JPH0370308A - 弾性表面波デバイス用マスクパターン - Google Patents
弾性表面波デバイス用マスクパターンInfo
- Publication number
- JPH0370308A JPH0370308A JP1208223A JP20822389A JPH0370308A JP H0370308 A JPH0370308 A JP H0370308A JP 1208223 A JP1208223 A JP 1208223A JP 20822389 A JP20822389 A JP 20822389A JP H0370308 A JPH0370308 A JP H0370308A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- light shield
- mask
- light
- mask pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は弾性表面波デバイス用マスクパターンに関する
。
。
従来の弾性表面波デバイス用マスクパターンは、ＬＳＩ
製作で広く使われている電子ビーム直接描画によるマス
ク作成法と同様な方法で製作されている。特に１μｍ以
下のサブミクロン用のマスクパターンは、ライン及びス
ペース幅を等しくした等寸法マスクパターンである。
製作で広く使われている電子ビーム直接描画によるマス
ク作成法と同様な方法で製作されている。特に１μｍ以
下のサブミクロン用のマスクパターンは、ライン及びス
ペース幅を等しくした等寸法マスクパターンである。
上述した従来の弾性表面波デバイス用マススパターンで
は、ライン及びスペース幅を同じにしたパターン形成を
行なっているが、パターンの露光形成時にウェア外周部
での解像度が劣化して、ウェハの製造歩留りが極めて悪
いという欠点がある。
は、ライン及びスペース幅を同じにしたパターン形成を
行なっているが、パターンの露光形成時にウェア外周部
での解像度が劣化して、ウェハの製造歩留りが極めて悪
いという欠点がある。
本発明のマスクパターンは、遮光部分のライン幅と遮光
部分のスペース幅との比を０．５以下に設定して透光基
板上に遮光パターンを形成しである。
部分のスペース幅との比を０．５以下に設定して透光基
板上に遮光パターンを形成しである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例の平面図、側
面図である。石英ガラス１２は透明なマスク基板であり
、その面上にパターン形成したりロム薄Ｊｌｌｌｌが遮
光パターンである。
面図である。石英ガラス１２は透明なマスク基板であり
、その面上にパターン形成したりロム薄Ｊｌｌｌｌが遮
光パターンである。
本実施例では、Ｌ＝０．２５μｍ、ｓ＝ｏ、５μｍのラ
イン及びスペース幅でマスクを製作しウェハ全面でパタ
ーンを露光形成できた。従来の等寸法マスク（Ｌ＝Ｓ＝
０．３７５μｍ＞ではウェハの外周部分にパターン形成
できない領域を生じる（面積比１１５）。
イン及びスペース幅でマスクを製作しウェハ全面でパタ
ーンを露光形成できた。従来の等寸法マスク（Ｌ＝Ｓ＝
０．３７５μｍ＞ではウェハの外周部分にパターン形成
できない領域を生じる（面積比１１５）。
以上説明したように本発明には、サブミクロンのライン
及びスペース幅のパターンをウェハ全面で露光形成でき
る効果がある。
及びスペース幅のパターンをウェハ全面で露光形成でき
る効果がある。
第１図（ａ＞及び（ｂ）は本発明の実施例の平面図及び
側面図である。 １１・・・クロム薄膜、１２・・・石英ガラス。
側面図である。 １１・・・クロム薄膜、１２・・・石英ガラス。
Claims (1)
- 遮光部分のライン幅と遮光部分のスペース幅との比を
０．５以下に設定して透光基板上に遮光パターンを形成
してあることを特徴とする弾性表面波デバイス用マスク
パターン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1208223A JPH0370308A (ja) | 1989-08-10 | 1989-08-10 | 弾性表面波デバイス用マスクパターン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1208223A JPH0370308A (ja) | 1989-08-10 | 1989-08-10 | 弾性表面波デバイス用マスクパターン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0370308A true JPH0370308A (ja) | 1991-03-26 |
Family
ID=16552710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1208223A Pending JPH0370308A (ja) | 1989-08-10 | 1989-08-10 | 弾性表面波デバイス用マスクパターン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0370308A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04365212A (ja) * | 1991-06-13 | 1992-12-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-08-10 JP JP1208223A patent/JPH0370308A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04365212A (ja) * | 1991-06-13 | 1992-12-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波装置の製造方法 |
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