたのち、スパッタリング用
ターゲットに切削加工仕上した。
030ppmの沃化物分解法によって製造した純クロ
ム粒を粉砕し90%以上を28メツシュ以下、残部10
メツシュ以下として、これを5US304ステンレス製
のカプセル(内径240nwnφ、高さ40nvn、肉
厚3m)に充填し、10’ n+mHgにて真空吸引し
て密封した。このカプセルをHIPにて1200℃、1
00100O/a+fにて1時間圧密したのち、カプセ
ルに包んだまま950〜1150℃の範囲にて熱間加工
し、全体を12mの板にしたのち、ステンレスカプセル
を取除いて9mmのクロム板を作った。950℃にて1
時間加熱徐冷して焼なまししたのち、スパッタリング用
ターゲットに切削加工仕上した。
スパッタリング性の評価をおこなったが、作業は安定し
ていて、結晶粒間ピッティングも少なく。
ていて、結晶粒間ピッティングも少なく。
使用中も肌荒れなどなく蒸着膜も均等であり良好な膜が
得られた。鋳造品、焼結晶の切出法によるターゲツト材
では、50時間のスパッタ一時間毎に平面研削が必要で
あるのに対し、本ターゲットでは肌荒れもなく、研削も
不必要であった。
得られた。鋳造品、焼結晶の切出法によるターゲツト材
では、50時間のスパッタ一時間毎に平面研削が必要で
あるのに対し、本ターゲットでは肌荒れもなく、研削も
不必要であった。
実施例3
Cr純度99.7%、C800ppm、 N 500p
pmの純Cr粉を−28メツシュ95%に粉砕し、 S
US304mカプセル(180x40nm)に10−s
mmHgの真空下で充填し、これを1180℃1010
00)c/dの圧力下で圧密した。次いでこれを実施例
2と同様な方法で圧延し、153φX8++w++tの
ターゲットを作った。
pmの純Cr粉を−28メツシュ95%に粉砕し、 S
US304mカプセル(180x40nm)に10−s
mmHgの真空下で充填し、これを1180℃1010
00)c/dの圧力下で圧密した。次いでこれを実施例
2と同様な方法で圧延し、153φX8++w++tの
ターゲットを作った。
スパッタリング方式により、1200人の薄膜を作製し
てフレメンステストにより剥離性を比較した。
てフレメンステストにより剥離性を比較した。
50g荷重で実施した結果、剥離が生じた。一方。
実施例2のターゲットから得られた薄膜では1200人
にて60gの荷重にても全く剥離は認められなかった・ 実施例4 実施例2と同様にして全体を12nwaの板とし、さら
に880℃にて1時間加熱焼なましをしたのち、600
°Cにて温間加工を行ない、10nwnの板厚とした。
にて60gの荷重にても全く剥離は認められなかった・ 実施例4 実施例2と同様にして全体を12nwaの板とし、さら
に880℃にて1時間加熱焼なましをしたのち、600
°Cにて温間加工を行ない、10nwnの板厚とした。
これを850℃で30分焼なまししたのち、カプセルを
削除して8.4冊のクロム板を作った。組織は、細長く
伸びた結晶粒と一部再結晶した混合組織となっており、
硬さはt(v150であった。ターゲツト材に機械加工
したが、edgeの欠けなどのトラブルがなく、靭性が
高く取扱い易いものであった6実施例5 Cr純度990g%、C170ppm、 N 330p
pm、 0400ppmの水素還元法で得られたクロム
を粉砕し、28メツシュ以下のものを95%、残部10
メツシュ以下として、これを内径1601wwφ、高さ
40++w++のステンレス製カプセルに充填し、10
’ nwHHの真空中で密封し、これを1200℃、1
000気圧にて1.5時間、HIP!@にて圧密した。
削除して8.4冊のクロム板を作った。組織は、細長く
伸びた結晶粒と一部再結晶した混合組織となっており、
硬さはt(v150であった。ターゲツト材に機械加工
したが、edgeの欠けなどのトラブルがなく、靭性が
高く取扱い易いものであった6実施例5 Cr純度990g%、C170ppm、 N 330p
pm、 0400ppmの水素還元法で得られたクロム
を粉砕し、28メツシュ以下のものを95%、残部10
メツシュ以下として、これを内径1601wwφ、高さ
40++w++のステンレス製カプセルに充填し、10
’ nwHHの真空中で密封し、これを1200℃、1
000気圧にて1.5時間、HIP!@にて圧密した。
これをステンレス製カプセルのまま850〜1050℃
の範囲内にて熱間加工して20mm板厚とした。さらに
これを冷間で16mmの板厚まで加工し、850℃にて
1時間焼なましをおこない、冷間で13mmの板厚に仕
上げた。途中カプセルの亀裂、その他のトラブルはなか
った。さらに850℃にて焼なまししたのち、カプセル
を切削除去して9■厚の純クロム製スパッタリングター
ゲットを作製した。スパッタリング性の評価、蒸着膜の
耐剥離性などをおこない、満足すべき結果が得られた。
の範囲内にて熱間加工して20mm板厚とした。さらに
これを冷間で16mmの板厚まで加工し、850℃にて
1時間焼なましをおこない、冷間で13mmの板厚に仕
上げた。途中カプセルの亀裂、その他のトラブルはなか
った。さらに850℃にて焼なまししたのち、カプセル
を切削除去して9■厚の純クロム製スパッタリングター
ゲットを作製した。スパッタリング性の評価、蒸着膜の
耐剥離性などをおこない、満足すべき結果が得られた。
以上説明のように本発明によれば、蒸着性の良好なりロ
ムターゲットを高歩留で製造することが可能であり工業
上有益である。
ムターゲットを高歩留で製造することが可能であり工業
上有益である。
第り図は実施例1における鍛造試験結果である。各温度
において、亀裂の発生をみない変形率の限度を示したも
のである。これにより区域Aは亀裂の発生しない範囲を
示すものである。 第 l 図 加M温泉℃
において、亀裂の発生をみない変形率の限度を示したも
のである。これにより区域Aは亀裂の発生しない範囲を
示すものである。 第 l 図 加M温泉℃
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 純度99.5%以上で炭素、窒素をそれぞれ0.0
5%以下、残部不可避的不純物からなり、粒度20メッ
シュ以下が90%以上、残部10メッシュ以下である高
純度金属クロム粉末を熱間等方静水圧成形したことを特
徴とするクロムターゲット材。 2 純度99.5%以上で炭素、窒素をそれぞれ0.0
5%以下、残部不可避的不純物からなり、粒度20メッ
シュ以下が90%以上、残部10メッシュ以下である高
純度金属クロム粉末を鋼またはステンレス鋼カプセルに
充填し、10^−^3mmHg以下で真空密封したのち
1000℃以上、500kgf/cm^2以上の圧力で
30分以上熱間等方静水圧成形することを特徴とするク
ロムターゲット材の製造方法。 3 熱間等方静水圧成形後、700〜1200℃の温度
範囲で熱間加工する特許請求の範囲第2項記載のクロム
ターゲット材の製造方法。 4 熱間等方静水圧成形後、700〜1200℃の温度
範囲で熱間加工し、さらに50%以下の加工率で塑性加
工を行なう特許請求の範囲第2項記載のクロムターゲッ
ト材の製造方法。 5 塑性加工が50%以下の加工率、250℃以上の温
度で実施される特許請求の範囲第4項記載のクロムター
ゲット材の製造方法。 6 塑性加工後、600〜1100℃の範囲で20分以
上加熱して焼なまし処理する特許請求の範囲第4項ない
し第5項のいずれかに記載のクロムターゲット材の製造
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22145785 | 1985-10-04 | ||
| JP60-221457 | 1985-10-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62174373A true JPS62174373A (ja) | 1987-07-31 |
| JPH032230B2 JPH032230B2 (ja) | 1991-01-14 |
Family
ID=16767023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23220486A Granted JPS62174373A (ja) | 1985-10-04 | 1986-09-30 | クロムタ−ゲツト材及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62174373A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03150356A (ja) * | 1989-11-02 | 1991-06-26 | Hitachi Metals Ltd | タングステンまたはモリブデンターゲットおよびその製造方法 |
| EP1746173A3 (en) * | 2005-07-22 | 2007-05-09 | Heraeus, Inc. | Enhanced sputter target manufacturing method |
| EP1923481A3 (en) * | 2005-07-22 | 2008-06-18 | Heraeus, Inc. | Enhanced sputter target manufacturing method |
| CN103785838A (zh) * | 2012-11-01 | 2014-05-14 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 铬靶材的制作方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4126451A (en) * | 1977-03-30 | 1978-11-21 | Airco, Inc. | Manufacture of plates by powder-metallurgy |
| JPS55154551A (en) * | 1979-05-18 | 1980-12-02 | Mitsubishi Metal Corp | Manufacture of high chromium alloy material |
| JPS5792103A (en) * | 1980-10-04 | 1982-06-08 | Heraeus Gmbh W C | Manufacture of target from chromium or chromium base alloy |
| JPS5855502A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-04-01 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 金属クロム板の製造法 |
| JPS604241A (ja) * | 1983-06-22 | 1985-01-10 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-09-30 JP JP23220486A patent/JPS62174373A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4126451A (en) * | 1977-03-30 | 1978-11-21 | Airco, Inc. | Manufacture of plates by powder-metallurgy |
| JPS55154551A (en) * | 1979-05-18 | 1980-12-02 | Mitsubishi Metal Corp | Manufacture of high chromium alloy material |
| JPS5792103A (en) * | 1980-10-04 | 1982-06-08 | Heraeus Gmbh W C | Manufacture of target from chromium or chromium base alloy |
| JPS5855502A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-04-01 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 金属クロム板の製造法 |
| JPS604241A (ja) * | 1983-06-22 | 1985-01-10 | Nec Corp | 半導体装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03150356A (ja) * | 1989-11-02 | 1991-06-26 | Hitachi Metals Ltd | タングステンまたはモリブデンターゲットおよびその製造方法 |
| EP1746173A3 (en) * | 2005-07-22 | 2007-05-09 | Heraeus, Inc. | Enhanced sputter target manufacturing method |
| EP1923481A3 (en) * | 2005-07-22 | 2008-06-18 | Heraeus, Inc. | Enhanced sputter target manufacturing method |
| CN103785838A (zh) * | 2012-11-01 | 2014-05-14 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 铬靶材的制作方法 |
| CN103785838B (zh) * | 2012-11-01 | 2016-06-01 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 铬靶材的制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH032230B2 (ja) | 1991-01-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3103359B2 (ja) | タングステン―チタンのスパッタリングターゲットの製造方法 | |
| KR102490248B1 (ko) | 분말 야금 스퍼터링 표적 및 그의 생성 방법 | |
| EP3129176B1 (en) | High purity refractory metal sputtering targets which have a uniform random texture manufactured by hot isostatic pressing high purity refractory metal powders | |
| EP0118380B1 (en) | Microstructural refinement of cast metal | |
| US5242481A (en) | Method of making powders and products of tantalum and niobium | |
| CN101522342B (zh) | 制备低氧含量金属粉末的方法、由此制得的粉末及其应用 | |
| US7566415B2 (en) | Method for manufacturing fully dense metal sheets and layered composites from reactive alloy powders | |
| CN1328409C (zh) | 铌溅射靶及其制造方法 | |
| FI3994287T3 (fi) | Menetelmä nikkelipohjaiseen seokseen perustuvan jauheen valmistamiseksi | |
| EP1785502A1 (en) | Direct rolling of cast gamma titanium aluminide alloys | |
| CN102069189A (zh) | 一种制备高纯材料的粉末冶金方法 | |
| EP0488996B1 (en) | Sintered magnesium-based composite material and process for preparing same | |
| EP0203197B1 (en) | Process for producing super-heat-resistant alloy material | |
| CN113088901A (zh) | 一种镍铬合金溅射靶材及其热等静压制备方法 | |
| US3698962A (en) | Method for producing superalloy articles by hot isostatic pressing | |
| CN117226095A (zh) | 一种大规格钛合金板材的制备方法 | |
| JP2757287B2 (ja) | タングステンターゲットの製造方法 | |
| JP2003055758A (ja) | スッパタリング用タングステン焼結体ターゲット及びその製造方法 | |
| JPS62174373A (ja) | クロムタ−ゲツト材及びその製造方法 | |
| US5344605A (en) | Method of degassing and solidifying an aluminum alloy powder | |
| JPS61502546A (ja) | 亜鉛可溶性金属粉末並びにその製造方法 | |
| CN112626431B (zh) | 一种医用超声换能器用预应力螺栓的制备方法 | |
| EP0568705B1 (en) | Method for degassing and solidifying aluminum alloy powder | |
| EP0217303B1 (en) | Nickel aluminide base compositions consolidated from powder | |
| JPS6058289B2 (ja) | 高クロム合金材の製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |