JPS62176130A - Ｘ線マスク - Google Patents
Ｘ線マスクInfo
- Publication number
- JPS62176130A JPS62176130A JP61018630A JP1863086A JPS62176130A JP S62176130 A JPS62176130 A JP S62176130A JP 61018630 A JP61018630 A JP 61018630A JP 1863086 A JP1863086 A JP 1863086A JP S62176130 A JPS62176130 A JP S62176130A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shielding film
- film
- main body
- mask
- strain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
Ｘ線マスクのマスクパターン領域の周囲に設けたＸ′ｆ
ｔ！Ａ吸収体よりなる遮蔽膜を枠状の遮蔽膜本体とし、
且つ遮蔽膜本体により生ずる歪を除去するための歪補正
膜を付加することにより、遮＠膜本体がマスクパターン
領域に及ぼす歪力を低減しマスクの狂いを減少する。
ｔ！Ａ吸収体よりなる遮蔽膜を枠状の遮蔽膜本体とし、
且つ遮蔽膜本体により生ずる歪を除去するための歪補正
膜を付加することにより、遮＠膜本体がマスクパターン
領域に及ぼす歪力を低減しマスクの狂いを減少する。
本発明はＸ線マスクに係わり、特に遮蔽膜を歪のないも
のに改善したＸ線マスクに関する。
のに改善したＸ線マスクに関する。
集積回路をより高集積化するには、より微細寸法のパタ
ーンを形成する必要があるが、従来の紫外線によるもの
は、回折、干渉などにより限界に達しつつあり、これを
克服するために、より波長の短いＸ線を用いるＸ線露光
法に関する研究開発が鋭意進められ、近年実用段階に可
なり近づいて来ていると言える。
ーンを形成する必要があるが、従来の紫外線によるもの
は、回折、干渉などにより限界に達しつつあり、これを
克服するために、より波長の短いＸ線を用いるＸ線露光
法に関する研究開発が鋭意進められ、近年実用段階に可
なり近づいて来ていると言える。
Ｘ線マスクによるアライメントは凡そ第２図に示すよう
にして行われる。
にして行われる。
第２図において６がｘｖＡマスクであり、このＸ線マス
ク６に近接して、下にパターニングするしシスト塗布の
Ｓｉ基板７を置く。Ｘ線マスク６の上方よりＸ線８で照
射露光することによりＸ線マスク６上のパターンをＳｉ
基板７に転写する。Ｘ線マスク６は、Ｘ線を透過する２
〜４μｍ厚のアモルファスの水素化ボロンナイトライド
（ＢＮ：Ｈ）等よりなるメンブレン２を、Ａｌ２Ｏ３等
で作った内径約６０ｍｍのリング４により、Ｓｔの基板
を間に挟んで支持し、このメンプレイン２上にＸ線吸収
体なる０、６〜０．８ μｍ厚のＡｕ等の薄膜で２０〜
２５ｍｍ角程度の広さに、微細パターンのマスクパター
ン領域１を形成した構造となっている。
ク６に近接して、下にパターニングするしシスト塗布の
Ｓｉ基板７を置く。Ｘ線マスク６の上方よりＸ線８で照
射露光することによりＸ線マスク６上のパターンをＳｉ
基板７に転写する。Ｘ線マスク６は、Ｘ線を透過する２
〜４μｍ厚のアモルファスの水素化ボロンナイトライド
（ＢＮ：Ｈ）等よりなるメンブレン２を、Ａｌ２Ｏ３等
で作った内径約６０ｍｍのリング４により、Ｓｔの基板
を間に挟んで支持し、このメンプレイン２上にＸ線吸収
体なる０、６〜０．８ μｍ厚のＡｕ等の薄膜で２０〜
２５ｍｍ角程度の広さに、微細パターンのマスクパター
ン領域１を形成した構造となっている。
Ｓｉ基板７の面積に比しマスクパターン領域１の面積は
小さいので、ステッパーで順次露光し、Ｓｉ基板７にパ
ターニングされる。
小さいので、ステッパーで順次露光し、Ｓｉ基板７にパ
ターニングされる。
このときＸ線マスク６の上方にはメカニカルシャッタ９
があり、これの開閉で露光がなされる訳であるが、この
メカニカルシャッタ９のみで正確にマスクパターン領域
のみを露光出来ないし、又回折等による散乱ＸｖＡ光が
マスクパターン領域外に拡がるので、正確なパターンを
Ｓｉ基板７に転写するためには、不必要なＸ線をカント
する必要がある。このため、メンブレン２上に、マスク
パターン領域１の外周に、マスクパターンと同一の材質
の薄膜の遮蔽膜３を形成している。
があり、これの開閉で露光がなされる訳であるが、この
メカニカルシャッタ９のみで正確にマスクパターン領域
のみを露光出来ないし、又回折等による散乱ＸｖＡ光が
マスクパターン領域外に拡がるので、正確なパターンを
Ｓｉ基板７に転写するためには、不必要なＸ線をカント
する必要がある。このため、メンブレン２上に、マスク
パターン領域１の外周に、マスクパターンと同一の材質
の薄膜の遮蔽膜３を形成している。
しかしこの遮蔽膜３の形状如何により、その内部応力に
よる歪がメンブレン２を通じてマスクパターンに影響し
マスク精度を低下さすが、未だ満足なものは得られてい
ない現状である。
よる歪がメンブレン２を通じてマスクパターンに影響し
マスク精度を低下さすが、未だ満足なものは得られてい
ない現状である。
第３図は従来例におけるＸ線マスクを説明するための模
式的上面図である。
式的上面図である。
第３図（ａ）は全体図で、この図において、１は２０〜
２５ｍｍ角のマスクパターン領域で、メンブレン２上に
Ａｕの薄膜のパターンが形成されている。３はマスクパ
ターン領域ｌにおけると同じ厚さのΔＵの薄膜で形成さ
れた遮蔽膜で、マスクパターン領域１の外周を一面に覆
い、リング２の外周で終端している。この遮蔽膜３によ
り、パターン形成に必要な露光領域外は完全にＸ線を遮
蔽することが出来る。
２５ｍｍ角のマスクパターン領域で、メンブレン２上に
Ａｕの薄膜のパターンが形成されている。３はマスクパ
ターン領域ｌにおけると同じ厚さのΔＵの薄膜で形成さ
れた遮蔽膜で、マスクパターン領域１の外周を一面に覆
い、リング２の外周で終端している。この遮蔽膜３によ
り、パターン形成に必要な露光領域外は完全にＸ線を遮
蔽することが出来る。
しかし、このＡｕの薄膜内に存在する内部応力のためメ
ンブレン２に歪を生ずる。その歪の量は同じ形のパター
ンならＡｕの薄膜の広さが大きい程大である。
ンブレン２に歪を生ずる。その歪の量は同じ形のパター
ンならＡｕの薄膜の広さが大きい程大である。
第３図（ｂ）はこの構造の遮蔽膜の遮蔽膜縁端部のシフ
トを示す図である。
トを示す図である。
この図において、３ａは設計上の遮蔽膜の縁端部位置、
３ｂは実際の遮蔽膜の縁端部位置で、シフト量（Ｓ）は
約０．５μｍである。このシフトの大きさはパターン精
度の要求される超ＬＳＩ等にあっては許容し難いもので
あり、改善が望まれている。
３ｂは実際の遮蔽膜の縁端部位置で、シフト量（Ｓ）は
約０．５μｍである。このシフトの大きさはパターン精
度の要求される超ＬＳＩ等にあっては許容し難いもので
あり、改善が望まれている。
Ｘ線マスクのマスクパターン領域外周の遮蔽膜の縁端部
における歪を減少させマスクパターン精度を向上さす。
における歪を減少させマスクパターン精度を向上さす。
上記問題点の解決は、Ｘ線透過材料よりなるメンブレン
とこのメンブレン上に形成されたＸ線吸収体層からなる
Ｘ線マスクにおいて、前記Ｘ線吸収体層が、パターンを
形成したマスクパターン領域と、このマスクパターン領
域の周囲を取り囲む枠状の遮蔽膜本体と、前記遮蔽膜本
体の応力減少のために、遮蔽膜本体に接続されリングに
延びる歪補正膜とを有してなる本発明にるＸ線マスクに
より達成される。
とこのメンブレン上に形成されたＸ線吸収体層からなる
Ｘ線マスクにおいて、前記Ｘ線吸収体層が、パターンを
形成したマスクパターン領域と、このマスクパターン領
域の周囲を取り囲む枠状の遮蔽膜本体と、前記遮蔽膜本
体の応力減少のために、遮蔽膜本体に接続されリングに
延びる歪補正膜とを有してなる本発明にるＸ線マスクに
より達成される。
Ｘ線マスクの遮蔽膜を遮蔽に必要にして充分な幅の枠状
の遮蔽膜本体とすると同時に、この遮蔽膜本体に生ずる
内部応力を減少するために遮蔽膜本体の外側に歪補正膜
を設けて、これにより内部応力を減殺し、以て歪を小さ
くするものである。
の遮蔽膜本体とすると同時に、この遮蔽膜本体に生ずる
内部応力を減少するために遮蔽膜本体の外側に歪補正膜
を設けて、これにより内部応力を減殺し、以て歪を小さ
くするものである。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明におけるＸ線マスクを説
明するための上面図である。
明するための上面図である。
第１図（ａ）は角吊り型のもので、この図において、１
は２０〜２５ｍｍ角のマスクパターン領域で、アモルフ
ァスの水素化ボロンナイトライド（ＢＮ：Ｈ）よりなる
メンブレン２上にＡｕの薄膜のパターンが形成されてい
る。これは全く第３図（ａ）におけるものと同じである
。３は幅４１の矩形枠状のＡｕ薄膜よりなる遮蔽膜本体
である。マスクパターン領域外にはみ出す有害なＸ線は
メカニカルシャッタ９からの直接光および回折散乱光と
もに、この遮蔽膜本体３で受は止めることが出来る。
は２０〜２５ｍｍ角のマスクパターン領域で、アモルフ
ァスの水素化ボロンナイトライド（ＢＮ：Ｈ）よりなる
メンブレン２上にＡｕの薄膜のパターンが形成されてい
る。これは全く第３図（ａ）におけるものと同じである
。３は幅４１の矩形枠状のＡｕ薄膜よりなる遮蔽膜本体
である。マスクパターン領域外にはみ出す有害なＸ線は
メカニカルシャッタ９からの直接光および回折散乱光と
もに、この遮蔽膜本体３で受は止めることが出来る。
更にこの遮蔽膜本体３の外側から矩形枠の対角線方向に
リング４の外周まで延びる約５．６６ｍｍ（＝４ Ｘ２
””ｍｍ）幅の歪補正膜５を同じＡｕ薄膜で形成したも
のである。
リング４の外周まで延びる約５．６６ｍｍ（＝４ Ｘ２
””ｍｍ）幅の歪補正膜５を同じＡｕ薄膜で形成したも
のである。
この歪補正膜５により遮蔽膜本体３の長手方向の内部応
力はキャンスルされるため、残る歪は非常に少なくなり
、遮蔽膜本体３の内側縁端部位置の設計値からのシフト
量は約０．０５μｍになり、従来例におけるものの１７
１０位に減少する。この歪補正膜５がリング４に達せず
途中で終端していると効果はない。
力はキャンスルされるため、残る歪は非常に少なくなり
、遮蔽膜本体３の内側縁端部位置の設計値からのシフト
量は約０．０５μｍになり、従来例におけるものの１７
１０位に減少する。この歪補正膜５がリング４に達せず
途中で終端していると効果はない。
第１図（ｂ）は井桁型のもので、この図において、歪補
正膜５は矩形枠状の遮蔽膜本体３をそのままの幅でリン
グ４に向かって延長したもので出来ており、他は第１図
（ａ）と全く同じ構造である。
正膜５は矩形枠状の遮蔽膜本体３をそのままの幅でリン
グ４に向かって延長したもので出来ており、他は第１図
（ａ）と全く同じ構造である。
この第１図（ｂ）におけるものにおいても、遮蔽膜本体
３の内側縁端部位置の設計値からのシフトｉは約０．０
５μｍで、第１図（ａ）の角吊り型と同じ効果を得るこ
とが出来た。
３の内側縁端部位置の設計値からのシフトｉは約０．０
５μｍで、第１図（ａ）の角吊り型と同じ効果を得るこ
とが出来た。
歪補正膜の形状は前記のものに限らず、遮蔽膜本体の歪
力を減殺するものであればよい。
力を減殺するものであればよい。
ここにおいて、メンブレンとしてＢＮ：ｌｌの替わりに
ＳｉＣ％ Ｓｔ、Ｎ４、アモルファスなりＮＣ： Ｈ等
を使用し、又Ｘ線吸収体としてＡｕＯ替わりにＴａ、
Ｗ等を使用しても同様な効果を得ることが出来る。
ＳｉＣ％ Ｓｔ、Ｎ４、アモルファスなりＮＣ： Ｈ等
を使用し、又Ｘ線吸収体としてＡｕＯ替わりにＴａ、
Ｗ等を使用しても同様な効果を得ることが出来る。
Ｘ線マスクの遮蔽膜を約４ｍｍ幅の矩形状枠の遮蔽膜本
体と、これによる内部応力を減殺する歪補正膜により、
遮蔽効果を損なわず、又マスクパターン領域の歪を極め
て小さいものにすることが出来る。
体と、これによる内部応力を減殺する歪補正膜により、
遮蔽効果を損なわず、又マスクパターン領域の歪を極め
て小さいものにすることが出来る。
第１図（ａ） 、（ｂ）は本発明におけるＸ線マスクを
説明するための模式的上面図、 第２図はＸ線マスクによる露光の断面模式図、第３図（
ａ） 、（ｂ）は従来例におけるＸ線マスクを説明する
ための模式的上面図である。 図において、 ■はマスクパターン領域、 ２はメンブレン、 ３は遮蔽膜本体、 ４はリング、 ５は歪補正膜、 メ４さ５月１でおけ３Ｘ＄７ズ残戊θ月７３錫の萩バ的
上面図メ１図
説明するための模式的上面図、 第２図はＸ線マスクによる露光の断面模式図、第３図（
ａ） 、（ｂ）は従来例におけるＸ線マスクを説明する
ための模式的上面図である。 図において、 ■はマスクパターン領域、 ２はメンブレン、 ３は遮蔽膜本体、 ４はリング、 ５は歪補正膜、 メ４さ５月１でおけ３Ｘ＄７ズ残戊θ月７３錫の萩バ的
上面図メ１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｘ線透過材料よりなるメンブレンとこのメンブレン上に
形成されたＸ線吸収体層からなるＸ線マスクにおいて、 前記Ｘ線吸収体層が、パターンを形成したマスクパター
ン領域（１）と、 このマスクパターン領域（１）の周囲を取り囲む枠状の
遮蔽膜本体（３）と、 前記遮蔽膜本体（３）の応力減少のために遮蔽膜本体（
３）に接続され、リング（２）に延びる歪補正膜（５）
とを 有してなることを特徴とするＸ線マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1863086A JPH0628228B2 (ja) | 1986-01-30 | 1986-01-30 | Ｘ線マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1863086A JPH0628228B2 (ja) | 1986-01-30 | 1986-01-30 | Ｘ線マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62176130A true JPS62176130A (ja) | 1987-08-01 |
| JPH0628228B2 JPH0628228B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=11976935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1863086A Expired - Fee Related JPH0628228B2 (ja) | 1986-01-30 | 1986-01-30 | Ｘ線マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0628228B2 (ja) |
-
1986
- 1986-01-30 JP JP1863086A patent/JPH0628228B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0628228B2 (ja) | 1994-04-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |